JPS63263815A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS63263815A JPS63263815A JP9886087A JP9886087A JPS63263815A JP S63263815 A JPS63263815 A JP S63263815A JP 9886087 A JP9886087 A JP 9886087A JP 9886087 A JP9886087 A JP 9886087A JP S63263815 A JPS63263815 A JP S63263815A
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- JP
- Japan
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- type
- surface acoustic
- acoustic wave
- film thickness
- distribution
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ｄＲＡｃ （リフレクティフ”・アレイ・コンプ
レッサ）型弾性表面波（ＳＡＷ）分散型遅延線の金属反
射格子の構造に関する。
レッサ）型弾性表面波（ＳＡＷ）分散型遅延線の金属反
射格子の構造に関する。
従来％ＲＡＣ型ＳＡＷ分散型）Ｖ延線の反射格子の構造
は、基板上に一定な膜厚の金属膜を形成することによっ
て作られていた。
は、基板上に一定な膜厚の金属膜を形成することによっ
て作られていた。
上述の従来の反射格子構造では、入出カドランスシェー
ブから遠く離れた反射格子で反射される弾性表面波は摂
動を受け、減衰の為に反射係数が落ち、帯域内特性に傾
斜を鳴していた。
ブから遠く離れた反射格子で反射される弾性表面波は摂
動を受け、減衰の為に反射係数が落ち、帯域内特性に傾
斜を鳴していた。
本発明の弾性表面波装置は、金属ＢＡＣ型分数分散型遅
延線成す・る反射格子のアルミニウム膜厚奮入出カドラ
ンスジューサから離れるにしたがって厚くした構造を有
している。
延線成す・る反射格子のアルミニウム膜厚奮入出カドラ
ンスジューサから離れるにしたがって厚くした構造を有
している。
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、（ａ）は平面図。
［ｂｌｒｉ断面図である。図において、基板であるＢｉ
ｔ鵞Ｇｅｍ、、結晶１５の左側に人出カドランスシュー
ブ１１．１３が設けられ、膜ル傾斜分布１６を有する所
定の間隔で配置された反射格子１２．１４が構成されて
金属ＲＡＣ型ＳＡＷ分散型遅延紛を成している。この遅
延線の特性が第２図に示すダウンチャーブ特性である。
ｔ鵞Ｇｅｍ、、結晶１５の左側に人出カドランスシュー
ブ１１．１３が設けられ、膜ル傾斜分布１６を有する所
定の間隔で配置された反射格子１２．１４が構成されて
金属ＲＡＣ型ＳＡＷ分散型遅延紛を成している。この遅
延線の特性が第２図に示すダウンチャーブ特性である。
従来の反射格子の膜厚が一定の場合ｒｉ第３図の様な傾
斜した帯域内特性となっていた。すなわち、高域の周仮
数は入出カドランスジ＝−サ１１，１３に近い反射格子
で反射でれ、低域０１１４ｒｉ人出力ＩＤ′１゛（イン
タデジタル電極）から離れた反射格子で反射されていた
。
斜した帯域内特性となっていた。すなわち、高域の周仮
数は入出カドランスジ＝−サ１１，１３に近い反射格子
で反射でれ、低域０１１４ｒｉ人出力ＩＤ′１゛（イン
タデジタル電極）から離れた反射格子で反射されていた
。
しかし、本発明の様な膜厚分布に反射格子を形成するこ
とにより、第２図に示すように帯域内特性が安定化した
。本発明の実施例の素子の製造方法としては、第４図の
様に真空ペルジャー内で電子ビーム４２でルツボ４３か
らアルミを蒸発（矢印４４ｒｉ蒸発したアルばを示す）
させる。ＨＧＯ基板４１を蒸着源から第４図のように蒸
発したアルミが多い位置ａから少ない位ｆｂＯ間におく
ことにより、第１図の構造の金Ｆｊ！ＲＡｃ型分散型遅
延線が得られる。
とにより、第２図に示すように帯域内特性が安定化した
。本発明の実施例の素子の製造方法としては、第４図の
様に真空ペルジャー内で電子ビーム４２でルツボ４３か
らアルミを蒸発（矢印４４ｒｉ蒸発したアルばを示す）
させる。ＨＧＯ基板４１を蒸着源から第４図のように蒸
発したアルミが多い位置ａから少ない位ｆｂＯ間におく
ことにより、第１図の構造の金Ｆｊ！ＲＡｃ型分散型遅
延線が得られる。
以上説明した様に本発明の弾性表面波装置では比較的簡
単な構成で金酋ＲＡＣ型分散型遅廷線の特性改善ができ
る。
単な構成で金酋ＲＡＣ型分散型遅廷線の特性改善ができ
る。
第１図ｆａｔ 、 ｆｂｌｆ１本発明の実施例を示し、
ｆａ）ｉ平面図−（ｔ））ｄ（ａｌのＡ−Ａ断面図、第
２図ｒｉ第１図の素子の揚幅竹性を示す線図、第３図ｒ
ｔ従来のＫＡＣ型５Ａｖｖ分散型遅延紳の振幅特性を示
す線図、第４図は本発明の素子の製造方法を説明するた
めの図である。
ｆａ）ｉ平面図−（ｔ））ｄ（ａｌのＡ−Ａ断面図、第
２図ｒｉ第１図の素子の揚幅竹性を示す線図、第３図ｒ
ｔ従来のＫＡＣ型５Ａｖｖ分散型遅延紳の振幅特性を示
す線図、第４図は本発明の素子の製造方法を説明するた
めの図である。
Claims (1)
- 金属リフレクティブ、アレイ、コンプレッサ（ＲＡＣ）
型弾性表面波分散型遅延線を構成する反射格子が基板上
に形成された弾性表面波装置において、前記反射格子の
膜厚分布が、入出力交差状電極から離れるにしたがって
、直線的に厚くなる様にしたことを特徴とする弾性表面
波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9886087A JPS63263815A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9886087A JPS63263815A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263815A true JPS63263815A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14230976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9886087A Pending JPS63263815A (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02186708A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| WO1999005788A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP9886087A patent/JPS63263815A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02186708A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Nec Corp | 弾性表面波装置 |
| WO1999005788A1 (fr) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dispositif de traitement d'ondes acoustiques de surface et son procede de fabrication |
| US6377138B1 (en) | 1997-07-28 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device with a layered conductive film and method of producing the same |
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