JPS63261553A - 光学的情報記録媒体の結晶化方法 - Google Patents
光学的情報記録媒体の結晶化方法Info
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- JPS63261553A JPS63261553A JP62095170A JP9517087A JPS63261553A JP S63261553 A JPS63261553 A JP S63261553A JP 62095170 A JP62095170 A JP 62095170A JP 9517087 A JP9517087 A JP 9517087A JP S63261553 A JPS63261553 A JP S63261553A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的情報記録媒体において結晶状態を得る
方法に係り、特に、該媒体全体を一括して結晶状態にす
るに好適な結晶化方法に関する。
方法に係り、特に、該媒体全体を一括して結晶状態にす
るに好適な結晶化方法に関する。
光学的情報記録媒体に情報を記録するには1例、えばレ
ーザ光等の光ビームエネルギ等を上記媒体″′に与えて
、該媒体の1つの構造状態を他の構造状態に物理的に変
化させて行なうことができろ。このような情報記録媒体
としてはカルコゲン化物が知られて′j6v、カルコゲ
ン化物は例えば非晶質状態と結晶状態の異なる2つの構
造状態をとることができる。例えば、元ビームを上記媒
体に照射し加熱昇温し徐冷すると該媒体は結晶化し、パ
ルス幅の短い元ビームを照射し、急熱急冷すると非晶質
状態となる。
ーザ光等の光ビームエネルギ等を上記媒体″′に与えて
、該媒体の1つの構造状態を他の構造状態に物理的に変
化させて行なうことができろ。このような情報記録媒体
としてはカルコゲン化物が知られて′j6v、カルコゲ
ン化物は例えば非晶質状態と結晶状態の異なる2つの構
造状態をとることができる。例えば、元ビームを上記媒
体に照射し加熱昇温し徐冷すると該媒体は結晶化し、パ
ルス幅の短い元ビームを照射し、急熱急冷すると非晶質
状態となる。
上記記録媒体を用いた時の記録方法として、非晶質状態
から結晶状態KK化させて記録を行なう方法と、結晶状
態から非晶質状態に変化させて記録を行なう方法がある
。例えば1μm以下の短波長記録を行なう時には、急熱
急冷により得られる非晶質状態に変化させて記録を行な
う後者の方法が記鍮時におけるビット間の熱的干渉が少
なく、有利である。しかし、情報記録媒体の製造時には
通常、該媒体は非晶質状態であるため、上記記録方法を
用いる場倉、該媒体をあらかじめ結晶状態にしてgく必
要がある。
から結晶状態KK化させて記録を行なう方法と、結晶状
態から非晶質状態に変化させて記録を行なう方法がある
。例えば1μm以下の短波長記録を行なう時には、急熱
急冷により得られる非晶質状態に変化させて記録を行な
う後者の方法が記鍮時におけるビット間の熱的干渉が少
なく、有利である。しかし、情報記録媒体の製造時には
通常、該媒体は非晶質状態であるため、上記記録方法を
用いる場倉、該媒体をあらかじめ結晶状態にしてgく必
要がある。
上記の構造変化を生せしめる方法としては、特公昭47
−26897号公報に示されであるように、種々形態の
エネルギーを使用する方法が挙げられ。
−26897号公報に示されであるように、種々形態の
エネルギーを使用する方法が挙げられ。
例えば、電気エネルギー、輻射熱、写真用閃光ランプの
元、レーザ元来のエネルギー等の形における1@エネル
ギーの様なビーム状エネルギー、ML子線や陽子線の様
な粒子線エネルギー等がある。
元、レーザ元来のエネルギー等の形における1@エネル
ギーの様なビーム状エネルギー、ML子線や陽子線の様
な粒子線エネルギー等がある。
上記エネルギーを印加する具体的な方法として、゛例え
ば、恒温槽中に情報記録媒体を放置し、該媒体全体ケ加
熱する方法、あるいは特開昭61−208648号公報
記載のように、上記加熱と同時に電気エネルギーを印加
する方法等が提案されている〔発明が解決しようとする
問題点〕 しかし、上記方法は情報記録媒体全体110G’c’〜
150’C以上の高温にさらす必要があり、変形の点か
らアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク基板を用いた情報記録媒体に適用することは困難であ
った。
ば、恒温槽中に情報記録媒体を放置し、該媒体全体ケ加
熱する方法、あるいは特開昭61−208648号公報
記載のように、上記加熱と同時に電気エネルギーを印加
する方法等が提案されている〔発明が解決しようとする
問題点〕 しかし、上記方法は情報記録媒体全体110G’c’〜
150’C以上の高温にさらす必要があり、変形の点か
らアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂等のプラスチッ
ク基板を用いた情報記録媒体に適用することは困難であ
った。
さらに、その他の方法においても、情報記録媒体の全体
を一括してあらかじめ結晶状態にしておくだめの有効な
方法については十分検討されておらず、生産性の良い方
法は見い出されていなかりた。
を一括してあらかじめ結晶状態にしておくだめの有効な
方法については十分検討されておらず、生産性の良い方
法は見い出されていなかりた。
本発明の目的は、情報記録媒体において、一括して結晶
状態を得る方法を提供することにある。
状態を得る方法を提供することにある。
上記目的を解決するために1本発明者等は糧々のエネル
ギーを使用する方法について検討を行ない、高出力の閃
光ランプを情報記録媒体に照射することにより、一括し
て所望の結晶状態が得られることを見い出した、 〔作用〕 上記方法として、本発明者等は、次の(1)〜(5)の
方法について検討した。
ギーを使用する方法について検討を行ない、高出力の閃
光ランプを情報記録媒体に照射することにより、一括し
て所望の結晶状態が得られることを見い出した、 〔作用〕 上記方法として、本発明者等は、次の(1)〜(5)の
方法について検討した。
(1)オーブン加熱方法
(2)赤外線加熱方法
(5)高周波誘導加熱方法
(4)レーザビーム照射方法
(5)写真用閃光ランプ照射方法
以下、各々の検討結果について述べろ。第2図に検討に
用いた光学的情報記録媒体の要部断面図を示″f、該光
学的情報記録媒体は直径11mmのディスク形状をして
g5.以下、これ′t−元ディスクで総称する。11は
ポリカーボネート樹脂基板、12は8b−8e−Bi記
録膜、15は紫外線硬化樹脂保護膜、14は接着剤であ
る。
用いた光学的情報記録媒体の要部断面図を示″f、該光
学的情報記録媒体は直径11mmのディスク形状をして
g5.以下、これ′t−元ディスクで総称する。11は
ポリカーボネート樹脂基板、12は8b−8e−Bi記
録膜、15は紫外線硬化樹脂保護膜、14は接着剤であ
る。
(1)オーブン加熱方法
上記5b−8e−Bt 記録膜の結晶化温度は150°
Cであるため、良好な結晶状態會得るには170°Cで
10分程度加熱する必要がある。基板としてガラスを用
いた時には、170°010分間オープン中に放置する
ことにより、該記録膜は良好な結晶状態となった。−万
、ポリカーボネート基板を用いた元ディスクt−170
°C10分間加熱したところ基板が変形し、使用不能と
なりた、またポリカーボネート樹脂より耐熱性の高いポ
リオレフィン系樹脂基板を用いた元ディスクで同様の実
験を行なったところ、基板変形は少なかったが基板内部
に気泡が多数発生し、使用不能となり九。
Cであるため、良好な結晶状態會得るには170°Cで
10分程度加熱する必要がある。基板としてガラスを用
いた時には、170°010分間オープン中に放置する
ことにより、該記録膜は良好な結晶状態となった。−万
、ポリカーボネート基板を用いた元ディスクt−170
°C10分間加熱したところ基板が変形し、使用不能と
なりた、またポリカーボネート樹脂より耐熱性の高いポ
リオレフィン系樹脂基板を用いた元ディスクで同様の実
験を行なったところ、基板変形は少なかったが基板内部
に気泡が多数発生し、使用不能となり九。
以上のように、オープン加熱方法は、ガラス基板等の耐
熱性の高い基板を用いた元ディスクには適するが、現在
のプラスチック基板では耐熱性が低く、実用には適さな
い。該オープン加熱方法を用いるKは、耐熱温度20u
0C以上の樹脂基板が必要である (2)赤外線加熱方法 第3図に、赤外線加熱装置の概略断面図を示す、15は
赤外線加熱ランプ(石英カラス管にタングステンフィラ
メントを封じこんだもの)。
熱性の高い基板を用いた元ディスクには適するが、現在
のプラスチック基板では耐熱性が低く、実用には適さな
い。該オープン加熱方法を用いるKは、耐熱温度20u
0C以上の樹脂基板が必要である (2)赤外線加熱方法 第3図に、赤外線加熱装置の概略断面図を示す、15は
赤外線加熱ランプ(石英カラス管にタングステンフィラ
メントを封じこんだもの)。
16はランプハウス、17は装置外壁、1は元ディスク
である。該装置は赤外線ランプを用いて。
である。該装置は赤外線ランプを用いて。
50°C/Secの速度で加熱昇温か可能であり、単時
間に記録膜を加熱することができる。本装置を用いて元
ディスク1の結晶化実験を行なったが、これにおいても
ディスク基板の変形を防ぐことができなかった。
間に記録膜を加熱することができる。本装置を用いて元
ディスク1の結晶化実験を行なったが、これにおいても
ディスク基板の変形を防ぐことができなかった。
(5)高周波誘導加熱方法
周波数2MHz、500Vの入力と、フェライト磁極を
用いて、元ディスクに高周波電磁界を印加した。しかし
、ガルコゲナイド系記録膜は半導体・半金属であるため
、高周波損失がほとんどない0 したがって、有効な加
熱ができず、良好な結晶状態は得られなかった。
用いて、元ディスクに高周波電磁界を印加した。しかし
、ガルコゲナイド系記録膜は半導体・半金属であるため
、高周波損失がほとんどない0 したがって、有効な加
熱ができず、良好な結晶状態は得られなかった。
(4)レーザビーム照射方法
第4図にレーザビーム照射装置tを示す。20は出力a
oomwのアルゴンレーザ、21はシャッター22はN
A O,1のレンズ、25はディスク回転モータでこ
れは回転しながら図中の矢印の方向に移動する構造とな
っている。該装置においては、光ディスク1をモータ2
5で回転させなからレーザビームを該ディスクに照射し
、さらにステージを移動させることによりディスク半径
方向にレーザビームを移動させている6400mvvの
レーザを直接照射するだり゛では、記録膜の温度上昇が
少なく、十分な結晶状態にすることはできない。
oomwのアルゴンレーザ、21はシャッター22はN
A O,1のレンズ、25はディスク回転モータでこ
れは回転しながら図中の矢印の方向に移動する構造とな
っている。該装置においては、光ディスク1をモータ2
5で回転させなからレーザビームを該ディスクに照射し
、さらにステージを移動させることによりディスク半径
方向にレーザビームを移動させている6400mvvの
レーザを直接照射するだり゛では、記録膜の温度上昇が
少なく、十分な結晶状態にすることはできない。
そのため、NA[Llのレンズ22を用いて、レーザビ
ームスポット全豹20μmφに絞っている、該方法によ
れば、ディスクの一部のみレーザビーム?照射している
ため、ディスク基板の変形は全く問題がない。しかし、
レーザビームスポット径が小さいために、ディスク全面
を結晶化するためには、10分〜60分間必要であり、
生産性の点で問題となった。
ームスポット全豹20μmφに絞っている、該方法によ
れば、ディスクの一部のみレーザビーム?照射している
ため、ディスク基板の変形は全く問題がない。しかし、
レーザビームスポット径が小さいために、ディスク全面
を結晶化するためには、10分〜60分間必要であり、
生産性の点で問題となった。
(5)写真用閃光ランプ照射方法
写真用閃光ランプとして、市販されているストロボライ
ト(カイドナンノ<−25)’i用(Sて。
ト(カイドナンノ<−25)’i用(Sて。
元ディスクに照射した。元ディスクに接近させて行なっ
たところ、10mm X 20mm程度の狭い範囲で結
晶化することができた。し力・し、元ディスクから5m
m以上離すとほとんど結晶化できないことから、該方法
では、ディスク全体を結1晶化することは困難であった
、 以上のように(1)〜(5)の方法について検討を行な
ったが、元ディスクを一括して短時間に結晶化する方法
はなかつ九。
たところ、10mm X 20mm程度の狭い範囲で結
晶化することができた。し力・し、元ディスクから5m
m以上離すとほとんど結晶化できないことから、該方法
では、ディスク全体を結1晶化することは困難であった
、 以上のように(1)〜(5)の方法について検討を行な
ったが、元ディスクを一括して短時間に結晶化する方法
はなかつ九。
しかし、本発明者等は、写真用閃光ランプ照射により小
面積ながら短時間で元ディスクの一部を結晶化できるこ
とく着目し、閃光ランプの出力を増大させることt考え
た、 直径11mmの元ディスク全体を結晶化するためには、
写真用閃光ランプ出力の100.5以上のエネルギーを
照射しなければならない、本発明者等は。
面積ながら短時間で元ディスクの一部を結晶化できるこ
とく着目し、閃光ランプの出力を増大させることt考え
た、 直径11mmの元ディスク全体を結晶化するためには、
写真用閃光ランプ出力の100.5以上のエネルギーを
照射しなければならない、本発明者等は。
大面積にわた9 2000ジユ一ル程度のエネルギーを
照射できろ閃光ランプを試作し、該ランプ照射により、
元ディスク全体を一括して結晶化できることを確認した
。これにより、短時間で生産性良く、元ディスク全体を
結晶化することができた、〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第1″図、第5因により説明
する。
照射できろ閃光ランプを試作し、該ランプ照射により、
元ディスク全体を一括して結晶化できることを確認した
。これにより、短時間で生産性良く、元ディスク全体を
結晶化することができた、〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第1″図、第5因により説明
する。
実施例1
第1図は本実施例で用いた閃光ランプ装置の要部断面図
と、元ディスク1に光線を照射している様子を示したも
のである。2は閃光放電管でありキセノンランプを用い
ている。元ディスク記録媒体は主に半導体レーザ波長域
で大きなエネルギー吸収を得ているために、閃光ランプ
としては、公党エネルギー分布が半導体レーザ波長であ
る800nm付近に伸びていることが必要である。キセ
ノンランプは、公党エネルギー分布が自然昼光に近いげ
かりでなく、そのエネルギー分布は半導体レーザ波長域
まで十分に伸びている、したがって、キセノンランプは
、本発明を実施するに当り好適なランプである。4は凹
面の反射鏡であり、元ディスク1に閃光放電管2からの
光線3を有効かつ均一に5元ディスク1に照射するため
に設けたものである。5はガラス等より成る透明板であ
る。第5図は、第1図に示した閃光放電管を放電させる
ための回路の一例を示す回路である。50はキセノンラ
ンプ@ CI * C2はコンデンサ、Trはトランス
、鴇、R1は抵抗、Sはサイリスタ、34はスイッチ回
路である。C8はメインコンデンサであり、充電回路(
図示せず)により所定の電圧まで充電されるようになっ
ている、メインコンデンサC1の一方の電極は中上ノン
ランプ50の陽極51に接続され、他方の電極は陰極5
2に接続されている。スイン′ チ回路54よりサイリ
ス−タSのゲート端子にオン信号を与えると、トランス
T「にコンデンサC2の放電による電流が流れ、Trの
昇圧作用により高t EE−t)Xキセノンランプ30
のトリガー電極65に印加される。こ1により、キセノ
ンランプSO内のガスがイオン化されて、内部抵抗が減
少し、該午セノンランプ50の両極間に一瞬に放電が行
なわれて発光がなされる。この時の発光時間は、o、5
m5ec 〜2m5eCである、中セノンランプの照射
光線エネルギーW (J)は、ランプの発覚効率η、=
?セノンランプに接続されるメインコンデンサの容量e
(F)ト充電々圧V (V)によりW=ηX 2 e
V で与えられろ、発光効率ηは、ランプにより異な
るために。
と、元ディスク1に光線を照射している様子を示したも
のである。2は閃光放電管でありキセノンランプを用い
ている。元ディスク記録媒体は主に半導体レーザ波長域
で大きなエネルギー吸収を得ているために、閃光ランプ
としては、公党エネルギー分布が半導体レーザ波長であ
る800nm付近に伸びていることが必要である。キセ
ノンランプは、公党エネルギー分布が自然昼光に近いげ
かりでなく、そのエネルギー分布は半導体レーザ波長域
まで十分に伸びている、したがって、キセノンランプは
、本発明を実施するに当り好適なランプである。4は凹
面の反射鏡であり、元ディスク1に閃光放電管2からの
光線3を有効かつ均一に5元ディスク1に照射するため
に設けたものである。5はガラス等より成る透明板であ
る。第5図は、第1図に示した閃光放電管を放電させる
ための回路の一例を示す回路である。50はキセノンラ
ンプ@ CI * C2はコンデンサ、Trはトランス
、鴇、R1は抵抗、Sはサイリスタ、34はスイッチ回
路である。C8はメインコンデンサであり、充電回路(
図示せず)により所定の電圧まで充電されるようになっ
ている、メインコンデンサC1の一方の電極は中上ノン
ランプ50の陽極51に接続され、他方の電極は陰極5
2に接続されている。スイン′ チ回路54よりサイリ
ス−タSのゲート端子にオン信号を与えると、トランス
T「にコンデンサC2の放電による電流が流れ、Trの
昇圧作用により高t EE−t)Xキセノンランプ30
のトリガー電極65に印加される。こ1により、キセノ
ンランプSO内のガスがイオン化されて、内部抵抗が減
少し、該午セノンランプ50の両極間に一瞬に放電が行
なわれて発光がなされる。この時の発光時間は、o、5
m5ec 〜2m5eCである、中セノンランプの照射
光線エネルギーW (J)は、ランプの発覚効率η、=
?セノンランプに接続されるメインコンデンサの容量e
(F)ト充電々圧V (V)によりW=ηX 2 e
V で与えられろ、発光効率ηは、ランプにより異な
るために。
1 宜 ・
本実施例ではランプの入力エネルギーTC■を目安とし
ている。本実施例によれば、入力エネルギー1に200
0Jとすることにより、直径130mmの元ディスク全
体を一括して結晶化することができた。この時の充tX
圧は、約800Vであった。入力エネルギー1i−10
00Jとした場合には、キセノンランプを一回照射した
だけでは。
ている。本実施例によれば、入力エネルギー1に200
0Jとすることにより、直径130mmの元ディスク全
体を一括して結晶化することができた。この時の充tX
圧は、約800Vであった。入力エネルギー1i−10
00Jとした場合には、キセノンランプを一回照射した
だけでは。
元ディスク全体を十分に結晶化することはできなかった
。しかし、上記照射を数回繰り返丁ことにより、完全に
結晶化することができた。上記入力エネルギーWと、完
全に結晶化するための照射回数Nとの関係は、−回照射
で完全に結晶化する時のエネルギーをWoとすると、は
ぼ、WxN≧W0となりている。
。しかし、上記照射を数回繰り返丁ことにより、完全に
結晶化することができた。上記入力エネルギーWと、完
全に結晶化するための照射回数Nとの関係は、−回照射
で完全に結晶化する時のエネルギーをWoとすると、は
ぼ、WxN≧W0となりている。
上記実施例においては、元ディスク1に組み立ててから
、基板側より閃光照射を行なった。
、基板側より閃光照射を行なった。
閃光照射t−するプロセスは、これに限るものではなく
第6図に示すように、記録膜形成後、あるいは保護膜形
成後に閃光照射をすることもできる。すなわち、本発明
における元ディスク作成プロセスは第6図のように、基
板作成後、3b−8e−Bi記録膜を形成し、紫外線硬
化樹脂保護膜を塗布・硬化後、接着剤により貼り合せて
元ディスクを得ている。したがって、閃光照射により結
晶化するプロセスは、第6図中に■。
第6図に示すように、記録膜形成後、あるいは保護膜形
成後に閃光照射をすることもできる。すなわち、本発明
における元ディスク作成プロセスは第6図のように、基
板作成後、3b−8e−Bi記録膜を形成し、紫外線硬
化樹脂保護膜を塗布・硬化後、接着剤により貼り合せて
元ディスクを得ている。したがって、閃光照射により結
晶化するプロセスは、第6図中に■。
■、■で示す所に挿入することができる、カラス基板を
用いた時には、■、■、■のいずれの時点に8いて閃光
照射をしても問題はなかったが、プラスチック基板を用
いた時には。
用いた時には、■、■、■のいずれの時点に8いて閃光
照射をしても問題はなかったが、プラスチック基板を用
いた時には。
実施例1で示したプロセスに相当する第6図中■の方法
(元ディスク貼り合せ後に閃光照射する方法)を採ると
、基板表面(記動膜形成面側)に微少な凹凸が発生する
ことがあった。これを改善する方法として、前記の■、
■の方法について以下に述べる。
(元ディスク貼り合せ後に閃光照射する方法)を採ると
、基板表面(記動膜形成面側)に微少な凹凸が発生する
ことがあった。これを改善する方法として、前記の■、
■の方法について以下に述べる。
実施例2
基板として、ポリカーボネート樹脂基板を用い該基板上
に、スパッタ法によジ8b−8e−Bi記鍮膜を120
nmの厚さに形成した。該ディスクに、実施例1で示し
た閃光発生装置を用いて、閃光を照射した、閃光照射エ
ネルギーは、1000Jと低いエネルギーで結晶化を行
なうことができたが、該エネルギーでは、記録膜に亀裂
が生じ九。これは、基板と記録膜の熱膨張率が約1桁異
なることによると考えられる。該亀裂は照射エネルギー
を500J以下にすることにより防止できろが、結晶化
させるためのエネルギーとしては少な丁ぎるために照射
回数をふやす必要がある。−万、基板表面の微少凹凸は
発生しなかった6照射エネルギー?600J 、照射回
数1に4回として結晶化を行ない、紫外線硬化樹脂保護
膜を塗布・硬化させ、接着剤で貼り合わせて元ディスク
を得た。
に、スパッタ法によジ8b−8e−Bi記鍮膜を120
nmの厚さに形成した。該ディスクに、実施例1で示し
た閃光発生装置を用いて、閃光を照射した、閃光照射エ
ネルギーは、1000Jと低いエネルギーで結晶化を行
なうことができたが、該エネルギーでは、記録膜に亀裂
が生じ九。これは、基板と記録膜の熱膨張率が約1桁異
なることによると考えられる。該亀裂は照射エネルギー
を500J以下にすることにより防止できろが、結晶化
させるためのエネルギーとしては少な丁ぎるために照射
回数をふやす必要がある。−万、基板表面の微少凹凸は
発生しなかった6照射エネルギー?600J 、照射回
数1に4回として結晶化を行ない、紫外線硬化樹脂保護
膜を塗布・硬化させ、接着剤で貼り合わせて元ディスク
を得た。
実施例3
基板として、ポリカーボネート樹脂基板を用い該基板上
に、スパッタ法によr) S b −8e −B i記
録膜1k120nmの厚さに形成した。その後、紫外線
硬化樹脂保賎りを50μmの厚さに塗布形成し、紫外線
照射により硬化させた。該ディスクに、実施例1で示し
た閃光発生装置を用いて、閃yt、1照射した。閃光を
照射する方向は、基板側と保!!!1.@の2方向があ
るが、保@膜側から照射することにより良好な結晶状態
と基板赤面状態を得た。基板側から照射した場合には、
実施例1のディスク貼り合せ後に照射した時と同様に、
基板表面に微少な凹凸が生ずることがあった。また、保
護膜を形成jることにより、実施例2で生じたような記
録膜の亀裂の発生はなかった。ただし、保護膜の厚さ′
?t2μm以下にすると、閃光照射時に保護膜にしわ状
のふ(れが生じたために、保護膜の厚さは211m以上
、好ましくは5μm以上必要である。照射エネルギーを
2000Jとし、保護膜側から11閃元照射することに
より結晶化を行ない接着剤により貼り合わせて、元ディ
スクを得た。
に、スパッタ法によr) S b −8e −B i記
録膜1k120nmの厚さに形成した。その後、紫外線
硬化樹脂保賎りを50μmの厚さに塗布形成し、紫外線
照射により硬化させた。該ディスクに、実施例1で示し
た閃光発生装置を用いて、閃yt、1照射した。閃光を
照射する方向は、基板側と保!!!1.@の2方向があ
るが、保@膜側から照射することにより良好な結晶状態
と基板赤面状態を得た。基板側から照射した場合には、
実施例1のディスク貼り合せ後に照射した時と同様に、
基板表面に微少な凹凸が生ずることがあった。また、保
護膜を形成jることにより、実施例2で生じたような記
録膜の亀裂の発生はなかった。ただし、保護膜の厚さ′
?t2μm以下にすると、閃光照射時に保護膜にしわ状
のふ(れが生じたために、保護膜の厚さは211m以上
、好ましくは5μm以上必要である。照射エネルギーを
2000Jとし、保護膜側から11閃元照射することに
より結晶化を行ない接着剤により貼り合わせて、元ディ
スクを得た。
上記保護膜は、有機系保護膜を用いていたが、記録膜の
上に8102等の無機系保護14t−50nm〜11x
n程度設けることにより、記録膜の亀裂を防ぐことも可
能である、また、無機系保護膜と有機系保護膜の複合と
することもでき、この場合には、有機保護膜の厚さ1f
I:2pm J)下にすることもできる。
上に8102等の無機系保護14t−50nm〜11x
n程度設けることにより、記録膜の亀裂を防ぐことも可
能である、また、無機系保護膜と有機系保護膜の複合と
することもでき、この場合には、有機保護膜の厚さ1f
I:2pm J)下にすることもできる。
上記実施例において、基板側から閃光照射した時に基板
表面に微少凹凸が発生することがあるのは、基板自身が
閃光スペクトルの一部を吸収するためと考えられろ。−
万、保護膜側から照射した場合には、照射エネルギーの
多くが記録膜で吸収され、基板へのダメージが少ないた
めに、基板表面の凹凸が生じにくいものと考えられる。
表面に微少凹凸が発生することがあるのは、基板自身が
閃光スペクトルの一部を吸収するためと考えられろ。−
万、保護膜側から照射した場合には、照射エネルギーの
多くが記録膜で吸収され、基板へのダメージが少ないた
めに、基板表面の凹凸が生じにくいものと考えられる。
実施例4
上記実施例3に?いては、ディスク全体に閃光照射を施
こしたが、第7図に示すように、内周および外周にマス
クを設けることにより・元ディスクの−Sを結晶化する
こともできる6第7図において、41はポリカーボネー
ト樹脂基板。
こしたが、第7図に示すように、内周および外周にマス
クを設けることにより・元ディスクの−Sを結晶化する
こともできる6第7図において、41はポリカーボネー
ト樹脂基板。
42は5b−Je−Hi記録膜、42は厚さ50pmの
紫外線硬化樹脂保護膜、44は内周マスク、45は外周
マスクである。第7@のようなマスク閃光照射により得
た元ディスクの平面因を第8図に示す。第8図において
、47は閃光を照射し記録膜を結晶化した部分、46は
マスクにより閃光をカットし記録iをアモルファス状態
に保ったままの部分である。通常、基板41に記録膜を
設ける場合、最内周?よび最外周の部分には記録膜を設
けていないが、該境界部分に閃光照射を行なうと該部分
から記録膜のクランクあるいは保護膜のはく離を生ずる
ことがあった。これは、閃光照射時に上記境界部分に熱
が集中するためと考えており、これを防止するためには
第7図のよ5に、上記境界部分に閃光が照射されないよ
うな照射方法を採用することが有効であった。
紫外線硬化樹脂保護膜、44は内周マスク、45は外周
マスクである。第7@のようなマスク閃光照射により得
た元ディスクの平面因を第8図に示す。第8図において
、47は閃光を照射し記録膜を結晶化した部分、46は
マスクにより閃光をカットし記録iをアモルファス状態
に保ったままの部分である。通常、基板41に記録膜を
設ける場合、最内周?よび最外周の部分には記録膜を設
けていないが、該境界部分に閃光照射を行なうと該部分
から記録膜のクランクあるいは保護膜のはく離を生ずる
ことがあった。これは、閃光照射時に上記境界部分に熱
が集中するためと考えており、これを防止するためには
第7図のよ5に、上記境界部分に閃光が照射されないよ
うな照射方法を採用することが有効であった。
すなわち、上記マスクにより、照射部分の熱が記録膜を
通して未照射部分に拡散し、上記のような熱的集中を防
止できたと考えられる。
通して未照射部分に拡散し、上記のような熱的集中を防
止できたと考えられる。
上述した実施例においては、内周外周にマスクを設けた
が、これに限るものではなく1元ディスクの任意の部分
をマスクして照射することにより、結晶状態とアモルフ
ァス状態を混在させることも可能である。
が、これに限るものではなく1元ディスクの任意の部分
をマスクして照射することにより、結晶状態とアモルフ
ァス状態を混在させることも可能である。
また、これまで元ディスク製作段階で元ディスクを結晶
化する方法について述べてきたが、これに限るものでは
な(1元ディスクに記録を行なった後、このデータの一
部あるいは全Sを閃光照射により結晶化させ消去する方
法に適用できろことは言うまでもない、 上記実施例においては、発光源としてキセノンランプを
用いたが1本発明はこれに限るものではなく、情報記録
媒体が半導体レーザ波長域を中心に広(エネルギー吸収
を起こすことρ)ら各種のランプを用いることができる
。
化する方法について述べてきたが、これに限るものでは
な(1元ディスクに記録を行なった後、このデータの一
部あるいは全Sを閃光照射により結晶化させ消去する方
法に適用できろことは言うまでもない、 上記実施例においては、発光源としてキセノンランプを
用いたが1本発明はこれに限るものではなく、情報記録
媒体が半導体レーザ波長域を中心に広(エネルギー吸収
を起こすことρ)ら各種のランプを用いることができる
。
本発明によれば1元ディスク全体會一括して、短時間に
結晶状態とすることができるので1元ディスクの生産性
が同上する効果がある。
結晶状態とすることができるので1元ディスクの生産性
が同上する効果がある。
また、本発明によれば、元ディスク全体に一様に閃光を
照射するために、レーザ光照射等に較べて、全体をむら
なく結晶化することができる利点がある。
照射するために、レーザ光照射等に較べて、全体をむら
なく結晶化することができる利点がある。
第1図は本発明の一実施例の閃光発生装置の要部断面図
、第2図は本発明の実施例で用いた元ディスクの要部断
面図、第5図は本発明での検討に用いた赤外線加熱装置
の要部断面図、第4図は本発明で検討に用いたレーザビ
ーム照射装置の概略断面図、第5図は本発明の一実施例
に用いた閃光発生回路図、第6図は本発明で用いた元デ
ィスク製造プロセスを示すブロック図、第7図は本発明
による他の実施例を説明するための部分断面図、第8図
は本発明の一実施例により得られた元ディスフの平面図
である。 1・・・元ディスク。 2・・・閃光放電管。 3・・・光線。 4・・・反射鏡。 5・・・透明板。 11・・・ポリカーボネート樹脂基板。 12・・・記録膜。 16・・・保護膜。
、第2図は本発明の実施例で用いた元ディスクの要部断
面図、第5図は本発明での検討に用いた赤外線加熱装置
の要部断面図、第4図は本発明で検討に用いたレーザビ
ーム照射装置の概略断面図、第5図は本発明の一実施例
に用いた閃光発生回路図、第6図は本発明で用いた元デ
ィスク製造プロセスを示すブロック図、第7図は本発明
による他の実施例を説明するための部分断面図、第8図
は本発明の一実施例により得られた元ディスフの平面図
である。 1・・・元ディスク。 2・・・閃光放電管。 3・・・光線。 4・・・反射鏡。 5・・・透明板。 11・・・ポリカーボネート樹脂基板。 12・・・記録膜。 16・・・保護膜。
Claims (1)
- 1、基板上に記録媒体を形成して成る光学的情報記録媒
体の結晶化方法において、高出力の閃光光線を上記記録
媒体全体に照射し、一括して該媒体の全体あるいは一部
に結晶化を生ぜしめることを特徴とする光学的情報記録
媒体の結晶化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62095170A JPH06101149B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62095170A JPH06101149B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7328577A Division JP2816320B2 (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63261553A true JPS63261553A (ja) | 1988-10-28 |
JPH06101149B2 JPH06101149B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=14130286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62095170A Expired - Lifetime JPH06101149B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光学的情報記録媒体の結晶化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06101149B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02172019A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の結晶化方法およびその装置 |
JPH04186541A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の製造方法及び製造装置 |
EP0706179A2 (en) | 1994-09-27 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor |
US5684778A (en) * | 1994-09-27 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Initialization process for a phase change recording medium with a zero level drop in flash light emission |
US6060221A (en) * | 1996-02-16 | 2000-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for initializing optical recording medium |
WO2001037196A3 (en) * | 1999-11-16 | 2001-11-22 | Polaroid Corp | System and method for initializing phase change recording media |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5528530A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording method |
US4264551A (en) * | 1978-08-25 | 1981-04-28 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Recorded disk reproducing system |
JPS6042095A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-06 | Hitachi Ltd | 情報の記録用部材およびその製造方法 |
JPS6220153A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 光デイスクの初期結晶化方式 |
JPS62250533A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Toshiba Corp | 光デイスクの初期結晶化方法 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62095170A patent/JPH06101149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6220153A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 光デイスクの初期結晶化方式 |
JPS62250533A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Toshiba Corp | 光デイスクの初期結晶化方法 |
Cited By (7)
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JPH02172019A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-03 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の結晶化方法およびその装置 |
JPH04186541A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録媒体の製造方法及び製造装置 |
EP0706179A2 (en) | 1994-09-27 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor |
US5684778A (en) * | 1994-09-27 | 1997-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Initialization process for a phase change recording medium with a zero level drop in flash light emission |
US6060221A (en) * | 1996-02-16 | 2000-05-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for initializing optical recording medium |
WO2001037196A3 (en) * | 1999-11-16 | 2001-11-22 | Polaroid Corp | System and method for initializing phase change recording media |
US6587429B1 (en) | 1999-11-16 | 2003-07-01 | Polaroid Corporation | System and method for initializing phase change recording media |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06101149B2 (ja) | 1994-12-12 |
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