JPS63260129A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS63260129A JPS63260129A JP62094397A JP9439787A JPS63260129A JP S63260129 A JPS63260129 A JP S63260129A JP 62094397 A JP62094397 A JP 62094397A JP 9439787 A JP9439787 A JP 9439787A JP S63260129 A JPS63260129 A JP S63260129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flatness
- exposure
- flattening
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、基板の露光装置に関し、特に反り、波打ち
などの変形が生じやすい基板に好適な露光装置に関する
。
などの変形が生じやすい基板に好適な露光装置に関する
。
[従来の技術]
従来、基板の露光装置は、露光部にマスクと基板との平
行出しのための機構を有し、露光に先〜γっでマスクと
基板との平行出しを精密に行うようになっている。この
平行出し機構は、基板を負圧吸着などの方法により保持
した基板チャックの傾き調整によって行う構成となって
いる。
行出しのための機構を有し、露光に先〜γっでマスクと
基板との平行出しを精密に行うようになっている。この
平行出し機構は、基板を負圧吸着などの方法により保持
した基板チャックの傾き調整によって行う構成となって
いる。
[解決しようとする問題点]
しかし、このような平行出しによっては、基板の波打ち
などの変形の影響を吸収することができないという問題
があった。
などの変形の影響を吸収することができないという問題
があった。
特に、多数の薄膜トランジスタが高密度に形成されるア
クティブ型液晶ディ゛スプレィパネル用の基板のように
、部分的な変形が生じやすい比較的大型で薄い基板の精
密露光に支障を来しており、その解決が強く要請されて
いる。
クティブ型液晶ディ゛スプレィパネル用の基板のように
、部分的な変形が生じやすい比較的大型で薄い基板の精
密露光に支障を来しており、その解決が強く要請されて
いる。
したがって、この発明の目的は、上述の問題点を解決し
、部分的な変形が生じやすい基板の高精密露光に好適な
露光装置を提供することにある。
、部分的な変形が生じやすい基板の高精密露光に好適な
露光装置を提供することにある。
[問題点を解決するための手段j
1〕記目的を達成するため、この発明は、基板の・P、
用度を測定する平坦度測定手段と、この・1シ坦度測定
手段によって測定された平坦度に基づいて基板の部分的
な変形を補正して基板を1Y坦化するための平坦化手段
を有ることを特徴とするものである。
用度を測定する平坦度測定手段と、この・1シ坦度測定
手段によって測定された平坦度に基づいて基板の部分的
な変形を補正して基板を1Y坦化するための平坦化手段
を有ることを特徴とするものである。
[作用コ
このように、平坦度測定手段により基板の平坦度(部分
的な反り、波打ちなどの変形)を測定し、その測定結果
に基づき平坦化手段により、基板の部分的な反り、波打
ちなどの変形を補正して基板の平坦化を行うから、部分
的変形を生じやすい基板の高精密露光が可能である。
的な反り、波打ちなどの変形)を測定し、その測定結果
に基づき平坦化手段により、基板の部分的な反り、波打
ちなどの変形を補正して基板の平坦化を行うから、部分
的変形を生じやすい基板の高精密露光が可能である。
[実施例]
以下、図面を参照し、この発明の−・実施例について説
明する。
明する。
第1図は、この発明による露光装置の全体的構成を簡略
化して示す斜視図である。この図を参照し、露光装置の
全体的な構成および動作を説明する。
化して示す斜視図である。この図を参照し、露光装置の
全体的な構成および動作を説明する。
1は露光前の多数の基板を収納している多段棚状のカセ
ットであり、エレベータ3によって昇降させられる。5
はプリアラインメント・ステージである。図示しないロ
ード機構などによってカセットlから取り出された基板
は、このプリアラインメント・ステージ5に搬送され、
位置決めビンによって粗位置決めされる。
ットであり、エレベータ3によって昇降させられる。5
はプリアラインメント・ステージである。図示しないロ
ード機構などによってカセットlから取り出された基板
は、このプリアラインメント・ステージ5に搬送され、
位置決めビンによって粗位置決めされる。
プリアラインメント・ステージ5には、複数のエアーマ
イクロメータからなる平坦度測定ヘッド7が設けられて
いる。この平坦度測定ヘッド7は固定されていて、プリ
アラインメント・ステージ5が駆動機構9によって基板
面に沿って前後に移動させられ、基板表面の多数の測定
点の高さを検出することにより基板の平坦度を測定する
。なお、この場合、これらプリアラインメント・ステー
ジ5が固定で平坦度測定ヘッド7が移動してもよい。
イクロメータからなる平坦度測定ヘッド7が設けられて
いる。この平坦度測定ヘッド7は固定されていて、プリ
アラインメント・ステージ5が駆動機構9によって基板
面に沿って前後に移動させられ、基板表面の多数の測定
点の高さを検出することにより基板の平坦度を測定する
。なお、この場合、これらプリアラインメント・ステー
ジ5が固定で平坦度測定ヘッド7が移動してもよい。
11はバッファステージであり、プリアラインメント・
ステージ5において平坦度測定を行われた基板は、図示
しないベルト搬送機構などによって、このバッファステ
ージ11に搬送される。
ステージ5において平坦度測定を行われた基板は、図示
しないベルト搬送機構などによって、このバッファステ
ージ11に搬送される。
13は露光部である。この露光13には、基板平坦化チ
ャックl 5 、’l’1−rllj システージ16
、マスクホル7−17、アライ2ンメントスコープ19
、露光光学系21がある。
ャックl 5 、’l’1−rllj システージ16
、マスクホル7−17、アライ2ンメントスコープ19
、露光光学系21がある。
露光すべき基板は、搬送アーム23によってバッファス
テージllから平坦化チャック15の上に運ばれ、平坦
化チャック15に負圧吸着される。
テージllから平坦化チャック15の上に運ばれ、平坦
化チャック15に負圧吸着される。
平坦化チャック15は、後に詳細に説明するように、吸
着した基板について平坦度測定ヘッド7により測定され
た平坦度に基づき、その基板の表面の高さを部分的に調
節することにより、基板の部分的な変形を補正して平坦
化するものである。
着した基板について平坦度測定ヘッド7により測定され
た平坦度に基づき、その基板の表面の高さを部分的に調
節することにより、基板の部分的な変形を補正して平坦
化するものである。
この平坦化チャック15は平行出しステージ16Lに設
けられており、平行出しステージ16によって平坦化チ
ャック15の全体的な傾きを調整することにより、基板
(平坦化チャック15に保持されている)とマスク(マ
スクホルダー17に保持されている)との平行出しを行
う。この平行出しと、基板とマスクとの位置合わせ、露
光動作などは従来と同様である。
けられており、平行出しステージ16によって平坦化チ
ャック15の全体的な傾きを調整することにより、基板
(平坦化チャック15に保持されている)とマスク(マ
スクホルダー17に保持されている)との平行出しを行
う。この平行出しと、基板とマスクとの位置合わせ、露
光動作などは従来と同様である。
25はカセット1と同様のカセットであり、エレベータ
27によってケr降させられる。露光部13で露光を終
了した基板は、図示しないアンロード機構によって搬送
され、カセット25に収納される。
27によってケr降させられる。露光部13で露光を終
了した基板は、図示しないアンロード機構によって搬送
され、カセット25に収納される。
ここまでの説明から明らかなように、この露光装置にお
いては、プリアラインメント拳ステージ5で基板の平坦
度が測定され、露光部13に搬送された基板は、その平
坦度に基づき平坦化チャック15の平坦化動作により平
坦化され、さらにマスクとの平行出し、位置合わせを行
われてから露光されるため、部分的な変形を生じやすい
基板であっても、精密露光か可能である。
いては、プリアラインメント拳ステージ5で基板の平坦
度が測定され、露光部13に搬送された基板は、その平
坦度に基づき平坦化チャック15の平坦化動作により平
坦化され、さらにマスクとの平行出し、位置合わせを行
われてから露光されるため、部分的な変形を生じやすい
基板であっても、精密露光か可能である。
また、ある基板の平坦化や露光の期間に次の基板の平坦
度測定を行うので、露光部13において平坦度測定も行
う構成と違い、平坦度測定による時間遅れが生じないた
め、露光装置のスループットが向上する。
度測定を行うので、露光部13において平坦度測定も行
う構成と違い、平坦度測定による時間遅れが生じないた
め、露光装置のスループットが向上する。
第2図は平坦化チャック15の簡略化した断面図である
。この図において、29はチャック板であり、その表面
に多数の突起31が縦横に配列して設けられている。チ
ャック板29は、その下面に縦横に切り溝が走っており
、部分的な撓み変形が容易となっている。チャック板2
9の周辺部は方形枠33に固定され、この方形枠33の
下面は底板35によって塞がれている。
。この図において、29はチャック板であり、その表面
に多数の突起31が縦横に配列して設けられている。チ
ャック板29は、その下面に縦横に切り溝が走っており
、部分的な撓み変形が容易となっている。チャック板2
9の周辺部は方形枠33に固定され、この方形枠33の
下面は底板35によって塞がれている。
基板はその露光部を一ヒにして鎖線37に示すようにチ
ャック板29に載置される。この基板の下面とチャック
板29との間の空気がエアー抜き孔39を通じて排出さ
れ、基板はチャック板29に負圧吸着によって固定され
る。
ャック板29に載置される。この基板の下面とチャック
板29との間の空気がエアー抜き孔39を通じて排出さ
れ、基板はチャック板29に負圧吸着によって固定され
る。
底板35には多数のピエゾ素子41が縦横に配列して設
けられ、各ピエゾ素子41の端子は回路基板43に接続
されている。この回路基板43−ヒの配線を介して、平
坦度に基づいh駆動信号が各ピエゾ素子41に供給され
る。
けられ、各ピエゾ素子41の端子は回路基板43に接続
されている。この回路基板43−ヒの配線を介して、平
坦度に基づいh駆動信号が各ピエゾ素子41に供給され
る。
方形枠15の内部空間のエアーをエアー抜き孔45を通
じて抜き、その空間を負圧状態とすることにより、各ピ
エゾ素子41の上端部にチャック板29の対応する部分
を常に押圧させるようになっている。すなわち、チャッ
ク板29はピエゾ素f’41の4】端部に追従して部分
的に上下するようになっている。
じて抜き、その空間を負圧状態とすることにより、各ピ
エゾ素子41の上端部にチャック板29の対応する部分
を常に押圧させるようになっている。すなわち、チャッ
ク板29はピエゾ素f’41の4】端部に追従して部分
的に上下するようになっている。
したがって、測定した平坦度に基づく駆動信号により各
ピエゾ素子41を駆動しピエゾ素子41を一上下に伸縮
させることにより、チャック板29の各部分の高さを調
整し、基板の部分的な反り、波打ちなどの変形を補正し
平坦化することができる。
ピエゾ素子41を駆動しピエゾ素子41を一上下に伸縮
させることにより、チャック板29の各部分の高さを調
整し、基板の部分的な反り、波打ちなどの変形を補正し
平坦化することができる。
以上、一実施例について説明したが、この発明はそれだ
けに限定されるものではな(、例えば、平坦度測定手段
を光学的方法などにより平坦度測定を行うものとしたり
、平坦化手段のピエゾ素子を他の駆動素子または機構に
変更するなど、様々に変形して実施し得るものである。
けに限定されるものではな(、例えば、平坦度測定手段
を光学的方法などにより平坦度測定を行うものとしたり
、平坦化手段のピエゾ素子を他の駆動素子または機構に
変更するなど、様々に変形して実施し得るものである。
[発明の効果]
以」―の説明から明らかなように、この発明によれば、
基板の平坦度を測定し、その測定結果に基づき基板の部
分的な反り、波打ちなどの変形を補正して平坦化を行う
から、部分的変形を生じやすい基板の高精密露光が可能
な露光装置を実現できる。
基板の平坦度を測定し、その測定結果に基づき基板の部
分的な反り、波打ちなどの変形を補正して平坦化を行う
から、部分的変形を生じやすい基板の高精密露光が可能
な露光装置を実現できる。
第1図はこの発明による露光装置の全体的構成を簡略化
して示す斜視図、第2図は平坦化チャックの簡略化した
断面図である。 5・・・プリアラインメント・ステージ、7・・・平坦
度測定ヘッド、13・・・露光部、15−・・平坦化チ
ャック、29−・・チャック板、39.45・・・エア
ー抜き孔、41・・・ピエゾ素子。
して示す斜視図、第2図は平坦化チャックの簡略化した
断面図である。 5・・・プリアラインメント・ステージ、7・・・平坦
度測定ヘッド、13・・・露光部、15−・・平坦化チ
ャック、29−・・チャック板、39.45・・・エア
ー抜き孔、41・・・ピエゾ素子。
Claims (3)
- (1)基板の露光装置において、基板の平坦度を測定す
る平坦度測定手段と、この平坦度測定手段によって測定
された平坦度に基づいて基板の部分的な変形を補正して
基板を平坦化するための平坦化手段を有することを特徴
とする露光装置。 - (2)平坦化手段は、2次元配列された多数のピエゾ素
子によって基板の高さを部分的に調節するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の露光装置
。 - (3)平坦化手段は露光部に設けられ、平坦度測定手段
は、基板が露光部に送られる前に通過する部分に設けら
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
項に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62094397A JPS63260129A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62094397A JPS63260129A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63260129A true JPS63260129A (ja) | 1988-10-27 |
Family
ID=14109130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62094397A Pending JPS63260129A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63260129A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927839B2 (en) | 2002-10-17 | 2005-08-09 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Method and apparatus for forming pattern on thin substrate or the like |
JP2007331041A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 平板状ワークの作業装置 |
US7459386B2 (en) | 2004-11-16 | 2008-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming solder bumps of increased height |
JP2009252796A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011124400A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2011134946A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Canon Inc | ステージ装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2014075408A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブル及び保持方法 |
WO2016208019A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 富士機械製造株式会社 | 基板検査機 |
JP2017515148A (ja) * | 2014-05-06 | 2017-06-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持体、基板支持ロケーションに基板を搭載するための方法、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
JP2018146985A (ja) * | 2012-11-30 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 搬送システム、露光装置、搬送方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN109841536A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 边缘补偿***、晶圆载台***及晶圆安装方法 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP62094397A patent/JPS63260129A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927839B2 (en) | 2002-10-17 | 2005-08-09 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Method and apparatus for forming pattern on thin substrate or the like |
US7046341B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-05-16 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Method and apparatus for forming pattern on thin substrate or the like |
US7459386B2 (en) | 2004-11-16 | 2008-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming solder bumps of increased height |
JP2007331041A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 平板状ワークの作業装置 |
JP2009252796A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011124400A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光装置及び露光方法 |
JP2011134946A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Canon Inc | ステージ装置、それを用いた露光装置、及びデバイスの製造方法 |
JP2014075408A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブル及び保持方法 |
US11511438B2 (en) | 2012-11-30 | 2022-11-29 | Nikon Corporation | Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device |
US11097426B2 (en) | 2012-11-30 | 2021-08-24 | Nikon Corporation | Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device |
US10744648B2 (en) | 2012-11-30 | 2020-08-18 | Nikon Corporation | Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device |
JP2018146985A (ja) * | 2012-11-30 | 2018-09-20 | 株式会社ニコン | 搬送システム、露光装置、搬送方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN108732871A (zh) * | 2012-11-30 | 2018-11-02 | 株式会社尼康 | 搬送***、曝光装置、器件制造方法、搬送方法、曝光方法 |
US10384350B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-08-20 | Nikon Corporation | Carrier system, exposure apparatus, carrier method, exposure method, device manufacturing method, and suction device |
JP2019144599A (ja) * | 2014-05-06 | 2019-08-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持体、基板支持ロケーションに基板を搭載するための方法、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
US10656536B2 (en) | 2014-05-06 | 2020-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method for loading a substrate on a substrate support location, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2017515148A (ja) * | 2014-05-06 | 2017-06-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板支持体、基板支持ロケーションに基板を搭載するための方法、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
US10551181B2 (en) | 2015-06-24 | 2020-02-04 | Fuji Corporation | Board inspection machine |
JPWO2016208019A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-04-19 | 富士機械製造株式会社 | 基板検査機 |
WO2016208019A1 (ja) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 富士機械製造株式会社 | 基板検査機 |
CN109841536A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 长鑫存储技术有限公司 | 边缘补偿***、晶圆载台***及晶圆安装方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI329533B (en) | Coating apparatus and coating method | |
US7046341B2 (en) | Method and apparatus for forming pattern on thin substrate or the like | |
US6383890B2 (en) | Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck | |
JP4995488B2 (ja) | 塗布方法及び塗布装置 | |
KR101324396B1 (ko) | 도포 방법 및 도포 장치 | |
JPS63260129A (ja) | 露光装置 | |
KR100576406B1 (ko) | 플럭스 저장장치 및 플럭스 전사방법 | |
KR20080048407A (ko) | 도포 방법 및 도포 장치 | |
CN111566782B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
US8386064B2 (en) | Control device and control method | |
JPH09251948A (ja) | 平坦性矯正装置および平坦性矯正方法 | |
CN111615739B (zh) | 基板处理装置、以及基板处理方法 | |
JPH06163499A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003015310A (ja) | プロキシミティ露光装置及びその装置におけるフォトマスク変形補正方法 | |
TWI820540B (zh) | 晶粒接合裝置及半導體裝置的製造方法 | |
US7136146B2 (en) | Exposure device and exposure method | |
US4669868A (en) | Step and repeat exposure apparatus and method | |
US20220415673A1 (en) | Bonding system and inspection method of inspecting combined substrate | |
JPH0147007B2 (ja) | ||
JPH011293A (ja) | 露光装置 | |
US9726986B2 (en) | Tray for an exposure machine | |
JP7285162B2 (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
CN111164513B (zh) | 基板搬运、曝光装置、方法、平板显示器及元件制造方法 | |
JPH0454369B2 (ja) | ||
JP3647623B2 (ja) | 膜厚測定装置 |