JPS63258909A - ケイ素原子とアリル基を含むスチレン系重合体 - Google Patents

ケイ素原子とアリル基を含むスチレン系重合体

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JPS63258909A
JPS63258909A JP245886A JP245886A JPS63258909A JP S63258909 A JPS63258909 A JP S63258909A JP 245886 A JP245886 A JP 245886A JP 245886 A JP245886 A JP 245886A JP S63258909 A JPS63258909 A JP S63258909A
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斉郷　和秀
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains

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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はケイ素原子を含むスチレン系重合体及びレジス
ト組成物および使用方法に［関し、特に半導体条状回路
、ａプ乳バブルメモリ等の鑓則パターン形、ｉ法に通し
たケイ素原子とアリル基とを含むスチレン系重合体及び
レジスト組成物及びパターン形成方法に関するものであ
る。
（従来の技術） 集積回路、バブルメモリ素子などの製造に２いて光学的
リソグラフィまた＃ｉ電子ビームリソグラフィーを用い
ては細なパターンを形成する際、光学的リングラフィに
おいては基板からの反射波の彰撞、１子ビームリングラ
フィにおいては電子政乱の影ｊＫよりレジストが厚い場
合は帛像度が低下することが知られている。現像により
得られたレジストパターンを、１度よく基板に転写する
友めに、ドライエッチング：パ用いられるが、高解像度
のレジストパターンを（８もために、薄いレジストノー
を使用すると、ドライエツチングによりレジストもエツ
チングされ基板を加工するための十分な耐性を示さない
という不都合さがある。又１段差部に、臀いては、この
段差を平坦化するために、レジストＪ１！を厚（塗る・
３′模が生じ、かかるレジスト層に微細なパターンを形
成することは著しく困難であるといえる。
かかる不都合さを解決するために三層荷造レジストカシ
ェイーエム・モラン（Ｊ−Ｍ＠Ｍｏｒａ口）うによって
ジャーナル・オプ・バキューム・サイエンス・アンド−
テクノロジー（Ｊ−Ｖａｃｔ＋ｕｍＳｃｉｅｎｃｅ　ａ
ｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）第１６巻１６２０ヘージ
（１９７９年）に提案されている。三Ｍ楢造においては
、第一層（Ｒ下層）に厚い有機層を塗布したのち中間層
としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン膜な
どのように０２を使用するドライエツチング（以下ｏ、
二セコ４という）において蝕刻され難い無機物質材料を
形成する。しかる後、中間層の上にレジストをスピン塗
布し、Ｉ’４　子ビームや光によりレジストをｖ４光、
現１象丁；）。得られたレジストパターンをマスクに中
間ノ・】をドライエツチングし、しかる後この中間１Ｂ
をマスクに第一層の厚い有機層を０２を用いた反応性ス
パッタエツチング法によりエツチングする。この方法に
より薄い高解像度のレジストパターンを厚い４１機層の
パターンに変換することか出来る。しかしながら、この
ような方法においては第一層を形成した後、中間層を蒸
着法、スパッタ法あるいはプラズマＣＶＤ法により形成
し、さらにパターンニング用レジストを塗布するため工
程が複雑で、かつ長くなるという欠点がある。
バターニング用レジストがドライエツチングに対して強
ければ、パターニング用しジストヲマスクに厚い有機層
をエツチングすることができるので、二層構造とするこ
とができ工程を簡略化することができる。
かかる三重構造レジストに使用される上記０２几ＩＥに
対する耐性に優れた物質としてはポリジメチルシロキサ
ンが知られており、このポリジメチルシロキサンは０ｚ
ＲＩＢに対して耐性が著しく優れ、エツチングレートは
ほぼ零であることは公知である（ジーエヌテーラー・テ
ィーエムウォルファンドジェーエムモラン、ジャーナル
オブバキュームサイエンスアントテクノロジー、１９（
４）。
８７２．１９８１）（Ｇ、Ｎ、Ｔｏｙｌｏｒ、ＴｏＭ、
Ｍｏｒａｎ、Ｊ。
Ｖａｃｕｕｍ　　Ｓｃｉ、ａｎｄ　Ｔｅｄ、、１９（４
）、８７２ａ１９８１）が、このポリマーは常温で液状
であるので、はこりが付着しゃ丁い。加えて流動性があ
るため高解像度が得に（いなどの欠点がありレジスト材
料ととしては適さない。
われわれは丁でに上記パターンニング用レジストとして
トリアルキルシリルスチレンの単独重合体および共重合
体を提案した（特願昭５７−１２３８６６号（特開１ｉ
５５９−１５４１９号〕、特願昭５７−１２３８６５号
（特開昭５９−１５２４３号）。
（発明の解決しようとする問題点） 上記本出願人の提案に係わるパターンニング用レジスト
は、ポリジメチルシロキサンを含むレジストの欠点を解
決するものの、深紫外線またはイオンビーム（Ｄｅｅｐ
ＵＶもしくはＥＢ）露光に対して感度は優れており、Ｄ
ｅｅｐＵＶ　もしくはＢＢ露光用レジストとしては適し
ているが、近紫外および可視光の露光に対しては架橋せ
ず、フォト用レジストとして使用出来なかった。
本発明の目的は、電子線、Ｘ線、深紫外線イオンビーム
あるいはこｎらに加えて近紫外線に対しても非常に高感
度で微細パターンが形成でき、しかもドライエツチング
に対して強い耐性をもつ重合体およびそれを含む組成物
およびその使用方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、このような状況に鑑みて研究を続けた結
果、重合体の単量体ユニット中のシリコン原子およびア
リル基を有すると、０２による反応性スパッタエツチン
グに対して極めて強く、厚い有機膜をエツチングする際
の臂スクになること。
また電子線、Ｘ線、深紫外線イオンビームに対して、非
常に高感度であること、さらにビスアジド化合物を添加
すると、近紫外線に対しても非常に高感度であることを
見出し、本発明をな丁に至った。
本願第１発明は、構成単位にケイ素およびアリル基を含
むスチレン重合体であり、その構成単位の一般式として
、 ｎ （式中、几は水素“または低級アルキル基を表わし、Ｘ
は一〇−または＋ＣＨ２す　を表わし、ｌはＯを含む正
の整数、ｎは０，１または２を表わし。
ｍは１，２または３を表わし、ｎ十ｍは３であり、Ｐと
２とは正の整数を夫わ丁）で示さ７Ｌる一七合体を含む
。
（１）上記一般式において、炭素Ｃと結合するＲが水素
であり、！がＯであるとき、スチレン糸道；３　ｒ　　
（ＵＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）　ＨＩｎ （式中Ｘは正の整数を表わす）で示される。
上記において使用した単量体は次の様な方法で製造され
る。
ＣＨ２＝ＣＨ Ｃ！ （式中、几は低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
３を表わし、ｎは整数で１又は２を表わし、ｎ十ｍは３
である。）上式でわかる様に、クロル化スチレン（０２
ｍ又は１位）に乾燥ＴＨＩＩ’中、マグネシウムと反応
させグリニヤール試薬をＨ造Ｌ、ジアルキルアリルクロ
ロシラ／、もしくはアルキルジアリルクロロシラン、も
しくはトリアリルクロロシランと反応きせて本発明で使
用した単量体を製造した。　　　− 上記（１）で使用した重合体は下記の式に従い製造され
る。
（式中、几は低級アルキル基を表わし、出は整数で１〜
３を表わし、ｎは整数で１又は２わ表わし、ｎ　＋ｒｏ
は３である。又は正の整数を表わ丁〕上式で示しｆｃ様
に、本発明で使用し７０４１ｍ　献体はＢｕＬ　ｉで、
丁なわちアニオン開始剤により、多分散度の小さい、そ
してかつ低分子喧から高分子看の任意の分子量の重合体
をＪＲ造することが出来ろ〇この重合体は一般の有機溶
剤１例えばベンゼン。
トルエン、クロロベンゼン、アセトン、クロロホルム等
に可溶で、ガラス転移点の高いフィルムが容易に得られ
る。メタノール、エタノールなどには不溶である。
（１１）また、上記一般式において、炭素と結合する几
をメチル基とし、ｌを０にすると、スチレン系重合体の
一般式は。
ＣＨ。
番 （式中Ｘは正の整数を表わす）で示される。
上記において使用した単量体は次の様な方法で製造され
る。
ＣＨ３ Ｃ）（、＝Ｃ ＣＨ。
ＣＨ，＝Ｃ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
３を表わし、ｎは整数で１又は２を表わし、ｎ−４−ｒ
ｎは３である） 上式でわかる様に、クロル化スチレン（０＋　ＩＩＩ　
ｍ又はｐ位）に乾１ＴＨＦ中、マグネシウムと反応させ
グリニヤール試薬を製造し、ジアルキルアリルクロロシ
ラン、もしくはアルキルジアリルクロロシラン、もしく
はトリアリルクロロシランと反応させて本発明で使用し
た単量体を製造した。
上記（ｉｔ）で使用した重合体は下記の式に従い製造さ
れる。
ＣＨ３ ＣＨ３ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
３を表わし、ｎは整数で１又は２を表わし、ｎ＋ｍは３
である。Ｘは正の整数を表わ丁）上式で示した様に１本
発明で使用した単量体はＢｕＬ　ｉで、丁なわちアニオ
ン重合法により、多分散度の小さい、そしてかつ低分子
量から高分子量の任意の分子量の重合体を製造すること
が出来る。
この重合体は一般の有機溶剤１例えばベンゼン、トルエ
ン、クロロベンゼン、アセトン、クロロホルム等に可溶
で、ガラス転移点の高いフィルムが容易に得られる。メ
タノール、エタノールなどには不溶である。
（１１〇　　一方、上記一般式において、炭素と結合す
る几をメチル基とし、Ｘを−ＣＨ２−にし、ｌを１とし
たとき、スチレン系重合体の構成単位は一般式　　　　
　　　　　　Ｃ１（。
Ｃ■■２ ＣＨ Ｈ２ （式中、Ｘは正の整数を表わ丁）で示される。
上記（冊において使用した単１１体は次のような方法で
製造される。
ＣＨ。
Ｃ１−Ｉ□Ｃ１ Ｈｓ ＣＨ２＝Ｃ ■ Ｃ）１３−８ｉ　−ＣＨ３ 鴬 ＣＨ２ ＣＨ３−８ｔ−ＣＨ３ ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ２ 上式でわかる様に、４−クロル−α−メチルスチレンに
乾燥ＴＨＦ中、マグネシウムと反応させグリニヤール試
薬を製造し未反応のマグネシウムをろ過でのぞき、クロ
ルメチルジメチルクロルシランと反応させてクロルメチ
ルジメチルシリル−α−メチルスチレンを合成した。さ
らに、乾燥ＴＨＦ中、マグネシウムと反応させグリニヤ
ール試薬を製造し、アリルジメチルクロルシランと反応
させて本発明で使用した単量体を製造した。
上記（１１Ｄで使用した重合体は下記の式に基づいて製
造した。
（式中、Ｘは正の整数を表わ丁） 上式で示した様に、上記（ｆｉｌ）で製造した単量体は
ＢｕＬｉで、すなわちアニオン重合法により、多分散度
の小さい、そしてかつ低分子量から高分子量の任意の分
子量の重合体を製造することか出来る。
この重合体は一般の有機溶剤、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレン、クロロベンゼン、アセトン、クロロホル
ム等に可溶で、メタノール、エタノールなどには不溶で
ある。
（■公　　上記一般式において、炭素と結合する几をメ
チル基とし、Ｘを−ＣＨ２−とし、ｌを２にすると、重
合体の構成単位の一般式は、 ＣＨ３ ＣＨ３−８１０Ｈ３ ＣＨ２ ■ ＣＨ２ ＣＨ３−８ｉ−ＣＨ８ ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ２ （式中Ｘは正の整数を表わ丁）で示される。
本発明において使用した中間体、ｊＡｆ体、重合体は次
の俤な方法で製造した。
Ｍｇ　、ＴＨＦ −７８℃ ＣＨｌ ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ。
■ ＣＨ２ ＣＨ２ 「 ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ。
■ ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ２ （式中Ｘは正の整数を表わ′″ｆ） 上記のように１．１，４，４−テトラメチル−１，４ジ
ンクロロジシルエチレンかう同モル層の臭化アリルのグ
リニヤール試薬を反応させて中間体を製造させ、４−ク
ロロ−α−メチルスチレンのグリニヤール試薬とＴＨＦ
中反応させることにより単量体を製造する。上式で示し
た様に、本発明でした使用した単量体はＢｕＬ　ｉで、
丁なわちアンオン重合法により、多分散度の小さい、そ
してかつ低分子量から高分子量の任意の分子量の集合体
を製造することが出来る。
また、重合体はシリコン原子を２個有しているため、シ
リコン濃度は重合体に対して１８．５％（Ｗ／Ｗ）とな
り高いので、レジスト組成物は転写の際下層のサイドエ
ツチングされにくい条件でもドライエツチングに対して
極めて強い耐性を有する。
Ｍ　　上記一般式において、炭素に結合している几をメ
チル基とし、Ｘを酸素原子とし、！を２にすると、重合
体の構成単位の一般式は、ＣＨ２ （式中Ｘは正の整数を表わす）で示される。
上記（Ｖ）において使用した中間体、単量体、重合体は
次の様な方法で製造される。
ｔｈｅｒ Ｍｇ、ＴＨＦ ＣＨｌ ＣＨ３−８ｉ−ＣＨｌ ＣＨ２ Ｃ）（ Ｉ ＣＨ２ （式中Ｘは正の整数を表わす） 上記のように１，３−ジンフロロブトラメチルジシロキ
サンから同モル景の臭化アリルのグリニヤール試薬を反
応させて中間体を製造させ、４−クロロ−α−メチルス
チレンのグリニヤール試薬とＴ　ＨＦ中叉応させること
てより単量体を製造する。上式で示した様に、本発明で
した使用した単量体はＢｕＬｉで、すなわちアンオン重
合法により、多分散度の小さい、そしてかつ低分子量か
ら高分子量の任意の分子量の集合体を製造することが出
来る。
この重合体は一般の有機溶剤、例えばベンゼン、トルエ
ンキシレン、クロロベンゼン、アセトン、クロロホルム
等に可溶で、メタノール、エタノールなどには不溶であ
る。
また、重合体はシリコン原子を２個有しているため、シ
リコン濃度は重合体に対して１９．３％ＣＷ／Ｗ）とな
り高いので、レジスト組成物は転写の際下層のサイドエ
ツチングされに（い条件でもドライエツチングに対して
極めて強い耐性を有する。
上記本願第１発明に単連する１１ｇ２発明は、本願第り
発明におけるレジスト材料が、そのままで電子線、Ｘ線
、深紫外線イオンビームに対して極めて高感度であるが
、光架橋剤として知られているビスアジドを添加すると
紫外線に対しても高感度なレジストとなることに鑑みて
なされたものである。本願第２発明で用いられるビスア
ジドとしては、４，４′−ジアジドカルコン、２，６−
ジー′（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２
゜６−ジー（４′−アジドベンザル）−４−メチルシク
ロヘキサノン、２，６−ジー（４−アジドベンザル）−
４−ハイドロオキシンクロヘキサノンなどが挙げられる
。光架橋剤の添加量は、過少または過大であると紫外線
に対する感度が低下し、又過大に添加した組成物は０２
のドライエツチングに対する耐性を悪くてるので、重合
体に対して０．１〜３０重量％加えることが望ましい。
また重合体は一般にネガ型レジストとして用いるとき高
分子量であれば高感度となるが現像時の膨潤により解像
度を損う。通例、分子量百方を越えるものは、高い解像
性を期待できない。一方、分子量を小さくすることは解
像性を向上させるが、感度は分子量に比例して低下して
実用性を失うだけでなく、分子量玉子以下では均一で堅
固な膜形成がむずかしくなるという問題がある。
分子量分布の均一性も解像性に影響を与えることが知ら
れており、多分散度の小なる程良好な解像を示す。この
点、アニオン重合法から製造される場合は１分子量分別
せずに、直接多分散度の小さい、たとえば１．２もしく
はそル以下の重合体が得られるので、そのレジスト材料
は優れた解像性を有する。
上記第１発明に重連てる第３発明は、上記Ｘａ１発明に
係わるスチレン系重合体をレジスト材料としてパターン
形成する方法であり、本願第１発明の重合体を２Ｉｍレ
ジスタ材料として使用するには、まず加工を施−「べき
基板上に第一層として厚い有機層をスピン塗布し、蒸発
、乾固させた後、本発明の重合体、組成物を厚い、有機
層の上にスピン塗布する。加熱、乾燥したのち所望のパ
ターンを電子線、Ｘ線イオンビームなどの放射線、また
は深紫外線、紫外線などの光を用いて描画１−１適当な
現（酸液を用いて現１壕を行なう。素子の加工の目的に
は、たとえば得られたパターンをマスクに第一層の厚い
有機層を０２を用いた反応性スパッタエツチングにより
エツチングすることが出来る。また、しかる後、微細パ
ターンが形成された厚い有機層をマスクに被加工材をエ
ツチングすることが出来る。又、この厚い有機層をイオ
ン打込みのマスクに用いることも出来る。或は、厚い有
機層が得られることを利用してリフトオフプロセスにも
適用出来る。
上記第２発明に重連する第４発明は、上記第２発明に係
わる組成物をレジスト材料としてパターン形成を行なう
方法であり、本願第２発明の組成物を２層レジスト材料
として使用するには、まず加工を施すべき基板上に第一
層として厚い有機層をスピン塗布し、蒸発、乾固させた
後、本発明の重合体、組成物を厚い有機層の上にスピン
塗布する。加熱、乾燥したのち所望のパターンを電子線
、Ｘ線、イオンビームなどの放射線、または深紫外線、
紫外線などの光を用いて描画し、適当な現像液を用いて
現像を行なう。素子の加工の目的には、たとえば得られ
たパターンをマスクに第一層の厚い有機層を０２を用い
た反応性スパッタエツチングによりエツチングすること
か出来る。また、しかる後、微細パターンが形成された
厚い有機層をマスクに被加工材をエツチングすることか
出来る。
又、この厚い有機層をイオン打込みのマスクに用いるこ
とも出来る。或は、厚い有機層が得られることを利用し
てリフトオフプロセスにも適用出来る。
（実施例１） ― Ｈ２ 鵞 Ｈ Ｈ２ グリンヤール用マグネシウム７．０．９　（０，２９グ
ラム原子）オヨび乾燥ＴＨＥ’ｌＯｒＭを３００ｍＡフ
ラスコに仕込み、乾燥窒素ガスでフラスー内を置換した
。０．２ｍｌのエチルブロマイドを加え、加温してマグ
ネシウムを活性化させた。
ＴＨＦ６０ｍｌを加え、氷水で冷却し、ｐ−クロロスチ
レン２７−ＯＩＩ（０，１９５モル）を４時間を要して
滴下した。滴下終了後さらに２時間室温で反応を続けた
。加温して還流状態にし、ジメチル了りルクロルシラン
２６．９　Ｎ　（０，２モル）を３時間と要して滴下し
た。さらに２時間還流状態で反応させ、室温に冷却後、
約３００ｍ４の水に投入した。約５００ｍＡのエーテル
を加え、抽出を行ない、エーテル液を硫酸マグネシウム
で乾燥させた。エーテルを留出後、減圧蒸留で生成物を
得た収量２４．４Ｆ（収率６２％）沸点１１４℃７ｍｍ
Ｈｇ （実施例２） 冨 Ｃｆ（。
冨 Ｈ ０Ｈ。
実施例１で合成した単量体およびＴＨＦを水素化カルシ
ウムで予備乾燥した。はじめに、装置を減圧下であたた
めガラス装置を乾燥させた。その後単量体１１１１を仕
込み、窒素浴で凍結してから。
減圧し、温めて液状状態にもどした。この操作を４回く
り返して単量体を脱気した後、ｉＮ−ブチルリチウム（
１，６Ｍ：へキサン中）０．１ｍ４を加えて単量体を完
全脱水した。この時単量体は黄色を示した。その後、ｔ
きフラスコへ蒸留した。この時単量体は少量重合した。
ＴＨＦ５０ｍｌも同様に脱気、脱水を行ない重きフラス
コへ蒸留し；／ｃ。
室温にて重合フラスコへラバーストッパーからマイクロ
シリンジを用いてロープチルリチウム（１，６Ｍ：ヘキ
サン中）４０μｌを加え、すぐにアセトン−ドライ”ｒ
イス浴で冷却させて重合を開始させた。４時間後メタノ
ール１ｎ１！をシリクで加えて重合を停止し、常圧にし
て、重合体溶液を５００ｍＪのメタノール中に投入した
。重合体は白色粉末となって析出し、ろ過して分離した
。さらにＭ　Ｅ　Ｋ　Ｉｃ溶解させメタノールに投入し
、コノ操作を４回行なった。収量８．３ｇ（収率７４％
）。
重量″Ｉ−均分子量（Ｍｗ）＝７８，０００数平均分子
４１ｋ（Ｎ缶）＝７２，９００多分敏Ｋ　（Ｍｗ／Ｍｎ
　）　　　＝　１．０７重合体の分析値は次の様になる
。
赤外線吸収スペクトル（ｃｍ−”）：　１２５０（８ｉ
−Ｃ）。
９９０（アリル基）、１６３０（ベンゼン核）核磁気共
鳴スペクトル（δ）　ｐＰｍ　：０．２〜０．５　（６
Ｈ。
メチル基）、０．８〜３．３（１５Ｈ，メチレン基）、
４．２〜５．３（３Ｈ，オレフィン基）。
６．０〜７．５（４Ｈ，ベンゼン核） （実施例３） ＣＨｌ ０Ｈ。
品 ＣＨ。
グリニヤール用マグネシウム７、０　＃　（０，２９グ
ラム原子）オヨび乾燥ＴＨＦ１０ｍｚを３００ｍ４７ラ
スコに仕込み、乾燥チッソガスでフラスコ内を置換した
。０．２ｍｌのエチルブロマイドを改え、加温してマグ
ネシウムを活性化させた。ＴＨＦ６０ｍｌを加え、氷水
で冷却し、ｐ−クロロ−α−メチルスチレン２９．７．
９　（０，１９５モル）を４時間を要して滴下した。滴
下終了後さらに２時間室温で反応を続けた。加温して還
流状態にし、ジメチルアリルクロルシラン２６．９１１
（０，２モル）ヲ３時間を要して滴下した。さらに２時
間、還流状態で反応させ、室温に冷却後、約３０．０ｍ
ｌの水に投入した。約５００ｍ４のエーテルを加え、抽
出を行ない、エーテル液を硫酸マグネシウムで乾燥させ
た。エーテルを留出後、減圧蒸留で生成物を得た。収量
３５．２．９（収率８４％）沸点７６℃１０、４　ｍｍ
Ｈｊｉｏ （実施例４） ＣＨ３ 瘍 「 ＣＨ。
ＣＨ ＣＨ。
実施例３で合成した単量体およびＴＨＦを水素化カルシ
ウムで予備乾燥した。はじめに、装置を減圧下であたた
めガラス装置を乾燥させた。その後単量体１１．？を仕
込み、液体窒素浴で凍結してから、減圧にし、温めて液
体状態にもどした。この操作を４回くり返して単量体中
に含まれる空気を脱気した後、ｎ−ブチルリチウム（１
，６Ｍ：ヘキサン中）０．１ｇＭを加えて単量体を完全
脱水した。この時単量体は黄色を示した。その後、重合
７２スコヘ蒸留した。ＴＨＦ５０ｍＪ　も同様に脱気、
脱水を行ない重合フラスコへ蒸留した。室温にて重合フ
ラスコへラバーストッパーからマイクロシリンジを用い
てｎ−ブチルリチウム（１，６Ｍ：　ヘキ”）−ン中）
　８０　＃Ｊを加え、すぐにアセトン−ドライアイス浴
で冷却させて重合を開始させた。
４時間後、メタノール１ｍｊをシリンジで加えて重合を
停止し、常圧にもどし、重合体溶液を５００ｍＪのメタ
ノール中に投入した。重合体は白色粉末となって析出し
、ろ過して分離した。さらにＭＥＫＫ溶解させメタノー
ルに投入し、この操作を４回行なった。収量１１９（収
率はは／ｌ′ｆ、１ｏ。
％である）。
軟化点　１６４〜１６５℃ 重量平均分子せ（Ｍｗ）＝　４１．４００゜数平均分子
量（Ｍ口）＝３９．４００ 多分散度（Ｍｗ／Ｍ　ｎ　）　＝　１．０５重合体の分
析値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトル（Ｃ１ｒＬ−１）　：１２５０　
（８１−Ｃ）、９９０（アリル基）、ｌＧ２０（ベンゼ
ン核）核磁気共鳴スペクトル（δ）　ｐｐｍ　：　０．
０〜０．８（９Ｈ，メチル基）、１．０〜２．０（４Ｈ
，メチレン基）、４．５〜６．０（３Ｈ，オレフィン基
）。
６．２〜７．３（４Ｈ，ベンゼン核） （実施例５） ＣＨ３ ０Ｈ。
Ｃ！： グリ二ヤール用マグネシウム５．３．９　（０，２６グ
ラム原子）および乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２
０ｍｌを５ｏｏｔｎｌフラスコに仕込み、乾燥チッソガ
スでフラスコ内を置換した。０．２ｍｌのエチルブロマ
イドを加え、加温してマグネシウムを活性化させた。ｐ
−クロａ−α−メチルスチレン３０．４１／　（０，２
０モｈ）　／ＴＨＦ　（４０ｎｉＡ：）　　ヲ２時間を
要して滴下した。滴下終了後さらに２時間室温で反応を
続けた。ガラスフィルターを用いて反応溶液をろ過し未
反応のマグネシウムを除いた。溶液を５００ｎ−の７シ
スコに仕込み、加已して還流状態にし、ジメチルクロロ
メチルクロロシラン２８．（５ｙ（０，２０モル）を１
時間を要して滴ＦＬ７ｔ。さらに３時間、還流状ｆ４で
反応させ、室温に冷許後、約３００　ｍａｌ：の冷水に
投入した。
約５００　ＩＩ！のニーデルを加え、抽出を行ない、エ
ーテル層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。エーテルを
留出後、減圧蒸留で生成物を得た。収量３５．０＃（７
８％）節点１０２℃／　１．　□　ｒｒｕｎＨｇ０中間
体の分析値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトルＣｃｍ−”）　：１２５０（Ｓｉ
−Ｃ）。
１６２０．１３９０，９００　　（ビニＩＪ）？”ｙ）
、７４０（ＣＨｇＣ１ 核磁気共鳴スペクトル（すｐｐｍ　：０．１６　（６Ｈ
。
メチル基）、１．９５（２Ｈ，メチレン基）。
２．６０（３Ｈ，メチル基）、４．８〜５．２（２Ｈ，
オレフィン）、７．２〜７．４（４Ｈ，ベンゼン核）。
（実施例６） ＣＨ３ ＣＨ２ ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ。
ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ。
グリニヤール用マグネシウム２．９９　（０，１２グラ
ム原子）とＴＨＦｌｏｍＪを３００ｍ１プラスコに仕込
み、乾燥チッソガスで置換した。実施例５で製造した中
間体２２．４１（０，１モル）をＴＨＦ４０ｒＭに溶解
させた溶液を室温にて滴下した。ドライヤーを用いて少
し加温して反応を開始し始めたらドライヤーでの加温を
止め室温にてさらに滴下し続けた。滴下時間は３時間を
要した。
さらに２時間室温にて反応させた。還流するまで加温し
た後、アリルジメチルクロロシラン１３．５ｇ（（１１
モル）、ＴＨＦ（４０ｍ１）溶液を３０分を要して滴下
した。滴下終了後さらに１５時間還流温度で反応を続け
た。反応終了後、ＴＨＦを留去し、室温に冷去後エチル
エーテル（２００ｍＪ）を加えた。冷水（４００ｍｌ）
に投入し、抽出した。
エーテル層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、エーテル
を留出し、減圧蒸留で単量体を得た。収量１６．０！Ｉ
（５６％）単量体の分析値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトル（ｃｍ−”）　：１２５０（Ｓｉ
−Ｃ）、１６２５．１３９０．９００（ビニリデン） 核磁気共鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ： ０．２〜１．２（１２Ｈ，メチル基、ＣＨｓ−８ｉ）０
．４〜０．６（２Ｈ，メチレン基８ｉ−ＣＨ２−ｓｉ）
、２．１〜２．２（４Ｈ，メチレン基。
ＣＨ２−ｖｉｎｙｌ　、主鎖）　５．３〜６．５　（３
Ｎ　、ビニル基）、６．６〜８．０（４Ｈ，ベンゼン核
）。
（実施例７） ＯＨ。
ＣＨ。
Ｃ）（３−８ｊ　−ＣＨ３ ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ。
実施例６で合成した重合体およびＴＨＦを水素化カルシ
ウムで予備乾燥し友。以下に述べる重合反応はすべて高
真空下で行なった。実施例らで製造した単量体１１．？
を１００ｍ１！枝付きフラスコに仕込み、枝をラバーセ
プタムで封をし、フラスコを高真空ラインに接続した。
液体窒素浴で凍結してから、減圧にし、液体状態にもど
した。この操作を４回（り返して単量体中に含まれる空
気を脱気した後、ｎ−ブチルリチウム（１，６Ｍ：ヘキ
サン中）０．５ｍＪを加えて単量体を完全脱水した。
・　その後、同様の枝付きフラスコへ蒸留した。ＴＨＦ
５０ｎｌも同様に脱気、脱水を行ない重合フラスコへ蒸
留した。室温にてラバーセプタムからミクロシリンジを
用いてｎ−ブチルリチウム（１，６Ｍ：へキサン中）８
０μｌを加え、すぐにアセトン−ドライアイス浴で冷却
させて重合を行なった。
２時間後、メタノール１ｍｌをシリジンを用いて加えて
重合を停止し、常圧にもどし、重合体溶液を５００ｍ１
のメタノール中に投申し友。重合体は白色固体となって
析出し、ろ過して分離した。
さらにベンゼン１００ｍＡ！に溶解させ、メタノール５
００１Ｍに投入した。この操作を３回くり返した後、減
圧下５０℃で乾燥した。
重量平均分子量（Ｍｙ）　＝　４３　、０００数平均分
子量（Ｍｎ）＝４１，３００ 多分散度（Ｍｗ／Ｍ　ｎ　）　＝　１．０３重合体の分
析値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトル（ｃｔ−’）　：１２５０（８ｉ
−Ｃ）、９５０（アリル基）。
１６３０（ベンゼン核） 核磁気共鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ： ０．３〜０．６（６Ｈ，メチル基）、０．５〜０．６（
２Ｈ，メチレン基）、０．５〜０．８（６Ｈ。
メチル基及びメチレン基）、５．２〜６．５（アリル基
）　、　６．７〜７−８（４Ｈ，ベンゼン核）この重合
体は一つの単位の中にシリコン原子を２個有しているた
めシリコン含有量は重合体全体に対して１９．４％（Ｗ
／Ｗ）となる。
（実施例８） なる中間体は次の様な方法で合成した。
１１フラスコにグリニヤール試薬用金属マグネシウム１
４．６．９　（０，６グラム原子）及び乾燥エチルエー
テル２００ｆｆｌＪを仕込んだ。さらにエチルブロマイ
ド０．５ｍ４を加え、少し温めてマグネシウムを活性化
させた。アリルブロマイド６０．５９（０，５モル）、
エチルエーテル４ＱＱｍＪ溶液を４時間を要して滴下し
た。さらに、室温で２時間反応させた。反応溶液中に、
１，１，４．４−テトラメチル−１，４−ジクロロジシ
リハエチレン１０８．５１　（０，５モル）、　ｘチル
ニーチル１１００ｆ溶液を１時間を要して滴下した滴下
後、反応溶液を還流するまで加熱し、還流状態で１５時
間反応をさせた。室温に冷却後、反応溶液をガラスフィ
ルターを用いてろ過をした。ろ過からエチルエーテルを
留出した後、残留物を減圧蒸留して中間体を得た。収量
３２．９（２５）％％　ｂｐ９４〜１００’Ｃ／１７ｍ
ｍＨｇ 中間の分析結果は次の様になる。
赤外吸収スペクトル（ｃｍ−”）　：　１６３０　　（
アリル基）　、　８１０　（８ｉ　−Ｃ，８ｉ−ＣＪに
帰属する大きなピーク） 核磁気共鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ：０．１（６ｆ（。
ＣＨｓ Ｃ１−８ｉ）。
ＣＨ３ ＣＨ。
０．５（６Ｈ，ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−８ｉ　　）。
ＣＨ３ ０，５〜１．０　（４Ｈ、８１−ＣＨ２−ＣＨ，）１．
９　（２Ｈ、ＣＨ，−Ｃ＝　Ｃ）　、　４．７〜６．０
　（３Ｈ。
ｃＨ，＝ＣＨ−） （実施例９） ＣＨ３ ＣＨ。
ＣＨ。
ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ３ ＣＨ２ ＣＨ ＣＨ３ ５００ｍｌフラスコ中にグリニヤール用金属マグネシウ
ム７．０ｇ（０，２９グラム原子）及び乾燥ＴＨＦ１０
＋ｎＪを仕込み、さらに０．１ｍｌのエチルグロマ・イ
ドを刃口え、カロ熱してマグネシウムをｆ６性化させた
。室温にて４−クロロ−α−メチルスチレン２９．７ｇ
を４時間を要して滴ドした。さらに１時間室温にて反応
させた後に、加熱して還流させた。製造した中間体４４
．１．９　（０，２モル）を１時間を要して滴下した。
さらに３時間、還流温度で反応させた室温に冷却させて
、反応溶液を水中（ｓｏｏｍｇ）　　に投入した。エチ
ルエーテル３００　ｍｌで抽出した後、エーテル層を硫
虐マグネシウムで乾燥後、エーテルを留出した。残留物
を減圧蒸留して単量体を得た。牧童２４．７９（４５％
）。ｂｐｌ　１０〜１１２℃ｌ　Ｃ０２ｍｍＨｇ０単量
体の分針結果は次の様になる 赤外吸収スペクトル（ｒｘ−”）　：１６３０　（アリ
ル基）。
１６００（べ／ゼン核）　１２５０（Ｓｉ−Ｃ）、８１
５（８ｉ　−Ｃ） 核磁気共鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ：０１１（６Ｆ（。
ＣＨｓ Ｃｆ（。
０．３（６Ｈ，ムｒａｔ　　）ｅｏ、５〜０．９（４Ｈ
ｓＳＩＣＨ＊■ ＣＨ２ＣＨ２８ｉ）。
１．６〜１．８（２Ｈ，ＣＨ意−ＣＨ，）。
ＣＨｌ ２．３　（３Ｈ、ｃＨ，：ｃ　−）。
ＣＨ。
４．７〜６．０（５Ｈ，ＣＨ，＝Ｃ−及びＣＨ、＝ＯＨ
−）。
７．６（４Ｈ，ベンゼン核） （実施例１０） ＣＨｓ ＣＨ。
ＣＨ。
ｅ）（３−８ｉ　−ＣＨ３ ＣＨ。
ＣＨ ＣＨ。
実施例９で製造した単量体およびＴｆ（Ｆを水素化カル
シウムで予備乾燥した。以下に述べる重合反応はすべて
高真空下が行なった。実施例９で製造した単量体１１．
９を１００ｍ！枝付きフラスコに仕込み、枝を２バーセ
プタムで封をし、フラスコを高真空ラインに接続した。
液体窒素浴で凍結してから、減圧にし、液体状態にもど
した。この操作を４回（り返して単量体中に含°まれろ
空気を脱気した後、ｎ−ブチルリチウム（１，６Ｍ：ヘ
キサン中）０．５ｍｌ、を加えて単量体を完全脱水した
。
その後、同様の枝付きフラスコへ蒸留した。ＴＨＦ５０
ｍｌも同様に脱気、脱水を行ない重合フラスコへ蒸留し
た。室温にてラバーセグタムからミクロシリンジを用い
てｎ−ブチルリチウム（１，６Ｍ：ヘキサン中）８０μ
ノを加え、すぐにアセトン−ドライアイス浴で冷却させ
て重合を行なった。
２時間後、メタノール１ｍＡ’をシリンジを用いて加え
て重合を停止し、常圧にもどし、重合体溶液を５００ｍ
１：のメタノール中に膜中した。重合体は白色固体とな
って析出し、ろ過して分離した。さらにベンゼン１００
ｒｌｌに溶解させ、メタノール５００ｍ１に投入した。
この操作を３回くり返した後、減圧下５０℃で乾燥した
。
重量平均分子量（Ｍｗ）＝４１，３００数平均分子量（
Ｍｎ）＝３７．５００ 多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ　）　”　１．１０重合体の分析
値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトル（ＣＩ！Ｌ−”）　：１２５０　
（Ｓ　１−Ｃ）　。
９５０（アリル基）、１６３０（ベンゼン核）核磁気共
鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ：０．３−０．６（６Ｈ，メ
チル基）　、　０．５−０．６　（４Ｈ，メチレン基）
　、　０．５−０．８　（６Ｈ、メチル基）。
ｔ、７−２．５（５Ｈ，メチル基及びメチレン基）。
５．２−６．５（アリル基）　、　６．７−７．８　（
４Ｈ。
ベンゼン咳）。
（実施例１１） なる中間体は次の様な方法で合成した。
１１フラスコにグリニヤール試薬用金属マグネシウム１
４．６　Ｊ　（０，６グラム原子）及び乾燥エチルエー
テル２００ｍｔを仕込んだ。さらにエチルブロマイド０
．５ｍＡ：を加え、少し温めてマグネシウムを活性化さ
せた。アリルブロマイド６０．５．９（０，５モル）、
エチルエーテル４００　ｍｌ溶液を４時間を要して滴下
した。さらに、室温で２時間反応させた。反応溶液中に
、１．３−ジクロロテトラメチルジシロキサン１０１．
６＃　（０，５モル上エチルエーテル１００ｍＪ溶液を
１時間を要して滴Ｆした。滴下代、反応溶液を還流する
まで加熱し、ｉ流状悪で１５時間反応をさせた。室温に
冷却後、反応溶液をガンスフイルターを用いてろ過をし
た。
ろ過からエチルエーテルを留出した後、残留物を減圧蒸
留して中間体を得た。収量１９．５ＩＩ（１６％）ｂｐ
ｔｓｓ−１６２℃。
中間の分析結Ｐ、は次の様になる 赤外吸収スペクトｋ（ｃｍ−’）：１６１０（アリル基
）。
１０３０（Ｓ！−０−８ｉ）、８１０（８ｉ−Ｃ，ｄｉ
−（Ｊに帰属する大さなビーク）０ （実施例１２） ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ。
５００　ｍｌフラスコ中にグリニヤール用金属マグネシ
ウム７．０Ｎ（０，２９グラム原子）及び乾燥’ｌ’Ｈ
Ｆ１０ｒＭを仕込み、さらに０１１ｍ１のエチルブロマ
イドを加え、加熱してマグネシウムを活性化させた。室
温にて４−り四ローα−メチルスチレン２９．７Ｎを４
時間を要して滴下した。さらに１時間室温にて反応させ
た後に、加熱して還流させた。製造した中間体５６．３
１　（０，２モル）を１時間を要して滴下した。さらに
３時間、還流温度で反応させた。室温に冷却させて、反
応溶液を水中（５００ｍｌ）に投入した。エチルエーテ
ル３００ｍＡ！で抽出した後、エーテル層を硫酸マグネ
シウムで乾燥後、エーテルを留出した。残留物を減圧蒸
留して単量体を得た。収量１９．７ＩＩ（３４％）ｏ　
ｂｐ１０４−１０６℃　Ｉ　Ｑ、７ｍｍＨｇ　。
単量体の分析結果は次の様になる。
赤外吸収スペクトル（ｅｌｌ−”　）　：１６３０　（
アリル基）。
１６００（ベンゼン核）、１２５０（Ｓｉ−Ｃ）。
１０４０（８ｉ−０−８ｉ）、８１５（８ｉ−Ｃ）核磁
気共鳴スペクトル（δ）ｐｐｍ：ｏ、１ＣＨ。
（実施例１３） Ｈｓ ＣＨ，−８ｉ−ＣＨ。
０Ｈ。
ＣＨ ＣＨ。
重合反応はすべて高真空下で行なった水素化カルシウム
で予備乾燥したＴＨＰ４０ｍｊ’およびα−メチルスチ
レン１８　ＩＩ（０，０１モル）、さらに金属ナトリウ
ムｌｊ’（０，０３５グラム原子）をラバーセプタムで
封がしである枝付き１００ｍＪフラスコに仕込んだ。室
温で１２時間かくはんし友。紫色の溶液になり金属ナト
リウムがほぼな（なった。真空ラインを乾燥チッソガス
と接続し、開始剤溶液を真空からチッソ下にした。
実施例１２で製造し次単憬体１１ｇを１００ｍＪ枝付き
フラスコに仕込み、枝をラバーセプタムで封をし、フラ
スコを高真空ラインに接続し次液体窒素浴で凍結してか
ら、減圧にし、液体状態にもどした。この操作を４回く
り返して単量体中に含まれる空気を脱気し友後、ｎ−ブ
チルリチウム（１，♂ヤヘキサン中）０．５ｍＡを加え
て単量体を完全脱水した。その後、同様の枝付きフラス
コへ蒸留した。ＴＨＦ５０ｍｌも同様に脱気、脱水を行
ない重合フラスコへ蒸留した。室温にてラバーセプタム
からミク党シリンジを用いて、先に製造した開始剤溶液
１．５ｍＡ！を加え、すぐにア七トンードライアイス浴
で冷却させて重合を行なった。６時間後、メタノール１
ｍｊをシリンジを用いて加えて重合を停止し、常圧にも
どし、重合体容液を５００ｍＡ’のメタノール中に膜中
した。重合体は白色固体となって析出し、ろ過して分離
した。さらにベンゼン１００ｍｊ’に溶解させ、メタノ
ール５００ｔＭに投入した。この操作を３回（り返した
後、減圧下５０℃で乾燥した。
重量平均分子量（Ｍｗ）＝　３７，６００数平均分子量
（八（ｎ）−、＝３３，３００多分散度（Ｍｗ／’Ｊ’
ｎ　）　＝　１−１３重合体の分析値は次の様になる。
赤外線吸収スペクトル（Ｃ：ＩＬ−’）　：１６２０　
（ベンゼン核）、１２５０（Ｓｉ−Ｃ）、１０４０（Ｓ
ｉ−０−８ｉ）。
９５０（アリル基）。
（実施例１４） 実施例２で製造した重合・体０．４２．９と２．６−ジ
ー（４−アジドベンザルシクロヘキサノン）。
０．０４２！Ｉ　をキシｖンＢ、２ｍｉに溶解し、十分
攪拌した後、０．２μｍのフィルターで３遇し試料溶液
とした。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布（１０
００ｒｐｍ）Ｌ、８０℃、３０分間乾燥を行な、：＆ った。紫外線露光装置（カスパー卆＝！ａ　２００１　
ｐ）にて、クロムマスクを介して露光を行なった。メチ
ルイングチルケトン（ＭＩＢＫ）に１分間浸漬して現像
を行なった後、イングロパノールにて１分間リンスを行
なった。乾燥したのち、被照射部の膜厚を触針法により
測定した初期膜厚は０．２５μｍであった。微細なパタ
ーンを解像しているか否かは種々の寸法のラインアンド
スペースのパターンを描画し、現像処理によって得られ
たレジスｌを光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡で観察する
ことにょって調べた。
その結果得られた感度曲線を第１図に示す。本実施例の
感度はゲル化点（Ｄｇ）が約１秒であることがわかる。
同露光装置ｉでひろ（用いられているフォトレジストあ
るシプレー社人Ｚ−１３５０Ｊの適正露光量は７秒であ
る。また得られたパターン布の多分散度が小さく、その
友め前記重合体とビスアジドとの組成物をレジストとし
て用いた時得られるパターンの解像度は優れている。
（実施例ノタフ 実施例４で製造した重合体０．４２．９と２，６−ジー
（４′−アジドベンザルシクロヘキサノン）０．０４２
１１をキシレン８．２ｍｔ　ＶＣ＠解し、十分攪液とし
た。この溶液をシリコン基板上にスピン塗布（１０００
ｒｐｍ）Ｌ、８０°Ｃ１３０分間乾燥番行なった。紫外
〜１露露光置（カスパー社２００１ｐ）を用いて、クロ
ムマスクを介して露光を行なった。
メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に１分間浸漬して
現像を行なった後、イソプロパツールにて１分間リンス
を行なった。乾燥したのち被照射部の膜厚を触針法によ
り測定した。初期膜厚は０．２５μｍであった。微、褌
なパターンを解像しているか否かは種々の寸法のライン
アンドスペースのパターンを描１１可シ、現像処理によ
って得られ次レジスト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微
鏡、鏡で観察することによって調べた。
その結果得られた感度曲線を７Ｘ２図に示す。本実施例
の感度はゲル化点（Ｄａ）が約１秒であることがわかる
。同露光装置でひろく用いられているフォトレジストで
あるシプレー社ＡＺ−１３５０Ｊ（１μｍ厚）の適正露
光量は７秒であった。また得られ次パターンは５．０秒
の露光において、解像度も初期膜厚が薄いことが反映し
、サブミクロ（実施例１６） 実施例７で製造した重合体０．４２Ｎと２，６−ジー（
４−アジドベンザルシクロヘキサノン）０．０２１，９
　　をキシレン４．２ｍｌに溶解し、十分攪拌した後、
０．２μｍのフィルターでろ過し試料溶液とした。この
溶液をシリコン基板上にスピン塗布Ｃ３０Ｃ５０００ｒ
ｐ、、８０℃、３０分間乾燥を行った。紫外線露光装置
（ＭＡＮＮ４８００Ｄ８Ｗ（ＧＣＡ社製））を用いて、
クロムマスクラ介して行なった。
メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に１分間浸漬して
現像を行なった後、イソプロパツールにて１分間リンス
を行なった。乾燥したのち被照射部の膜厚を触針法によ
り測定した。初期膜厚は０．２５μｍであった。微細な
パターンを解像しているか否かは種々の寸法のラインア
ンドスペースのパターンを描出し、現像処理によって得
られたレジスト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡で観
察することによって調べた。
感度曲線からゲル化点（Ｄｇ）　　が約３秒であること
がわかった。紫外線露光でひろく用いられているフォト
レジストであるシグレー社ＭＰ−１３００（１μｍ厚）
の適正露光量は０．３５秒であった。
（実施例１７） 実施例１０で製造した重合体０．４２ＩＩと２．６−ジ
ー（４−アジドベンザルシクロヘキサノン）０．０２１
１１をキシレン８．２ｍｌに溶解し、十分攪拌した後、
０．２μｍのフィルターでろ過し試料溶液とした。この
溶液をシリコン基板上にスピン塗布（３０００ｒｐｍ）
ｌ、、８０℃、３０分間乾燥を行なった。紫外線露光装
置（ＭＡＮＮ４８００ＤＳＷ（ＧＣＡ社製））を用いて
、クロムマスクを介して露光を行なった。メチルイソブ
チルケトン（ＭＩＢＫ）に１分間浸漬して現像を行なっ
た後、イソプロパツールにて１分間リンスを行なった。
乾燥したのち被照射部の膜厚を触針法により測定した。
初期膜厚は０．２５μｍであった。微細なパターンを解
像しているか否かは種々の寸法のラインアンドスペース
のパターンを描画し、現像処理によって得られたレジス
ト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡で観察することに
よって調べた。
感度曲線からゲル化点（Ｄｉ）が約０．４０秒であるこ
とがわかった。同露光装置でひろ（用いられているフォ
トレジストであるシプレー社ＭＰ−１３００（１μｍ厚
）の適正露光量は０．３５秒であった。
（実施例１８） 実施例１３で製造した重合体０．４２Ｊと２．６−ジー
（４−アジドベンザルシクロヘキサノン）０．０２１＃
をキシレン８−２　ｍｌに溶解し、十分攪拌した後、０
．２μｍのフィルターでろ過し試料溶液とした。この溶
液をシリコン基板上にスピン塗布（３０００ｒｌ）ｍ）
Ｌ、、８０℃、３０分間乾燥を行なった。紫外線露光装
置（ＭＡＮＮ４８００ＤＳＷ（ＧＣＡ社！！！ｌ））を
用いて、クロムマスクを介して露光を行なった。メチル
イソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に１分間浸漬して現像を
行なった後、インプロパツールにて１分間リンスを行な
った。乾燥したのち被照射部の膜厚を触針法により測定
した。初期膜厚は０．２０μｍであった。微細なパター
ンを解像しているか否かは種々の寸法のラインアンドス
ペースのパターンを描画し、現像処理によって得られた
レジスト像を光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡で観察する
ことによって調べた。
感度曲線からゲル化点（Ｄｉ）　　が約０．４２秒であ
ることがわかった。同露光装置でひろく用いられている
フォトレジストであるシグレー社ＭＰ−１３００（１μ
ｍ厚）の適正露光量は０．３５秒であった。
（実施例１９） 次にシリコン基板上にノボラック樹脂を主成分とするレ
ジスト材料（ＡＺ−１３５０Ｊ）を厚さ１．５μｍ塗布
し、２５０℃において１時間焼きしめを行なった。しか
る後、上記実施例１４．１５で調整した溶液をスピン塗
布し、８０℃にて３０分乾燥を行なって０．２５μｍ　
厚の均一な塗膜をえた。
この基板を紫外線露光装置にてクロムマスクを介して５
．０秒露光した。ＭＩＢＫに浸漬して１分間現像を行な
ったのち、インプロパツールにて１分間リンスを行なっ
た。この基板を平行板の反応性スパッタエツチング装置
（アネル、＜社ｇＤｇＭ−４５１）にて、０２５　ｓｃ
ｃｍ　、　２０ｐａ＊０．１６Ｖ％’／ｉの条件で７分
間エツチングを行なった。走査型電子顕微鏡で観察した
債果、；≧＝＆二黛＝葉子、、−のパターンが下層に正
確に転写されていることがわかった。
（実施例２０） シリコン基板上にノボラック樹脂を主成分とするレジス
ト材料（ＭＰ−１３００（シブプレー社製））を厚さ１
．５μｍ塗布し、２５０℃において１時間焼きしめを行
なった。しかる後、実施例１６で調整した溶液をスピン
塗布し、８０℃にて３０分間乾燥を行なって０．２５μ
ｍ厚の均一な塗膜をえた。
この基板を紫外線露光装置（ＭＡＮＮ４８００ＤＳＷ（
ＧＣＡ社製））を用いクロムマスクを介して４．０秒露
光した。ＭＩＢＫ／ｎ−ＢｕＯＨ（５０／１００Ｖ／Ｖ
）に１分間浸漬して現像を行なっ几のち、インプロパツ
ールにて１分間リンスを行なった。この基板を平行平板
の反応性スパッタエツチング装置（アネルバ社製Ｄｈｍ
Ｍ−４５１）を用い１発明が解決しようとする問題点の
項でのべ九条件つまりＯ！２ｓＣＣｍ、　３．０ＰａＯ
，１６Ｗ／ｃ！ｉ　　の条件で７分間エツチングを行な
った。走査型゛成子顕微鏡で観察した結果、サブミクロ
ンの上層のパターンが下）−レジスト材料により正確に
転写されより垂直なパターンが形成されていることがわ
かった。
（実施例２１） シリコン基板上にノボラック樹脂を主成分とするレジス
ト材料（ＭＰ−１３００（シブプレー社製））を厚さ１
．５μｍ塗布し、２５０℃において１時間焼きしめを行
なった。しかる後、上記実施例１７で調製した溶液をス
ピン塗布し、８０℃にて３０分間乾燥を行なって０．２
５μｍ厚の均一な塗膜をえ友。この基板を紫外線露光装
置（ＭＡＮＮ。
４Ｂ００ＤＳＷ（ＧＣＡ社製））を用いクロムマスクを
介して０．３５秒露光した。ＭＩＢＫ／ｎ−ＢｕＯＨ（
５０／１００Ｖ／Ｖ）に１分間浸漬して現像を行なった
のち、インプロパツールにて１分間リンスを行なった。
この基板を平行平板の反応性スパッタエツチング装置（
アネルバ社ｇＤＥＭ−４５１）を用い、０２５ｓｃｃｍ
、　２．Ｑｐａ　Ｏ，１６Ｗ／ｃｒ／ｌ　　の条件で７
分間エツチングを行なった。走査型電子顕微鏡で観察し
た結果、サブミクロンの上層のパターンが下層に正確に
転写されていることがわかった。
（実施例２２〕 シリコン基板上にノボラヴク樹脂を主成分とするレジス
ト材料（ＭＰ−１３００（シラプレー社１ｋ））を厚さ
１，５μｍ塗布し、２５０℃において１時間焼きしめを
行なった。しかる後、上記実施例１８で調整した溶液を
スピン塗布し、８０℃にて３０分間乾燥を行なって０．
２５μｍ厚の均一な塗膜をえた。この基板を紫外線露光
装置（カスパー２００１１））を用いクロムマスクを介
して３．５秒露光Ｌ７’ｃ。ＭＩＢＫ／ｎ−ＢｕＯＨ（
７０／１００Ｖ／Ｖ）に１分間浸漬して現像を行なフた
のち、インプロパツールにて１分間リンスを行なった。
この基板を平行平板の反応性スパッタエツチング装置（
アネルバ社製ＤＥＭ−４５１）を用い、０２５ｓｅｃｍ
、２．０ＰａＯ，１６Ｗ／ｃ、ｆｆｌ　　（７）条件で
７分間エラｆ　７　クラ行なった。走査型電子顕微鏡で
観察した結果、サブミクロンの上層のパターンが下層に
正確に転写されていることがわかった。
鞠膣。
本願第１および第２発明の重合体や組成物はドライエツ
チングに対して極めて強く、２００〜２０００１程度の
膜厚があれば、１．５／Ｊｍ程度の厚い有機ノーをエツ
チングするためのマスクになり得る。したがって、パタ
ーン形成用のレジスト膜は薄くてよい。また、下地に厚
い有機層があると電子ビーム露光においては、近接効果
が低減されるため、光学露光においては、反射波の悪影
２ｊが低減されるために、高解像度のパターンが容易に
得られる。また他の露光法においても高解像度のパター
ンが容易に得られた。
−Ｉル谷ド辿」張組　　　　・”　−−ｒｌ−・パー゛
□屏値、爬社１９に茎埴ゐ。
また、本願第１発明の実施例７における重合体はシリコ
ン原子２個を有しているためシリコン濃度は重合体に対
して１９．４％（ｖＶ／νＶ）となり、高いので、レジ
スト組成物はドライエツチングに対して極めて強＜、２
０００Ａ程度の膜厚があれば、１、５　ｕｔｎ程度の厚
い有機層をエツチングするためのマスクになり得る。し
たがって、パターン形成用のレジスト膜は薄くてよい。
また、下地に厚い有機層があると電子ビーム露光におい
ては、近接効果が低減され′るため、光学露光において
は、反射波の悪影響の低減されるために、高解像度のパ
ターンが容易に得られる。また他の露光法においても高
解像度のパターンが容易に得られる。
さらに、本ＪＩ！第１発明の実施例１０における重合体
はシリコン原子２個を有しているためシリコンａ度は重
合体に対して１８．５％（Ｗ／Ｗ）となり、高いので、
レジスト組成物はドライエツチングに対して極めて強＜
、２０００Ａ’程度の膜厚があれば、１．５μｍ８度の
厚い有機層をエツチングするためのマスクになり得る。
したがって、パターン形成用のレジスト膜は薄（でよい
。また、下地に厚い有機層があると電子ビーム露光にお
いては、近接効果が低減されるため、光学露光において
は、反射波の悪影響が低減されるために、高解像度のパ
ターンが容易に得られる。また他の露光法においても高
解像度のパターンが容易に得られる。
加えて、本願第１発明の実施例１３における重合体はシ
リコン原子２個を有しているためシリコン濃度は重合体
に対して１９．３％（Ｗ／Ｗ）となり高いのでレジスト
組成物はドライエツチングに対して極めて強（，２００
〜ｚｏｏｏ＆　程度の膜厚があれば、１．５μｍ程度の
厚い有機層をエツチングするためのマスクになり得る。
したがって、パターン形成用のレジスト膜は薄（でよい
。また。
下地に厚い有機層があると電子ビーム露光においては、
近接効果が低減されるため、光学露光においては、反射
波の悪影響が低減されるために、高解像度のパターンが
容易に得られる。また他の露光法においても高解像度の
パターンが容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例１４の組成物（重合体２．６−
ジー（４−アシドベンザルシクロヘキサノン（１０ｗｔ
％）を加えたもの）の０７ｇ度特性を示すグラフ、第２
図は本発明の実施例１５の組成物（重合体に２，６−ジ
ー（４′−アジドベンザルシフαヘキサノン（１９ｗｔ
％）を加えたもの）のＵＶ感度特性を示すグラフである
。

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）構成単位にケイ素およびアリル基の両方を含むス
    チレン系重合体。
  2. （２）上記構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ｘは−Ｏ−または−（ＣＨ＿２）−＿ｐを表わし、ｌは
    ０を含む整数、ｎは０、１または２を表わし、ｍは１、
    ２または３を表わし、ｎ＋ｍは３であり、ｐとｚとは整
    数を表わす）で示される特許請求の範囲第１項記載のス
    チレン系重合体
  3. （３）上記構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
    ３を表わし、ｎは整数で０〜２を表わし、ｎ＋ｍは３で
    ある。ｘは正の整数を表わす）で示され、 多分散度は１．２以下、重量平均分子量は３千ないし１
    ００万である特許請求の範囲第１項記載の重合体
  4. （４）上記構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１、２
    もしくは３を表わし、ｎは整数で０、１もしくは２を表
    わし、ｎ＋ｍは３である。ｘは正の整数を表わす）で示
    される特許請求の範囲第１項記載の重合体。
  5. （５）多分散度 は１．２以下、重量平均分子量は３千ないし１００万、
    である特許請求の範囲第４項記載の重合体。
  6. （６）上記構成要素が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される特許求の範囲
    第１項記載の重合体。
  7. （７）上記構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される特許請求の範
    囲第１項記載の重合体。
  8. （８）上記構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される特許請求の範
    囲第１項記載の重合体
  9. （９）構成単位にケイ素およびアリル基の両方を含むス
    チレン系重合体とビスアジドとの組成物。
  10. （１０）上記重合体の構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
    ３を表わし、ｎは整数で０〜２を表わし、ｎ＋ｍは３で
    ある。ｘは正の整数を表わす）で示され、 多分散度は１．２以下、重量平均分子量は３千ないし１
    ００万である特許請求の範囲第９項記載の組成物。
  11. （１１）上記重合体の構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１、２
    もしくは３を表わし、ｎは整数で０、１もしくは２を表
    わし、ｎ＋ｍは３である。ｘは正の整数を表わす）で示
    される特許請求の範囲第９項記載の組成物。
  12. （１２）ヒスアジドは、重合体に対し０．３〜３０重量
    ％である特許請求の範囲第１０項または第１１項記載の
    組成物。
  13. （１３）上記重合体の構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される特許請求の範
    囲第９項記載の組成物。
  14. （１４）上記重合体の構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される 特許請求の範囲第９項記載の組成物。
  15. （１５）上記重合体の構成単位が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される特許請求の範
    囲第９項記載の組成物。
  16. （１６）基板上の有機膜をレジスト層で選択的に覆い、
    このレジスト層をマスクに上記有機膜を選択エッチング
    するパターン形成方法において、上記レジスト層に、構
    成単位にケイ素およびアリル基の両方を含むスチレン系
    重合体を使用するパターン形成方法。
  17. （１７）上記レジストが一般式 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
    ３を表わし、ｎは整数で０〜２を表わし、ｎ＋ｍは３で
    ある。ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なり、 多分散度は１．２以下、 重量平均分子量は３千ないし１００万である重合体を用
    いる特許請求の範囲第１６項記載のパターン形成方法。
  18. （１８）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１、２
    もしくは３を表わし、ｎは整数で０、１もしくは２を表
    わし、ｎ＋ｍは３である。ｘは正の整数を表わす）で示
    される構成単位からなるケイ素原子とアリル基を有する
    スチレン系重合体を用いる特許請求の範囲第１６項記載
    のパターン形成方法。
  19. （１９）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なるケイ素原子とアリル基を有するスチレン系重合体と
    ビスアジドとの組成物を用いる特許請求の範囲第１６項
    記載のパターン形成方法。
  20. （２０）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なるケイ素原子とアリル基を有するスチレン系重合体を
    用いる特許請求の範囲第１６項記載のパターン
  21. （２１）上記レジスタとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わすで示される構成単位からな
    るケイ素原子とアリル基を有するスチレン系重合体を用
    いる特許請求の範囲第１６項記載のパターン形成方法。
  22. （２２）基板上の有機膜をレジスト層で選択的に覆い、
    このレジスト層をマスク上上記有機膜を選択エッチング
    するパターン形成方法において、上記レジスト層に、構
    成単位にケイ素およびアリル基の両方を含むスチレン系
    重合体とビスアジドとを有する組成物を使用するパター
    ン形成方法。
  23. （２３）上記レジストが一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１〜
    ３を表わし、ｎは整数で０〜２を表わし、ｎ＋ｍは３で
    ある。ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なり、 多分散度は１．２以下、 重量平均分子量は３千ないし１００万である重合体とビ
    スアジドとの組成物を用いる特許請求の範囲第２２条記
    載のパターン形成方法。
  24. （２４）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは低級アルキル基を表わし、ｍは整数で１、２
    もしくは３を表わし、ｎは整数で０、１もしくは２を表
    わしｎ＋ｍは３である。ｘは正の整数を表わす）で示さ
    れる構成単位からなるケイ素原子とアリル基を有するス
    チレン系重合体とビスアジドとの組成分を用いを特許請
    求の範囲第２２項記載のパターン形成方法。
  25. （２５）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは整数を表わす）で示される構成単位からなる
    ケイ素原子とアリル基を有するスチレン系重合体を用い
    る特許請求の範囲第２２項記載のパターン形成方法。
  26. （２６）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なるケイ素とアリル基を有するスチレン系重合体とビス
    アジドとの組成物を用いる特許請求の範囲第２２項記載
    のパターン形成方法。
  27. （２７）上記レジストとして一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｘは正の整数を表わす）で示される構成単位から
    なるケイ素原子とアリル基を有するスチレン系重合体と
    ビスアジドとの組成物を用いる特許請求の範囲第２２項
    記載のパターン形成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037294A (ja) * 1989-01-13 1991-01-14 Agency Of Ind Science & Technol 有機ケイ素化合物の製造方法
DE10064092A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-11 Wacker Chemie Gmbh Thermoplastische Siliconblockcopolymere deren Herstellung und Verwendung
DE10064074A1 (de) * 2000-12-21 2002-08-01 Wacker Chemie Gmbh Thermoplastische Siliconblockcopolymere
WO2007026010A3 (en) * 2005-09-01 2007-06-14 Freescale Semiconductor Inc Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device
US7803719B2 (en) 2006-02-24 2010-09-28 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037294A (ja) * 1989-01-13 1991-01-14 Agency Of Ind Science & Technol 有機ケイ素化合物の製造方法
DE10064092A1 (de) * 2000-12-21 2002-07-11 Wacker Chemie Gmbh Thermoplastische Siliconblockcopolymere deren Herstellung und Verwendung
DE10064074A1 (de) * 2000-12-21 2002-08-01 Wacker Chemie Gmbh Thermoplastische Siliconblockcopolymere
WO2007026010A3 (en) * 2005-09-01 2007-06-14 Freescale Semiconductor Inc Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device
US7691756B2 (en) 2005-09-01 2010-04-06 Nxp B.V. Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device
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US7803719B2 (en) 2006-02-24 2010-09-28 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and passivating coupling material comprising multiple organic components for use in a semiconductor device

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