JPS63258836A - エテン誘導体の製造方法 - Google Patents
エテン誘導体の製造方法Info
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- JPS63258836A JPS63258836A JP9191087A JP9191087A JPS63258836A JP S63258836 A JPS63258836 A JP S63258836A JP 9191087 A JP9191087 A JP 9191087A JP 9191087 A JP9191087 A JP 9191087A JP S63258836 A JPS63258836 A JP S63258836A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
【技術分野〕
本発明はエテン誘導体の製造方法に関し、詳しくは長波
長吸収ロイコ染料の中間体である、1.1−ビス−(ジ
アルキルアミノフェニル)エテン誘導体の製造方法に関
する。
長吸収ロイコ染料の中間体である、1.1−ビス−(ジ
アルキルアミノフェニル)エテン誘導体の製造方法に関
する。
従来より、アルコールの脱水反応によりオレフィンを得
る方法はよく知られている。ただヒドロキシル基は脱離
基としての能力が低いため、酸性条件下でその能力を増
して脱水を行なうのが通例であり、一般に脱水触媒とし
ては、硫酸、硫酸水素カリウム、硼酸などが使用されて
いる〔新実験化学構座り、 11g(1977))、
Lかしながら、このような脱水反応は、反応条件が過酷
であるとか、収率が幾分低いとかという欠点を有してい
る。
る方法はよく知られている。ただヒドロキシル基は脱離
基としての能力が低いため、酸性条件下でその能力を増
して脱水を行なうのが通例であり、一般に脱水触媒とし
ては、硫酸、硫酸水素カリウム、硼酸などが使用されて
いる〔新実験化学構座り、 11g(1977))、
Lかしながら、このような脱水反応は、反応条件が過酷
であるとか、収率が幾分低いとかという欠点を有してい
る。
特に、1,1−ビス(ジアルキルアミノフェニル)アル
コール誘導体を塩化カルシウムの存在下で脱水反応を行
うことにより1.1−ビス−(ジアルキルアミノフェニ
ル)エテン誘導体を製造する方法が紹介されているが、
この方法は簡単ではあるものの収率が極めて低い(An
n、、 461.152−154(1928))という
欠点を有している。
コール誘導体を塩化カルシウムの存在下で脱水反応を行
うことにより1.1−ビス−(ジアルキルアミノフェニ
ル)エテン誘導体を製造する方法が紹介されているが、
この方法は簡単ではあるものの収率が極めて低い(An
n、、 461.152−154(1928))という
欠点を有している。
本発明は、前記従来方法における難点を克服した工業的
に有利な1.1−ビス(ジアルキルアミノフェニル)エ
テノ誘導体の製造方法を提供することを目的とする。
に有利な1.1−ビス(ジアルキルアミノフェニル)エ
テノ誘導体の製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、下記一般式(1)で示されるアルコー
ル誘導体を有機溶媒中で脱水反応させて下記一般式(n
)で示されるエテノ誘導体を製造するに当り、該脱水反
応を無機硫酸塩無水物の存在下で行うことを特徴とする
エテノ誘導体の製造方法が提供される。
ル誘導体を有機溶媒中で脱水反応させて下記一般式(n
)で示されるエテノ誘導体を製造するに当り、該脱水反
応を無機硫酸塩無水物の存在下で行うことを特徴とする
エテノ誘導体の製造方法が提供される。
(式中R□、R3、R1及びR4は低級アルキル基を、
R5は水素又は低級アルキル基を夫々示す6)前記一般
式(II)で示される1、1−ビス−(ジアルキルアミ
ノフェニル)エテノ誘導体は、記録材料等の発色成分と
なるロイコ染料を合成するための有用な中間体である。
R5は水素又は低級アルキル基を夫々示す6)前記一般
式(II)で示される1、1−ビス−(ジアルキルアミ
ノフェニル)エテノ誘導体は、記録材料等の発色成分と
なるロイコ染料を合成するための有用な中間体である。
通常、前記一般式(II)中のRいR,、R,及びR4
は炭素数1〜4のアルキル基であり、R6は水素又は炭
素数1〜3のアルキル基である。
は炭素数1〜4のアルキル基であり、R6は水素又は炭
素数1〜3のアルキル基である。
本発明の前記一般式(II)で表わされる化合物の具体
例を示すと、 1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エテノ
、1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)エテ
ノ、1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)プ
ロペン、 などが挙げられる。
例を示すと、 1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エテノ
、1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)エテ
ノ、1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)プ
ロペン、 などが挙げられる。
本発明においては、原料として前記一般式(1)で示さ
れるアルコール誘導体を用いるが、この化合物は下記一
般式(m)で示される1、1−ビス−(ジアルキルアミ
ノフェニル)ケトン誘導体と一般式(IV)で示される
グリニヤール試薬とを有機溶媒中で反応させることによ
って容易に得られる。
れるアルコール誘導体を用いるが、この化合物は下記一
般式(m)で示される1、1−ビス−(ジアルキルアミ
ノフェニル)ケトン誘導体と一般式(IV)で示される
グリニヤール試薬とを有機溶媒中で反応させることによ
って容易に得られる。
R,CH,MgX (IV)(式中R
,,R,、R3及びR4は低級アルキル基を、R6は水
素又は低級アルキル基を、並びにXは沃素、臭素又は塩
素を夫々示す、) なお、前記有機溶媒としては、ジエチルエーテル、イソ
プロピルエーテル、テトラヒドロフラン。
,,R,、R3及びR4は低級アルキル基を、R6は水
素又は低級アルキル基を、並びにXは沃素、臭素又は塩
素を夫々示す、) なお、前記有機溶媒としては、ジエチルエーテル、イソ
プロピルエーテル、テトラヒドロフラン。
ベンゼン、トルエン及びそれらの混合物等が用いられる
。このようにして有機溶媒中に生成した前記アルコール
誘導体は、過剰のグリニヤール試薬を水抽出で除いた後
、有機溶媒を分離することなく、そのまま本発明の原料
として使用されるが、溶媒転換し、他の有機溶媒溶液と
して本発明の原料として用いることもできる。
。このようにして有機溶媒中に生成した前記アルコール
誘導体は、過剰のグリニヤール試薬を水抽出で除いた後
、有機溶媒を分離することなく、そのまま本発明の原料
として使用されるが、溶媒転換し、他の有機溶媒溶液と
して本発明の原料として用いることもできる。
本発明は前記一般式(1)で示されるアルコール誘導体
を有機溶媒中で無機硫酸塩無水物を用いて脱水反応させ
ることによって行われる。この脱水反応は従来公知の条
件を採用することができる。
を有機溶媒中で無機硫酸塩無水物を用いて脱水反応させ
ることによって行われる。この脱水反応は従来公知の条
件を採用することができる。
本発明で用いられる無機硫酸塩無水物としては、硫酸ナ
トリウム無水物、硫酸マグネシウム無水物、硫酸カルシ
ウム無水物、硫酸カリウム無水物、硫酸アルミニウム無
水物などの硫酸の各種金属塩が挙げられる。また有機溶
媒としてはジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン及びそれらの
混合物などの各種の有機溶媒が挙げられる。
トリウム無水物、硫酸マグネシウム無水物、硫酸カルシ
ウム無水物、硫酸カリウム無水物、硫酸アルミニウム無
水物などの硫酸の各種金属塩が挙げられる。また有機溶
媒としてはジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン及びそれらの
混合物などの各種の有機溶媒が挙げられる。
本発明の実施に当っては、前記無機硫酸塩無水物の使用
量は原料アルコール誘導体1モルに対して約1〜約6モ
ルの範囲が反応上及び経済上好ましく、特に約2〜約4
モルの範囲が好ましい。反応温度は常温ないし加温を採
用することができる。
量は原料アルコール誘導体1モルに対して約1〜約6モ
ルの範囲が反応上及び経済上好ましく、特に約2〜約4
モルの範囲が好ましい。反応温度は常温ないし加温を採
用することができる。
本発明の実施は容易であり、例えばエーテル−ベンゼン
混合溶媒に溶解した1、1−ビス(4−ジメチルアミノ
フェニル)エタノール−1に硫酸塩無水物を添加して数
時間反応させる。反応完了後、硫酸塩無水物を濾過によ
り除き、更に有機溶媒を蒸発により除去すると、固体状
の粗1,1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エ
テノが得られる。これをエタノール等を用いて再結晶す
ると、目的とする高純度1.1−ビス−(4−ジメチル
アミノフェニル)エテノが得られる。
混合溶媒に溶解した1、1−ビス(4−ジメチルアミノ
フェニル)エタノール−1に硫酸塩無水物を添加して数
時間反応させる。反応完了後、硫酸塩無水物を濾過によ
り除き、更に有機溶媒を蒸発により除去すると、固体状
の粗1,1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エ
テノが得られる。これをエタノール等を用いて再結晶す
ると、目的とする高純度1.1−ビス−(4−ジメチル
アミノフェニル)エテノが得られる。
本発明の方法は、前記したように、脱水反応助剤として
無機硫酸塩無水物を使用したものであって、高収率且つ
高純度で目的生成物を得ることができ、工業的に極めて
有利な製造方法ということができる。
無機硫酸塩無水物を使用したものであって、高収率且つ
高純度で目的生成物を得ることができ、工業的に極めて
有利な製造方法ということができる。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。なお
以下において示す%及び部はいずれも重斌基準である。
以下において示す%及び部はいずれも重斌基準である。
参考例1
1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エタノ
ール−1の製造 窒素雰囲気下で四ツ白フラスコ中に、マグネシウム(削
り状)24.3gとジエチルエーテル(無水)3001
112を入れ撹拌した。これに、室温条件下で、沃化メ
チル156.2 gとジエチルエーテル(無水)300
鵬Qの混合溶液を2時間かけてゆっくり滴下した。
ール−1の製造 窒素雰囲気下で四ツ白フラスコ中に、マグネシウム(削
り状)24.3gとジエチルエーテル(無水)3001
112を入れ撹拌した。これに、室温条件下で、沃化メ
チル156.2 gとジエチルエーテル(無水)300
鵬Qの混合溶液を2時間かけてゆっくり滴下した。
滴下後、30分間煮沸還流してグリニヤール試薬を調製
した。 1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル
)ケトン134.2gをベンゼン3000m Qに溶解
した混合溶液を、10〜20℃に冷却したグリニヤール
試薬に3時間かけ、ゆっくり滴下した6滴下後、1時間
煮沸還流し、1晩放置した。
した。 1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル
)ケトン134.2gをベンゼン3000m Qに溶解
した混合溶液を、10〜20℃に冷却したグリニヤール
試薬に3時間かけ、ゆっくり滴下した6滴下後、1時間
煮沸還流し、1晩放置した。
この反応混合物を、酢酸223va Q及び塩化アンモ
ニウム446.7 gを冷水3500ra Qで溶解し
た溶液中に注入し、2時間撹拌した。少し放置すると、
反応物を含んだエーテル−ベンゼン層と水層に分離した
。エーテル−ベンゼン層を分離後、さらに水層からベン
ゼンで反応物を抽出し、これを前記エーテル−ベンゼン
層に混合した。
ニウム446.7 gを冷水3500ra Qで溶解し
た溶液中に注入し、2時間撹拌した。少し放置すると、
反応物を含んだエーテル−ベンゼン層と水層に分離した
。エーテル−ベンゼン層を分離後、さらに水層からベン
ゼンで反応物を抽出し、これを前記エーテル−ベンゼン
層に混合した。
実施例1
1.1−ビス−(4−ジメチルアミノフェニル)エテノ
の製造 参考例1で得られた1、1−ビス=(4−ジメチルアミ
ノフェニル)エタノール−1含有エーテル−ベンゼン溶
液に脱水反応助剤として硫酸ナトリウム無水物200g
を加え、4時間放置して脱水反応をおこなった。次に硫
酸ナトリウムを濾過により除き、さらにエーテル及びベ
ンゼンをロータリーエバポレーターで留去し、うすい黄
緑色固体の粗生成物125.2g(粗収率94.0%)
を得た。
の製造 参考例1で得られた1、1−ビス=(4−ジメチルアミ
ノフェニル)エタノール−1含有エーテル−ベンゼン溶
液に脱水反応助剤として硫酸ナトリウム無水物200g
を加え、4時間放置して脱水反応をおこなった。次に硫
酸ナトリウムを濾過により除き、さらにエーテル及びベ
ンゼンをロータリーエバポレーターで留去し、うすい黄
緑色固体の粗生成物125.2g(粗収率94.0%)
を得た。
この粗生成物をエタノール2000a+ Qで再結晶し
て、うすい黄緑色の微針状結晶tto、6g(収率83
.0%)を得た。この化合物の融点は123〜124℃
であった。
て、うすい黄緑色の微針状結晶tto、6g(収率83
.0%)を得た。この化合物の融点は123〜124℃
であった。
参考例2
1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)エタノ
ール−1の製造 窒素雰囲気下で四ツロフラスコ中に、マグネシウム(削
り状)24.3 gとジエチルエーテル(無水)300
rm Qを入れ撹拌した。これに、室温条件下で、沃化
メチル156.2gとジエチルエーテル(無水)300
taQの混合溶液を2時間かけてゆっくり滴下した。
ール−1の製造 窒素雰囲気下で四ツロフラスコ中に、マグネシウム(削
り状)24.3 gとジエチルエーテル(無水)300
rm Qを入れ撹拌した。これに、室温条件下で、沃化
メチル156.2gとジエチルエーテル(無水)300
taQの混合溶液を2時間かけてゆっくり滴下した。
滴下後、30分間煮沸還流してグリニヤール試薬を調製
した。1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)
ケトン162.2gをベンゼン3000m Qに溶解し
た混合溶液を、10〜20℃に冷却したグリニヤール試
薬に3時間かけゆっくり滴下した0滴下後、1時間煮沸
還流し、1晩放置した。
した。1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)
ケトン162.2gをベンゼン3000m Qに溶解し
た混合溶液を、10〜20℃に冷却したグリニヤール試
薬に3時間かけゆっくり滴下した0滴下後、1時間煮沸
還流し、1晩放置した。
この反応混合物を、酢酸223vs Q及び塩化アンモ
ニウム446.7gを冷水3500a+ Qで溶解した
溶液中に注入し、2時間撹拌した。少し放置すると1反
応物を含んだエーテル−ベンゼン層と水層に分離した。
ニウム446.7gを冷水3500a+ Qで溶解した
溶液中に注入し、2時間撹拌した。少し放置すると1反
応物を含んだエーテル−ベンゼン層と水層に分離した。
エーテル−ベンゼン層を分離後、さらに水層からベンゼ
ンで反応物を抽出し、これを前記エーテル−ベンゼン層
に混合した。
ンで反応物を抽出し、これを前記エーテル−ベンゼン層
に混合した。
実施例2
1.1−ビス−(4−ジエチルアミノフェニル)エテノ
の製造 参考例2で得られた1、1−ビス−(4−ジェチルアミ
ノフェニル)エタノールl含有エーテル−ベンゼン溶液
に硫酸マグネシウム無水物200gを加え、4時間放置
して脱水反応をおこなった。次に硫酸マグネシウムを濾
過により除き、さらにエーテル及びベンゼンをロータリ
ーエバポレーターで留去し。
の製造 参考例2で得られた1、1−ビス−(4−ジェチルアミ
ノフェニル)エタノールl含有エーテル−ベンゼン溶液
に硫酸マグネシウム無水物200gを加え、4時間放置
して脱水反応をおこなった。次に硫酸マグネシウムを濾
過により除き、さらにエーテル及びベンゼンをロータリ
ーエバポレーターで留去し。
黄緑色固体の粗生成物t47.3g(組数率91.4%
)を得た。
)を得た。
この粗生成物をエタノール2000m Qで再結晶して
、黄緑色の針状結晶128g(収率79.4%)を得た
。
、黄緑色の針状結晶128g(収率79.4%)を得た
。
この化合物の融点は103〜104℃であった。
比較例1
硫酸ナトリウム無水物の代りに塩化カルシウム無水物を
用いた以外は、実施例1と同様にして反応を行ない、黄
緑色の粗生成物78.6g(組数率59.0%)を得た
。この粗生成物をエタノール2000m(lで再結晶し
て、黄緑色結晶54.7 g (収率41.1%)を得
た。この化合物の融点は122.5〜124%であった
。
用いた以外は、実施例1と同様にして反応を行ない、黄
緑色の粗生成物78.6g(組数率59.0%)を得た
。この粗生成物をエタノール2000m(lで再結晶し
て、黄緑色結晶54.7 g (収率41.1%)を得
た。この化合物の融点は122.5〜124%であった
。
Claims (1)
- (1)下記一般式( I )で示されるアルコール誘導体
を有機溶媒中で脱水反応させて下記一般式(II)で示さ
れるエテン誘導体を製造するに当り、該脱水反応を無機
硫酸塩無水物の存在下で行うことを特徴とするエテン誘
導体の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中R_1、R_2、R_3及びR_4は低級アルキ
ル基を、R_5は水素又は低級アルキル基を夫々示す。 )
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9191087A JPS63258836A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | エテン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9191087A JPS63258836A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | エテン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63258836A true JPS63258836A (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=14039736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9191087A Pending JPS63258836A (ja) | 1987-04-16 | 1987-04-16 | エテン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63258836A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002519144A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-02 | エスシーエー・ハイジーン・プロダクツ・アーベー | 吸収物品の構成要素としての更新可能な原材料から製造されたポリエテン材料の使用、及び吸収物品 |
KR20040005213A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 이재호 | 1,1-디-(4-(디알킬아미노)페닐)에틸렌 유도체와 전구체의제조방법 |
-
1987
- 1987-04-16 JP JP9191087A patent/JPS63258836A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002519144A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-02 | エスシーエー・ハイジーン・プロダクツ・アーベー | 吸収物品の構成要素としての更新可能な原材料から製造されたポリエテン材料の使用、及び吸収物品 |
JP2010246950A (ja) * | 1998-07-02 | 2010-11-04 | Sca Hygiene Products Ab | 吸収物品の構成要素としての更新可能な原材料から製造されたポリエテン材料の使用、及び吸収物品 |
KR20040005213A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 이재호 | 1,1-디-(4-(디알킬아미노)페닐)에틸렌 유도체와 전구체의제조방법 |
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