JPS6325320B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6325320B2 JPS6325320B2 JP57004448A JP444882A JPS6325320B2 JP S6325320 B2 JPS6325320 B2 JP S6325320B2 JP 57004448 A JP57004448 A JP 57004448A JP 444882 A JP444882 A JP 444882A JP S6325320 B2 JPS6325320 B2 JP S6325320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- radiation image
- image conversion
- excitation light
- conversion panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 60
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 44
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 41
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001473992 Abax Species 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013040 bath agent Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線像変換パ
ネルに関する。さらに詳しくは本発明は良好な画
像を与える該放射線像変換パネルに関する。
ネルに関する。さらに詳しくは本発明は良好な画
像を与える該放射線像変換パネルに関する。
最近新たな放射線像変換方法として、米国特許
3859527号、同第4236078号、同第4258264号各明
細書等に記載されている方法が注目されている。
この放射線像変換方法は輝尽性螢光体（放射線を
照射した後、可視光線および赤外線から選ばれる
電磁波で励起すると発光を示す螢光体。ここで放
射線とはＸ線、α線、β線、γ線、高エネルギー
中性子線、電子線、真空紫外線、紫外線等の電磁
波あるいは粒子線をいう）に被写体を透過した放
射線を照射してこの被写体の放射線画像を該輝尽
性螢光体に蓄積記録し、その後可視光線及び赤外
線から選ばれる電磁波（以下「励起光」という）
で走査して蓄積記録された放射線画像を輝尽発光
として放出せしめこの発光を検出して画像化する
ものである。輝尽発光を検出する際には光電増倍
管などの光電変換機が用いられるが、この光電変
換によつて得られる電気信号の画像への変換の際
には種々の画像処理を行なうことができ、このこ
とがこの放射線像変換方法の大きな利点となつて
いる。
3859527号、同第4236078号、同第4258264号各明
細書等に記載されている方法が注目されている。
この放射線像変換方法は輝尽性螢光体（放射線を
照射した後、可視光線および赤外線から選ばれる
電磁波で励起すると発光を示す螢光体。ここで放
射線とはＸ線、α線、β線、γ線、高エネルギー
中性子線、電子線、真空紫外線、紫外線等の電磁
波あるいは粒子線をいう）に被写体を透過した放
射線を照射してこの被写体の放射線画像を該輝尽
性螢光体に蓄積記録し、その後可視光線及び赤外
線から選ばれる電磁波（以下「励起光」という）
で走査して蓄積記録された放射線画像を輝尽発光
として放出せしめこの発光を検出して画像化する
ものである。輝尽発光を検出する際には光電増倍
管などの光電変換機が用いられるが、この光電変
換によつて得られる電気信号の画像への変換の際
には種々の画像処理を行なうことができ、このこ
とがこの放射線像変換方法の大きな利点となつて
いる。
上述の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルは、輝尽性螢光体を適当な結合剤中に
分散してなる蛍光体層を有するものである。螢光
体層が自己支持性のものである場合には螢光体層
自体が放射線像変換パネルとなり得るが、一般に
は螢光体層は適当な支持体上に設けられて放射線
像変換パネルが構成される。さらに通常は螢光体
層の片面（支持体が設けられる面とは反対側の
面）に螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護膜が設けられる。一般に保護膜は
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩
化ビニリデン、ナイロン等の透明な薄膜を透明な
接着剤により螢光体層表面に接着することによつ
て設けられる。従つて、一般に螢光体層と保護膜
との間には接着剤層が介在する。接着剤層と保護
膜との間に保護膜あるいは螢光体層中で散乱した
励起光を吸収するためのフイルター層が設けられ
る場合もある。また螢光体層と支持体とをより密
接に接着させる目的で螢光体層と支持体との間に
下塗り層が設けられる場合もある。
変換パネルは、輝尽性螢光体を適当な結合剤中に
分散してなる蛍光体層を有するものである。螢光
体層が自己支持性のものである場合には螢光体層
自体が放射線像変換パネルとなり得るが、一般に
は螢光体層は適当な支持体上に設けられて放射線
像変換パネルが構成される。さらに通常は螢光体
層の片面（支持体が設けられる面とは反対側の
面）に螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護膜が設けられる。一般に保護膜は
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩
化ビニリデン、ナイロン等の透明な薄膜を透明な
接着剤により螢光体層表面に接着することによつ
て設けられる。従つて、一般に螢光体層と保護膜
との間には接着剤層が介在する。接着剤層と保護
膜との間に保護膜あるいは螢光体層中で散乱した
励起光を吸収するためのフイルター層が設けられ
る場合もある。また螢光体層と支持体とをより密
接に接着させる目的で螢光体層と支持体との間に
下塗り層が設けられる場合もある。
上述のような構造を有する放射線像変換パネル
を用いて放射線像変換を行なうに際しては、まず
パネルに被写体を透過した放射線を照射し、その
後パネルを励起光で走査して輝尽性螢光体中に蓄
積された放射線像を輝尽発光として放出せしめこ
れを時系列的に光電変換する。パネルへの励起光
の照射は一般に保護膜側から行なわれる。しかし
ながら、支持体が励起光を透過するものである場
合には、パネルは支持体側から励起光を照射する
ことが可能である。
を用いて放射線像変換を行なうに際しては、まず
パネルに被写体を透過した放射線を照射し、その
後パネルを励起光で走査して輝尽性螢光体中に蓄
積された放射線像を輝尽発光として放出せしめこ
れを時系列的に光電変換する。パネルへの励起光
の照射は一般に保護膜側から行なわれる。しかし
ながら、支持体が励起光を透過するものである場
合には、パネルは支持体側から励起光を照射する
ことが可能である。
励起光は可視光線及び赤外線の中から選ばれる
が、紫外乃至青色光であることが多い輝尽発光と
の分離性とパネルを熱することを防止することを
考慮して通常450〜1100nｍ、好ましくは500〜
750nｍの光が使用される。この範囲の光のなか
でも高い励起エネルギーを得ることができること
から一般に励起光としてはArレーザー（488n
ｍ）、He−Neレーザ−（633nｍ）、ルビーレーザ
ー（694nｍ）、YAGレーザー（1064nｍ）等の単
一波長で干渉性の光、特にレーザー光が用いられ
る。
が、紫外乃至青色光であることが多い輝尽発光と
の分離性とパネルを熱することを防止することを
考慮して通常450〜1100nｍ、好ましくは500〜
750nｍの光が使用される。この範囲の光のなか
でも高い励起エネルギーを得ることができること
から一般に励起光としてはArレーザー（488n
ｍ）、He−Neレーザ−（633nｍ）、ルビーレーザ
ー（694nｍ）、YAGレーザー（1064nｍ）等の単
一波長で干渉性の光、特にレーザー光が用いられ
る。
本発明者等は良好な画像を与える放射線像変換
パネルを得ることを目的として、放射線像変換パ
ネルによつて与えられる画像に影響を及ぼす要因
について研究を行なつてきた。その結果、励起光
として単一波長で干渉性の光を用いる場合には放
射線像変換パネルにおいて螢光体層に関して励起
光入射側に設けられた層の光学的厚さが励起光の
波長（λ）の1/2である場合あるいはλに等しい
場合にその層で起こる励起光の干渉は、得られる
画像に悪影響を及ぼすことが判明した。すなわ
ち、放射線像変換パネルにおいて螢光体層に関し
て励起光入射側に設けられた層の光学的厚さdo
はその層の実際の厚さおよび屈折率をそれぞれｄ
およびμとするとdo＝ｄ×μで表わされるが、
do＝λ／２あるいはdo＝λである場合にはその層で 起こる励起光の干渉（層を透過して直接螢光体層
に入射する光と、層の螢光体層側境界面で反射し
さらに反対側の境界面で反射して螢光体層に入射
する光との干渉）によつて螢光体層に入射する励
起光の強度にむらが生じ、その結果得られる画像
の濃度にむらが生じる。なお、上記励起光の干渉
はdo＝λ／２×ｎ（但しｎは整数である）の場合に 起こるものと考えられるが、本発明者等の得た知
見ではdo＝λ／２およびdo＝λ以外の場合に起こる 励起光の干渉は得られる画像にほとんど悪影響を
及ぼさないということが判明した。
パネルを得ることを目的として、放射線像変換パ
ネルによつて与えられる画像に影響を及ぼす要因
について研究を行なつてきた。その結果、励起光
として単一波長で干渉性の光を用いる場合には放
射線像変換パネルにおいて螢光体層に関して励起
光入射側に設けられた層の光学的厚さが励起光の
波長（λ）の1/2である場合あるいはλに等しい
場合にその層で起こる励起光の干渉は、得られる
画像に悪影響を及ぼすことが判明した。すなわ
ち、放射線像変換パネルにおいて螢光体層に関し
て励起光入射側に設けられた層の光学的厚さdo
はその層の実際の厚さおよび屈折率をそれぞれｄ
およびμとするとdo＝ｄ×μで表わされるが、
do＝λ／２あるいはdo＝λである場合にはその層で 起こる励起光の干渉（層を透過して直接螢光体層
に入射する光と、層の螢光体層側境界面で反射し
さらに反対側の境界面で反射して螢光体層に入射
する光との干渉）によつて螢光体層に入射する励
起光の強度にむらが生じ、その結果得られる画像
の濃度にむらが生じる。なお、上記励起光の干渉
はdo＝λ／２×ｎ（但しｎは整数である）の場合に 起こるものと考えられるが、本発明者等の得た知
見ではdo＝λ／２およびdo＝λ以外の場合に起こる 励起光の干渉は得られる画像にほとんど悪影響を
及ぼさないということが判明した。
上述のような知見に基づいて、本発明は放射線
像変換パネルにおいて螢光体層に関して励起光入
射側に設けられる接着剤層、下塗層およびフイル
ター層から選ばれる少なくとも１つの層それぞれ
の平均光学的厚さdo.av（層の平均厚をdavとする
とdo.av＝dav×μである）をdo.av＜λ／２または do.av＞λとし、それによつて得られる画像の悪
化の原因となる上記励起光の干渉が起こるのを防
止するものである。すなわち、本発明の放射線像
変換パネルは輝尽性螢光体を結合剤中に分散して
なる螢光体層と、この螢光体層に関して上記輝尽
性螢光体を輝尽発光させるための励起光が入射す
る側に設けられた接着剤層、下塗層およびフイル
ター層から選ばれる少なくとも１つの層とからな
る放射線像変換パネルにおいて、上記接着剤層、
下塗層およびフイルター層から選ばれる少なくと
も１つの層の各層が dav×μ＜λ／２またはdav×μ＞λ （但しdavは層の平均厚、μは層の屈折率および
λは上記励起光の波長である） なる条件を満たすことを特徴とする。
像変換パネルにおいて螢光体層に関して励起光入
射側に設けられる接着剤層、下塗層およびフイル
ター層から選ばれる少なくとも１つの層それぞれ
の平均光学的厚さdo.av（層の平均厚をdavとする
とdo.av＝dav×μである）をdo.av＜λ／２または do.av＞λとし、それによつて得られる画像の悪
化の原因となる上記励起光の干渉が起こるのを防
止するものである。すなわち、本発明の放射線像
変換パネルは輝尽性螢光体を結合剤中に分散して
なる螢光体層と、この螢光体層に関して上記輝尽
性螢光体を輝尽発光させるための励起光が入射す
る側に設けられた接着剤層、下塗層およびフイル
ター層から選ばれる少なくとも１つの層とからな
る放射線像変換パネルにおいて、上記接着剤層、
下塗層およびフイルター層から選ばれる少なくと
も１つの層の各層が dav×μ＜λ／２またはdav×μ＞λ （但しdavは層の平均厚、μは層の屈折率および
λは上記励起光の波長である） なる条件を満たすことを特徴とする。
本発明の放射線像変換パネルにおいては、、螢
光体層に関して励起光入射側に設けられる接着剤
層、下塗層およびフイルター層から選ばれる少な
くとも１つの層それぞれの平均光学的厚さdo.av
がdo.av＜λ／２またはdo.av＞λとされ、それによ つて得られる画像中に濃度むらを生じさせる励起
光の干渉がそれらの層で起こるのが防止される。
先に述べたように層の平均光学的厚さdo.avはそ
の層の実際の平均厚davとその層の屈折率μの積
である。従つて、励起光入射側に設けられる上記
各層の平均光学的厚さの制御は、その層の平均厚
davを制御することによつて行なつてもよいし、
あるいはその層の材料を適当に選択して層の屈折
率μを制御することによつて行なつてもよい。し
かしながら、通常層の材料はその層の機能によつ
て決められ、また層の材料が変わつても屈折率μ
はあまり変化しないので、一般に層の平均光学的
厚さdo.avの制御はその層の平均厚davを制御す
ることによつて行なわれる。この場合、非常に薄
い層を形成するのは困難であることと層の機能の
点から、davはdo.avがdo.av＞λとなるように選
択されるのが好ましい。従来、保護膜や支持体は
偶然にもdo.av＞λの平均光学的厚みを持つこと
が多かつたが、接着剤層や下塗層はその本来の機
能（保護膜もしくは支持体と輝尽性螢光体層を密
着させる）さえ十分に果せるのなら薄層である方
が解像力や鮮鋭度の点からみて好ましいと考えら
れて来たためにλ／２≦do.av.≦λの間の平均光学 的厚みを持つていた。本発明者らはこれら接着剤
層や下塗層を好ましくはdo.av.＞λの光学的厚み
を持つようにしても解像力や鮮鋭度をさほど悪化
させることなく前述した欠点が改良され、更に保
護膜もしくは支持体と螢光体層の密着が良いとい
う効果を奏することを発見した。放射線像変換パ
ネルは読出し時に搬送系を移動させるので、この
密着性の改良はパネルの耐久性をも改良すること
になる。接着剤層、下塗層およびフイルター層の
より好ましい平均光学的厚みはdo.av.≧1.05×
λ、特にはdo.av.≧1.1×λである。
光体層に関して励起光入射側に設けられる接着剤
層、下塗層およびフイルター層から選ばれる少な
くとも１つの層それぞれの平均光学的厚さdo.av
がdo.av＜λ／２またはdo.av＞λとされ、それによ つて得られる画像中に濃度むらを生じさせる励起
光の干渉がそれらの層で起こるのが防止される。
先に述べたように層の平均光学的厚さdo.avはそ
の層の実際の平均厚davとその層の屈折率μの積
である。従つて、励起光入射側に設けられる上記
各層の平均光学的厚さの制御は、その層の平均厚
davを制御することによつて行なつてもよいし、
あるいはその層の材料を適当に選択して層の屈折
率μを制御することによつて行なつてもよい。し
かしながら、通常層の材料はその層の機能によつ
て決められ、また層の材料が変わつても屈折率μ
はあまり変化しないので、一般に層の平均光学的
厚さdo.avの制御はその層の平均厚davを制御す
ることによつて行なわれる。この場合、非常に薄
い層を形成するのは困難であることと層の機能の
点から、davはdo.avがdo.av＞λとなるように選
択されるのが好ましい。従来、保護膜や支持体は
偶然にもdo.av＞λの平均光学的厚みを持つこと
が多かつたが、接着剤層や下塗層はその本来の機
能（保護膜もしくは支持体と輝尽性螢光体層を密
着させる）さえ十分に果せるのなら薄層である方
が解像力や鮮鋭度の点からみて好ましいと考えら
れて来たためにλ／２≦do.av.≦λの間の平均光学 的厚みを持つていた。本発明者らはこれら接着剤
層や下塗層を好ましくはdo.av.＞λの光学的厚み
を持つようにしても解像力や鮮鋭度をさほど悪化
させることなく前述した欠点が改良され、更に保
護膜もしくは支持体と螢光体層の密着が良いとい
う効果を奏することを発見した。放射線像変換パ
ネルは読出し時に搬送系を移動させるので、この
密着性の改良はパネルの耐久性をも改良すること
になる。接着剤層、下塗層およびフイルター層の
より好ましい平均光学的厚みはdo.av.≧1.05×
λ、特にはdo.av.≧1.1×λである。
本発明の放射線像変換パネルにおいて螢光体層
に関して励起光入射側に設けられる層の具体例と
して、保護膜側から励起光が入射される場合には
保護膜を螢光体層に接着させるための接着剤層、
散乱励起光を吸収するためのフイルター層が挙げ
られ、また支持体側から励起光が入射される場合
（勿論支持体は励起光透過性である）には支持体
を螢光体層に密着させるための下塗り層が挙げら
れる。勿論、上記以外の層であつてもその層の平
均光学的厚さdo.avがdo.av＜λ／２またはdo.av＞λ であるならば励起光入射側に設けることができ
る。
に関して励起光入射側に設けられる層の具体例と
して、保護膜側から励起光が入射される場合には
保護膜を螢光体層に接着させるための接着剤層、
散乱励起光を吸収するためのフイルター層が挙げ
られ、また支持体側から励起光が入射される場合
（勿論支持体は励起光透過性である）には支持体
を螢光体層に密着させるための下塗り層が挙げら
れる。勿論、上記以外の層であつてもその層の平
均光学的厚さdo.avがdo.av＜λ／２またはdo.av＞λ であるならば励起光入射側に設けることができ
る。
本発明の放射線像変換パネルの具体例として、
螢光体層に関して励起光入射側の構成が以下のよ
うな放射線像変換パネルが挙げられる。
螢光体層に関して励起光入射側の構成が以下のよ
うな放射線像変換パネルが挙げられる。
(1) 励起光入射側に螢光体層側から順に接着剤層
および保護膜を有する放射線像変換パネル。
および保護膜を有する放射線像変換パネル。
(2) 励起光入射側に螢光体層側から順に接着剤
層、フイルター層および保護膜を有する放射線
像変換パネル。
層、フイルター層および保護膜を有する放射線
像変換パネル。
(3) 励起光入射側に螢光体層側から順に下塗り層
および支持体を有する放射線像変換パネル。
および支持体を有する放射線像変換パネル。
(4) 上記接着剤層がdav.×μ＞λなる条件を満た
す上記(1)の放射線像変換パネル。
す上記(1)の放射線像変換パネル。
(5) 上記接着剤層およびフイルター層がdav.×μ
＞λなる条件を満たす上記(2)の放射線像変換パ
ネル。
＞λなる条件を満たす上記(2)の放射線像変換パ
ネル。
(6) 上記下塗層がdav.×μ＞λなる条件を満たす
上記(3)の放射線像変換パネル。
上記(3)の放射線像変換パネル。
本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽
性螢光体としては、例えば上記米国特許第
3859527号に記載されているSrS：Ce、Sm、
SrS：Eu、Sm、La2O2S：Eu、Smおよび（Zn、
Cd）Ｓ：Mn、Ｘ（但しＸはハロゲンである）、米
国特許第4236078号明細書に記載されている
ZnS：Cu、Pb、BaO・xAl2O3・Eu（但しｘは0.8
≦ｘ≦10である）およびM〓Ｏ・xSiO2：Ａ（但し
M〓はMg、Ca、Sr、Zn、CdまたはBaであり、
ＡはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、BiまたはMn
であり、ｘは0.5≦ｘ≦25である）、LnOx：xA
（但しLnはLa、Ｙ、GdおよびLuのうちの少なく
とも１つ、ｘはClおよびBrのうちの少なくとも
１つ、ｘは０＜ｘ≦0.1である）、米国特許第
4239968号明細書に記載されている（Ba1-x、M〓
ｘ）FX：yA（但しM〓はMg、Ca、Sr、Znおよび
Cdのうちの少なくとも１つ、ＸはCl、Brおよび
１のうちの少なくとも１つ、ＡはEu、Tb、Ce、
Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの
少なくとも１つ、ｘは０≦ｘ≦0.6、ｙは０＜ｙ
≦0.1である）、特開昭55−12143号公報に記載さ
れている（Ba1-x-y、Mgx、Cay）FX：aEu 2+（但
しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくとも１つ、
ｘおよびｙは０＜ｘ＋ｙ≦0.6かつxy≠０であり、
ａは10-6≦ａ≦５×10-2である）、米国特許第
4261854号明細書に記載されているBaFX：xCe、
yA（但しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくと
も１つ、ＡはIn、Ta、Gd、SmおよびZrのうち
の少なくとも１つ、ｘは０＜ｘ≦２×10-1、ｙは
０＜ｙ≦５×10-2である）、特開昭56−2386号公
報に記載されたBaF2・aBaX2・bMe〓Ｆ・CMe〓
F2・dMe〓F3：eLn（但しＸはCl、BrおよびＩの
うちの少なくとも１つ、Me〓はLiおよびNaのう
ちの少なくとも１つ、Me〓はBe、CaおよびSrの
うち少なくとも１つ、Me〓はAl、Ga、Ｙおよび
Laのうちの少なとも１つ、LnはEu、Ceおよび
Tbのうちの少なくとも１つ、ａは0.90≦ａ≦
1.05、ｂは０≦ｂ≦0.9、ｃは０≦ｃ≦1.2、ｄは
０≦ｄ≦0.03、ｅは10-6≦ｅ≦0.03であり、かつ
ｂ、ｃ、ｄは同時に０ではない）、特開昭56−
2385号公報に記載されている特開昭56−2386号公
報の螢光体にMgF2を添加した螢光体、特開昭56
−74175号公報に記載されているBaFX・aLiX′・
bBeX2″・cM〓X3：dA（但しＸ、X′、X″および
ＸはCl、BrおよびＩのうち少なくとも１つ、
M〓はAlおよびGaのうちの少なくとも１つ、Ａは
Eu、Tb、Ge、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、
Er、Gd、Lu、SmおよびＹのうちの少なくとも
１つ、ａは０≦ａ≦0.1、ｂは０≦ｂ≦0.1、ｃは
０≦ｃ≦0.1、ｄは10-6≦ｄ≦0.2であり、かつ０
≦ａ＋ｂ＋ｃ≦0.1である）等の輝尽性螢光体等
が用いられる。しかしながら、本発明の放射線像
変換パネルに用いられる輝尽性螢光体は上述の螢
光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後励起光を照射した場合に輝尽発光を示す螢光体
であればいかなる螢光体であつてもよい。実用的
な面から、輝尽性螢光体は450乃至1100nｍ特に
450乃至750nｍの波長領域の励起光によつて300
乃至600nｍの波長領域に輝尽発光を示す螢光体
であるのが好ましい。
性螢光体としては、例えば上記米国特許第
3859527号に記載されているSrS：Ce、Sm、
SrS：Eu、Sm、La2O2S：Eu、Smおよび（Zn、
Cd）Ｓ：Mn、Ｘ（但しＸはハロゲンである）、米
国特許第4236078号明細書に記載されている
ZnS：Cu、Pb、BaO・xAl2O3・Eu（但しｘは0.8
≦ｘ≦10である）およびM〓Ｏ・xSiO2：Ａ（但し
M〓はMg、Ca、Sr、Zn、CdまたはBaであり、
ＡはCe、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、BiまたはMn
であり、ｘは0.5≦ｘ≦25である）、LnOx：xA
（但しLnはLa、Ｙ、GdおよびLuのうちの少なく
とも１つ、ｘはClおよびBrのうちの少なくとも
１つ、ｘは０＜ｘ≦0.1である）、米国特許第
4239968号明細書に記載されている（Ba1-x、M〓
ｘ）FX：yA（但しM〓はMg、Ca、Sr、Znおよび
Cdのうちの少なくとも１つ、ＸはCl、Brおよび
１のうちの少なくとも１つ、ＡはEu、Tb、Ce、
Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、YbおよびErのうちの
少なくとも１つ、ｘは０≦ｘ≦0.6、ｙは０＜ｙ
≦0.1である）、特開昭55−12143号公報に記載さ
れている（Ba1-x-y、Mgx、Cay）FX：aEu 2+（但
しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくとも１つ、
ｘおよびｙは０＜ｘ＋ｙ≦0.6かつxy≠０であり、
ａは10-6≦ａ≦５×10-2である）、米国特許第
4261854号明細書に記載されているBaFX：xCe、
yA（但しＸはCl、BrおよびＩのうちの少なくと
も１つ、ＡはIn、Ta、Gd、SmおよびZrのうち
の少なくとも１つ、ｘは０＜ｘ≦２×10-1、ｙは
０＜ｙ≦５×10-2である）、特開昭56−2386号公
報に記載されたBaF2・aBaX2・bMe〓Ｆ・CMe〓
F2・dMe〓F3：eLn（但しＸはCl、BrおよびＩの
うちの少なくとも１つ、Me〓はLiおよびNaのう
ちの少なくとも１つ、Me〓はBe、CaおよびSrの
うち少なくとも１つ、Me〓はAl、Ga、Ｙおよび
Laのうちの少なとも１つ、LnはEu、Ceおよび
Tbのうちの少なくとも１つ、ａは0.90≦ａ≦
1.05、ｂは０≦ｂ≦0.9、ｃは０≦ｃ≦1.2、ｄは
０≦ｄ≦0.03、ｅは10-6≦ｅ≦0.03であり、かつ
ｂ、ｃ、ｄは同時に０ではない）、特開昭56−
2385号公報に記載されている特開昭56−2386号公
報の螢光体にMgF2を添加した螢光体、特開昭56
−74175号公報に記載されているBaFX・aLiX′・
bBeX2″・cM〓X3：dA（但しＸ、X′、X″および
ＸはCl、BrおよびＩのうち少なくとも１つ、
M〓はAlおよびGaのうちの少なくとも１つ、Ａは
Eu、Tb、Ge、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、
Er、Gd、Lu、SmおよびＹのうちの少なくとも
１つ、ａは０≦ａ≦0.1、ｂは０≦ｂ≦0.1、ｃは
０≦ｃ≦0.1、ｄは10-6≦ｄ≦0.2であり、かつ０
≦ａ＋ｂ＋ｃ≦0.1である）等の輝尽性螢光体等
が用いられる。しかしながら、本発明の放射線像
変換パネルに用いられる輝尽性螢光体は上述の螢
光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後励起光を照射した場合に輝尽発光を示す螢光体
であればいかなる螢光体であつてもよい。実用的
な面から、輝尽性螢光体は450乃至1100nｍ特に
450乃至750nｍの波長領域の励起光によつて300
乃至600nｍの波長領域に輝尽発光を示す螢光体
であるのが好ましい。
次に実施例によつて本発明を説明する。
実施例
BaFBr：Eu2+螢光体（輝尽性螢光体）８重量
部とニトロセルロース（結合剤）１重量部とを浴
剤（アセトン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混
合液）を用いて混合し、粘度が50センチストーク
スの塗布液を調製した。この塗布液を水平に置い
たポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に均一に塗布し、一昼夜放置することによ
つて自然乾燥し、約300μの螢光体層を形成した。
部とニトロセルロース（結合剤）１重量部とを浴
剤（アセトン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混
合液）を用いて混合し、粘度が50センチストーク
スの塗布液を調製した。この塗布液を水平に置い
たポリエチレンテレフタレートフイルム（支持
体）上に均一に塗布し、一昼夜放置することによ
つて自然乾燥し、約300μの螢光体層を形成した。
一方これとは別に平均厚が10μのポリエチレン
テレフタレートフイルムを保護膜として準備し
た。このポリエチレンテレフタレートフイルムの
屈折率は1.6であり、従つてこの保護膜の平均光
学的厚さdo.avは10μ×1.6＝16μである。この保護
膜の一面にメタノール中にポリエステル系接着剤
を溶解してなる２重量％接着剤溶液をクリアラン
スが7μのドクターコーターを用いて均一に塗布
し、乾燥させて平均厚が0.1μの接着剤層を形成し
た。上記ポリエステル系接着剤の屈折率は1.5で
あるので、形成された接着剤層の平均光学的厚さ
do.avは0.1μ×1.5＝0.15μである。
テレフタレートフイルムを保護膜として準備し
た。このポリエチレンテレフタレートフイルムの
屈折率は1.6であり、従つてこの保護膜の平均光
学的厚さdo.avは10μ×1.6＝16μである。この保護
膜の一面にメタノール中にポリエステル系接着剤
を溶解してなる２重量％接着剤溶液をクリアラン
スが7μのドクターコーターを用いて均一に塗布
し、乾燥させて平均厚が0.1μの接着剤層を形成し
た。上記ポリエステル系接着剤の屈折率は1.5で
あるので、形成された接着剤層の平均光学的厚さ
do.avは0.1μ×1.5＝0.15μである。
次にその一面に接着剤層が設けられた上記保護
膜を上記支持体上に形成された螢光体層上に接着
剤層と螢光体層が接するように載せ、螢光体層に
保護膜を加熱圧着した。なお、この時接着剤層の
平均厚はほとんど変化せず、従つてその平均光学
的厚さもほとんど変化しなかつた。
膜を上記支持体上に形成された螢光体層上に接着
剤層と螢光体層が接するように載せ、螢光体層に
保護膜を加熱圧着した。なお、この時接着剤層の
平均厚はほとんど変化せず、従つてその平均光学
的厚さもほとんど変化しなかつた。
このようにして支持体、螢光体層、接着剤層お
よび保護膜がこの順に積層された放射線像変換パ
ネルを得、この放射線像変換パネルをパネルＡと
した。上記のように、パネルＡの接着剤層および
保護膜の平均光学的厚さdo.avはそれぞれ0.15μお
よび16μである。
よび保護膜がこの順に積層された放射線像変換パ
ネルを得、この放射線像変換パネルをパネルＡと
した。上記のように、パネルＡの接着剤層および
保護膜の平均光学的厚さdo.avはそれぞれ0.15μお
よび16μである。
また、２重量％接着剤溶液の代わりに５重量％
接着剤溶液を用い、クリアランスが7μのドクタ
ーコーターの代わりにクリアランスが30μのドク
ターコーターを用いて平均厚が1.0μの接着剤層を
形成すること以外は上記と同様にして放射線像変
換パネルを製造し、得られた放射線像変換パネル
をパネルＢとした。パネルＢの接着剤層の平均光
学的厚さdo.avは1.0μ×1.5＝1.5μであり、また保
護膜の平均光学的厚さdo.avはパネルＡと同じく
16μである。
接着剤溶液を用い、クリアランスが7μのドクタ
ーコーターの代わりにクリアランスが30μのドク
ターコーターを用いて平均厚が1.0μの接着剤層を
形成すること以外は上記と同様にして放射線像変
換パネルを製造し、得られた放射線像変換パネル
をパネルＢとした。パネルＢの接着剤層の平均光
学的厚さdo.avは1.0μ×1.5＝1.5μであり、また保
護膜の平均光学的厚さdo.avはパネルＡと同じく
16μである。
さらに比較のために、２重量％接着剤溶液の代
わりに５重量％接着剤溶液を用いて平均厚が
0.21μの接着剤層を形成すること以外は上記と同
様にして放射線像変換パネルを製造し、得られた
放射線像変換パネルをパネルＣとした。パネルＣ
の接着剤層の平均光学的厚さdo.avは0.21μ×1.5
≒0.32μであり、また保護膜の平均光学的厚さdo.
avはパネルＡと同じく16μである。
わりに５重量％接着剤溶液を用いて平均厚が
0.21μの接着剤層を形成すること以外は上記と同
様にして放射線像変換パネルを製造し、得られた
放射線像変換パネルをパネルＣとした。パネルＣ
の接着剤層の平均光学的厚さdo.avは0.21μ×1.5
≒0.32μであり、また保護膜の平均光学的厚さdo.
avはパネルＡと同じく16μである。
次に上記パネルＡ、ＢおよびＣそれぞれにパネ
ルから180cm離れたところから管電圧80KVp、管
電流250ｍＡのＸ線を照射した後保護膜側からHe
−Neレーザー光（633nｍ）で走査して励起し、
螢光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光
感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光して電気信号
に変換し、これを画像再生装置によつて通常の写
真フイルム上に画像として再生した。このように
して得られたそれぞれの写真の濃度をミクロフオ
トメーターで測定した。その結果を図面に示す。
図面においてＡ，ＢおよびＣはそれぞれパネル
Ａ、ＢおよびＣから得られた写真の濃度測定結果
である。
ルから180cm離れたところから管電圧80KVp、管
電流250ｍＡのＸ線を照射した後保護膜側からHe
−Neレーザー光（633nｍ）で走査して励起し、
螢光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光
感度Ｓ−５の光電子増倍管）で受光して電気信号
に変換し、これを画像再生装置によつて通常の写
真フイルム上に画像として再生した。このように
して得られたそれぞれの写真の濃度をミクロフオ
トメーターで測定した。その結果を図面に示す。
図面においてＡ，ＢおよびＣはそれぞれパネル
Ａ、ＢおよびＣから得られた写真の濃度測定結果
である。
図面から明らかなように、接着剤層のdo.avが
He−Neレーザー光の半波長よりも小さな本発明
のパネルＡから得られた写真および接着剤層の
do.avがHe−Neレーザー光の１波長よりも大き
な本発明のパネルＢから得られた写真において
は、濃度はほぼ一定であり濃度むらは見られない
が、接着剤層のdo.avがHe−Neレーザー光の半
波長と１波長の間にありその半波長に近いパネル
Ｃから得られた写真においては、光学的厚さdo.
がHe−Neレーザー光の半波長に相当する個所で
濃度の増加が見られ、このために写真に濃度むら
が生じている。
He−Neレーザー光の半波長よりも小さな本発明
のパネルＡから得られた写真および接着剤層の
do.avがHe−Neレーザー光の１波長よりも大き
な本発明のパネルＢから得られた写真において
は、濃度はほぼ一定であり濃度むらは見られない
が、接着剤層のdo.avがHe−Neレーザー光の半
波長と１波長の間にありその半波長に近いパネル
Ｃから得られた写真においては、光学的厚さdo.
がHe−Neレーザー光の半波長に相当する個所で
濃度の増加が見られ、このために写真に濃度むら
が生じている。
また、パネルＡとパネルＢをそれぞれ用いて得
たＸ線写真の解像力および鮮鋭度は略同様であつ
た。さらにパネルＡに比べパネルＢは繰り返し使
用による保護膜の剥離が発生しにくく優れてい
た。
たＸ線写真の解像力および鮮鋭度は略同様であつ
た。さらにパネルＡに比べパネルＢは繰り返し使
用による保護膜の剥離が発生しにくく優れてい
た。
図面は本発明の放射線像変換パネルから得られ
た写真の濃度測定結果を比較例の放射線像変換パ
ネルから得られた写真の濃度測定結果と共に示す
ものである。
た写真の濃度測定結果を比較例の放射線像変換パ
ネルから得られた写真の濃度測定結果と共に示す
ものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 輝尽性螢光体に被写体を透過した放射線を照
射してこの被写体の放射線画像を蓄積記録し、そ
の後この輝尽性螢光体を励起光で走査して蓄積記
録された放射線画像を輝尽発光として放出せしめ
この発光を検出して画像化する放射線像変換方法
に用いる放射線像変換パネルであつて、少なくと
も１層の輝尽性螢光体層と該輝尽性螢光体層に関
して励起光が入射する側に設けられた接着剤層、
下塗層およびフイルター層から選ばれる少なくと
も１つの層とからなり、かつ該接着剤層、下塗層
およびフイルター層から選ばれる少なくとも１つ
の層の各層が dav.×μ＜λ／２またはdav.×μ＞λ （但しdav.は層の平均厚、μは層の屈折率、また
λは励起光の波長を表す。）なる条件を満たすこ
とを特徴とする放射線像変換パネル。 ２ 上記励起光入射側に上記螢光体層側から順に
接着剤層および保護膜を有することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネ
ル。 ３ 上記励起光入射側に上記蛍光体層側から順に
接着剤層、フイルター層および保護膜を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の放射
線像変換パネル。 ４ 上記励起光入射側に上記蛍光体層側から順に
下塗層および支持体を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の放射線像変換パネル。 ５ 上記接着剤層がdav.×μ＞λからなる条件を
満たすことを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の放射線像変換パネル。 ６ 上記接着剤層およびフイルター層がdav.×μ
＞λなる条件を満たすことを特徴とする特許請求
の範囲第３項記載の放射線像変換パネル。 ７ 上記下塗層がdav.×μ＞λなる条件を満たす
ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の放
射線像変換パネル。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004448A JPS58122500A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 放射線像変換パネル |
| US06/455,610 US4585944A (en) | 1982-01-14 | 1983-01-04 | Radiation image storage panel |
| CA000419406A CA1200021A (en) | 1982-01-14 | 1983-01-13 | Radiation image storage panel |
| DE198383100254T DE84818T1 (de) | 1982-01-14 | 1983-01-13 | Strahlungsabbildungsspeichertafel. |
| EP83100254A EP0084818B1 (en) | 1982-01-14 | 1983-01-13 | Radiation image storage panel |
| DE8383100254T DE3379561D1 (en) | 1982-01-14 | 1983-01-13 | Radiation image storage panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57004448A JPS58122500A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 放射線像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122500A JPS58122500A (ja) | 1983-07-21 |
| JPS6325320B2 true JPS6325320B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=11584455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57004448A Granted JPS58122500A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 放射線像変換パネル |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4585944A (ja) |
| EP (1) | EP0084818B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58122500A (ja) |
| CA (1) | CA1200021A (ja) |
| DE (2) | DE3379561D1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202100A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
| JPH0616392B2 (ja) * | 1984-07-19 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録再生方法及び装置 |
| JPH0616395B2 (ja) * | 1984-10-12 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録装置 |
| JPH0616393B2 (ja) * | 1984-10-12 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録再生方法 |
| JPH0616396B2 (ja) * | 1984-11-15 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録再生方法 |
| JPH0616394B2 (ja) * | 1984-10-12 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録再生方法 |
| US4774409A (en) * | 1984-10-16 | 1988-09-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image recording and read-out apparatus |
| JPH0616397B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録読取装置 |
| JPH0616389B2 (ja) * | 1985-04-12 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡の非点収差補正方法 |
| JPH0616398B2 (ja) * | 1984-12-10 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡のデフオ−カス量測定方法 |
| JPH0616399B2 (ja) * | 1985-04-11 | 1994-03-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 電子顕微鏡像記録装置 |
| JPH0631892B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-04-27 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換媒体 |
| US5023461A (en) * | 1987-08-18 | 1991-06-11 | Konica Corporation | Radiation image storage panel having low refractive index layer and protective layer |
| EP0304300B1 (en) * | 1987-08-18 | 1992-12-30 | Konica Corporation | Radiation image storage panel having low refractive index layer and protective layer |
| JPH077118B2 (ja) * | 1987-11-19 | 1995-01-30 | コニカ株式会社 | 低屈折率層を介した保護層を有する放射線画像変換パネル |
| US4983848A (en) * | 1989-04-12 | 1991-01-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Surfaces for X-ray intensifying screens |
| US4999505A (en) * | 1990-02-08 | 1991-03-12 | Eastman Kodak Company | Transparent radiation image storage panel |
| US6707057B2 (en) | 2000-03-23 | 2004-03-16 | Agfa-Gevaert | Storage phosphor screen with thick outermost layer and a method for using the same |
| US7046710B2 (en) * | 2003-08-28 | 2006-05-16 | Raytheon Company | Gain boost with synchronized multiple wavelength pumping in a solid-state laser |
| JP4594188B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| DE102017118000A1 (de) | 2017-08-08 | 2019-02-14 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur Einstellung einer gewünschten Fugenbreite |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611393A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image conversion panel |
| JPS56116777A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Kasei Optonix Co Ltd | Phosphor and radiation image transformation panel using the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1587206A (en) * | 1977-05-06 | 1981-04-01 | Agfa Gevaert | Fuorescent x-ray image intensifying screen |
| JPS5512429A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radioactive image reader |
| NL7905433A (nl) * | 1978-07-12 | 1980-01-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Werkwijze en inrichting voor het registreren en weergeven van een stralingsbeeld. |
| JPS5923400B2 (ja) * | 1979-06-07 | 1984-06-01 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
| FR2463420A1 (fr) * | 1979-08-14 | 1981-02-20 | France Etat | Convertisseur de photons non lumineux en photons lumineux et installation de controle non destructif faisant application de ce convertisseur |
| EP0042149B1 (en) * | 1980-06-16 | 1987-03-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation excited phosphor screen and method for manufacturing the same |
| US4336154A (en) * | 1981-07-14 | 1982-06-22 | Kasei Optonix, Ltd. | Phosphor and radiation image storage panel utilizing the same |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP57004448A patent/JPS58122500A/ja active Granted
-
1983
- 1983-01-04 US US06/455,610 patent/US4585944A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-01-13 CA CA000419406A patent/CA1200021A/en not_active Expired
- 1983-01-13 DE DE8383100254T patent/DE3379561D1/de not_active Expired
- 1983-01-13 EP EP83100254A patent/EP0084818B1/en not_active Expired
- 1983-01-13 DE DE198383100254T patent/DE84818T1/de active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5611393A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | Radiation image conversion panel |
| JPS56116777A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Kasei Optonix Co Ltd | Phosphor and radiation image transformation panel using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0084818B1 (en) | 1989-04-05 |
| CA1200021A (en) | 1986-01-28 |
| DE3379561D1 (en) | 1989-05-11 |
| DE84818T1 (de) | 1983-12-22 |
| JPS58122500A (ja) | 1983-07-21 |
| US4585944A (en) | 1986-04-29 |
| EP0084818A2 (en) | 1983-08-03 |
| EP0084818A3 (en) | 1984-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6325320B2 (ja) | ||
| US5198679A (en) | Phosphor and image storage panel | |
| US4661419A (en) | Phosphor and radiation image storage panel containing the same | |
| JPS5944333B2 (ja) | 放射線像変換方法 | |
| JPH0159566B2 (ja) | ||
| JPS5944339B2 (ja) | 放射線像変換方法 | |
| US4835398A (en) | Phosphor, Radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel | |
| JPH0159567B2 (ja) | ||
| US4788434A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| JPH0261996B2 (ja) | ||
| EP0092240B1 (en) | Radiation image storage panel | |
| US4780376A (en) | Phosphor and radiation image storage panel | |
| JPH0214394B2 (ja) | ||
| US4780611A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| US4931652A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| US4801806A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| EP0143301B1 (en) | Phosphor, radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel employing the same | |
| US4616135A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| EP0168057B1 (en) | Phosphor, radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel | |
| US4605861A (en) | Radiation image recording and reproducing method | |
| JPH058237B2 (ja) | ||
| JPH0718958B2 (ja) | 放射線画像変換パネル | |
| US4891277A (en) | Phosphor, and radiation image storage panel | |
| JPH0731366B2 (ja) | 放射線画像変換方法 | |
| JPH0550719B2 (ja) |