JPS63252271A - Semiconductor inspector - Google Patents
Semiconductor inspectorInfo
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- JPS63252271A JPS63252271A JP62085716A JP8571687A JPS63252271A JP S63252271 A JPS63252271 A JP S63252271A JP 62085716 A JP62085716 A JP 62085716A JP 8571687 A JP8571687 A JP 8571687A JP S63252271 A JPS63252271 A JP S63252271A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000021028 berry Nutrition 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明はりレーマトリクス回路によって測定電圧、電
流を切換えて被検査半導体集積回路に供給するようにし
た半導体検査装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a semiconductor testing device in which a measured voltage and current are switched and supplied to a semiconductor integrated circuit to be tested using a relay matrix circuit.
（従来の技術）
被検査半導体集積回路（ＩＣ）の直流テスト及びファン
クションテストは半導体検査装置、いわゆるＩＣテスタ
ーで行われている。従来のＩＣテスターにおけるテ、ス
トは第２因に示すように、プログラム／測定量１３０で
発生された電圧もしくは電流をリレーマトリクス回路３
１及びＩＣ側リレー回路３２を介して１ｃ３３の所定の
端子に選択的に供給し、ＩＣ３３からの出力電圧もしく
はＮ流を再びリレーマトリクス回路３１内のリレー３４
を介してプログラム／測定ｍ源３０に帰還させることに
より行われている。(Prior Art) A DC test and a function test of a semiconductor integrated circuit (IC) to be tested are performed using a semiconductor testing device, a so-called IC tester. As shown in the second factor, in conventional IC testers, the voltage or current generated by the program/measurement quantity 130 is transferred to the relay matrix circuit 3.
1 and IC side relay circuit 32 to a predetermined terminal of 1c33, and the output voltage or N current from IC33 is again supplied to the relay 34 in the relay matrix circuit 31.
This is done by feeding back the program/measurement m source 30 via the program/measure m source 30.
ところで、このようなＩＣテスターではりレーマトリク
ス回路３１が故障すると、ＩＣ３３が正常であってもそ
れは不良と判所されてしまう恐れがある。このため、こ
のようなｔＣテスターでは、リレーマトリクス回路３１
を定期的に診断して故障したリレーを交換する必要があ
る。従来ではこのような故障診断を行なうため、複数個
のｗ１密抵抗からなる抵抗群３５をプログラム／測定電
源３０の負荷として設け、ＩＣ！！ｌリレー回路３２を
全てオフにした状態で抵抗群３５を故１１Ｑ診断用リレ
ー回路３６で切換えるようにしている。そして、このと
きりレーマトリクス回路３１を経由して入力される信号
に基づいてＧｏ／Ｎｏ−Ｇｏ判定を行ない、故障診断を
行なっている。By the way, in such an IC tester, if the Berry matrix circuit 31 fails, there is a possibility that it will be determined to be defective even if the IC 33 is normal. Therefore, in such a tC tester, the relay matrix circuit 31
It is necessary to periodically diagnose and replace failed relays. Conventionally, in order to perform such a fault diagnosis, a resistor group 35 consisting of a plurality of w1 dense resistors is provided as a load of the program/measurement power supply 30, and an IC! ! The resistor group 35 is switched by the 11Q diagnostic relay circuit 36 with all the 1 relay circuits 32 turned off. At this time, a Go/No-Go determination is made based on the signal input via the relay matrix circuit 31, and a failure diagnosis is performed.
ところで、上記従来のＩＣテスターにおけるリレーマト
リクス回路３１の故障診断はＩＣ側リレー回路３２をオ
°フにし、故障診断用リレー回路３６をオンさせるとい
う操作のみで行なっており、その診断結果はプログラム
７／測定“電源３０で１９られた種々のデータを分析し
た上でなければ得ることはできない。すなわち、プログ
ラム／測定°電源３０で得られたデータから直接、故障
リレーを特定することはできず、ある稈度の電気知識を
持った技術者を必要する。By the way, failure diagnosis of the relay matrix circuit 31 in the conventional IC tester is performed by simply turning off the IC side relay circuit 32 and turning on the failure diagnosis relay circuit 36, and the diagnosis result is stored in the program 7. /Measurement" can only be obtained by analyzing various data obtained from the power supply 30. In other words, it is not possible to directly identify a faulty relay from the data obtained from the program/measurement power supply 30. It requires an engineer with a certain degree of electrical knowledge.
（発明が解決しようとする問題点）
このようにリレーマトリクス回路の故障診断機能を有す
る従来の半導体検査装置では、リレーマトリクス回路内
の故障リレーを簡単に特定することができないという欠
点がある。(Problems to be Solved by the Invention) As described above, the conventional semiconductor inspection apparatus having a relay matrix circuit fault diagnosis function has a drawback in that a faulty relay in the relay matrix circuit cannot be easily identified.
そこでこの発明は、リレーマトリクス回路の故障リレー
を簡単に特定することができる半導体検査装置を提供す
ることを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor inspection device that can easily identify a faulty relay in a relay matrix circuit.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明の半導体検査装置は、被検査半導体装置の端子
に供給すべき所定電圧及び電流を出力すると共に全ての
入出力が特定電圧に設定可能なプログラム電源と、上記
プログラム電源の出力電圧及び電流を上記被検査半導体
装置の所定の端子に供給制御する複数個のリレーを有す
るリレーマトリクス回路と、上記リレーマトリクス回路
の故障診断を行ない故障リレーに対応した表示を行なう
診断回路とから構成されている。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The semiconductor testing device of the present invention outputs a predetermined voltage and current to be supplied to the terminals of a semiconductor device to be tested, and also sets all inputs and outputs to specific voltages. a relay matrix circuit having a programmable power supply, a plurality of relays for supplying and controlling the output voltage and current of the program power supply to predetermined terminals of the semiconductor device to be tested, and a fault relay for performing fault diagnosis of the relay matrix circuit; It is composed of a diagnostic circuit that performs a display corresponding to the
（作用）
この発明の半導体検査装置では、プログラム電源の全て
の出力を基準電圧に設定しておき、リレーマトリクス回
路を通過した信号を診断回路で検出し、この検出信号に
基づいて故障診断を行ない、故障リレーが発生している
場合にはそのリレーに対応した表示を行なうようにする
ことにより、電気知識を持たない者でも故障リレーを特
定することができるようにしている。(Function) In the semiconductor inspection device of the present invention, all outputs of the program power supply are set to a reference voltage, a signal passing through the relay matrix circuit is detected by the diagnostic circuit, and a failure diagnosis is performed based on this detection signal. If a faulty relay has occurred, a display corresponding to that relay is displayed, so that even a person without electrical knowledge can identify the faulty relay.
（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。(Example) Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図はこの発明の半導体検査装置の構成を示す回路図
である。この回路において、通常のテストはプログラム
／測定電源１０で発生された電圧もしくは電流をリレー
マトリクス回路１１及びＩＣ側リレー回路１２を介して
ＩＣｌ３の所定の端子に選択的に供給し、ＩＣｌ３から
の出力電圧もしくは電流を再びリレーマトリクス回路１
１内のリレー１４を介してプログラム／測定電源１０に
帰還させることにより行われる。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a semiconductor inspection apparatus according to the present invention. In this circuit, a normal test is performed by selectively supplying the voltage or current generated by the program/measurement power supply 10 to a predetermined terminal of the ICl3 via the relay matrix circuit 11 and the IC side relay circuit 12, and outputting the output from the ICl3. Voltage or current again relay matrix circuit 1
This is done by feeding back the program/measurement power supply 10 via the relay 14 in the program/measurement power supply 10.
リレーマトリクス回路１１の故障診断時には、プログラ
ム／測定型［１０の全ての入出力が内部のリレー１５に
よってＯＶに設定される。このとき、ＩＣ側リレー回路
１２はオフにされ、代わりに診断用リレー回路１Ｇがオ
ンにされる。これによりリレーマトリクス回路１１から
の信号が診断回路１７に導かれる。この診断回路１７の
入力端には５ｖにプルアップされた負荷抵抗群１８が接
続されている。診断回路１７におけるリレーマトリクス
回路１１内のリレー１４の故障診断は、リレーマトリク
ス回路１１内で横一列に配列されたリレー１４を図示し
ない制御回路により同時にオンさせることにより行われ
る。When diagnosing a failure of the relay matrix circuit 11, all inputs and outputs of the program/measurement type [10] are set to OV by the internal relay 15. At this time, the IC side relay circuit 12 is turned off, and the diagnostic relay circuit 1G is turned on instead. As a result, the signal from the relay matrix circuit 11 is guided to the diagnostic circuit 17. A load resistor group 18 pulled up to 5V is connected to the input terminal of this diagnostic circuit 17. A failure diagnosis of the relays 14 in the relay matrix circuit 11 in the diagnostic circuit 17 is performed by simultaneously turning on the relays 14 arranged in a horizontal line in the relay matrix circuit 11 by a control circuit (not shown).
例えば、ある列に配列されたリレーを同時にオンさせた
場合、これらのリレーが正常に動作するならば診断回路
１１の入力端は全てＯＶになるはずである。このとき、
ＯＶにならず、５■になっている端子に関するリレーは
故障していると判断することができ、診断回路１７はこ
の故障リレーの番号を図示しない表示器で表示する。こ
れと同様の操作がリレーマトリクス回路１１内の異なる
列に配列された各リレー１４について行なわれることに
より、順次故障診断が行なわれる。For example, when relays arranged in a certain column are turned on at the same time, all input terminals of the diagnostic circuit 11 should become OV if these relays operate normally. At this time,
It can be determined that the relay associated with the terminal that does not become OV but becomes 5■ is faulty, and the diagnostic circuit 17 displays the number of this faulty relay on a display (not shown). A similar operation is performed for each relay 14 arranged in a different column within the relay matrix circuit 11, thereby sequentially performing failure diagnosis.
なお、回路中の抵抗群１９及びツェナーダイオード群２
０は信号制御用のものである。Note that the resistor group 19 and Zener diode group 2 in the circuit
0 is for signal control.
このような構成の半導体検査装置によれば、故障リレー
の番号が表示器で表示されるので、電気知識を持たない
者でもリレーマトリクス回路１１の故障リレーを簡単に
特定することができる。この結果、作業者が短時間でど
の位置のリレーが故障しているかを知ることができ、こ
れを速やかに正常のものと交換することができるため半
導体検査装置の停止期間の短縮化が図られる。According to the semiconductor inspection device having such a configuration, the number of the faulty relay is displayed on the display, so even a person without electrical knowledge can easily identify the faulty relay in the relay matrix circuit 11. As a result, workers can quickly find out which relay is malfunctioning and can quickly replace it with a normal one, reducing the downtime of semiconductor inspection equipment. .
なお、診断回路１１としてはＣＰＵや専用のＩＣを用い
ることができ、この診断回路１７により自己診断動作時
のりレーマトリクス回路１１及びリレー１５の動作制御
を行なわせることも可能である。Note that a CPU or a dedicated IC can be used as the diagnostic circuit 11, and the diagnostic circuit 17 can also be used to control the operations of the relay matrix circuit 11 and the relay 15 during the self-diagnosis operation.
［発明の効果コ
以上説明したようにこの発明によれば、リレーマトリク
ス回路の故障リレーを簡単に特定することができる半導
体検査装置を提供することができる。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor inspection device that can easily identify a faulty relay in a relay matrix circuit.
第１図はこの発明の一実施例装置の構成を示す回路図、
第２図は従来装置の構成を示す回路図である。
１０・・・プログラム／測定電源、１１・・・リレーマ
トリクス回路、１２・・・ＩＣ側リレー回路、１３・・
・ＩＣ１１４・・・リレー、１５・・・リレー、１６・
・・診断用リレー回路、１１・・・診断回路、１８・・
・負荷抵抗群。FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional device. 10... Program/measurement power supply, 11... Relay matrix circuit, 12... IC side relay circuit, 13...
・IC114...Relay, 15...Relay, 16.
...Diagnostic relay circuit, 11...Diagnostic circuit, 18...
・Load resistance group.
Claims (1)
を出力すると共に全ての入出力が特定電圧に設定可能な
プログラム電源と、上記プログラム電源の出力電圧及び
電流を上記被検査半導体装置の所定の端子に供給制御す
る複数個のリレーを有するリレーマトリクス回路と、上
記リレーマトリクス回路の故障診断を行ない故障リレー
に対応した表示を行なう診断回路とを具備したことを特
徴とする半導体検査装置。A program power supply that outputs a predetermined voltage and current to be supplied to the terminals of the semiconductor device under test and can set all inputs and outputs to a specific voltage; A semiconductor inspection device comprising: a relay matrix circuit having a plurality of relays for controlling supply to terminals; and a diagnostic circuit for diagnosing failures of the relay matrix circuit and displaying a display corresponding to a failed relay.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085716A JPS63252271A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Semiconductor inspector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085716A JPS63252271A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Semiconductor inspector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63252271A true JPS63252271A (en) | 1988-10-19 |
Family
ID=13866557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085716A Pending JPS63252271A (en) | 1987-04-09 | 1987-04-09 | Semiconductor inspector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63252271A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11271398A (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Sharp Corp | Apparatus for inspecting semiconductor integrated circuit and method for detecting failure of the same |
| JP2009074909A (en) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Yokogawa Electric Corp | Semiconductor testing device |
| JP2009111476A (en) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Honda Motor Co Ltd | Signal distributor |
| JP2018189495A (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-29 | 日置電機株式会社 | Measurement device |
| JP2018194377A (en) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 日置電機株式会社 | Measuring apparatus |
-
1987
- 1987-04-09 JP JP62085716A patent/JPS63252271A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11271398A (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Sharp Corp | Apparatus for inspecting semiconductor integrated circuit and method for detecting failure of the same |
| JP2009074909A (en) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Yokogawa Electric Corp | Semiconductor testing device |
| JP2009111476A (en) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Honda Motor Co Ltd | Signal distributor |
| JP2018189495A (en) * | 2017-05-08 | 2018-11-29 | 日置電機株式会社 | Measurement device |
| JP2018194377A (en) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 日置電機株式会社 | Measuring apparatus |
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