JPS63250918A - Ａ／ｄ変換回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、Ａ／Ｄ変換回路に関するものであり、例え
ば、瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路に利用して有効な技術に
関するものである。

〔従来の技術〕

抵抗ラダー回路等によって形成される段階的な複数の基
準電位と入力アナログ信号のレベルを比較することによ
って、入力アナログ信号を瞬間的にディジタル信号に変
換する瞬時比較型（全並列比較型）Ａ／Ｄ変換回路があ
る。この瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路には、例えば第３図
に示されるように、複数の電圧比較回路ＶＣＩ〜Ｖ　Ｃ
ｎ　７！ｌ＜設けられる。これらの電圧比較回路の一方
の入力端子には、入力アナログ信号Ｖｉｎが共通に入力
され、その他方の入力端子にはそれぞれ対応する基準電
位Ｖｌ−ｖｎが入力される。これらの基準電位は、入力
基準電圧Ｖ　ｒｅｆを抵抗ラダー回路の直列抵抗Ｒ１〜
Ｒｎで分圧することによって形成される。

電圧比較回路ｖｃｔ〜ＶＣｎの出力信号はエンコーダＥ
ＮＣに供給され、１＋１ピントのディジクル出力信号Ｄ
ｏ−Ｄｉが形成される。

瞬時比較型のＡ／Ｄ変換回路については、例えば１９８
０年１１月、日刊工業新聞社発行、相良岩男著’マイコ
ンエイジのＡ／Ｄ　−Ｄ／Ａ変換技術」の８２頁〜８４
頁に記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記に記載される瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路を例えば光
デイスク用のディジタルサーボ機構等に用いる場合、次
のような問題点が生じることが本願発明者等によって明
らかになった。すなわち、ディジタルサーボ機構におい
てセンサ等から入力されるアナログ信号は、例えば第２
図に示されるように、起動時には比較的大きな振幅とな
り、サーボ機構による自動制御が収束されると比較的小
さな振幅となる。この光デイスクシステムとしての性能
は、収束後におけるサーボ機構の感度によって左右され
、またこのサーボ機構の感度はＡ／Ｄｉ換回路の２子分
解能によって決定される。ところが、サーボ機構の感度
を高めようとしてＡ／Ｄ変換回路の量子分解能を収束後
の比較的小さな振幅のアナログ信号に対応付けて設計す
ると、起動時における比較的大きな振幅のアナログ信号
に対処するために厖大な数の電圧比較回路が必要となり
、Ａ／Ｄｉ換回路の低コスト化が妨げられる。

また、コストを意識して、起動時の比較的大きな振幅の
アナログ信号に対応付けて電圧比較回路を設けると、逆
に収束時の比較的小さな振幅のアナログ信号に対する感
度が著しく低下する。

この発明の目的は、ダイナミックレンジを任意に設定し
うるＡ／Ｄ変換回路を提供することにある。この発明の
他の目的は、高感度かつ低コストのサーボ機構を提供す
ることにある。

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろ
う。

Ｃ問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。

すなわち、基準電位を形成する抵抗ラダー回路の両側か
ら入力基準電圧を供給し、この入力基準電圧の電圧値を
、入力アナログ信号のレベルに従って段階的に変化させ
るものである。

〔作　　用〕

上記した手段によれば、Ａ／Ｄ変換回路のダイナミンク
レンジを、入力アナログ１３号のレベルに従って、上記
入力基準電位の電圧値及び電圧差に応じた所定のダイナ
ミックレンジとすることができ、また電圧比較回路を増
設することなく　Ａ／Ｄ変換回路の量子分解能を小さく
し、その感度を部分的に高くすることができる。

〔実施例〕

第１図には、この発明が通用されたＡ／Ｄ変換回路の一
実施例を示す回路ブロック図が示されている。このＡ／
Ｄ変換回路は、特に制限されないが、光デイスク用のデ
ィジタルサーボ機構に含まれる。第１図の各回路素子及
び各ブロックを構成する回路素子は、ディジタルサーボ
機構の他のブロックを構成する回路素子とともに、公知
のＭＯ３集積回路の製造技術によって、単結晶シリコン
のような１個の半導体基板上に形成される。なお、同図
において、チャンネル（バンクゲート）部に矢印が付加
されるＭＯＳＦＥＴはＰチャンネル型であり、矢印の付
加されないＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴと区別される。

この実施例のＡ／Ｄ変換回路は、特に制限されないが、
反射光センサ等により形成される入力アナログ信号Ｖｉ
ｎを受け、ｉ＋１ビットのディジタル出力信号Ｄｏ−Ｄ
ｉを形成する。これらのディジタル出力信号ＤＯ〜Ｄｉ
は、ディジタルサーボ機構の他の回路ブロックに供給さ
れ、例えば光ディスクに対するレーザ光線の位置設定や
焦点制御のために用いられる。センサから供給される入
力アナログ信号Ｖｉｎは、サーボ機構の起動時において
比較的大きな１辰幅とされ、またサーボ機構による位置
設定等が収束した時点で比較的小さな振幅とされる。こ
の実施例のＡ／Ｄ変換回路にはと、ディジタルサーボ機
構の収束後の感度を高める必要から、ディジタル出力信
号ＤＯ−Ｄｉをモニタすることによって入力アナログ信
号Ｖｉｎのレベルを判定しレンジ制御信号ｒｃを形成す
るレンジ制御回路ＲＣが設けられる。Ａ／Ｄ変換回路の
抵抗ラダー回路には、このレンジ制御信号ｒｃに従って
２段階の基準電圧ＶＨＩ・ＶＬＩ及びＶＨ２・ＶＬ２が
選択的に供給される。これにより、Ａ／Ｄ変換回路のダ
イナミックレンジが段階的に制御され、その量子分解能
はサーボ機構の収束時において部分的に向上される。

第１図において、図示されない反射光センサから供給さ
れる入力アナログ信号Ｖｉｎは、ｎ個の電圧比較回路Ｖ
ＣＩ〜ＶＣｎの一方の入力端子に共通に供給される。こ
れらの電圧比較回路ＶＣｔ〜ＶＣｎの他方の入力端子に
は、抵抗ラダー回路から対応する基準電位■１〜Ｖｎが
それぞれ供給される。電圧比較回路ＶＣｔ〜ＶＣｎの非
反転出力信号及び反転出力信号は、エンコーダＥＮＣに
供給される。

電圧比較回路ＶＣＩ〜ＶＣｎは、それぞれ高感度の差動
増幅回路を基本構成とする。これらの電圧比較回路ｖｃ
ｉ〜ＶＣｎは、一方の入力端子に供給される入力アナロ
グ信号Ｖｉｎのレベルと他方の入力端子に供給される基
準電位Ｖ１〜Ｖｎをそれぞれ比較する。特に制限されな
いが、入力アナログ信号Ｖｉｎのレベルが対応する基準
電位Ｖｌ〜Ｖｎよりも低い場合、電圧比較回路ＶＣ１〜
ＶＣｎの非反転出力信号はロウレベルとなり、その反転
出力信号はハイレベルとなる。一方、入力アナログ信号
Ｖｉｎのレベルが対応する基準電位Ｖｌ−Ｖｎよりも高
くなると、電圧比較回路ＶＣ１〜ＶＣｎの非反転出力信
号はハイレベルとなり、反転出力信号がロウレベルとな
る。

抵抗ラダー回路は、直列形態とされるｆｉ＋１個の分圧
抵抗Ｒ１〜Ｒｎ＋１によって構成される。

この抵抗ラダー回路には、特に制限されないが、Ｐチャ
ンネルＭＯ３ＦＥＴＱＩ〜Ｑ４及びＮチャンネルＭＯ３
ＦＥＴＱ５〜Ｑ８からなる基準電圧切り換え回路を介し
て、２段階の基準電圧ＶＨＩ・ＶＨ２及びＶＬＩ・ＶＬ
２が選択的に供給される。すなわち、抵抗ラダー回路の
一端とされる抵抗Ｒ１には、特に制限されないが、並列
形態とされるＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴＱ２及びＮチャ
ンネルＭＯ３ＦＥＴＱ６を介して基準電圧ＶＨＩが供給
され、また並列形態とされるＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴ
ＱＬ及びＮチャンネルＭＯ３ＦＥＴＱ５を介して基準電
圧ＶＨ２が供給される。同様に、抵抗ラダー回路の他端
となる抵抗Ｒｎ＋１には、並列形態とされるＰチャンネ
ルＭＯＳ　Ｆ　ＥＴＱ　４及びＮチャンネルＭＯ３ＦＥ
ＴＱ８を介して基準電圧ＶＬＩが供給され、また並列形
感とされるＰチャンネルＭＯ３ＦＥＴＱ３及びＮチャン
ネルＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｑ　７を介して基準電圧ＶＬ
２が供給される。

特に制限されないが、基準電圧ＶＨＬは比較的高い正の
電圧とされ、基準電圧Ｖ　Ｈ２は比較的低い正の電圧と
される。また、基準電圧ＶＬＩはその絶対値が比較的大
きい負の電圧とされ、基準電圧ＶＬ２はその絶対値が比
較的小さい負の電圧とされる。

ＭＯ３ＦＥＴＱ２．Ｑ４及びＱ５．Ｑ７のゲートには、
後述するレンジ制御回路ＲＣからレンジ制御信号ｒＣが
共通に供給される。また、ＭＯ３ＦＥＴＱＩ、Ｑ３及び
Ｑ６．Ｑ８のゲートには、上記レンジ制御信号ｒｃのイ
ンパーク回路Ｎｌによる反転信号すなわち反転レンジ制
御信号ｒｃが共通に供給される。

レンジ制御信号「Ｃがロウレベルとされ反転レンジ制御
信号「Ｃがハイレベルとされるとき、ＭＯＳ　Ｆ　Ｅ　
Ｔ　Ｑ　２・Ｑ６及びＱ４・Ｑ８がともにオフ状態とな
り、またＭＯ５ＦＥＴＱＩ・Ｑ５及びＱ３・Ｑ７がとも
にオフ状態となる。これにより、抵抗ラダー回路の両端
には、比較的大きな絶対値とされる基準電圧ＶＨＩ及び
ＶＬＩが供給される。

このため、各電圧比較回路Ｖ　Ｃｌ　＝　Ｖ　Ｃｎに供
給される段階的な基ｉｌｆ！電位Ｖｌ〜Ｖｎの電位間隔
は拡大され、Ａ／Ｄ変換回路のダイナミックレンジが大
きくされるとともに、その量子分解能が粗くされる。一
方、レンジ制御信号ｒｃがハイレベルとされ反転レンジ
制御信号ｒｃがロウレベルとされるとき、ＭＯ３ＦＥＴ
ＱＩ−Ｑ５及びＱ３・Ｑ７がともにオン状態となり、ま
たＭＯ３ＦＥＴＱ２・Ｑ６及びＱ４・Ｑ８がともにオフ
状態となる。

これにより、抵抗ラダー回路の両端には、比較的小さな
絶対値とされる基準電圧ＶＨ２及びＶＬ２が供給される
。このため、各電圧比較回路ＶＣ１〜ＶＣｎに供給され
る段階的な基１＄電位Ｖｌ−Ｖｎの電位間隔は縮小され
、Ａ／Ｄ変換回路のダイナミックレンジが小さくされる
とともに、その量子分解能が向上される。このとき、言
うまでもなく、基４！電圧Ｖ　Ｈ２及びＶＬ２の電圧値
及び電圧差を適当に選択することによって、Ａ／Ｄ変換
回路のダイナミックレンジを任意に設定することができ
る。

エンコーダＥＮＣは、特に制限されないが、複数の論理
ゲートを含む組み合わせ回路によって構成される。エン
コーダＥＮＣは、電圧比較回路ＶＣ１〜Ｖ　Ｃｎから供
給される非反転出力信号及び反転出力信号をもとに、ｔ
＋１ビットのディジタル出力信号ＤＯ−Ｄｉを形成する
。つまり、入力アナログ信号Ｖｉｎのレベルは電圧比較
回路■Ｃ１−Ｖ　Ｃｎによって瞬間的に判定され、この
段階的な判定レベルがエンコーダＥＮＣの組み合わせ回
路によってパイナリイコードに変換される。

エンコーダＥＮＣによって形成されるディジタル出力信
号ＤＯ〜Ｄｉは、このディジタルサーボ機構の図示され
ない他の回路ブロックに供給され、例えば光ディスクの
レーザ光線の位置設定や焦点制御を行うための制御信号
として用いられるとともに、Ａ／Ｄ変換回路のレンジ制
御回路ＲＣに供給される。

レンジ制御回路ＲＣは、エンコーダＥＮＣから供給され
るディジタル出力信号ＤＯ〜Ｄｉをモニタし、上記レン
ジ制御信号ｒｃを形成して、上記基準電圧切り換え回路
に供給する。すなわち、レンジ制御回路ＲＣは、ディジ
タル出力信号ＤＯ〜Ｄｉの組み合わせによって、入力ア
ナログ信号Ｖｉｎの振幅が基準電圧ＶＨ２及びＶＬ２の
絶対値を超えているかどうかを判定する。特に制限され
ないが、レンジ制御回路ＲＣは、入力アナログ信号Ｖｉ
ｎの振幅が基準電圧ＶＨ２及びＶＬ２の絶対値を超える
とき、レンジ制御信号ｒｅをロウレベルとする。また、
レンジ制御回路ＲＣは、入力アナログ信号Ｖｉｎの振幅
が基準電圧ＶＨ２及びＶＬ２の絶対値よりも小さいとき
、レンジ制御信号ｒｃをハイレベルとする。

前述のように、入力アナログ信号Ｖｉｎの振幅が大きく
されレンジ制御信号ｒｃがロウレベルとされることで、
抵抗ラダー回路には比較的大きな絶対値とされる基準電
圧ｖ１（１及びＶＬ、１が供給され、Ａ／Ｄ変換回路の
ダイナミックレンジは大きくされる。また、入力アナロ
グ信号Ｖｉｎの振幅が小さくされレンジ制御信号ｒｅが
ハイレベルとされることで、抵抗ラダー回路には比較的
小さな絶対値とされる基準電圧ＶＨ２及びＶＬ２が供給
され、Ａ／Ｄ変換回路のダイナミックレンジは小さくさ
れる。

レンジ制御回路ＲＣによって形成されるレンジ制御信号
ｒｃは、基準電圧切り換え回路に供給されるとともに、
ディジタル出力信号ＤＣとしてディジタル出力信号ＤＯ
〜Ｄｉとともにディジタルサーボ機構の図示されない他
の回路ブロックに伝達される。

第２図には、この実施例のＡ／Ｄ変換回路が含まれるデ
ィジタルサーボ機構の一実施例の信号波形図が示されて
いる。同図には、光デイスク用のレーザ光線の位置設定
を行うためのディジタルサ−ボ機構における起動当初の
信号波形が実線で例示的に示され、抵抗ラダー回路に供
給される基準電圧のレベルが一点鎖線で示されている。

第２図において、特に制限されないが、レーザ光線は起
動時に所定のスタートポジションにセットされた後、徐
々に移動され、光ディスクの溝位置に近づく。これにと
もない、反射光センサからＡ／Ｄ変換回路に入力される
入力アナログ信号Ｖｉｎが一旦比較的大きな正のレベル
に上昇した後、比較的大きな絶対値の負のレベルに向か
って低下し、光ディスクの溝の中央でゼロレベルを交叉
する。この実施例のディジタルサーボ機構では、入力ア
ナログ信号ＶＬｎが一旦比較的大きな正のレベルに達し
た後低下しゼロレベルと交叉するのを検出することよっ
て、レーザ光線が所定の溝位置に到達したことを識別す
る。以後、ディジタルサーボ機構は、入力アナログ信号
Ｖｉｎの絶対値が小さくなるように例えば移動用のボイ
ス・コイル・モータ等を駆動することにより、レーザ光
線の位置制御を行う。

Ａ／Ｄ変換回路では、入力アナログ信号Ｖｉｎが起動時
において比較的小さなレベルとされることから、レンジ
制御信号「Ｃがハイレベルとされる。これにより、抵抗
ラダー回路には比較的小さな絶対値とされる基準電圧Ｖ
　Ｈ２及びＶＬ２が供給され、Ａ／Ｄ変換回路の感度が
高くされる。入力アナログ信号Ｖｉｎのレベルが徐々に
大きくなり基準電圧ＶＨ２を超えると、レンジ制御信号
ｒＣはロウレベルとされる。これにより、抵抗ラダー回
路には比較的大きな絶対値とされる基準電圧ＶＨＩ及び
ＶＬＩが供給され、Ａ／Ｄｉ換回路の感度が低くされる
。このため、Ａ／Ｄ変喚回路は、比較的大きな絶対値と
される入力アナログ信号■ｉｎに対応することができる
。

レーザ光線が光ディスクの溝位置に近づくと、入力アナ
ログ信号Ｖｉｎは比較的小さなレベルとなり、レンジ制
御信号ｒｃが再びハイレベルとされる。これにより、Ａ
／Ｄ変換回路の感度が高くされ、ディジタルサーボ機構
は人力アナログ信号Ｖｉｎのゼロレベル交叉を的確に識
別することができる。

以後、ディジタルサーボ機構によるレーザ光線の位置制
御が行われることから、入力アナログ信号Ｖｉｎは比較
的小さな振幅で振動状態となる。

また、この間、入力アナログ信号Ｖｉｎの振動振幅が小
さくされることでＡ／Ｄ変換回路が高感度とされ、ディ
ジタルサーボ機構によるレーザ光線の位置制御は精度よ
く行われる。

以上のように、この実施例のＡ／Ｄ変換装置には、エン
コーダＥＮＧから出力されるディジタル出力信号Ｄｏ−
Ｄｉをモニタすることで入力アナログ信号Ｖｉｎのレベ
ルを判定しレンジ制ａｌ（Ｎ　＋ｒｃを形成するレンジ
制御回路ＲＣと、上記レンジ制ａｌ信号ｒｃに従って抵
抗ラダー回路に供給される基準電圧の絶対値を段階的に
切り換えるための基準電圧切り換え回路が設けられる。

Ａ／Ｄ変換回路は、抵抗ラダー回路に供給される基準電
圧の電圧値が切り換えられることによって量子分解能が
変化される。このため、Ａ／Ｄ変換回路は、電圧比較回
路の設置数が固定されディジタル出力信号のビット数が
固定されているにもがかわらず、入力アナログ信号Ｖｉ
ｎのレベルに従って基準電圧の重圧値及び電圧差に応じ
た所定のダイナミックレンジに切り換えられ、その感度
が部分的に高くされる。

以上の本実施例に示されるように、この発明を瞬時比較
型のＡ／Ｄ変換回路に通用した場合、次のような効果が
得られる。すなわち、 （１）基′＄電位を形成する抵抗ラダー回路の両側から
入力基準電圧を供給し、これらの入力基準電圧を段階的
に変化させるための基準電圧切り換え回路を設けること
で、瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路のダイナミックレンジを
入力基準電圧の電圧値及び電圧差に応じて任意に設定す
ることができるという効果が得られる。

（２）上記＋１１項により、入力アナログ信号の任意の
レベル範囲において、部分的に瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回
路の量子分解能を変化させ、その感度を制御することが
できるという効果が得られる。

（３）瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路に、エンコーダがら出
力されるディジタル出力信号をモニタし入力アナログ信
号のレベルを判定してレンジ制御信号を形成するレンジ
制御回路を設け、上記入力基準電圧の電圧値を上記レン
ジ制御信号に従って段階的に変化させることで、Ａ／Ｄ
変換回路の感度を入力アナログ１′８号のレベルに応じ
て制御することができるという効果が得られる。

（４）上記ｆｉ１項〜（３）項により、電圧比較回路の
設置数やディジタル出力信号のピント数を増やすことな
（、瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路の量子分解能を向上させ
、その感度を部分的に高めることができるという効果が
得られる。

（５）上記ｆ１１項〜（４）項により、瞬時比較型Ａ／
Ｄ変換回路を含むディジクルサーボ機構等の性能を高め
、システムの低コスト化を図ることができるというすＪ
果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、第１図におい
て、Ａ／Ｄ変換回路は、基準電圧の組み合わせ数を増や
すことによって三つ以上のダイナミックレンジを持つよ
うにしてもよいし、Ａ／Ｄ変換回路の感度が最大となる
ダイナ＜７クレンジは特にゼロレベルを中心とするもの
でなくてもよい。入力アナログ１３号ＶＬｎは、所定の
増幅回路によって増幅されたｌ＆Ａ／Ｄ変換回路に入力
されてもよいし、この増幅回路の増幅率を変化させるこ
とでさらにＡ／Ｄｉ換回路のダイナミックレンジを有効
に制御することもよい、Ａ／Ｄ変換回路は、第１図のよ
うな瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路が直列又は並列に組み合
されて構成されるものであってもよい。また、ディジタ
ル出力信号ＤＯ−Ｄｉは、他の回路ブロックに対してシ
リアルに出力されることもよい、ざらに、第１図の基＄
電圧切り換え回路の具体的な構成や、第２図に示したデ
ィジタル化、−ボ機構の制御方式など、種々の実施形態
を採りうる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光デイスク用のディ
ジタルサーボ機構に用いられるＡ／Ｄ変換回路に通用し
た場合について説明したが、それに限定されるものでは
なく、例えば、他の各種のサーボ機構やディジクル制御
装置等に用いられる各種のＡ／Ｄ変換回路にも通用でき
る０本発明は、少なくとも基準電圧に従って形成される
複数の基準電位をもとに入力アナログ信号のレベルを瞬
間的にディジタル化する瞬時比較型のＡ／Ｄ変換回路及
びこのようなＡ／Ｄ変換回路を内蔵する半導体装置に広
く通用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果をｆｆＩ単に説明ずれば、下記のとおり
である。すなわち、基準電位を形成する抵抗ラダー回路
の両側から入力基準電圧を供給し、これらの入力基準電
圧を入力アナログ信号のレベルに応じて段階的に制御す
ることで、瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路の量子分解能を変
化させその感度を制御することができるとともに、電圧
比較回路の設置数やディジタル出力信号のビット数を増
やすことなく部分的に瞬時比較型Ａ／Ｄ変換回路の量子
分解能を向上させその感度を高めることがでさ、瞬時比
較型Ａ／Ｄ変換回路を含むディジクルサーボ機構等の性
能を高めその低コスト化を図ることができるものである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明が通用された瞬時比較型Ａ／Ｄａ換
回路の一実施例を示す回路ブロック図、！２２図は、第
１図のＡ／Ｄ変換回路を含むディジタルサーボ機構の一
実施例を示す信号波形図、第３図は、従来の瞬時比較型
Ａ／Ｄ変換装置の一例を示す回路ブロック図である。 Ａ／Ｄ・・・Ａ／Ｄ変換回路、ＲＣ・・・レンジ制ｆｉ
ｌ１回路、ＥＮＣ−−−ｘンコーダ、ＶＣ１〜ＶＣｎ・
・・電圧比較回路、Ｑ１〜Ｑ４・・・Ｐチャンネル八４
０ＳＦＥＴＳＱ５〜Ｑ８・・・ＮチャンネルＭＯ３ＦＥ
Ｔ、Ｎｌ　・・−−（ンバータ回路、Ｒ１〜Ｒｎ＋ｌ・
・・抵抗。 代理人弁理士　小川　勝馬゛　； 第１図 第　２図 ｃ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直列形態とされる複数の抵抗からなり入力基準電圧
   に従って段階的な複数の基準電位を形成する抵抗ラダー
   回路と、その一方の入力端子にそれぞれ対応する上記基
   準電位を受けその他方の入力端子に入力アナログ信号を
   共通に受ける複数の電圧比較回路と、上記複数の電圧比
   較回路の出力信号を受けディジタル出力信号を形成する
   エンコーダと、上記ディジタル出力信号を受け上記入力
   アナログ信号が所定のレベルに達したことを判定してレ
   ンジ制御信号を形成するレンジ制御回路と、上記レンジ
   制御信号に従って上記入力基準電圧の電圧値を段階的に
   変化させる基準電圧切り換え回路とを含み、そのダイナ
   ミックレンジが上記入力アナログ信号のレベルに従って
   変化されることを特徴とするＡ／Ｄ変換回路。 ２、上記入力基準電圧は、上記抵抗ラダー回路の一方か
   ら供給される第１の入力基準電圧と上記抵抗ラダー回路
   の他方から供給される第２の入力基準電圧とを含むもの
   であり、上記Ａ／Ｄ変換回路は、上記第１及び第２の入
   力基準電圧の電圧値及び電圧差に従って所定のダイナミ
   ックレンジを持つものであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載のＡ／Ｄ変換回路。 ３、上記レンジ制御信号は、上記ディジタル出力信号と
   ともに上記Ａ／Ｄ変換回路の出力信号として出力される
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
   のＡ／Ｄ変換回路。 ４、上記Ａ／Ｄ変換回路は、ディジタルサーボ機構に用
   いられるものであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項、第２項又は第３項記載のＡ／Ｄ変換回路。