JPS63248191A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS63248191A JPS63248191A JP8315587A JP8315587A JPS63248191A JP S63248191 A JPS63248191 A JP S63248191A JP 8315587 A JP8315587 A JP 8315587A JP 8315587 A JP8315587 A JP 8315587A JP S63248191 A JPS63248191 A JP S63248191A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- chip
- waveguide
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- Pending
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザチップの一方の出射端面から
の各モニタ用レーザ光をそれぞれ個々の７第１・ダイオ
ードの受光面で受光することを可能にした半導体レーザ
アレイ装置に関するものである。
の各モニタ用レーザ光をそれぞれ個々の７第１・ダイオ
ードの受光面で受光することを可能にした半導体レーザ
アレイ装置に関するものである。
第２図は従来の２点発光型の半導体し・−ザアＬ・イ装
置の構造を示す斜視図である。
置の構造を示す斜視図である。
この図において、１は半導体Ｌ・−ザアレイを構成する
だめの半導体レーザチップ、２，３は前記半導体レーザ
チップ１内に形成された導波路、４゜５は前記導波路２
，３上にそれぞれ形成された電極、６は１１］記導波路
２，３のｐｎ接合を電気的に分離ずろためのアレイ分離
溝、７は前記半導体し７−ザチツプ１を取り付けた金属
放熱ブロック、８は前記導波路２，３の出射端面より下
方に放出された裏面光、すなわらモニタ用レーザ光を受
光するためのフォトダイオードチップ、９は前記７ｒト
ダイオードチップ８上に形成されている受光面、１０は
前記金属放熱ブロック７と前記フｔ）・タイオー トチ
ツブ８を斉：且み立てろためのステムである。。
だめの半導体レーザチップ、２，３は前記半導体レーザ
チップ１内に形成された導波路、４゜５は前記導波路２
，３上にそれぞれ形成された電極、６は１１］記導波路
２，３のｐｎ接合を電気的に分離ずろためのアレイ分離
溝、７は前記半導体し７−ザチツプ１を取り付けた金属
放熱ブロック、８は前記導波路２，３の出射端面より下
方に放出された裏面光、すなわらモニタ用レーザ光を受
光するためのフォトダイオードチップ、９は前記７ｒト
ダイオードチップ８上に形成されている受光面、１０は
前記金属放熱ブロック７と前記フｔ）・タイオー トチ
ツブ８を斉：且み立てろためのステムである。。
なお、この図では、簡略化のため半導体レーザデツプ１
の一方の電極２７オ１−ダイオードチップ８の電極、半
導体レーザチップ１およびフォトダイオードチップ８の
ｐ−ｎ接合、リード線、半田材等が省略されている。
の一方の電極２７オ１−ダイオードチップ８の電極、半
導体レーザチップ１およびフォトダイオードチップ８の
ｐ−ｎ接合、リード線、半田材等が省略されている。
次に動作について説明する、１
電極４，５を通して半導体レーザチップ１に電流を流す
ことにより導波路２，３のそれぞれについてレーザ発振
する。Ｊこのし・−ザ光（よ、電極４゜５を流れろ電流
をそれぞれ制御することにより別々に制御され、２点発
光型のレー・プアレイ装置としてず走用できる。
ことにより導波路２，３のそれぞれについてレーザ発振
する。Ｊこのし・−ザ光（よ、電極４゜５を流れろ電流
をそれぞれ制御することにより別々に制御され、２点発
光型のレー・プアレイ装置としてず走用できる。
通常、レーザ光は第２図で示した半導体レーザ千ツブ１
の上側の共振器端面より上方に取り出されて主ビームと
して使用され、一方、その下側の共振器端面より下方に
放出されたレーザ光は、その出力を制御するためのモニ
タ光として（走用され、７第１・ダイオードチップ８の
受光面９で受光される。
の上側の共振器端面より上方に取り出されて主ビームと
して使用され、一方、その下側の共振器端面より下方に
放出されたレーザ光は、その出力を制御するためのモニ
タ光として（走用され、７第１・ダイオードチップ８の
受光面９で受光される。
上記のような従来の半導体レーザアレイ装置では、両方
の導波路２，３の出射端面より放出されたモニタ用レー
ザ光が１つのフォトダイオードチップ８の受光面９で受
光されるため、２つのモニタ用レーザ光を別々に制御す
ることができないという間：ａ点があっｌこ。
の導波路２，３の出射端面より放出されたモニタ用レー
ザ光が１つのフォトダイオードチップ８の受光面９で受
光されるため、２つのモニタ用レーザ光を別々に制御す
ることができないという間：ａ点があっｌこ。
乙の発明は、かかる問題点をＲ’４決するためになされ
たもので、半導体レーザチ・ツブの各レーザ光をそれぞ
れ別々のモニタ光で制御できる半導体し・−サアレイ装
置を得ることを口約とする。
たもので、半導体レーザチ・ツブの各レーザ光をそれぞ
れ別々のモニタ光で制御できる半導体し・−サアレイ装
置を得ることを口約とする。
この発明に係る半導体レーザアレイ装置は、フォトダイ
オードの受光面を、各モニタ用Ｌ・−ザ光をそれぞれＩ
ｓＩ々に受光する構成とするとともに、少なくともその
１つを段違いに配置し、これに対応する半導体レーザ千
ツブの出射端面を、同様に段違いに形成したものである
。
オードの受光面を、各モニタ用Ｌ・−ザ光をそれぞれＩ
ｓＩ々に受光する構成とするとともに、少なくともその
１つを段違いに配置し、これに対応する半導体レーザ千
ツブの出射端面を、同様に段違いに形成したものである
。
この発明においては、半導体レーザチップの段遅いに形
成された出射端面より放出される各モニタ用レーザ光が
、その出射端面と段違いの受光面に（よ受光されずに同
一段の受光面でそれぞれ受光される。
成された出射端面より放出される各モニタ用レーザ光が
、その出射端面と段違いの受光面に（よ受光されずに同
一段の受光面でそれぞれ受光される。
第１図はこの発明の半導体し・−ザアレイ装置の一実施
例の構造を示す斜視図である。
例の構造を示す斜視図である。
この図において、第２図と同一符号は同一部分を示し、
１ｕは半導体レーザアレイを構成するための半導体レー
ザチップで、４波Ｎ２．３（７）モニタ用レーザ光が出
射される出射端面が段違いに形成されている。１１は前
記電極４，５に対する他方の電極で、電極４，５のよう
に分離されておらず、両導波路２．３が構成されている
半導体レーザチップ１に対して共通電極となっている。
１ｕは半導体レーザアレイを構成するための半導体レー
ザチップで、４波Ｎ２．３（７）モニタ用レーザ光が出
射される出射端面が段違いに形成されている。１１は前
記電極４，５に対する他方の電極で、電極４，５のよう
に分離されておらず、両導波路２．３が構成されている
半導体レーザチップ１に対して共通電極となっている。
１２ａ。
１２ｂはフォトダイオ−トチ・７ブ、１３ａ、１３ｂは
受光面で、７第１・ダイオードチップ１２ａ。
受光面で、７第１・ダイオードチップ１２ａ。
１２ｂの表面に形成されている。１４は前記フォ１−ダ
イオードチップ１２ａ、１２ｂを段違いに配置して組み
立てるための台座である。
イオードチップ１２ａ、１２ｂを段違いに配置して組み
立てるための台座である。
次に動作について説明する。
それぞれ別々に形成された導波路２，３を含むｐ −−
ｎ接合には、各電極４，５．１１を通じて電流が流され
ると、導波路２，３のそれぞれについて、第１図で示し
た半導体レーザチップ１ａの左側の共振器５．′４１１
ｆｉｉと右側の共振器端面との間でレーザ発振する。そ
して、右側の共振器端面は、段違いに形成されて段差が
付けられているので、右側の出射端面の位置は前後にず
れており、共振器の長さが導波路２よりも導波路３が形
成されている部分で長くなっているシ 主レーザビームは導波路２，３の左側の出射、、Ｉｌｌ
向より放出されて１史用される。一方、導波路２゜３の
右側の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光のうち
、導波路２の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光
はフォトダイオードデツプ１２ａの受光面１３ａで、ま
た、導波路３の出射端面から放出されたモニタ用レーザ
光はフォトダイオードチップ１２ｂの受光面１３ｂでと
、それぞれ分離して受光されろ。この時、右側の出射Ｄ
Ｊ面には段差が付けられているため、導波路２からのモ
ニタ用レーザ光はその出射端面と同一段の受光面１３ａ
でのみ有効に受光され、もう一方の７第１・ダイオード
１２ｂの段違いの受光面１３ｂにはほとんど入射しない
。
ｎ接合には、各電極４，５．１１を通じて電流が流され
ると、導波路２，３のそれぞれについて、第１図で示し
た半導体レーザチップ１ａの左側の共振器５．′４１１
ｆｉｉと右側の共振器端面との間でレーザ発振する。そ
して、右側の共振器端面は、段違いに形成されて段差が
付けられているので、右側の出射端面の位置は前後にず
れており、共振器の長さが導波路２よりも導波路３が形
成されている部分で長くなっているシ 主レーザビームは導波路２，３の左側の出射、、Ｉｌｌ
向より放出されて１史用される。一方、導波路２゜３の
右側の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光のうち
、導波路２の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光
はフォトダイオードデツプ１２ａの受光面１３ａで、ま
た、導波路３の出射端面から放出されたモニタ用レーザ
光はフォトダイオードチップ１２ｂの受光面１３ｂでと
、それぞれ分離して受光されろ。この時、右側の出射Ｄ
Ｊ面には段差が付けられているため、導波路２からのモ
ニタ用レーザ光はその出射端面と同一段の受光面１３ａ
でのみ有効に受光され、もう一方の７第１・ダイオード
１２ｂの段違いの受光面１３ｂにはほとんど入射しない
。
また、同様に導波路３からのモニタ用レーザ光も、その
出射端面と段違いの受光面１３ａにほぼと７しど入射し
ない。
出射端面と段違いの受光面１３ａにほぼと７しど入射し
ない。
したがって、導波路２，３からのモニタ用Ｌ・−ザ光は
、互いに膨管を受ける独立したフォトダイオードデツプ
１２ａ、１２ｂの受光面１３ａ。
、互いに膨管を受ける独立したフォトダイオードデツプ
１２ａ、１２ｂの受光面１３ａ。
１３ｂによってそれぞれ受光されて光電流に変換される
ため、これらのフォトダイオ−）：チップ１２０．１２
ｂの出力を制御用に使えばこの２つの半導体レーザアＬ
−、（の光出力を別々に制御することができる、。
ため、これらのフォトダイオ−）：チップ１２０．１２
ｂの出力を制御用に使えばこの２つの半導体レーザアＬ
−、（の光出力を別々に制御することができる、。
なお、上記実施例では２点発光型の半導体レーザアレイ
装置を用いた構成の場合について説明したが、この発明
はこれより多い、例えば３点発光型、４点発光型等の多
点発光型の半導体レーザアレイ装置についても同様に適
用できる。
装置を用いた構成の場合について説明したが、この発明
はこれより多い、例えば３点発光型、４点発光型等の多
点発光型の半導体レーザアレイ装置についても同様に適
用できる。
また、上記実施例では段違いに形成された台座に−）第
１・タイオードを別々に配置した構成としたが、同−千
・ソイ上に段違いの受光面を有する７、ｌ−トタイオー
ドアし・イを設けた構成としてもよい。
１・タイオードを別々に配置した構成としたが、同−千
・ソイ上に段違いの受光面を有する７、ｌ−トタイオー
ドアし・イを設けた構成としてもよい。
この発明は以上説明したとおり、フォトダイオ−１：の
受光面を、各モニタ用レーザ光をそれぞれｉ、＋Ｊ々に
受光する構成とするとともに、少な（ともその１つを段
違いに配置し、これに対応する半導体Ｌ・−ザチ・・ノ
ブの出射端面を、同様に段違いに形成したので、各モニ
タ用レーザ光を互いに干ルさせろ乙となく個別に受光で
き、その出力によって各レーザ光を独立して制御するこ
とができるという効果がある。
受光面を、各モニタ用レーザ光をそれぞれｉ、＋Ｊ々に
受光する構成とするとともに、少な（ともその１つを段
違いに配置し、これに対応する半導体Ｌ・−ザチ・・ノ
ブの出射端面を、同様に段違いに形成したので、各モニ
タ用レーザ光を互いに干ルさせろ乙となく個別に受光で
き、その出力によって各レーザ光を独立して制御するこ
とができるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザアシ・イ装置の一実施
例を示す斜視図、第２図は従来の半導体レーザアレイ装
置の構造を示す斜視図である。 図において、１ａは半導体レーザチップ、２゜３ば導波
路、ｄ、５，１１は電極、６ばアレイ分離溝、１２ａ、
１２ｂは）第１・ダイオードチップ、１３ａ、１３ｂは
受光面、１４は台座である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 １１１’ａ ５１３′ａ１’２ａ 第２図
例を示す斜視図、第２図は従来の半導体レーザアレイ装
置の構造を示す斜視図である。 図において、１ａは半導体レーザチップ、２゜３ば導波
路、ｄ、５，１１は電極、６ばアレイ分離溝、１２ａ、
１２ｂは）第１・ダイオードチップ、１３ａ、１３ｂは
受光面、１４は台座である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 １１１’ａ ５１３′ａ１’２ａ 第２図
Claims (1)
- 複数の導波路を有し、これらの各導波路がアレイ分離溝
により電気的に分離された半導体レーザアレイを構成す
る半導体レーザチップと、この半導体レーザチップの各
導波路の一方の出射端面に近接して配置され、前記出射
端面より放出されるモニタ用レーザ光をその受光面で受
光するフォトダイオードとを備えた半導体レーザアレイ
装置において、前記フォトダイオードの受光面を、各モ
ニタ用レーザ光をそれぞれ個々に受光する構成とすると
ともに、少なくともその１つを段違いに配置し、これに
対応する前記半導体レーザチップの出射端面を、同様に
段違いに形成したことを特徴とする半導体レーザアレイ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8315587A JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8315587A JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248191A true JPS63248191A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13794353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8315587A Pending JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63248191A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088436A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil de controle de longueur d'onde |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP8315587A patent/JPS63248191A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003088436A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil de controle de longueur d'onde |
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