JPS63244893A - Semiconductor laser array device - Google Patents
Semiconductor laser array deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザアレイ装置に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor laser array device.
第２図は従来の２点半導体レーザアレイ装置の斜視図で
ある。FIG. 2 is a perspective view of a conventional two-point semiconductor laser array device.
第２図において、１は半導体レーザチップ、２゜３は半
導体レーザチップ１に形成された導波路、４．５は導波
路２，３にそれぞれ形成された電極、６は導波路２，３
のｒ −ｎ接合を電気的に分離させるために半導体レー
ザチップ１に形成したアレイ分ＰＩ溝、７は半導体レー
ザチップ１を固定した金属製の放熱ブロック、８は導波
１１＠２．３から放出された裏面光を受光するためのフ
ォトダイオード、９はフォトダイオード８のチップに形
成した受光面、１０は上記放熱ブロック７とフォトダイ
オード８を組付けるためのシステムである。In FIG. 2, 1 is a semiconductor laser chip, 2.3 is a waveguide formed on the semiconductor laser chip 1, 4.5 is an electrode formed on each of the waveguides 2 and 3, and 6 is a waveguide 2 and 3.
8 is a metal heat dissipation block to which the semiconductor laser chip 1 is fixed, 8 is a waveguide 11@2. A photodiode is used to receive the emitted backside light, 9 is a light receiving surface formed on the chip of the photodiode 8, and 10 is a system for assembling the heat dissipation block 7 and the photodiode 8.
なお、第２図では、半導体レーザチップ１の−方の電極
、フォトダイオード８のチップに設けた電極、および上
記チップ１および上記ダイオード８のｒ −ｎ接合、リ
ード線２半田材などは省略してある。In FIG. 2, the - side electrode of the semiconductor laser chip 1, the electrode provided on the chip of the photodiode 8, the r-n junction between the chip 1 and the diode 8, the solder material of the lead wire 2, etc. are omitted. There is.
次に、この半導体レーザアレイ装置の動作について説明
する。Next, the operation of this semiconductor laser array device will be explained.
電極４，５を通じて、半導体レーザに電流を流すことに
より、半導体レーザチップ１は導波路２゜３でレーザ発
振する。導波路２，３のレーザ光は電極４，５を流れる
電流をそれぞれ制御することにより、別々に制御され、
２点ビームレーザとして測用される。レーザ光は、第２
図の上方から取出されて使用され、下方に放出された光
出力はフォトダイオード８の受光面９で受光され、レー
ザ光の出力を制御するためのモニタ光として使用される
。By passing a current through the semiconductor laser through the electrodes 4 and 5, the semiconductor laser chip 1 oscillates in the waveguide 2°3. The laser beams in the waveguides 2 and 3 are controlled separately by controlling the current flowing through the electrodes 4 and 5, respectively.
It is used as a two-point beam laser. The laser beam
The light output is taken out from the top of the figure and used, and the light output emitted downward is received by the light receiving surface 9 of the photodiode 8 and used as monitor light for controlling the output of the laser light.
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体レーザアレイ装置は、以上のように構成さ
れ、２つの導波路２，３から出たレーザ光が１つのフォ
トダイオード８に受光されるので、２つの導波′Ｒ５２
，３から出たレーザ光を別々に制御することができず、
また半導体レーザとフォトダイオードの位置合わせが必
要であるという問題点があった。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional semiconductor laser array device is configured as described above, and the laser beams emitted from the two waveguides 2 and 3 are received by one photodiode 8. waveguide 'R52
, 3 cannot be controlled separately,
Another problem is that the semiconductor laser and photodiode must be aligned.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、簡単な構成によってレーザ光が独立して制御
できて、有効にモニタ光を利用でき、また半導体レーザ
とフォトダイオードの位置合わせをする必要がない半導
体レーザアレイ装置を１得ることを目的としている。This invention was made to solve the above-mentioned problems. Laser light can be controlled independently with a simple configuration, monitoring light can be used effectively, and alignment of semiconductor laser and photodiode can be easily controlled. The purpose of this invention is to obtain a semiconductor laser array device that does not require any additional steps.
この発明に係る半導体レーザアレイ装置は、半導体レー
ザチップのｒ −ｎ接合および導波路の一部を分離溝に
よって分離させ、分離溝の一側方に半導体レーザの共振
器を形成し、分離溝の他側方上記ｒ −ｎ接合を含む半
導体レーザの光出力受光用のフォトダイオードを構成し
たものである。In the semiconductor laser array device according to the present invention, the r-n junction of the semiconductor laser chip and a part of the waveguide are separated by a separation groove, a resonator of the semiconductor laser is formed on one side of the separation groove, and a resonator of the semiconductor laser is formed on one side of the separation groove. On the other side, a photodiode for receiving the optical output of a semiconductor laser including the r-n junction is constructed.
この発明における半導体レーザアレイ装置では、半導体
レーザチップに分離溝を形成したことにより、半導体レ
ーザの共振器を形成するｒ −ｎ接合の一部をそのまま
フォトダイオードのｒ −ｎ接合として使用でき、モニ
タ光の受光が上記フォトダイオードでできる。In the semiconductor laser array device of the present invention, by forming the separation groove in the semiconductor laser chip, a part of the r-n junction forming the resonator of the semiconductor laser can be used as it is as the r-n junction of the photodiode. Light can be received by the photodiode.
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
第１図において、１は半導体レーザアレイを形成する半
導体レーザチップ、２，３は半導体レーザチップ１中に
形成されたｒ −ｎ接合を含む導波路、４，５は導波路
２，３から形成される２つの半導体レーザにそれぞれ形
成された電極、６は導波路２，３のｒ −ｎ接合を電気
的に分離させて独立させるためのアレイ分離溝、１１．
１２は半導体チップ１の一部に互いに独立させてｒ −
ｎ接合よりも深く層られた分離溝である。なお、τれら
の分離溝１１，１２は化学エツチングまたはりアクティ
ブエツチングによって形成される。１３゜１４はフォト
ダイオード電極として用いる電極である。なお、半導体
レーザを形成する導波路およびｒ −ｎ接合は液相エピ
タキシャル法または気相エピタキシャル法などで形成す
る。また、分ｍ溝１１．１２の半導体レーザ側の壁面は
半導体レーザの共振器端面として形成され、これらと反
対側の壁面のｒ −ｎ接合１５，１６は受光面として形
成される。１７は半導体レーザチップ１に形成された裏
面電極である。In FIG. 1, 1 is a semiconductor laser chip forming a semiconductor laser array, 2 and 3 are waveguides including an r-n junction formed in the semiconductor laser chip 1, and 4 and 5 are formed from waveguides 2 and 3. electrodes formed on each of the two semiconductor lasers; 6 is an array separation groove for electrically separating the r-n junctions of the waveguides 2 and 3 to make them independent; 11.
12 is a part of the semiconductor chip 1 that is independently connected to r −
This is a separation groove layered deeper than the n-junction. Note that the separation grooves 11 and 12 are formed by chemical etching or active etching. 13° and 14 are electrodes used as photodiode electrodes. Note that the waveguide and r-n junction forming the semiconductor laser are formed by a liquid phase epitaxial method, a vapor phase epitaxial method, or the like. Further, the wall surface of the m-m groove 11, 12 on the semiconductor laser side is formed as a resonator end face of the semiconductor laser, and the r-n junctions 15, 16 on the opposite wall surface are formed as light receiving surfaces. 17 is a back electrode formed on the semiconductor laser chip 1.
次に、この実施例の動作について説明する。半導体レー
ザチップ１にそれぞれ形成された導波路２．３を含むｒ
−ｎ接合に電極４，５を通じて電流が流されると、導
波路２，３で分離溝１１，１２の第１図上端の共振器端
面と半導体チップ１の第１図上端の共振器端面の間でレ
ーザ発振する。Next, the operation of this embodiment will be explained. r including waveguides 2 and 3 formed in the semiconductor laser chip 1, respectively.
When a current is passed through the -n junction through the electrodes 4 and 5, the waveguides 2 and 3 are connected between the resonator end surfaces of the separation grooves 11 and 12 at the upper end in FIG. 1 and the resonator end surface at the upper end of the semiconductor chip 1 in FIG. Laser oscillates.
主レーザビームは、第１図の上端から放出され、レーザ
光として使用される。また、分離溝１１゜１２の上端の
壁面から下方向に放出された裏面光は、分離溝１１，１
２中に放出され、ｒ −ｎ接合１５．１６で受光される
。電極１５，１６と裏面ｆＨ極１７の間にｒ −ｎ接合
１５，１６に逆バイアスがかかるようにバイアスをかけ
ておくと、分離溝１１．１２より下側方の部分がフォト
ダイオードとして働き、レーザ光に比例したモニタ電流
を取出すことができ、モニタ用フォトダイオードとして
動作させることができる。The main laser beam is emitted from the upper end of FIG. 1 and is used as a laser beam. In addition, the backside light emitted downward from the wall surface of the upper end of the separation grooves 11 and 12
2 and is received at the r-n junction 15.16. If a bias is applied so that a reverse bias is applied to the r-n junctions 15 and 16 between the electrodes 15 and 16 and the back fH pole 17, the portion below the separation grooves 11 and 12 acts as a photodiode, and A monitor current proportional to the laser beam can be extracted, and it can be operated as a monitor photodiode.
そして、この発明では、それぞれの半導体レーザごとに
モニタ用フォトダイオードを独立させて別個に使用する
ことができるので、半導体レーザアレイのそれぞれのレ
ーザ光を独立して制御する。Further, in the present invention, since the monitoring photodiode can be used independently for each semiconductor laser, each laser beam of the semiconductor laser array can be controlled independently.
なお、上記実施例では、２点レーザアレイの場合につい
て説明したが、この発明は１点まとめ或いは３つ以上の
多点レーザアレイ装置であってもよい。また、この発明
において、半導体レーザ側とフォトダイオード側を分離
する分離溝１１，１２の第１図上下壁面は必ずしも水平
でなくてもよく、分離溝１１，１２の下壁面を斜めにす
ることにより、レーザ光が下壁面で反射し、分離溝１１
゜１２上壁面の半導体レーザ共振器に戻り、外乱になる
のを防ぐことができる。更に、上記実施例では分離溝１
１．１２が空洞の場合について説明したが、この発明で
は、分離溝１１，１２内にエポキシ、シリコンなどの高
屈折率の透明樹脂やガラスを充填することにより、フォ
トダイオードのモニタ出力を効率よく取出すことができ
る。In the above embodiment, the case of a two-point laser array was explained, but the present invention may be applied to a one-point laser array device or a multi-point laser array device including three or more points. In addition, in the present invention, the upper and lower wall surfaces of the separation grooves 11 and 12 in FIG. 1 that separate the semiconductor laser side and the photodiode side do not necessarily have to be horizontal; , the laser beam is reflected on the lower wall surface, and the separation groove 11
It is possible to prevent disturbance by returning to the semiconductor laser resonator on the upper wall surface of ゜12. Furthermore, in the above embodiment, the separation groove 1
Although the case where 1.12 is a cavity has been described, in this invention, the monitoring output of the photodiode can be efficiently monitored by filling the separation grooves 11 and 12 with glass or a transparent resin with a high refractive index such as epoxy or silicon. It can be taken out.
以上説明したように、この発明によれば、半導体レーザ
チップに形成してあるｒ −ｎ接合および導波路の一部
を分離溝によって分離させ、分離溝の一側方に半導体レ
ーザの共振器を形成し、上記分離溝の他側方に上記ｒ
−ｎ接合を含む半導体レーザの光出力受光用のフォトダ
イオードを形成したので、フォトダイオードを半導体レ
ーザに合わせた数だけ容易に形成することができて、複
数の場合については簡単な構成でそれぞれレーザ光を独
立して制御することができ、有効にモニタ光を利用でき
、また、半導体レーザとフォトダイオードが一体化して
構成されていることにより、これらの位置合わせをする
必要がないという効果がある。As explained above, according to the present invention, the r-n junction and part of the waveguide formed in the semiconductor laser chip are separated by the separation groove, and the resonator of the semiconductor laser is placed on one side of the separation groove. The r is formed on the other side of the separation groove.
Since a photodiode for receiving the optical output of a semiconductor laser including a -n junction is formed, it is possible to easily form as many photodiodes as the number of semiconductor lasers, and in the case of multiple lasers, each can be connected to a laser with a simple configuration. The light can be controlled independently, the monitor light can be used effectively, and since the semiconductor laser and photodiode are integrated, there is no need to align them. .
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザアレイ
装置を示す斜視図、第２図は従来の半導体レーザアレイ
装置を示す斜視図である。
１・・半導体レーザチップ、２，３・・・ｒ −ｎ接合
を含む導波路、４，５・・・電極１，６・・・アレイ分
離溝、１１．１２・・・分離溝、１３，１４・電極、１
５゜１６ ・ｒ −ｎ接合、１７・・裏面電極。
なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 大暑 増雄（外２名）
第１図
１・・・半導体レーザチップ ２，３・・・ｐ−ｎ接
合を含む導波路４、訃・・電極 ６・・・アレイ分離
溝 １１．１２・・・分離溝１３．１４・・・電極
１５． １６−ｐ−ｎ接合１７・・・裏面電極
手続補正書（自発）
昭和 年 月 日FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor laser array device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser array device. 1... Semiconductor laser chip, 2, 3... Waveguide including r-n junction, 4, 5... Electrodes 1, 6... Array separation groove, 11. 12... Separation groove, 13, 14・Electrode, 1
5゜16・r-n junction, 17・・back electrode. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Agent: Masuo Ohatsu (2 others) Fig. 1 1... Semiconductor laser chip 2, 3... Waveguide 4 including p-n junction, End... Electrode 6... Array separation groove 11.12. ... Separation groove 13.14 ... Electrode
15. 16-p-n junction 17... Back side electrode procedure amendment (voluntary) Showa year, month, day
Claims (4)
てある半導体レーザチップを有し、このチップの上記ｒ
−ｎ接合および導波路の一部を分離溝によって分離させ
、分離溝の一側方に半導体レーザの共振器を形成し、上
記分離溝の他側方に上記ｒ−ｎ接合を含む半導体レーザ
の光出力受光用のフォトダイオードを構成したことを特
徴とする半導体レーザアレイ装置。(1) It has a semiconductor laser chip in which at least one waveguide including an r-n junction is formed, and the r
- The n-junction and part of the waveguide are separated by a separation groove, a semiconductor laser resonator is formed on one side of the separation groove, and a semiconductor laser resonator including the r-n junction is formed on the other side of the separation groove. A semiconductor laser array device comprising a photodiode for receiving optical output.
離溝を個々に分離させて形成した特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザアレイ装置。(2) The semiconductor laser array device according to claim 1, wherein the semiconductor laser chip is formed by separating isolation grooves for each semiconductor laser.
した特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体レ
ーザアレイ装置。(3) The semiconductor laser array device according to claim 1 or 2, wherein the separation trench has an oblique wall on the photodiode side.
樹脂を充填した特許請求の範囲第１項、第２項または第
３項記載の半導体レーザアレイ装置。(4) The semiconductor laser array device according to claim 1, 2, or 3, wherein the separation groove is filled with a transparent resin such as epoxy or silicon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7990587A JPS63244893A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7990587A JPS63244893A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Semiconductor laser array device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244893A true JPS63244893A (en) | 1988-10-12 |
Family
ID=13703299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7990587A Pending JPS63244893A (en) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | Semiconductor laser array device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244893A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730197A (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7990587A patent/JPS63244893A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0730197A (en) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
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