JPS63244611A - 半導体ウエ−ハにおけるノツチ部の面取り方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハにおけるノツチ部の面取り方法Info
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- JPS63244611A JPS63244611A JP62078766A JP7876687A JPS63244611A JP S63244611 A JPS63244611 A JP S63244611A JP 62078766 A JP62078766 A JP 62078766A JP 7876687 A JP7876687 A JP 7876687A JP S63244611 A JPS63244611 A JP S63244611A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェーハの外周縁に切欠形成されたノツ
チ部の面取り方法に関する。
チ部の面取り方法に関する。
（従来の技術）
半導体素子の材料であるシリコン、 ＧＧＧ 、リヂウ
ムタンタレートなとのウェーハは非常に堅くて脆い上に
単結晶のため、特定の結晶軸方向には極度に割れ易いも
のである。しかもウェーハ製造工程及びデバイス製造工
程は、現在自動化が進んでおり、ウェーハは何回も何回
も搬送される。このため、ウェーハの側面に面取り加工
を施さないと、カケ、チップが発生し、カケだシリコン
粉は、ゴミやホコリと同様にデバイスの特性劣化や収率
低下の原因となる。
ムタンタレートなとのウェーハは非常に堅くて脆い上に
単結晶のため、特定の結晶軸方向には極度に割れ易いも
のである。しかもウェーハ製造工程及びデバイス製造工
程は、現在自動化が進んでおり、ウェーハは何回も何回
も搬送される。このため、ウェーハの側面に面取り加工
を施さないと、カケ、チップが発生し、カケだシリコン
粉は、ゴミやホコリと同様にデバイスの特性劣化や収率
低下の原因となる。
そのため、従来はウェーへの外周面を面取りしているが
、ウェーハの外周面には面取り加工後における種々の作
業時において、ウェーハの表・裏面判別及び位置決めな
どのために約９０°の角度で平面路■字形に切欠いたノ
ツチが形成されているが、そのノツチ部は全く面取りさ
れずに、俵の加工に搬送供給されているのが実状である
従って、デバイス工程等で位置決めのビンにウェーハの
ノツチ部を当接させた時、カケを発生するなどの問題を
有する。
、ウェーハの外周面には面取り加工後における種々の作
業時において、ウェーハの表・裏面判別及び位置決めな
どのために約９０°の角度で平面路■字形に切欠いたノ
ツチが形成されているが、そのノツチ部は全く面取りさ
れずに、俵の加工に搬送供給されているのが実状である
従って、デバイス工程等で位置決めのビンにウェーハの
ノツチ部を当接させた時、カケを発生するなどの問題を
有する。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上述した如き従来の事情に鑑み、外周縁の面取
りと同じ角度でノツチ部を面取りする加１方法を提供す
ることにある。
りと同じ角度でノツチ部を面取りする加１方法を提供す
ることにある。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するために本発明が講じた技術的手段
は、チャック治具で挟持したウェーハにおけるノツチ部
の中心線上に、先端形状が山形をなした砥石の砥石厚の
中心線を一致させ、且つ砥石の回転中心をウェーハの水
平面に対し上方又は下方に位置させて回転し、ノツチ部
に当接してノツチ部の周縁を一度に所定角度に面取りす
ることを特徴とする。
は、チャック治具で挟持したウェーハにおけるノツチ部
の中心線上に、先端形状が山形をなした砥石の砥石厚の
中心線を一致させ、且つ砥石の回転中心をウェーハの水
平面に対し上方又は下方に位置させて回転し、ノツチ部
に当接してノツチ部の周縁を一度に所定角度に面取りす
ることを特徴とする。
上記砥石における先端山形の角度はノツチ部の面取り角
度によって決定され、その山角度が決定すればウェーハ
に対する砥石の回転中心位置が決定される。
度によって決定され、その山角度が決定すればウェーハ
に対する砥石の回転中心位置が決定される。
（作用）
上記手段によれば、砥石の先端形状が山形をなしている
ため、その砥石の回転中心をウェーハの上・下面に対し
て上方、又は下方に位置させ、砥石先端をウェーハのノ
ツチ部に当接させると、ノツチ部の上縁又は下縁が磁石
先端に均一に接触して、一度に面取り加工される。
ため、その砥石の回転中心をウェーハの上・下面に対し
て上方、又は下方に位置させ、砥石先端をウェーハのノ
ツチ部に当接させると、ノツチ部の上縁又は下縁が磁石
先端に均一に接触して、一度に面取り加工される。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。尚、
以下の説明は面取り角度を４５°とした場合について行
なう。
以下の説明は面取り角度を４５°とした場合について行
なう。
１は半導体シリコンウェーハで上下のチャック治具２，
２′で挟持され、その状態で上下動自在とされており、
そのウェーハにおけるノツチ部３の中心線上外方には砥
石４がウェーハ１に対して接離する如（配置されている
。
２′で挟持され、その状態で上下動自在とされており、
そのウェーハにおけるノツチ部３の中心線上外方には砥
石４がウェーハ１に対して接離する如（配置されている
。
砥石４はモータの作動等によって回転する回転体４ａの
外周面にダイヤモンドの焼結体４ｂを固着した今日一般
的に使用されているダイヤモンド砥石で、その先端形状
は略山形に形成されている。山形の角度はノツチ部３の
面取り角度によって決定され、例えばノツチ部３の面取
り角度を４５°とした場合、砥石４における先端山形の
角度は約１１２′となり、そうした砥石４をその回転中
心がノツチ部３の面取り面（表面又は裏面）に対し上方
又は下方に位置させる。
外周面にダイヤモンドの焼結体４ｂを固着した今日一般
的に使用されているダイヤモンド砥石で、その先端形状
は略山形に形成されている。山形の角度はノツチ部３の
面取り角度によって決定され、例えばノツチ部３の面取
り角度を４５°とした場合、砥石４における先端山形の
角度は約１１２′となり、そうした砥石４をその回転中
心がノツチ部３の面取り面（表面又は裏面）に対し上方
又は下方に位置させる。
即ち、ノツチ部３の表面縁を面取りする時は砥石４の回
転中心を表面に対し４５°の仰角線上に位置させ、ノツ
チ部３の裏面縁を面取りする時は砥石４の回転中心が上
縁面取りの場合と対称の位置となるようにする。又、上
記のチャック治具の２゜２′で挾持したウェーハ１と、
砥石４との位［調整は砥石４のに上下動を止めウェーハ
１を保持したチャック治具２．２′を上下させて行なう
が、或いはその逆の形態とするも勿論自由であり、ウェ
ーハ１のノツチ部３に対して接触する段階で上述の位Ｗ
ｉｌｌ係にあればよいものである。
転中心を表面に対し４５°の仰角線上に位置させ、ノツ
チ部３の裏面縁を面取りする時は砥石４の回転中心が上
縁面取りの場合と対称の位置となるようにする。又、上
記のチャック治具の２゜２′で挾持したウェーハ１と、
砥石４との位［調整は砥石４のに上下動を止めウェーハ
１を保持したチャック治具２．２′を上下させて行なう
が、或いはその逆の形態とするも勿論自由であり、ウェ
ーハ１のノツチ部３に対して接触する段階で上述の位Ｗ
ｉｌｌ係にあればよいものである。
更に、砥石４はウェーハ１に対し所定の位Ｉｌｌ係を保
持したまま前後摺動してウェーハ１のノツチ部３に接離
するようにする。
持したまま前後摺動してウェーハ１のノツチ部３に接離
するようにする。
以上の構成により、ウェーハ１と砥石４とを所定の位１
［１ｎ係に保持し、砥石４を摺動させてウェーハ１のノ
ツチ部３の上側周縁又は下側周縁に先端の山形を均一に
接触させ、砥石４を回転させることによりノツチ部３の
上側周縁及び下側周縁を一度に均一の角度に面取りする
ことが出来る。
［１ｎ係に保持し、砥石４を摺動させてウェーハ１のノ
ツチ部３の上側周縁又は下側周縁に先端の山形を均一に
接触させ、砥石４を回転させることによりノツチ部３の
上側周縁及び下側周縁を一度に均一の角度に面取りする
ことが出来る。
（発明の効果）
本発明の加工方法は、以上詳述した如くチャック治具で
挟持したウェーハにおけるノツチ部の中心線上に、先端
形状が山形をなした砥石の砥石厚の中心線を一致させ、
且つ砥石の回転中心をつ工−ハの水平面に対し上方又は
下方に位置させて回転し、ノツチ部に当接させるように
したものであるから、砥石をノツチ部に当接することに
より、ノツチ部の周縁全域は砥石表面に対して一度に接
触して、周縁全域が所定の角度に一度に面取り加工され
る。
挟持したウェーハにおけるノツチ部の中心線上に、先端
形状が山形をなした砥石の砥石厚の中心線を一致させ、
且つ砥石の回転中心をつ工−ハの水平面に対し上方又は
下方に位置させて回転し、ノツチ部に当接させるように
したものであるから、砥石をノツチ部に当接することに
より、ノツチ部の周縁全域は砥石表面に対して一度に接
触して、周縁全域が所定の角度に一度に面取り加工され
る。
又、ウェーハに対し砥石の回転中心を相対的に上方又は
下方に位置させることによってノツチ部の上側周縁、及
び下側周縁を面取り加工することが出来る。
下方に位置させることによってノツチ部の上側周縁、及
び下側周縁を面取り加工することが出来る。
更に、ウェーハの表面（上側）又は裏面（下側）と、砥
石の回転中心との角度及び砥石の先端山形の角度を変え
ることによってノツチ部の面取り角度を自由に変えるこ
とが出来る。
石の回転中心との角度及び砥石の先端山形の角度を変え
ることによってノツチ部の面取り角度を自由に変えるこ
とが出来る。
依って、従来面取り加工を施こし得なかつたシリコン、
ＧＧＧ 、リチウムタンタレートなどのウェーハのノ
ツチ部を簡単に面取り加工し得る方法を提供できる。
ＧＧＧ 、リチウムタンタレートなどのウェーハのノ
ツチ部を簡単に面取り加工し得る方法を提供できる。
図面は本発明方法を示す説明図で、第１図はノツチ部の
上側周縁を加工する状態の一部切欠正面図、第２図は同
平面図、第３図はノツチ部の下側周縁を加工する状態の
一部切欠正面図である。 図中、 １：ウェーハ ２．２’ ：チャック治具３：ノ
ッチ部 ４：砥石 特許出願人 信越エンジニアリング株式会社
上側周縁を加工する状態の一部切欠正面図、第２図は同
平面図、第３図はノツチ部の下側周縁を加工する状態の
一部切欠正面図である。 図中、 １：ウェーハ ２．２’ ：チャック治具３：ノ
ッチ部 ４：砥石 特許出願人 信越エンジニアリング株式会社
Claims (1)
- チャック治具で挟持したウェーハにおけるノッチ部の中
心線上に、先端形状が山形をなした砥石の砥石厚の中心
線を一致させ、且つ砥石の回転中心をウェーハの水平面
に対し上方又は下方に位置させて回転し、ノッチ部に当
接してノッチ部の周縁を一度に所定角度に面取りするこ
とを特徴とする半導体ウェーハにおけるノッチ部の面取
り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078766A JP2571573B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体ウェ−ハにおけるノッチ部の面取り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078766A JP2571573B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体ウェ−ハにおけるノッチ部の面取り方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244611A true JPS63244611A (ja) | 1988-10-12 |
| JP2571573B2 JP2571573B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=13671025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078766A Expired - Fee Related JP2571573B2 (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体ウェ−ハにおけるノッチ部の面取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571573B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287523A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ、ノッチ面取り方法及びその装置 |
| JPH04364727A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハのノッチ部面取り方法および装置 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62078766A patent/JP2571573B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287523A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハ、ノッチ面取り方法及びその装置 |
| JPH04364727A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハのノッチ部面取り方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571573B2 (ja) | 1997-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |