JPS63239863A - マスクromの製造方法 - Google Patents
マスクromの製造方法Info
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- JPS63239863A JPS63239863A JP62073761A JP7376187A JPS63239863A JP S63239863 A JPS63239863 A JP S63239863A JP 62073761 A JP62073761 A JP 62073761A JP 7376187 A JP7376187 A JP 7376187A JP S63239863 A JPS63239863 A JP S63239863A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
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- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は半導体集積回路装置の製造工程で情報の書込み
が行なわれるマスクROM (リード・オンリ・メモリ
)の製造方法に関するものである。
が行なわれるマスクROM (リード・オンリ・メモリ
)の製造方法に関するものである。
(従来技術)
ROMに情報を書き込む製造工程の段階によって何種類
かの書込み方式がある。例えば、MOSトランジスタメ
モリのしきい値レベルをイオン注入により変更して書込
みを行なうイオン注入マスクコード方式や、拡散工程で
MOSトランジスタメモリセルのドレイン拡散の有無に
より書き込む拡@、N!Iマスクコード方式の他、金属
配線工程でメモリセルとビット線との接続を実施するか
実施しないかにより情報を書き込むコンタクトマスクコ
ード方式などがある。本発明はこれらの種々の方式のい
ずれの場合にも適用されるものである。
かの書込み方式がある。例えば、MOSトランジスタメ
モリのしきい値レベルをイオン注入により変更して書込
みを行なうイオン注入マスクコード方式や、拡散工程で
MOSトランジスタメモリセルのドレイン拡散の有無に
より書き込む拡@、N!Iマスクコード方式の他、金属
配線工程でメモリセルとビット線との接続を実施するか
実施しないかにより情報を書き込むコンタクトマスクコ
ード方式などがある。本発明はこれらの種々の方式のい
ずれの場合にも適用されるものである。
いずれのマスクコード方式であっても、書き込まれる情
報に応じたマスクを選択して使用する。
報に応じたマスクを選択して使用する。
ROMに書き込まわる情報に応じてROMコードが定め
られている。しかし、情報を書き込むためのマスクには
ROMコードは設けられてはおらず、添付されるランシ
ートにそのマスクのROMコードが記載されている。
られている。しかし、情報を書き込むためのマスクには
ROMコードは設けられてはおらず、添付されるランシ
ートにそのマスクのROMコードが記載されている。
ウェハ処理を終了した後、ウェハをチップごとに切断(
スクライブ)する工程の前にウェハテストが行なわれる
。ウェハテストでは例えば直流特性試験と論理機能試験
などが行なわれる。このウェハテストはランシートに記
載されているROMコードに従って行なわれる。
スクライブ)する工程の前にウェハテストが行なわれる
。ウェハテストでは例えば直流特性試験と論理機能試験
などが行なわれる。このウェハテストはランシートに記
載されているROMコードに従って行なわれる。
しかしながら、例えばイオン注入マスクコード方式のR
OMを例にすると、イオン注入のマスクを作成する写真
製版工程でレティクルを取り違えたとすれば、ROMに
実際に書き込まれたデータが他の品種のものとなる。す
なわち、ランシートに記載されているROMコードに対
応した情報と実際にROM゛に書き込まれた情報とが食
い違ったものとなる。そこで、後のウェハテストではラ
ンシートのROMコードに従ってテストか行なわれるの
で、書き込まれた情報が間違っていることになリウエハ
全体が不良と判断されでしまう。
OMを例にすると、イオン注入のマスクを作成する写真
製版工程でレティクルを取り違えたとすれば、ROMに
実際に書き込まれたデータが他の品種のものとなる。す
なわち、ランシートに記載されているROMコードに対
応した情報と実際にROM゛に書き込まれた情報とが食
い違ったものとなる。そこで、後のウェハテストではラ
ンシートのROMコードに従ってテストか行なわれるの
で、書き込まれた情報が間違っていることになリウエハ
全体が不良と判断されでしまう。
このような問題は、少量多品種の生産を行なう場合1例
えばASTCと称される用途別の半導体集積回路装置に
おいて特に発生しやすい。
えばASTCと称される用途別の半導体集積回路装置に
おいて特に発生しやすい。
(目的)
本発明はウェハテスト工程では実際にROMにどのRO
Mコードの情報が書き込まれているかを識別し、その識
別したROMコードに応じてウェハテストを行なうこと
ができるようにして、マスクの間違いによるウニハネ良
の発生などを防止することを目的とするものである。
Mコードの情報が書き込まれているかを識別し、その識
別したROMコードに応じてウェハテストを行なうこと
ができるようにして、マスクの間違いによるウニハネ良
の発生などを防止することを目的とするものである。
(構成)
本発明では、半導体ウェハのチップ領域の不使用領域又
はダイシングライン領域に、情報記憶用メモリセルと同
じ構造のROMコードメモリセルを情報記憶用メモリセ
ルを形成する工程で情報記憶用メモリセルと同時に形成
し、情報記憶用メモリセルへ情報の書込みを行なう工程
で情報書込みと同時に前記ROMコードメモリセルにR
OMコードを書き込み、ウェハの切断前のウェハテスト
工程で前記ROMコードメモリセルを読み出し、そのR
OMコードに従ってウェハテストを行なうようにする。
はダイシングライン領域に、情報記憶用メモリセルと同
じ構造のROMコードメモリセルを情報記憶用メモリセ
ルを形成する工程で情報記憶用メモリセルと同時に形成
し、情報記憶用メモリセルへ情報の書込みを行なう工程
で情報書込みと同時に前記ROMコードメモリセルにR
OMコードを書き込み、ウェハの切断前のウェハテスト
工程で前記ROMコードメモリセルを読み出し、そのR
OMコードに従ってウェハテストを行なうようにする。
以下、実施例について具体的に説明する。
第1図において、2はマスクROMが形成された半導体
ウェハであり、その一部4を示したのが第2図である。
ウェハであり、その一部4を示したのが第2図である。
6はROMチップであり、各チップ6の間にはウェハ2
を切断してチップ6を個別に切り離すためのダイシング
ライン8が設けられている。ウェハ2の切断はウェハテ
ストの終了後に行なう。
を切断してチップ6を個別に切り離すためのダイシング
ライン8が設けられている。ウェハ2の切断はウェハテ
ストの終了後に行なう。
チップ6の不使用領域又はダイシングライン8の領域に
ROMコードを記憶するROMコードモニタを形成する
。ROMコードモニタにはチップ6のROMメモリセル
と同じ構造のROMコードメモリセルが複数個設けられ
る。
ROMコードを記憶するROMコードモニタを形成する
。ROMコードモニタにはチップ6のROMメモリセル
と同じ構造のROMコードメモリセルが複数個設けられ
る。
ROMコードモニタの例を第3図に示す。
ROM l ” ROM nは、ROMコードメモリセ
ルであり、それぞれ情報記憶用のROMメモリセルと同
じ構造をしている。
ルであり、それぞれ情報記憶用のROMメモリセルと同
じ構造をしている。
ROM1について説明すると、ゲート電極10を挟んで
ドレイン12とソース14が形成されており、ドレイン
12はドレイン用のパッド12aに接続され、ソース1
4は全てのROM1〜ROMnに共通のソース用パッド
14aに接続されている。ゲート電極IOは全てのRO
MI〜ROMnに共通のゲート用パッド10aに接続さ
れている。16は基板に接続されるパッドである。
ドレイン12とソース14が形成されており、ドレイン
12はドレイン用のパッド12aに接続され、ソース1
4は全てのROM1〜ROMnに共通のソース用パッド
14aに接続されている。ゲート電極IOは全てのRO
MI〜ROMnに共通のゲート用パッド10aに接続さ
れている。16は基板に接続されるパッドである。
ROM 2〜ROM n + ROM 1と同じ構造を
している。
している。
情報記憶用のROMメモリセルへの情報書込み工程で、
ROMI〜ROM nのチャネル領域にイオン注入を行
なうか、行なわないかを制御して、ROMI〜ROM
nのしきい値レベルを変化させることによってROMI
−=ROMnに情報「l」又はrOJを記憶させる。
ROMI〜ROM nのチャネル領域にイオン注入を行
なうか、行なわないかを制御して、ROMI〜ROM
nのしきい値レベルを変化させることによってROMI
−=ROMnに情報「l」又はrOJを記憶させる。
本実施例でROMメモリセルに情報を書き込む工程を含
むウェハ処理を終了した後、ウェハテストにおいてRO
Mコードモニタの各パッドlOa。
むウェハ処理を終了した後、ウェハテストにおいてRO
Mコードモニタの各パッドlOa。
12a、・・・・・・、14a、16にテスト装置のテ
ストプローブが押し当てられてROMコードが読取られ
る。テスト装置はその読み取ったROMコードに従って
ウェハテストを行なう。
ストプローブが押し当てられてROMコードが読取られ
る。テスト装置はその読み取ったROMコードに従って
ウェハテストを行なう。
ROMコードモニタにn個のROMコードメモリセルを
設けておけば、2rL個のROMコードを書き込み、識
別することができる。
設けておけば、2rL個のROMコードを書き込み、識
別することができる。
(効果)
本発明ではウェハにROMコードを書き込んておき、ウ
ェハテスト工程ではそのROMコード在読布地り、その
読み取ったROMコードに従っカウエハテストを行なう
。これにより実際にウエノ゛に′8き込まれた情報がラ
ンシートに記載されたROMコードのものと異なった場
合でも、ウェハテストを正しく行なうことができ、ウェ
ハを不良にしなくてもすむようになる。
ェハテスト工程ではそのROMコード在読布地り、その
読み取ったROMコードに従っカウエハテストを行なう
。これにより実際にウエノ゛に′8き込まれた情報がラ
ンシートに記載されたROMコードのものと異なった場
合でも、ウェハテストを正しく行なうことができ、ウェ
ハを不良にしなくてもすむようになる。
また、1枚のウェハ内に数品種のROMを形成し、それ
ぞれの品種ごとにROMコードモニタを形成しておけば
、各品種ごとにROMコードをVみ出してウェハテスト
を行なうことができる。
ぞれの品種ごとにROMコードモニタを形成しておけば
、各品種ごとにROMコードをVみ出してウェハテスト
を行なうことができる。
さらに、互いに異なった情報が書き込まれたウェハから
それぞれのROMコードを読み出すことによって、異な
った品種のウェハを同時にテストすることができる。
それぞれのROMコードを読み出すことによって、異な
った品種のウェハを同時にテストすることができる。
このように1本発明は少量多品種の生産を行なうASI
Cと称される半導体集積回路装置の製造方法において特
に有効である。
Cと称される半導体集積回路装置の製造方法において特
に有効である。
第1図はウェハを示す平面図、第2図はウェハの一部分
を示す拡大平面図、第3図はROMコードモニタを示す
パターンの図である。 2・・・・・・半導体ウェハ、 6・・・・・・チップ領域、 8・・・・・・ダイシングライン。 ROM 1〜ROM n・・・・ROMコードメモリセ
ル。
を示す拡大平面図、第3図はROMコードモニタを示す
パターンの図である。 2・・・・・・半導体ウェハ、 6・・・・・・チップ領域、 8・・・・・・ダイシングライン。 ROM 1〜ROM n・・・・ROMコードメモリセ
ル。
Claims (1)
- (1)半導体ウェハのチップ領域の不使用領域又はダイ
シングライン領域に、情報記憶用メモリセルと同じ構造
のROMコードメモリセルを情報記憶用メモリセルを形
成する工程で情報記憶用メモリセルと同時に形成し、情
報記憶用メモリセルへ情報の書込みを行なう工程で情報
書込みと同時に前記ROMコードメモリセルにROMコ
ードを書き込み、ウェハの切断前のウェハテスト工程で
前記ROMコードメモリセルを読み出し、そのROMコ
ードに従ってウェハテストを行なうマスクROMの製造
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62073761A JPS63239863A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マスクromの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62073761A JPS63239863A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マスクromの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63239863A true JPS63239863A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13527532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62073761A Pending JPS63239863A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | マスクromの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63239863A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2875623A1 (fr) * | 2004-09-23 | 2006-03-24 | St Microelectronics Sa | Generation d'un identifiant d'un circuit integre |
FR2875624A1 (fr) * | 2004-09-23 | 2006-03-24 | St Microelectronics Sa | Generation deterministe d'un numero d'identifiant d'un circuit integre |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6193214A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 油圧式排気弁開閉装置 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP62073761A patent/JPS63239863A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6193214A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 油圧式排気弁開閉装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2875623A1 (fr) * | 2004-09-23 | 2006-03-24 | St Microelectronics Sa | Generation d'un identifiant d'un circuit integre |
FR2875624A1 (fr) * | 2004-09-23 | 2006-03-24 | St Microelectronics Sa | Generation deterministe d'un numero d'identifiant d'un circuit integre |
WO2006032823A3 (fr) * | 2004-09-23 | 2006-12-07 | St Microelectronics Sa | Generation d'un identifiant d'un circuit integre |
US7871832B2 (en) | 2004-09-23 | 2011-01-18 | Stmicroelectronics S.A. | Generating an integrated circuit identifier |
US8330158B2 (en) | 2004-09-23 | 2012-12-11 | Stmicroelectronics S.A. | Generating an integrated circuit identifier |
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