JPS63229813A - ウエ−ハ支持具 - Google Patents
ウエ−ハ支持具Info
- Publication number
- JPS63229813A JPS63229813A JP62066567A JP6656787A JPS63229813A JP S63229813 A JPS63229813 A JP S63229813A JP 62066567 A JP62066567 A JP 62066567A JP 6656787 A JP6656787 A JP 6656787A JP S63229813 A JPS63229813 A JP S63229813A
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- JP
- Japan
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- wafer
- grooves
- wafers
- bars
- thickness
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- Granted
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェーハ支持具に関し、特に半導体製造工程に
使用されるウェーハの熱処理及び高温雰囲気中での減圧
ＣＶＤの際複数のウェーハを支持するウェーハ支持具に
関する。
使用されるウェーハの熱処理及び高温雰囲気中での減圧
ＣＶＤの際複数のウェーハを支持するウェーハ支持具に
関する。
従来、この種のウェーハ支持具は、第４図に示すように
、複数のウェーハ１をほぼ平行に支持するべく刻まれた
溝３を有する２本の平行棒２を有している。
、複数のウェーハ１をほぼ平行に支持するべく刻まれた
溝３を有する２本の平行棒２を有している。
第５図は第４図のウェーハ支持具の断面図である。
第５図に示すように、ウェーハ１は棒２の溝３に挿入さ
れ自重により支持される。
れ自重により支持される。
上述した従来のウェーハ支持具は、平行な棒に刻まれた
溝にウェーハを挿入してウェーハを支持する構造となっ
ているので、ウェーハの外線と接する溝の側面には熱処
理中の反応ガスの廻り込みが少く、例えば、減圧ＣＶＤ
装置等においては窒化ケイ素、多結晶ケイ素、二酸化ケ
イ素等のＣＶＤ成膜工程中に、溝に接するウェーハ表面
へのガスの廻り込み又は反応後のガス交換がウェーハ表
面の他の部位に比べ確率的に少なくなり、その結果成膜
された上記のケイ化物の膜厚が他の部位に比べ薄くなる
ことは一般に周知されている。
溝にウェーハを挿入してウェーハを支持する構造となっ
ているので、ウェーハの外線と接する溝の側面には熱処
理中の反応ガスの廻り込みが少く、例えば、減圧ＣＶＤ
装置等においては窒化ケイ素、多結晶ケイ素、二酸化ケ
イ素等のＣＶＤ成膜工程中に、溝に接するウェーハ表面
へのガスの廻り込み又は反応後のガス交換がウェーハ表
面の他の部位に比べ確率的に少なくなり、その結果成膜
された上記のケイ化物の膜厚が他の部位に比べ薄くなる
ことは一般に周知されている。
従って、従来のウェーハ支持具では、半導体装置の製造
工程中でウェーハの溝の側面に接する部分を使用した半
導体装置の品質低下ひいては歩留り低下を引起すという
欠点がある。
工程中でウェーハの溝の側面に接する部分を使用した半
導体装置の品質低下ひいては歩留り低下を引起すという
欠点がある。
本発明のウェーハ支持具は、少くとも２本の平行な棒と
、該棒に複数のウェーハをほぼ平行に支持すべくそれぞ
れの前記棒に設けられた底面がそれぞれの前記ウェーハ
の中心とそれぞれの前記棒との中心を結ぶそれぞれの直
線とほぼ直交する複数の溝と、それぞれの前記溝の底面
に設けられた前記直線を中心とする複数の貫通穴とを含
んで構成される。
、該棒に複数のウェーハをほぼ平行に支持すべくそれぞ
れの前記棒に設けられた底面がそれぞれの前記ウェーハ
の中心とそれぞれの前記棒との中心を結ぶそれぞれの直
線とほぼ直交する複数の溝と、それぞれの前記溝の底面
に設けられた前記直線を中心とする複数の貫通穴とを含
んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図は第１
図の実施例の断面図である。
図の実施例の断面図である。
第１図及び第２図に示すように、２本の平行な棒２ａ、
２ｂと、棒２ａ、２ｂに複数のウェーハ１を支持すべく
棒２ａ、２ｂに設けられた複数の溝３と、それぞれの溝
３に設けられた貫通穴４とを含む。
２ｂと、棒２ａ、２ｂに複数のウェーハ１を支持すべく
棒２ａ、２ｂに設けられた複数の溝３と、それぞれの溝
３に設けられた貫通穴４とを含む。
満３は、ウェーハ１の中心０とウェーハ１の外周と棒２
ａ、２ｂの外周とが接する点Ａ １ 、 Ａ ２を結ぶ
直線と直交する面を底面とし、複数のウェーハ１を溝３
に挿入してほぼ平行に支持するように棒２ａ、２ｂに設
けられる。
ａ、２ｂの外周とが接する点Ａ １ 、 Ａ ２を結ぶ
直線と直交する面を底面とし、複数のウェーハ１を溝３
に挿入してほぼ平行に支持するように棒２ａ、２ｂに設
けられる。
又、貫通穴４はそれぞれの満３の底面にそれぞれのウェ
ーハ１に対応する直線ＯＡ、、○Ａ２を中心として棒２
ａ、２ｂに設けられる。
ーハ１に対応する直線ＯＡ、、○Ａ２を中心として棒２
ａ、２ｂに設けられる。
このように構成することにより、貫通穴４からも反応ガ
スが廻り込みかつガス交換が貫通穴４を通して行われる
。
スが廻り込みかつガス交換が貫通穴４を通して行われる
。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第３図に示すように、第２の実施例では棒２ｃ。
２ｄに設けられた貫通穴４ａの形状が溝３の底面部にお
いてテーパ５を有している。これにより、第１の実施例
に比べてよりガスの廻り込み及びガスの交換が容易にな
る利点がある。
いてテーパ５を有している。これにより、第１の実施例
に比べてよりガスの廻り込み及びガスの交換が容易にな
る利点がある。
以上説明したように本発明のウェーハ支持具は、ウェー
ハを挿入して支持する溝の底面に貫通穴を設けることに
より、ウェーハを積載して熱処理及び減圧ＣＶＤ炉中に
挿入して処理する場合、貫通穴から反応ガスが廻り込み
、かつ、ガス交換も貫通穴を通して行われるので、溝の
底面に接するウェーハ上の成長膜厚を他のウェーハ表面
の成長膜厚と均一にできるので、半導体装置の品質を向
上し製造の歩留りを向上できるという効果がある。
ハを挿入して支持する溝の底面に貫通穴を設けることに
より、ウェーハを積載して熱処理及び減圧ＣＶＤ炉中に
挿入して処理する場合、貫通穴から反応ガスが廻り込み
、かつ、ガス交換も貫通穴を通して行われるので、溝の
底面に接するウェーハ上の成長膜厚を他のウェーハ表面
の成長膜厚と均一にできるので、半導体装置の品質を向
上し製造の歩留りを向上できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図は第１
図の実施例の断面図、第３図は本発明の第２の実施例の
断面図、第４図は従来のウェーハ支持具の一例の斜視図
、第５図は第４図のウェーハ支持具の断面図である。 １・・・ウェーハ、２．２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ−・棒
、３・・・溝、４，４ａ・・・貫通穴、５・・・テーパ
。 ＄ １ １！ｌ！Ｊ 茅 ２ 図 茅 ３ 凹 茅 ４ 回
図の実施例の断面図、第３図は本発明の第２の実施例の
断面図、第４図は従来のウェーハ支持具の一例の斜視図
、第５図は第４図のウェーハ支持具の断面図である。 １・・・ウェーハ、２．２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ−・棒
、３・・・溝、４，４ａ・・・貫通穴、５・・・テーパ
。 ＄ １ １！ｌ！Ｊ 茅 ２ 図 茅 ３ 凹 茅 ４ 回
Claims (1)
- 少くとも２本の平行な棒と、該棒に複数のウェーハをほ
ぼ平行に支持すべくそれぞれの前記棒に設けられた底面
がそれぞれの前記ウェーハの中心とそれぞれの前記棒と
の中心を結ぶそれぞれの直線とほぼ直交する複数の溝と
、それぞれの前記溝の底面に設けられた前記直線を中心
とする複数の貫通穴とを含むことを特徴とするウェーハ
支持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066567A JPH0630348B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | ウエ−ハ支持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066567A JPH0630348B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | ウエ−ハ支持具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229813A true JPS63229813A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0630348B2 JPH0630348B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=13319660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066567A Expired - Lifetime JPH0630348B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | ウエ−ハ支持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630348B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1096112C (zh) * | 1996-12-28 | 2002-12-11 | Lg半导体株式会社 | 晶片支承和/或输送机 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62066567A patent/JPH0630348B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1096112C (zh) * | 1996-12-28 | 2002-12-11 | Lg半导体株式会社 | 晶片支承和/或输送机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0630348B2 (ja) | 1994-04-20 |
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