JPS6321871A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6321871A JPS6321871A JP16711386A JP16711386A JPS6321871A JP S6321871 A JPS6321871 A JP S6321871A JP 16711386 A JP16711386 A JP 16711386A JP 16711386 A JP16711386 A JP 16711386A JP S6321871 A JPS6321871 A JP S6321871A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
この発明は、半導体litに関するものであり、特にブ
レーナ技術によって電極形成するときの界面に生じるシ
リコン析出の減少を意図する半導体装置に関するもので
ある。
レーナ技術によって電極形成するときの界面に生じるシ
リコン析出の減少を意図する半導体装置に関するもので
ある。
[従来の挟術コ
第2図は、従来の技術の半導体装置のコンタクト孔まわ
りの断面図である。
りの断面図である。
図において、コンタクト孔を有するたとえば酸化シリコ
ン(S102)等の絶縁膜2がシリコン基板1上に形成
されており、コンタクト孔に面したシリコン基板1には
不純物拡散層3が形成される。また、コンタクト孔にた
とえばアルミニウムシリサイド(AiS+ )等のシリ
サイドが、たとえば真空蒸着、スパッタリングあるいは
CVD法等によって形成され、これをパターニングする
ことによってシリサイド電極4が形成される(第2図(
a)!照)。
ン(S102)等の絶縁膜2がシリコン基板1上に形成
されており、コンタクト孔に面したシリコン基板1には
不純物拡散層3が形成される。また、コンタクト孔にた
とえばアルミニウムシリサイド(AiS+ )等のシリ
サイドが、たとえば真空蒸着、スパッタリングあるいは
CVD法等によって形成され、これをパターニングする
ことによってシリサイド電極4が形成される(第2図(
a)!照)。
次に、シリサイド電極4と不純物拡散層との良好なオー
ミックコンタクトを得るため上記のシリサイド電極4形
成後、シリサイド電極4は窒素または水素雰囲気中で数
10分程度の熱処理(400〜5o○℃)が行なわれる
が、コンタクト孔の径が小さくなるとシリサイl−″N
Nn4巾のシリコンが拡散し、シリサイド電極4と不純
物拡散層3との界面にシリコン8が析出する(第2図(
b)参照)。
ミックコンタクトを得るため上記のシリサイド電極4形
成後、シリサイド電極4は窒素または水素雰囲気中で数
10分程度の熱処理(400〜5o○℃)が行なわれる
が、コンタクト孔の径が小さくなるとシリサイl−″N
Nn4巾のシリコンが拡散し、シリサイド電極4と不純
物拡散層3との界面にシリコン8が析出する(第2図(
b)参照)。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来の単導体装置においては、シリサイド
電極4形成後の熱処理によってシリサイドNNi4と不
純物拡散層3との界面にシリコン8が析出しやすくなる
。
電極4形成後の熱処理によってシリサイドNNi4と不
純物拡散層3との界面にシリコン8が析出しやすくなる
。
この析出したシリコン8は高い比抵抗を持ち、また、こ
のシリコン8の析出によってシリサイド電極4と不純物
拡散層3との接触面積が減少したり、あるいは消滅した
りしてこの接触抵抗が増大し、良好なオーミックコンタ
クトが得られないばかりか、マイグレーションにも弱く
なるなどの問題があった。
のシリコン8の析出によってシリサイド電極4と不純物
拡散層3との接触面積が減少したり、あるいは消滅した
りしてこの接触抵抗が増大し、良好なオーミックコンタ
クトが得られないばかりか、マイグレーションにも弱く
なるなどの問題があった。
この発明はかかる問題を解決するためになされたもので
、シリサイド電極4と不純物拡散層3との界面に生じる
シリコン8の析出を減少させ、これによって、電極と不
純物拡散層との良好なオーミックコンタクトをなす半導
体装置を得ることを目的とする。
、シリサイド電極4と不純物拡散層3との界面に生じる
シリコン8の析出を減少させ、これによって、電極と不
純物拡散層との良好なオーミックコンタクトをなす半導
体装置を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明にかかる半導体装置は、コンタクト孔周辺の絶
縁膜上を含む不純物拡散層上にシリサイド膜を薄く被覆
させ、その上に電極を形成したものである。
縁膜上を含む不純物拡散層上にシリサイド膜を薄く被覆
させ、その上に電極を形成したものである。
[作用]
この発明においては、従来技術でのシリコン析出の原因
であるシリサイド膜を薄く形成したので、シリコン析出
量を抑制でき、また、熱処理時におけるシリサイド膜中
のシリコンは、シリサイド膜上の電極中に拡散していく
ので、コンタクト孔の不純物拡散層上のシリコン析出は
従来技術に比して激減し、良好なオーミックコンタクト
が得られるものである。
であるシリサイド膜を薄く形成したので、シリコン析出
量を抑制でき、また、熱処理時におけるシリサイド膜中
のシリコンは、シリサイド膜上の電極中に拡散していく
ので、コンタクト孔の不純物拡散層上のシリコン析出は
従来技術に比して激減し、良好なオーミックコンタクト
が得られるものである。
また電極中のアルミニウムの不純物拡散層への熱処理時
における突き抜けは、このシリサイド膜形成によって併
せて防止できる。
における突き抜けは、このシリサイド膜形成によって併
せて防止できる。
[発明の実施例]
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置のコンタ
クト孔まわりの断面図である。図中、符号1〜3は上記
従来装置と同一、または相当部分を示す。
クト孔まわりの断面図である。図中、符号1〜3は上記
従来装置と同一、または相当部分を示す。
図において、コンタクト孔周辺の絶縁l112上を含む
シリコン基板1の不純物拡散層3上にアルミニウムシリ
サイド膜5が薄く形成されており、このアルミニウムシ
リサイドl15上にアルミニウムよりなる電極7が形成
され、さらに、電極7上にM極7のパターニング実施の
際の写真製版時の反射防止用アルミニウムシリサイドH
IA6が形成されている。
シリコン基板1の不純物拡散層3上にアルミニウムシリ
サイド膜5が薄く形成されており、このアルミニウムシ
リサイドl15上にアルミニウムよりなる電極7が形成
され、さらに、電極7上にM極7のパターニング実施の
際の写真製版時の反射防止用アルミニウムシリサイドH
IA6が形成されている。
アルミニウムシリサイド膜5はシリコンを重量比で0.
2〜2.0%含み、そのSi.11は窒素または水素雰
囲気中で数10分程度の熱処理(300〜500℃)を
実施しても電極7のアルミニウムが不純物拡散W3へ突
き抜けず、さらに、このアルミニウムシリサイド111
5中のシリコンの析出が、この’HHM7の動作上問題
にならない程度のものとする。
2〜2.0%含み、そのSi.11は窒素または水素雰
囲気中で数10分程度の熱処理(300〜500℃)を
実施しても電極7のアルミニウムが不純物拡散W3へ突
き抜けず、さらに、このアルミニウムシリサイド111
5中のシリコンの析出が、この’HHM7の動作上問題
にならない程度のものとする。
なお、上記実施例では電極7上に反転防止用アルミニウ
ムシリサイド膜6を形成しているが、電極7のバターニ
ング方法によっては不要とすることができる。
ムシリサイド膜6を形成しているが、電極7のバターニ
ング方法によっては不要とすることができる。
また、上記実施例では電極7をアルミニウムとしている
が、隣接のアルミニウムシリサイド膜5のシリコン濃度
より低ければシリコンを含んだアルミニウムシリサイド
でもよい。
が、隣接のアルミニウムシリサイド膜5のシリコン濃度
より低ければシリコンを含んだアルミニウムシリサイド
でもよい。
さらに、アルミニウムシリサイド膜5はたとえばチタン
(T1)あるいはtA(Cu)等の他の元素を含んだも
のでもよい。
(T1)あるいはtA(Cu)等の他の元素を含んだも
のでもよい。
[発明の効果]
この発明は以上説明したとおり、金属電極と不耗物拡i
!!!層との間に薄くシリサイド膜を形成させたため、
これらの界面上におけるシリコンの析出が抑制され、良
好なオーミックコンタクトを持ち、また、マイグレーシ
ョンにも強い信頼性の高い半導体装置が得られる効果が
ある。
!!!層との間に薄くシリサイド膜を形成させたため、
これらの界面上におけるシリコンの析出が抑制され、良
好なオーミックコンタクトを持ち、また、マイグレーシ
ョンにも強い信頼性の高い半導体装置が得られる効果が
ある。
第1図はこの発明の一実流例を示す半導体装置の〕ン々
クト孔まわりの断面図であり、第2図は従来技術におけ
る半導体装置のコンタクト孔まわりの断面図である。 図中、同一符号は同一、または相当部分を示し。 1はシリコン基板、2は絶縁膜、3は不純物拡散層、4
はシリサイド電極、5はアルミニウムシリサイド膜、6
は反射防止用アルミニウムシリサイド寝、7は電極、8
はシリコンである。 代理人 大 岩 増 雄 具1図 萬2図 /″
クト孔まわりの断面図であり、第2図は従来技術におけ
る半導体装置のコンタクト孔まわりの断面図である。 図中、同一符号は同一、または相当部分を示し。 1はシリコン基板、2は絶縁膜、3は不純物拡散層、4
はシリサイド電極、5はアルミニウムシリサイド膜、6
は反射防止用アルミニウムシリサイド寝、7は電極、8
はシリコンである。 代理人 大 岩 増 雄 具1図 萬2図 /″
Claims (4)
- (1)半導体基板、前記半導体基板上に形成されるコン
タクト孔を有する絶縁膜、および前記コンタクト孔に面
した半導体基板の部分に形成される不純物拡散層を含む
半導体装置であつて、前記絶縁膜の前記コンタクト孔周
辺と前記不純物拡散層上とに形成されるシリサイド膜と
、前記シリサイド膜上に形成された金属、または、シリ
サイド膜からなる電極とを備える半導体装置。 - (2)前記シリサイド膜は、アルミニウムシリサイド(
AlSi)であり、かつ、前記電極はアルミニウム(A
l)からなることを特徴とする、特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。 - (3)前記電極はAlSiからなり、そのシリコン(S
i)濃度は前記シリサイド膜のSi濃度より低いことを
特徴とする、特許請求の範囲第1項または第2項記載の
半導体装置。 - (4)前記電極は、シリサイド膜によつて被覆されてい
ることを特徴とする、特許請求の範囲第1項、第2項ま
たは第3項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16711386A JPS6321871A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16711386A JPS6321871A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6321871A true JPS6321871A (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=15843675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16711386A Pending JPS6321871A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6321871A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01253256A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Nec Corp | 配線の形成方法 |
JPH02168626A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE4034169A1 (de) * | 1989-10-26 | 1991-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Dram mit einem speicherzellenfeld und herstellungsverfahren dafuer |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16711386A patent/JPS6321871A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01253256A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Nec Corp | 配線の形成方法 |
JPH02168626A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE4034169A1 (de) * | 1989-10-26 | 1991-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | Dram mit einem speicherzellenfeld und herstellungsverfahren dafuer |
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