JPS6321531A - Force detector - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 97
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、たとえばロボット用力覚センサやマンマシン
インターフェースとしての三次元入力装置等に利泪され
る力検出装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates to a force detection device used, for example, in a robot force sensor or a three-dimensional input device as a man-machine interface.
従来の技術
従来の力検出装置は、外力が印加されることにより弾性
変形する起歪体にこの起歪体の機械的変形により電気抵
抗を変化させる複数の検出素子を形成し、これらの検出
素子の電気的抵抗変化を電気的信号として取り出して外
力の強さを検出しているものである６
一般に、この種の力検出装置において、外力は一定の一
点に作用するものであり、その作用点におけるｘ、ｙ、
ｚ座標系の力ＦＸ、ＦＹ、ＦＺとモーメントＭ ｘ 、
Ｍ ｙ 、 Ｍ ｚとの独立した各成分力は第１４図
に示すように作用しているものである。2. Description of the Related Art A conventional force detection device includes a strain body that elastically deforms when an external force is applied thereto, and a plurality of detection elements that change electrical resistance through mechanical deformation of the strain body. The strength of the external force is detected by extracting changes in the electrical resistance of the x, y,
Forces FX, FY, FZ and moment M x in the z coordinate system,
The independent component forces of M y and M z act as shown in FIG. 14.
このような各成分力を検出するために、力検出装置の起
歪体を立体的なブロック構造に形成し、外力を多軸力成
分として分離検出するようにしたものが存し、この構造
は実公昭５４−１１９０３号公報、実公昭５４−２１０
２１号公報、特開昭５９−９５４３３号公報、特開昭６
１−５７８２５号公報、特開昭６１−７９１２９号公報
等により開示されている。とくに、前述の作用点におけ
るｘ、ｙ、ｚ座標系の力ＦＸ、ＦＹ、ＦＺとモーメント
Ｍｘ、Ｍｙ、Ｍｚとの独立した各成分力の検出面、すな
わち、ストレンゲージの貼付面は、成分力に垂直な面を
用いていることに特徴があるものであり、起歪体は前述
のようにブロック構造としての三次元的な構造にならざ
るを得ないものである。In order to detect each component force, there is a force detection device in which the strain body is formed into a three-dimensional block structure so that the external force can be detected separately as multi-axial force components. Publication No. 54-11903, Publication No. 54-210
No. 21, JP-A-59-95433, JP-A-Sho 6
This method is disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 1-57825, Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-79129, and the like. In particular, the detection surface of each independent component force of the forces FX, FY, FZ and moments Mx, My, Mz in the x, y, z coordinate system at the point of application, that is, the surface to which the strain gauge is attached, is the component force It is characterized by the use of a plane perpendicular to the plane, and the strain-generating body must have a three-dimensional structure as a block structure as described above.
このような構造のものにおいては、起歪体の製作手段が
切削加工や放電加工であり、ブロック状の素材から製作
しなければならないものである。In such a structure, the means for manufacturing the strain-generating body is cutting or electric discharge machining, and the strain body must be manufactured from a block-shaped material.
そのため、加工が困難かつ煩雑である。また、各成分の
力検出要素毎にストレンゲージによる検出素子を貼着し
、これらの電気的接続はブリッジ結合されるのが一般的
であるので、リード線のはいまわしが煩雑であり、コン
パクト化や低コスト化をすることが難しく、量産性が低
いと云う問題点を有しているものである。Therefore, processing is difficult and complicated. In addition, it is common to attach a strain gauge detection element to each force detection element of each component, and to connect these electrically with a bridge, which makes it complicated to run lead wires around, making it difficult to downsize. However, it is difficult to reduce costs and has low mass productivity.
また、外力を多軸成分として分離するために構造物やプ
レートを組合せて立体的なブロック′を形成しているも
のも存し、この構造のものは特開昭６１−８３９２９号
公報に開示されている。このような構造のものにおいて
は、各成分毎の検出体がビス等により締結されているた
め、再現性に乏しいと云う間層がある。すなわち、締結
部の変形によりヒステリシスや非線形性が生じることに
なる。There are also structures that combine structures and plates to form a three-dimensional block in order to separate external forces into multiaxial components, and this structure is disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 83929/1983. ing. In such a structure, since the detecting body for each component is fastened with screws or the like, there is a problem that reproducibility is poor. That is, hysteresis and nonlinearity occur due to the deformation of the fastening portion.
さらに、別の構造のものとしては、特開昭６０−２２１
２８８号公報に、いわゆる８角応力リングが開示されて
いる。このような８角応カセンサにおいては、外力が一
方向の圧覚センサとしては使えるが、多軸力用としては
使用することができないと云う問題点がある。Furthermore, as for another structure, JP-A-60-221
No. 288 discloses a so-called octagonal stress ring. Such an octagonal stress sensor has a problem in that it can be used as a pressure sensor for applying external force in one direction, but cannot be used for multi-axial force.
目的
本発明は、起歪体の製作および検出素子の形成が簡単で
あり、各力成分の干渉が少ない力検出素子を得ることを
目的とする。OBJECT The present invention aims to provide a force detection element in which the production of the strain-generating body and the formation of the detection element are simple, and the interference of each force component is small.
構成
本発明は、剛性の高い中心部と周辺部との間に複数個の
穴が同一円周上に配設された検出面を形成した平板状起
歪体を形成し、前記中心部と前記周辺部とのいずれか一
方を支持部とし他方を作用点とするとともに前記検出面
に検出素子を形成する。これにより、起歪体は平板状で
あるため、その製作時に僅かな切削加工をするだけで形
成することができ、また、ファインブランキング等のプ
レス加工や鋳造もしくは射出成形による加工も可能であ
り、しかも、検出面を平面に形成することにより、検出
素子の形成を薄膜半導体を用いて行うことができ、検出
面が歪んだときにその検出面に配設された穴により円周
方向の曲げ応力が遮断されて動径方向の応力との干渉が
ないように構成したものである。Structure The present invention forms a plate-shaped strain-generating body having a detection surface in which a plurality of holes are arranged on the same circumference between a highly rigid center portion and a peripheral portion, and One of the peripheral parts is used as a support part and the other part is used as a point of action, and a detection element is formed on the detection surface. As a result, since the strain-generating body has a flat plate shape, it can be formed with only a slight cutting process during production, and can also be processed by press processing such as fine blanking, casting, or injection molding. Moreover, by forming the detection surface flat, the detection element can be formed using a thin film semiconductor, and when the detection surface is distorted, the holes provided in the detection surface prevent bending in the circumferential direction. The structure is such that stress is blocked and there is no interference with stress in the radial direction.
本発明の第一の実施例を第１図乃至第１３図に基づいて
説明する。まず、平板状起歪体１はリング状に形成され
た厚さが厚くて剛性の高い周辺部２を有し、この周辺部
２には同一円周上に位置して厚さ方向に貫通した８個の
取付孔３が形成されている。この周辺部２は図示しない
固定部に固定される支持部４とされている。A first embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 13. First, the plate-shaped flexure element 1 has a ring-shaped peripheral part 2 that is thick and has high rigidity. Eight mounting holes 3 are formed. This peripheral portion 2 serves as a support portion 4 that is fixed to a fixed portion (not shown).
また、中央には厚さが厚い円板状の中心部５が形成され
、この中心部５には４個の取付孔６が厚さ方向に貫通し
て形成されている。この中心部５には、図示しない部材
が取付けられ、この中心部５は外力を受けるための作用
部７とされている。Further, a thick disc-shaped central portion 5 is formed in the center, and four attachment holes 6 are formed through the central portion 5 in the thickness direction. A member (not shown) is attached to this central portion 5, and this central portion 5 serves as an acting portion 7 for receiving an external force.
さらに、前記支持部４と前記作用部７との間には厚さの
薄い平板部８が形成され、この平板部８の表面は検出面
９とされている。このような平板部８には比較的直径の
大きい８個の穴１０が等間隔に形成されている。これら
の穴１０により内外周を連結する８本のアーム１１が放
射状に形成されている。これらのアーム１１はそれらの
中心部分において最も幅の狭い幅狭部１２とこの幅狭部
１２の両端に位置して略台形の拡開部１３とよりなるも
のである。そして、Ｘ軸方向とＹ軸方向とＸ軸及びＹ軸
に対して４５度の角度を持つＺ軸方向とに沿うように前
記アーム部１１を位置決めしている。Further, a thin flat plate part 8 is formed between the support part 4 and the action part 7, and the surface of this flat plate part 8 is used as a detection surface 9. Eight holes 10 having a relatively large diameter are formed in such a flat plate portion 8 at equal intervals. Eight arms 11 are formed radially through these holes 10 to connect the inner and outer peripheries. These arms 11 consist of a narrowest part 12 at the center thereof and substantially trapezoidal expanded parts 13 located at both ends of this narrow part 12. The arm portion 11 is positioned along the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction having an angle of 45 degrees with respect to the X-axis and the Y-axis.
ついで、前記Ｘ軸上における前記拡開部１３にはＹ、、
Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、と表示されたストレンゲージによる検
出素子１４が形成されている。これらの検出素子１４の
内、前記Ｙ、、Ｙ４とは外側の拡開部１°３に位置し、
前記Ｙ、、Ｙ、とは内側の拡開部１３に位置している。Next, the expanded portion 13 on the X axis has Y,...
Detection elements 14 using strain gauges labeled Y, , Y, , Y are formed. Of these detection elements 14, Y, Y4 are located at the outer expanded portion 1°3,
Said Y, , Y are located in the inner expanded portion 13.
そして、これらの検出素子１４は第５図に示すようにブ
リッジ結合されており、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、なる検
出素子１４のバランスが崩れた時には出力Ｖｙが発生す
るように接続されている。These detection elements 14 are bridge-coupled as shown in Fig. 5, and are connected so that when the balance of the detection elements 14 Y, , Y, , Y, , Y is lost, an output Vy is generated. has been done.
また、前記Ｘ軸と直交する前記Ｙ軸上における前記拡開
部１３にはｘ、、ｘ、、ｘ、、ｘ、と表示されたストレ
ンゲージによる検出素子１４が形成されている。これら
の検出素子１４の内、前記Ｘ、、Ｘ、とは外側の拡開部
１３に位置し、前記Ｘ、、Ｘ。Further, detection elements 14 made of strain gauges are formed in the expanded portion 13 on the Y axis perpendicular to the X axis, and are labeled x, , x, , x, , x. Of these detection elements 14, the above-mentioned X, , X are located in the outer expanded portion 13, and the above-mentioned X, ,
とは内側の拡開部１３に位置している。これらの検出素
子１４は第６図に示すようにブリッジ結合されており、
Ｘ ｌ ｌ Ｘ ｆｆ ｌ Ｘ ３１ Ｘ ４なる検出
素子１４のバランスが崩れた時には出力Ｖｘが発生する
ように接続されている。is located in the inner expanded portion 13. These detection elements 14 are bridge-coupled as shown in FIG.
X l l X ff l X 31
さらに、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度の角度を持つＺ軸
上に位置する前記拡開部１３には、Ｚ ｌ ｌｚ、、ｚ
、、ｚ４．ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、と表示した８個の検
出素子１４が形成されている。これらの検出素子１４の
内、ｚ、、ｚ４．ｚ、、ｚ、は外側の前記拡開部１３に
位置し、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、は内側の前記拡開部１
３に位置している。これらの検出素子１４は第７図に示
すように接続されている。すなわち、２．．２４ と２
．．２．と２．．２．と２．．２．とがそれぞれユニッ
トになってブリッジ結合されており、これらのバランス
が崩れた時には出力Ｖｚが発生するものである。Further, in the expanded portion 13 located on the Z axis having an angle of 45 degrees with respect to the X axis and the Y axis, Z l lz, z
,,z4. Eight detection elements 14, labeled z, z, z, z, are formed. Among these detection elements 14, z, , z4 . z,, z, are located in the expanded portion 13 on the outside, and z,, z,, z,, z, are located in the expanded portion 1 on the inside.
It is located at 3. These detection elements 14 are connected as shown in FIG. That is, 2. ．． 24 and 2
．． ．． 2. and 2. ．． 2. and 2. ．． 2. are bridge-coupled as a unit, and when the balance between these is disrupted, an output Vz is generated.
前述のように位置決めされた検出素子１４は、３膜技術
により形成されているものである。すなわち、前記平板
状起歪体ｌはアルミニュウム合金またはステンレス鋼に
より形成されているものであるが、まず、その検出面９
にはバッファ層が堆積形成される。このバッファ層とし
て具体的には、ＳｉＮ、あるいは内部応力の少ないａ−
５ｉ：Ｈ膜を２０００〜１００００人 プラズマＣＶＤ
法にて作成する。The detection element 14 positioned as described above is formed by three-film technology. That is, the plate-shaped strain body l is formed of aluminum alloy or stainless steel, and first, its detection surface 9 is
A buffer layer is deposited on the buffer layer. Specifically, this buffer layer is made of SiN or a-
5i:H film by 2,000 to 10,000 people Plasma CVD
Created by law.
つぎに、このバッファ層の上に半導体薄膜をその厚さが
５０００〜２００００人になるように積層し、さらに、
電極材料となる高導電材料（たとえば、ＡＩ。Next, a semiconductor thin film is laminated on this buffer layer to a thickness of 5,000 to 20,000 layers, and further,
Highly conductive materials (for example, AI) that serve as electrode materials.
Ｎｉ−Ｃｒ、Ｍｏ等の金属薄膜）を２０００〜５０００
人の厚さをもって順次積層する。具体的には、半導体薄
膜としては、プラズマＣＶＤ法あるいは光励起ＣＶＤ法
で作成したμＣ−５ｉ （マイクロクリスタルシリコン
）か、ｎ◆ａ−３ｉ ： Ｈを使用し、電極材料として
はＡｌ−５ｉ （Ｓｉ ： ２〜３ｗｔ％）を蒸着法あ
るいはスパッタリング法によって作成する。metal thin film such as Ni-Cr, Mo) from 2000 to 5000
Laminate layers one after another to a human thickness. Specifically, the semiconductor thin film used was μC-5i (microcrystalline silicon) or n◆a-3i:H prepared by plasma CVD or optically excited CVD, and the electrode material was Al-5i (Si : 2 to 3 wt%) by vapor deposition or sputtering.
つぎに、電極材料をフォトリソ、エツチング工法によっ
て所定の形状にパターン化する。エツチングとしては、
ウェット法、ドライ法とがともに形状的には問題がない
が、素子特性に対する影響を避けるためには、ドライエ
ッチが望ましい。また、ａ−Ｓｔ：Ｈの場合、プラズマ
エツチング装置によりＣＦ４−０． （３〜２０ｗｔ
％）の混合ガスを使用することで再現性、精度とも良好
なエツチングが可能である。Next, the electrode material is patterned into a predetermined shape by photolithography and etching methods. As etching,
Both wet etching and dry etching pose no problem in terms of shape, but dry etching is preferable in order to avoid effects on device characteristics. In the case of a-St:H, CF4-0. (3~20wt
%), it is possible to perform etching with good reproducibility and precision.
また、Ｆｘ、Ｆｙ、Ｆｚ、Ｍｘ、Ｍｙ、Ｍｚの力の６成
分の検出と検出素子１４のブリッジ回路とを必要とする
ことから配線密度が高くなるため、多層配線としなけれ
ばならない。そのために、層間絶縁材料、例えば感光性
ポリイミドあるいはＳｉＮ、を積層する。感光性ポリイ
ミドを使用する場合には、ロールコータあるいはスピナ
ーによって塗布し、フォトリソ、エツチング工程により
コンタクトホール部を作成する。ＳｉＮ４の場合には、
プラズマＣＶＤ法によって成膜をし、レジスト塗布後に
フォトリソ、エツチング工程によりコンタクトホール部
を作成する。Further, since detection of the six force components Fx, Fy, Fz, Mx, My, and Mz and a bridge circuit for the detection element 14 are required, the wiring density becomes high, so multilayer wiring is required. For this purpose, an interlayer insulating material such as photosensitive polyimide or SiN is laminated. When photosensitive polyimide is used, it is applied using a roll coater or spinner, and contact holes are created using photolithography and etching processes. In the case of SiN4,
A film is formed by a plasma CVD method, and after resist coating, a contact hole portion is created by a photolithography and etching process.
さらに、第２次電極材料（例えばＡ Ｉ ｒ Ｎ ｉ
−Ｃｒ ｔＭＯ等）をこの上に積層し、フォトリソ、エ
ツチング工程により所定の配線及びパッド部を形成する
。Additionally, a secondary electrode material (e.g. A I r N i
-Cr tMO, etc.) is laminated thereon, and predetermined wiring and pad portions are formed by photolithography and etching processes.
つぎに、耐湿性の向上及び機械的損傷の防止のためにパ
シベーション膜として、例えばパリレンあるいはＳｉｎ
、、Ｓｉ、Ｎ、を堆積形成する。Next, in order to improve moisture resistance and prevent mechanical damage, a passivation film made of, for example, parylene or
, , Si, N, are deposited.
このような検出素子１４の形成手段に対して、第１次電
極パターン、層間絶縁部、第２次電極パターンを先に形
成しておくこともできる。このようにすることにより、
この工程までの不良品を除外することができ、最終工程
での歩留まりを向上させる二とができるものである。検
出素子１４部分での不良モードは、第１次及び第２次電
極パターンのショート、断線が２５％であり、層間絶縁
部の絶縁不良によるショート、コンタクトホール不良品
による断線が２０％程度であり、この工程までの不良が
大半を占めている。そのため、早い工程段階でこれらの
不良を除外できる効果は大きいものである。The primary electrode pattern, the interlayer insulating part, and the secondary electrode pattern may be formed in advance of such a means for forming the detection element 14. By doing this,
Defective products up to this step can be excluded, and the yield in the final step can be improved. The failure mode in the detection element 14 portion is 25% short-circuit or disconnection of the primary and secondary electrode patterns, and about 20% is short-circuit due to poor insulation in the interlayer insulation part or disconnection due to defective contact hole. , the majority of defects occur up to this stage. Therefore, the effect of eliminating these defects at an early process stage is significant.
また、半導体薄膜の堆積形成の際に、必要な部分だけに
開口部を設けたメタルマスクを使用して所定の位置だけ
に半導体薄膜を形成するようにしても良い。これにより
、半導体薄膜のフォトリソ、エツチング工程が不用とな
り、プロセスが簡略化でき、低コストで検出素子１４部
分の製造が可能になる。Further, when depositing the semiconductor thin film, a metal mask having openings only in necessary parts may be used to form the semiconductor thin film only in predetermined positions. This eliminates the need for photolithography and etching steps for the semiconductor thin film, simplifies the process, and makes it possible to manufacture the detection element 14 portion at low cost.
このような構成において、第８図（ａ）（ｂ）に基づい
て平板状起歪体１の検出原理について説明する。In such a configuration, the principle of detection of the flat strain body 1 will be explained based on FIGS. 8(a) and 8(b).
まず、第８図において、ビームまたはプレートによる起
歪体１５が固定部１６と可動部１７との間に取付けられ
ており、この起歪体１５の上下面には中心からの距離を
等しくして検出素子としてのストレンゲージ１８が設け
られている。そして、第８図（ａ）に示す状態は可動部
１７に負荷が加えられていない状態であり、第８図（ｂ
）に示す状態は、Ｆなる下方への負荷が印加されて可動
部１７が下方へ移動した状態である。このとき、起歪体
１５は固定部１６側の上面が伸び、下面が縮小し。First, in FIG. 8, a strain body 15 such as a beam or a plate is installed between a fixed part 16 and a movable part 17, and the upper and lower surfaces of this strain body 15 are arranged at equal distances from the center. A strain gauge 18 is provided as a detection element. The state shown in FIG. 8(a) is a state in which no load is applied to the movable part 17, and the state shown in FIG.
) is a state in which a downward load F is applied and the movable portion 17 moves downward. At this time, the upper surface of the strain body 15 on the fixed portion 16 side expands, and the lower surface contracts.
可動部１７側の上面が縮小し、下面が伸びている。The upper surface on the side of the movable part 17 is reduced, and the lower surface is extended.
すなわち、ストレンゲージ１８には絶対値が等しく符号
十−が逆の歪が発生してそれに応じた抵抗変化をする。That is, strains having equal absolute values and opposite signs occur in the strain gauge 18, and the resistance changes accordingly.
一般にこの４枚のストレンゲージ１８をブリッジ結合し
て感度を４倍にして出力を取り出すようにしている。Generally, these four strain gauges 18 are bridge-coupled to quadruple the sensitivity and output.
つぎに、第９図に示すものは、本実施例における平板状
起歪体１と同様な断面のものであり、周囲の支持部４は
図示しない固定部に固定され、中心の作用部７に外力が
作用するものである。いま。Next, the one shown in FIG. 9 has a cross section similar to that of the flat plate-shaped flexure element 1 in this embodiment, and the surrounding support part 4 is fixed to a fixed part (not shown), and the central acting part 7 An external force acts on it. now.
第９図（ａ）は作用部７に荷重が作用していない状態で
あり、第９図（ｂ）はＦｚなる垂直荷重が作用している
状態である。この状態においては、中心の作用部７から
片側は前述の第８図（ｂ）に示す状態と同様であり、内
側の二つの検出素子１４は縮み（−）、外側の二つの検
出素子１４は伸び（＋）でいるものである。第９図（ｃ
）に示す状態は作用部７にモーメントＭが作用した状態
である。この状態においては、左右で反対称の撓状態を
示し、内側と外側との検出素子１４のそれぞれの撓状態
が逆の符号を示す状態になっている。9(a) shows a state in which no load is acting on the acting portion 7, and FIG. 9(b) shows a state in which a vertical load Fz is acting. In this state, one side from the central action part 7 is similar to the state shown in FIG. It is something that is elongated (+). Figure 9 (c
) is a state in which the moment M is applied to the acting portion 7. In this state, the left and right sides exhibit antisymmetrical deflection states, and the deflection states of the inner and outer detection elements 14 have opposite signs.
このような検出原理を示す平板状起歪体１において、支
持部４と作用部７とが平板部８よりも關性が高く、しか
も、支持部４１作用部７．平板部８が一体的に形成され
ていることが重要な要件である。すなわち、支持部４と
作用部７とには固定部及び荷重検出体が結合されるもの
であるが、これらの締結部に外力による変形又は遊びが
生じることがあると出力にヒステリシスが生じたり、非
線形性が生じたりする。そのため、支持部４と作用部７
とが平板部８よりも剛性が高く、しかも、支持部４２作
用部７．平板部８が一体的に形成されていることにより
、ヒステリシスの発生や非線形性が発生したりすること
がない。また、締結部としての支持部４と作用部７とに
は、ねじ締め等による応力が発生して検出面９に歪を発
生させ易いものであるが、これらの支持部４と作用部７
とは平板部８よりもはるかに剛性が高いので、検出素子
１４に他部材の締結を原因とする歪が発生することがな
い。In the flat plate-shaped flexure element 1 exhibiting such a detection principle, the support part 4 and the action part 7 have a higher relationship than the flat part 8, and moreover, the support part 41 and the action part 7. An important requirement is that the flat plate portion 8 be integrally formed. That is, a fixed part and a load detection body are connected to the support part 4 and the action part 7, but if deformation or play occurs in these fastened parts due to external force, hysteresis may occur in the output. Nonlinearity may occur. Therefore, the supporting part 4 and the acting part 7
The supporting part 42 has higher rigidity than the flat plate part 8, and the supporting part 42 and the acting part 7. Since the flat plate portion 8 is integrally formed, hysteresis and nonlinearity do not occur. In addition, stress is likely to occur in the support part 4 and the action part 7 as fastening parts due to screw tightening, etc., which tends to cause distortion in the detection surface 9.
Since the rigidity is much higher than that of the flat plate part 8, the detection element 14 will not be distorted due to fastening of other members.
一般に、中心に位置する作用部７にはＺ軸方向に突出す
る感圧部材が取付けられるものであるが、その感圧部材
の先端にＦｘなる力が作用したとすれば、作用部７では
Ｍｙなるモーメントになり、感圧部材の先端にＦｙなる
力が作用したとすれば、作用部７ではＭｘなるモーメン
トとなる。そのため、Ｍｙ、Ｍｘ、Ｆｚの三つの外力が
代表的なものとなる。Generally, a pressure-sensitive member protruding in the Z-axis direction is attached to the centrally located acting part 7, but if a force Fx is applied to the tip of the pressure-sensitive member, My If a force Fy is applied to the tip of the pressure-sensitive member, a moment Mx will be generated in the acting portion 7. Therefore, three external forces My, Mx, and Fz are representative.
この応力関係を第１０図に基づいて説明する。This stress relationship will be explained based on FIG. 10.
まず、検出面９の中心に作用点０６ が存し、この作用
点Ｏ０に高さＬの感圧部材が取付けられ、この感圧部材
に対して外力が作用点０１ に作用するものとする。そ
こで、感圧部材の作用点０１ に働くＦｘ、Ｆｙ、Ｆｚ
、Ｍｘ、Ｍｙの成分は、検出面９の作用点Ｏ０では、Ｆ
ｚ 、 Ｍ ｘ 、 Ｍ ｙの３成分力として検出さ
れるものである。First, it is assumed that there is a point of action 06 at the center of the detection surface 9, a pressure-sensitive member with a height L is attached to this point of action O0, and an external force acts on this pressure-sensitive member at a point of action 01. Therefore, Fx, Fy, Fz acting on the point of action 01 of the pressure sensitive member
, Mx, My components are F at the point of action O0 on the detection surface 9.
It is detected as three component forces of z, Mx, and My.
つぎに、第１１図ないし第１３図に基づいて平板状起歪
体１に外力が作用した代表的な状態について説明する。Next, a typical state in which an external force is applied to the flat plate-shaped strain body 1 will be explained based on FIGS. 11 to 13.
まず、作用力として作用部７にモーメントＭＹのみが作
用する状態を第１１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す
。このとき、第１１図（ａ）に示すようにＭｘ成分部に
おいては変形がなく、Ｘ ｌ ｔＸ、 、 Ｘ３． Ｘ
、の検出素子１４により構成された第６図に示すブリッ
ジ回路の出力Ｖｘは「０」である。また、Ｍｙ成分検出
部は、第１１図（ｂ）に示すような変形モードとなり、
Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、、Ｙ、 と表示された検出素子１４
がそれぞれ変形し、第５図に示すブリッジ回路の出力Ｖ
ＹがモーメントＭＹに応じた値を示す。さらに、Ｆｚ成
分検出部は、第１１図（Ｃ）（ｄ）に示すような変形モ
ードとなり、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ
、、ｚ、と表示した８個の検出素子１４がそれぞれ変形
する。しかしながら、この変形度合いが小さいこと、そ
の出力は第７図に示すブリッジ回路により求められるこ
とによりほとんどｒＱＪになる。すなわち、Ｚｌ と
２４．２．と２．．２．と２．．２．と７７との伸び縮
みの変形の方向は各々逆方向であり、第７図に示すブリ
ッジ回路において各辺の合成抵抗がそれぞれ相殺されて
「０」になるため、出力Ｖｚは「Ｏ」になる。First, FIGS. 11(a), (b), (c), and (d) show a state in which only the moment MY acts on the acting portion 7 as an acting force. At this time, as shown in FIG. 11(a), there is no deformation in the Mx component part, and X ltX, , X3. X
The output Vx of the bridge circuit shown in FIG. 6 constituted by the detection elements 14 of , is "0". In addition, the My component detection section enters a deformation mode as shown in FIG. 11(b),
Detection element 14 labeled Y,,Y,,Y,,Y,
are deformed, and the output V of the bridge circuit shown in FIG.
Y indicates a value corresponding to moment MY. Furthermore, the Fz component detection unit enters a deformation mode as shown in FIGS.
, , z, the eight detection elements 14 are deformed. However, since the degree of this deformation is small and the output is determined by the bridge circuit shown in FIG. 7, it is almost rQJ. That is, Zl and 24.2. and 2. ．． 2. and 2. ．． 2. The directions of expansion and contraction of and 77 are opposite directions, and in the bridge circuit shown in Figure 7, the combined resistances of each side cancel each other out and become "0", so the output Vz becomes "O". .
つぎに、モーメントＭｘのみが作用する状態は、第１２
図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示されるが、コノ場合は
Ｍｘ成分検出部の出力Ｖｘが発生し、Ｍｙ成分検出部の
出力ＶｙはｒＱＪ となる。また、Ｆｚ成分検出部の出
力Ｖｚについては、前述の第１１図（ｃ）（ｄ）におけ
る場合と同様な理由により「Ｏ」となる。Next, the state where only moment Mx acts is the 12th
As shown in Figures (a), (b), (c), and (d), in this case, the output Vx of the Mx component detection section is generated, and the output Vy of the My component detection section is rQJ. Further, the output Vz of the Fz component detection section becomes "O" for the same reason as in the case in FIGS. 11(c) and 11(d) described above.
さらに、力Ｆｚのみが作用する場合は、第１３図（ａ）
（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示されるが、Ｍｘ成分検出部にお
いては、Ｘ、、Ｘ４が＋側の変形であり、Ｘ、、Ｘユが
一側の変形であり、第６図に示すブリッジ回路の出力Ｖ
ｘは「０」である。また、ＭＹ成分検出部の出力ＶＹも
同様な理由で［０」である。−方、Ｆｚ成分検出部の出
力Ｖｚは一個の検出素子１４の８倍の出力が得られる。Furthermore, when only force Fz acts, Fig. 13(a)
As shown in (b), (c), and (d), in the Mx component detection section, X, , X4 are deformed on the + side, and X, , X are deformed on the one side, The output V of the bridge circuit shown is
x is "0". Further, the output VY of the MY component detection section is also [0] for the same reason. On the other hand, the output Vz of the Fz component detection section is eight times that of one detection element 14.
このような第１１図ないし第１３図の出）Ｊ状態をまと
めると、第１表に示すようになる。The J states shown in FIGS. 11 to 13 are summarized as shown in Table 1.
第１表
このように最大感度の方向の変形を歪ゲージとしての検
出素子１４により・検出し、他の干渉成分はブリッジ回
路によりその出力を「０」とすることが可能になった。Table 1 As described above, deformation in the direction of maximum sensitivity is detected by the detection element 14 as a strain gauge, and the output of other interference components can be set to "0" by the bridge circuit.
つぎに、平板状起歪体１の平板部８に穴１０を形成した
ことにより、各成分の応力分離が良好に行われている。Next, by forming the hole 10 in the flat plate part 8 of the flat plate-shaped strain body 1, stress separation of each component is performed well.
例えば、平板部８に穴１０がなくて円形ダイヤプラムに
より形成されているものとすれば、作用部７に外力が作
用した時、平板部８に生じる曲げ応力は動径方向に生じ
ることはもちろんのことであるが１周方向にも略同程度
の応力が生じてしまうものである。この周方向の応力の
発生は各成分毎に検出する場合、他の成分に大きく干渉
する。しかしながら、前述のように中心から等距離で円
周上に等間隔で複数の穴１０が形成されていることによ
り、平板部８に発生する周方向の曲げ応力を小さくし、
歪の発生を主として動径方向にのみ表われるようにして
いる。このような作用により、各成分の応力の干渉がな
く、その応力分離が良好に行われるものである。For example, if the flat plate part 8 does not have a hole 10 and is formed by a circular diaphragm, when an external force is applied to the acting part 7, the bending stress generated in the flat plate part 8 will naturally occur in the radial direction. However, approximately the same stress is generated in the circumferential direction. When the generation of stress in the circumferential direction is detected for each component, it greatly interferes with other components. However, as described above, by forming the plurality of holes 10 at equal intervals on the circumference at equal distances from the center, the bending stress in the circumferential direction generated in the flat plate part 8 is reduced,
The generation of strain is made to appear mainly only in the radial direction. Due to such an effect, there is no interference between the stresses of each component, and the stress separation is performed satisfactorily.
また、平板状起歪体１の平板部８に形成された穴１０に
よりアーム１１が形成され、このアーム１１の拡開部１
３に検出索子１４が位置している。Further, an arm 11 is formed by a hole 10 formed in the flat plate part 8 of the flat plate-like strain body 1, and an enlarged part 1 of this arm 11 is formed.
A detection probe 14 is located at 3.
この拡開部１３は互いに隣合う二個の穴１０により形成
されているものであり、略台形に近似した形状をしてい
る。そして、円周方向に対しては、隣合う拡開部１３と
互いに分離された形をしており、前述のように円周方向
の曲げ応力による干渉が生じない状態になっている。し
かも、拡開部１３はアーム１１部分の基部に位置してい
るので、動径方向の曲げ応力が発生し易い部分であり、
外力により発生する歪の検出には適当な位置である。This expanded portion 13 is formed by two holes 10 adjacent to each other, and has a shape approximately approximating a trapezoid. In the circumferential direction, the expanded portions 13 are separated from each other, and as described above, interference due to bending stress in the circumferential direction does not occur. Moreover, since the expanded portion 13 is located at the base of the arm 11 portion, it is a portion where bending stress in the radial direction is likely to occur.
This is an appropriate position for detecting strain caused by external force.
さらに、拡開部１３に発生する曲げ応力の分布を見ると
、アーム１１０基部における前記拡開部１３においては
、その応力分布が比校的均−であり、しかも、干渉が少
ない。そのため、検出素子１４をストレンゲージとして
平板状起歪体１に貼付する場合、多少の位置ずれがあっ
ても歪検出の精度のバラツキがなく、これにより多少の
位置ずれは許容されることになり、貼付位置の精度に対
して厳しい条件を付ける必要がないものである。Furthermore, looking at the distribution of bending stress generated in the expanded portion 13, the stress distribution is relatively uniform in the expanded portion 13 at the base of the arm 110, and there is little interference. Therefore, when the sensing element 14 is attached as a strain gauge to the flat plate-like strain body 1, there is no variation in the accuracy of strain detection even if there is a slight positional shift, and this allows some positional shift. , there is no need to impose strict conditions on the accuracy of the pasting position.
つぎに、平板状起歪体１の平板部８に８個の穴１０が形
成されていることにより、Ｘ軸とＹ軸との動径方向に対
して、それらと４５度の角度を持つ位置にｚ、、ｚ、、
ｚ、、ｚ４．ｚ、、ｚ、、ｚ、、ｚ、なる検出素子１４
を配設することが可能になる。このような検出素子１４
の配設により、第１表に示すようにＦｚ酸成分検出が良
好に為され、しかも、Ｍ ｘ 、 Ｍ ｖ成分の検出時
にその成分以外の検出値を有効に消去することができる
ものである。Next, since the eight holes 10 are formed in the flat plate part 8 of the flat plate-like strain body 1, a position having an angle of 45 degrees with respect to the radial direction of the X-axis and the Y-axis is formed. niz,,z,,
z,,z4. Detection element 14 consisting of z, z, z, z
It becomes possible to arrange. Such a detection element 14
By arranging the Fz acid component as shown in Table 1, the Fz acid component can be detected well, and when detecting the M x and M v components, detected values other than those components can be effectively erased. .
なお、穴１０の数について見ると、これらの穴１０はＸ
！１ｉｌｌｌ及びＹ軸と互いに４５度の角度を持つ方向
に検出素子１４を配設することができれば良いので、穴
１０の数は８の倍数であればよい。また、Ｘ軸とＹ軸と
に対して必ずしも４５度の方向に検出素子１４を配設し
なければならないものではなく、任意の角度に設定する
ことが可能であるが、穴１０の数が８の倍数であれば、
各検出素子】４を円周上に対称的に配設することができ
るため、それらの抵抗変化を相殺することが容易なもの
である。In addition, looking at the number of holes 10, these holes 10 are
! Since it is sufficient that the detection element 14 can be disposed in a direction having an angle of 45 degrees with the Y axis and the Y axis, the number of holes 10 may be a multiple of eight. Further, the detection element 14 does not necessarily have to be arranged at an angle of 45 degrees with respect to the X-axis and the Y-axis, but can be set at any angle. If it is a multiple of
Since the detection elements [4] can be arranged symmetrically on the circumference, it is easy to cancel out their resistance changes.
ついで、第１５図に基づいて本発明の第二の実施例を説
明する。本実施例は前述の第一の実施例と同様な構成が
採用されてい・る他に、平板状起歪体１の穴ｌＯの側面
１９に検出素子１４を貼付したものである。すなわち、
Ｘ軸に沿ったアーム１１の側面１９にはＦｙ検出用の検
出素子１４力く貼付され、Ｙ軸に沿ったアーム１１の側
面１９番二ＣまＦｘ検出用の検出素子１４が貼付され、
Ｘ軸及びＹ軸と４５度の角度をなすアーム１１の側面１
９にはモーメントＭｚ検出用の検出素子１４が貼付され
ている。したがって、本実施例によれＣＺ、Ｘ軸回りの
モーメントＭｚも検出することができるものであるゆ
第１６図に示すものは本発明の第三の実施例で。Next, a second embodiment of the present invention will be described based on FIG. 15. This embodiment employs the same configuration as the first embodiment described above, and in addition, a detection element 14 is attached to the side surface 19 of the hole 10 of the flat strain body 1. That is,
A detection element 14 for Fy detection is attached to the side surface 19 of the arm 11 along the X axis, and a detection element 14 for Fx detection is attached to the side surface 19 of the arm 11 along the Y axis.
Side face 1 of arm 11 forming an angle of 45 degrees with the X and Y axes
A detection element 14 for moment Mz detection is attached to 9. Therefore, according to this embodiment, the moment Mz around the CZ and X axes can also be detected.The device shown in FIG. 16 is a third embodiment of the present invention.
穴１０の形状が楕円形であり、しかも、その長径が放射
方向、すなわち、動径方向に向けられて６するものであ
る。The hole 10 has an elliptical shape, and its major axis is oriented in the radial direction, that is, in the radial direction.
つぎに、第１７図に示すものは、前記第三の実施例の変
形例であり、楕円形の穴１０の方向が異なるものである
。すなわち、六１ｏの短径が放）・を方向に向けて配設
されている。Next, what is shown in FIG. 17 is a modification of the third embodiment, in which the direction of the oval hole 10 is different. That is, the short axis of the 61o is oriented in the direction of radial direction.
さらに、第１８図に示すものは、前記第三のさらに異な
る変形例であり、穴１０が六角形のものである。Furthermore, what is shown in FIG. 18 is a further different modification of the third embodiment, in which the hole 10 is hexagonal.
このように穴１ｏの形状は任意のものが採用可能なもの
である。In this way, any shape can be adopted for the hole 1o.
なお、前記の各実施例においては、平板状Ｂ歪体１を円
板状のものとして説明したが、その外周形状は円板状に
限られるものではなく、正方形状、矩形状、多角形状そ
の他の任意の形状により形成することが可能である。In each of the above embodiments, the flat B strain body 1 is described as being disk-shaped, but the outer peripheral shape is not limited to a disk shape, and may be square, rectangular, polygonal, or other shape. It is possible to form it in any shape.
また、検出軸の方向に関しては、前記実施例のようにｘ
、ｙ、ｚの三方向をすべて検出するものとせず、例えば
Ｘ軸とＹ軸との二方向だけの検出を行うものとして構成
してもよいものである。Furthermore, regarding the direction of the detection axis, x
, y, and z, but may be configured to detect only two directions, for example, the X-axis and the Y-axis.
効果
本発明は、上述のように中心部と周辺部とのいずれか一
方を支持部とし他方を作用部とし、これらの両者間に複
数個の穴が同一円周上に配設された検出面を形成し、二
の検出面よりも前記中心部と前記周辺部との剛性を大き
くした平板状起歪体を形成し、この平板状起歪体の前記
検出面にこの検出面の機械的変形により電気抵抗を変化
させる検出素子を形成したので、平板状起歪体の製作が
きわめて容易であり、しかも、従来のブロック状のもの
であれば製作することができない工法を採用することが
でき、検出素子も薄膜半導体を利用して形成することが
でき、これにより、均等な性能を有する検出素子の配列
を行うことができ、それら゛の位置も正確になり、とく
に、各成分毎のブリッジ化をする複雑なリード線の配線
が容易になり、検出面に形成された複数個の穴により各
力成分の干渉が少なくなり、精度が高い確実な力検出が
できる等の効果を有するものである。Effects As described above, the present invention provides a detection surface in which one of the center part and the peripheral part is used as a support part, the other part is used as an action part, and a plurality of holes are arranged on the same circumference between the two parts. forming a plate-shaped flexure body in which the center part and the peripheral part have greater rigidity than the second detection surface, and the detection surface of the flat plate-shaped flexure body Since we have formed a detection element that changes the electrical resistance, it is extremely easy to manufacture a flat plate-shaped flexure element, and it is also possible to use a construction method that would not be possible with conventional block-shaped elements. The detection elements can also be formed using thin film semiconductors, which makes it possible to arrange the detection elements with uniform performance, and their positions are also accurate. This makes it easier to wire complicated lead wires, and the multiple holes formed on the detection surface reduce interference between each force component, allowing for highly accurate and reliable force detection. .
第１図は本発明の第一の実施例を示す斜視図、第２図は
その平面図、第３図は第２図におけるＡ−Ａ線部の断面
図、第４図は第２図におけるＢ−Ｂ線部の断面図、第５
図はＭＹ成分検出部のブリッジ回路を示す電気回路図、
第６図はＭｘ成分検出部のブリッジ回路を示す電気回路
図、第７図はＦｚ成分検出部のブリッジ回路を示す電気
回路図、第８図は検出原理を示す側面図、第９図は平板
状起工体に外力が作用した状態の検出原理を示す側面図
、第１０図は作用部に作用する力の状態を示す斜視図、
第１１図はモーメントＭｙが作用した時の平板状起歪体
の変形状態を示す側面図、第１２図はモーメントＭｘが
作用した時の平板状起歪体の変形状態を示す側面図、第
１３図は力Ｆｚが作用した時の平板状起歪体の変形状態
を示す側面図、第１４図は外力の作用した場合の各成分
力を示すベクトル図、第１５図は本発明の第二の実施例
を示す斜視図、第１６図は本発明の第三の実施例を示す
平面図、第１７図はその変形例を示す平面図、第１８図
はさらにその変形例を示す平面図である。
１・・平板状起歪体、２・・・周辺部、４・・・支持部
、５・・・中心部、７・・・作用部、９・・・検出面、
１０・・・穴、１４・・・検出素子
出 願 人 株式会社 リコー
３、Ａ 図
Ｊ、 、Ｊ３児
〉−
手 続 有０ 正 書（自発）
昭和６１年 ９月 １日
特願昭６１−１６６３９２号
２、発明の名称
、力検出装置
３、補正をする者
・１■件との関係 特許出願人
住所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号４、代 理
人
〒１０７
５、補正命令の日付
な し
６、補正の対象
特願昭６１−１６６３９２号補正書
この出願に関し、明細書中の記載を下記のように補正す
る。
記
１、第４頁第４行目の「多軸成分」を「多軸力μ分」に
補正する。
２、第４頁第１３行目乃至第１８行目の文を削除する。
３、第５頁第１４行目の「もしくは射出成形」を削除す
る。
４、第６頁第９行目の「支持部４とされている。」をｒ
支持部４に連結されている。」に補正する６５、第９頁
第５行目と第６行目との間に次の文を加入する。
「以上で示した平板状起歪体の検出素子１４は従来から
使われてきた金属箔歪ゲージを用いることも可能であっ
た。起歪体の平板化の必要性は、歪センサの薄膜形成技
術にとっても重要である。」
６、第９頁第１２行目のｒ Ｓ ｉＮ４ノをｒＳｉ、Ｎ
４Ｊに補正する。
７、第９頁第１２行目のｒａ−５ｉ：Ｈ膜」を「５ｉｏ
ｘ膜」に補正する。
８、第１０頁第２行目の「μＣ−５ｉＪを「μＣ−３ｉ
Ｊに補正する。
９、第１１頁第１行目のｒｓｉＮ、Ｊをｒｓｉ、Ｎ４Ｊ
に補正する。
１０、第１１頁第５行目の「ＳｉＮ４」をｒｓｉ、Ｎ、
Ｊに補正する。
１１、第１３頁第】６行目の「結合して感度をＪを次の
ように補正する。
「結合して１枚のストレンゲージの場合と比軟し感度を
」
１２、第１７頁第１行目のｒＭｘ成分部に」をｒＭｘ成
分検出部に」に補正する。
１３、第１８頁第１行目に次の文を加入する。1 is a perspective view showing a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view thereof, FIG. 3 is a sectional view taken along line A-A in FIG. 2, and FIG. Cross-sectional view of line B-B, 5th
The figure is an electric circuit diagram showing the bridge circuit of the MY component detection section.
Fig. 6 is an electric circuit diagram showing the bridge circuit of the Mx component detection section, Fig. 7 is an electric circuit diagram showing the bridge circuit of the Fz component detection section, Fig. 8 is a side view showing the detection principle, and Fig. 9 is a flat plate. FIG. 10 is a side view showing the principle of detection when an external force is applied to the shaped construction body; FIG. 10 is a perspective view showing the state of the force acting on the acting part;
FIG. 11 is a side view showing the deformation state of the flat plate-like flexure body when moment My acts on it, FIG. 12 is a side view showing the deformation state of the flat plate-like flexure body when moment Mx acts on it, and FIG. 13 The figure is a side view showing the deformation state of the flat plate-shaped flexure body when force Fz is applied, Fig. 14 is a vector diagram showing each component force when external force is applied, and Fig. 15 is the second embodiment of the present invention. FIG. 16 is a perspective view showing the embodiment, FIG. 16 is a plan view showing a third embodiment of the present invention, FIG. 17 is a plan view showing a modification thereof, and FIG. 18 is a plan view showing a further modification thereof. . DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Flat strain body, 2... Peripheral part, 4... Support part, 5... Center part, 7... Acting part, 9... Detection surface,
10... Hole, 14... Detection element Applicant: Ricoh Co., Ltd. 3, A Figure J, , J3〉- Procedure Yes 0 Authorized letter (self-motivated) September 1, 1988 Patent application 1988- 166392 No. 2, Title of the invention, Force detection device 3, Person making the amendment/Relationship with the matter Patent applicant address: 1-3-6-4 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo, Agent
Person: 107, 5, No date of amendment order: 6, Patent application No. 166392/1981 to be amended.Regarding this application, the statement in the specification is amended as follows. 1, page 4, line 4, "multiaxial component" is corrected to "multiaxial force μ". 2. Delete the sentences from line 13 to line 18 on page 4. 3. Delete "or injection molding" on page 5, line 14. 4. On page 6, line 9, "It is used as support part 4."
It is connected to the support part 4. 65, the following sentence is added between the 5th and 6th lines of page 9. ``For the detection element 14 of the flat strain body shown above, it was also possible to use a conventionally used metal foil strain gauge. It is also important for technology.'' 6, page 9, line 12, rSi,N
Correct to 4J. 7, page 9, line 12, ra-5i:H film” was replaced with “5io
x film”. 8, page 10, line 2, “μC-5iJ is replaced with “μC-3i”
Correct to J. 9, rsiN, J in the first line of page 11 as rsi, N4J
Correct to. 10. Set "SiN4" on page 11, line 5 to rsi, N,
Correct to J. 11, page 13] Line 6: ``Combine and correct the sensitivity J as follows. ``Combine to calculate the relative softening sensitivity compared to the case of one strain gauge'' 12, page 17 The rMx component part in the first line is corrected to "rMx component detection part". 13. Add the following sentence to the first line of page 18.
Claims (1)
を作用部とし、これらの両者間に複数個の穴が同一円周
上に配設された検出面を形成し、この検出面よりも前記
中心部と前記周辺部との剛性を大きくした平板状起歪体
を形成し、この平板状起歪体の前記検出面にこの検出面
の機械的変形により電気抵抗を変化させる検出素子を形
成したことを特徴とする力検出装置。 ２、検出面の穴の数を８個又は８個の倍数にしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の力検出装置。[Claims] 1. A detection surface in which one of the center part and the peripheral part is used as a support part, the other part is used as an action part, and a plurality of holes are arranged between the two on the same circumference. A plate-shaped flexure body is formed in which the center portion and the peripheral portion have greater rigidity than the detection surface, and electricity is applied to the detection surface of the flat plate-shaped flexure body by mechanical deformation of the detection surface. A force detection device characterized by forming a detection element that changes resistance. 2. The force detection device according to claim 1, wherein the number of holes in the detection surface is 8 or a multiple of 8.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166392A JPS6321531A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Force detector |
| US07/073,290 US4836034A (en) | 1986-07-15 | 1987-07-14 | Force sensing apparatus |
| US07/289,252 US4911023A (en) | 1986-07-15 | 1988-12-23 | Force sensing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166392A JPS6321531A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Force detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321531A true JPS6321531A (en) | 1988-01-29 |
Family
ID=15830567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166392A Pending JPS6321531A (en) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Force detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6321531A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5993364A (en) * | 1997-08-07 | 1999-11-30 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for tightening connecting rod attachment members |
| JP2006349645A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Nissan Motor Co Ltd | Component of force measuring apparatus of wheel |
| US7441470B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-10-28 | Nitta Corporation | Strain gauge type sensor and strain gauge type sensor unit using the same |
| JP2018132455A (en) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | ミネベアミツミ株式会社 | Sensor-integrated shaft support structure and sensor structure |
| WO2023276035A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | ファナック株式会社 | Torque sensor |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP61166392A patent/JPS6321531A/en active Pending
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|---|---|---|---|---|
| US5993364A (en) * | 1997-08-07 | 1999-11-30 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for tightening connecting rod attachment members |
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| JP2018132455A (en) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | ミネベアミツミ株式会社 | Sensor-integrated shaft support structure and sensor structure |
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