JPS63207183A - Photosensor - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To control and change over spectral characteristics by forming an electrode on the side reverse to the side, to which beams are projected, in an intrinsic semiconductor region in a laterally shaped PIN photodiode and applying control voltage to the electrode. CONSTITUTION:An electrode 6 is formed onto a surface on the side reverse to the side, to which beams are projected, in a I semiconductor region 4 in a laterally shaped PIN photodiode. Consequently, the potential distribution of an electric field generated in the I region 4 can be changed by applying control voltage to the electrode 6. Potential distribution is altered largely by the magnitude of the control voltage, and the wavelength and photocurrent characteristics of the I region are varied by potential distribution. Accordingly, spectral characteristics can be controlled arbitrarily by control voltage applied to the electrode 6, and spectral characteristics can also be changed over by fluctuating control voltage.

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be described in the following order.

Ａ、産業上の利用分野 Ｂ９発明の概要 Ｃ従来技術［第４図、第５図コ Ｄ６発明が解決しようとする問題点 Ｅ１問題点を解決するための手段 Ｆ６作用 Ｇ、実施例［第１図乃至第３図］ Ｈ１発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明はフォトセンサ、特に絶縁基板上に形成した半導
体領域によってＰＩＮフォトダイオードを構成したフォ
トセンサに関する。A. Industrial field of application B9 Summary of the invention C. Prior art [Figures 4 and 5] D6 Problems to be solved by the invention E1 Means for solving the problems F6 Effects G. Embodiments [First example] Figures to Figures 3] H1 Effects of the Invention (A. Field of Industrial Application) The present invention relates to a photosensor, and particularly to a photosensor in which a PIN photodiode is configured by a semiconductor region formed on an insulating substrate.

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、絶縁基板上に形成した半導体領域によってＰ
ＩＮフォトダイオードを構成したフォトセンサにおいて
、 分光特性を電圧によフてル１ｊ御できるようにするため
、 Ｐ型、真性（１）、Ｎ型の半導体領域を絶縁基板上にラ
テラルに配置し、Ｉ半導体領域の光が人射される側と反
対側の面に絶縁層を介して分光特性制御用の制御電極を
形成することにより、その制御電極に印加する電圧によ
ってＩ半導体領域内のポテンシャル分布を変化させるこ
とができるようにしたものである。(B. Summary of the Invention) The present invention provides a semiconductor region formed on an insulating substrate.
In a photosensor configured as an IN photodiode, in order to fully control the spectral characteristics by voltage, P-type, intrinsic (1), and N-type semiconductor regions are arranged laterally on an insulating substrate. By forming a control electrode for controlling spectral characteristics via an insulating layer on the side of the I semiconductor region opposite to the side where the light is irradiated, the potential distribution in the I semiconductor region can be controlled by the voltage applied to the control electrode. It is designed so that it can be changed.

（Ｃ，従来技術）［第４図、第５図］ フォトセンサとして第４図に示すように例えば石英から
なる絶縁基板ａ上にＰ＋型半導体領域ｂ、■半導体領域
Ｃ及びＮ＋梨半導体領域ｄを積層（あるいはラテラルに
形成）することによりＰＩＮフォトダイオードを構成し
たものがある。(C, Prior Art) [Fig. 4, Fig. 5] As shown in Fig. 4 as a photosensor, on an insulating substrate a made of quartz, for example, a P+ type semiconductor region b, a semiconductor region C, and an N+ type semiconductor region d are formed. Some PIN photodiodes are constructed by laminating (or forming laterally).

このようなフォトセンサにおいて分光特性は光電変換部
であるＩ領域Ｃの膜厚ｔによって調節が行うのか普通で
あった。というのはＰＩＮフォトダイオードにおいては
入射光の吸収による電子・正孔対の発生か１領域Ｃ内に
て行われ、Ｉ′？Ａ域Ｃ内においての入射光が吸収され
る深さが入射光の波長によって異なり、波長が長くなる
程深くなる。具体的には、赤、黄等可視光のうち波長の
長い方に属する入射光はＩ領域Ｃ内に入って約１μｍ進
んだところでＩ領域Ｃに吸収される。従って、可視光の
全帯域に渡って入射光を検知するような分光特性を得る
場合にはＩ領域Ｃの厚さを１μｍ以上のＪ’Ｘさにし、
長波長の光を検知しないようにするには！領域Ｃの厚さ
を１μｍより適宜薄くすればよいことになる。依って、
■領域Ｃの膜厚ｔによって分光特性を制御することかで
きるのである。In such a photosensor, the spectral characteristics are usually adjusted by the film thickness t of the I region C, which is the photoelectric conversion section. This is because in a PIN photodiode, electron-hole pairs are generated within one region C by absorption of incident light, and I'? The depth at which incident light is absorbed in region A differs depending on the wavelength of the incident light, and becomes deeper as the wavelength becomes longer. Specifically, incident light belonging to the longer wavelength of visible light such as red and yellow enters I region C and is absorbed by I region C after traveling approximately 1 μm. Therefore, in order to obtain spectral characteristics that allow detection of incident light over the entire visible light band, the thickness of I region C should be J'X of 1 μm or more,
How to avoid detecting long wavelength light! The thickness of region C may be made thinner than 1 μm as appropriate. Therefore,
(2) Spectral characteristics can be controlled by the film thickness t of region C.

第５図はＩ領域Ｃの入射光に対する吸収率が波長によっ
てどのように変化するかを示す波長・吸収率特性図であ
るか、この特性は■領域Ｃの膜厚ｔによって異なるので
あり、従来においてはそのＩ領域Ｃの膜厚ｔによって波
長・吸収率特性か異なることを利用して分光特性を制御
していたということができる。Figure 5 is a wavelength/absorption rate characteristic diagram showing how the absorption rate of incident light in I region C changes depending on the wavelength.This characteristic varies depending on the film thickness t of region C. It can be said that the spectral characteristics were controlled by utilizing the fact that the wavelength/absorption rate characteristics differ depending on the film thickness t of the I region C.

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点〉ところで、■領
域Ｃの膜厚ｔによって分光特性をコントロールすること
には種々の問題があった。先ず、■領域Ｃの膜厚ｔは高
精度にコントロールすることが難しく、また、分光特性
に影響を及ぼす接合特性にバラツキが生じ易い。そのた
め、分光特性を高精度にコントロールすることは実際は
非常に難しかった。(D. Problems to be Solved by the Invention) By the way, there are various problems in controlling the spectral characteristics by controlling the film thickness t of region C. First, It is difficult to control, and variations tend to occur in the bonding properties that affect the spectral properties.Therefore, it is actually very difficult to control the spectral properties with high precision.

また、）オドセンサの製造後にその分光特性を変化させ
ることはできなかった。Furthermore, it was not possible to change the spectral characteristics of the odosensor after it was manufactured.

本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、絶縁基板上に半導体領域を成長させることにより
ＰＩＮフォトダイオードを構成したタイプのフォトセン
サの分光特性を高精度に制御できるようにし、且つ分光
特性を可変にすることを目的とするものである。The present invention has been made to solve these problems, and it is possible to control with high precision the spectral characteristics of a photosensor of the type that constitutes a PIN photodiode by growing a semiconductor region on an insulating substrate. The purpose of this is to make the spectral characteristics variable.

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明フォトセンサは上記問題点を解決するため、Ｐ型
、■、Ｎ型の半導体領域を絶縁基板上にラテラルに配置
し、■半導体領域の光が入射される側と反対側の面に絶
縁層を介して分光特性制御用の電極を形成してなること
を特徴とする。(E. Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the photosensor of the present invention has P-type, ■, and N-type semiconductor regions arranged laterally on an insulating substrate, and ■ It is characterized by forming an electrode for controlling spectral characteristics via an insulating layer on the side opposite to the side where the light is incident.

（Ｆ、作用） 本発明フォトセンサによれば、ラテラルに形成されたＰ
ＩＮフォトダイオードの■領域の光が入射される側と反
対側の面に電極か形成されているので、その電極に制御
電圧をかけることによりＩ領域内に生している電界のポ
テンシャル分布を変化させることができる。そして、そ
の制御電圧の大きさによってポテンシャル分布が大きく
変化し、また、ポテンシャル分布によってＩ領域の波長
・充電流特性が変化する。従って、電極に印加する制御
電圧によって任意に分光特性を制御することがてき、そ
して、制御電圧を変化することにより分光特性を切換え
ることもできる。(F, action) According to the photosensor of the present invention, P formed laterally
An electrode is formed on the side opposite to the light incident side of the IN photodiode in the ■ region, so by applying a control voltage to that electrode, the potential distribution of the electric field generated in the I region can be changed. can be done. The potential distribution changes greatly depending on the magnitude of the control voltage, and the wavelength/charge current characteristics in the I region change depending on the potential distribution. Therefore, the spectral characteristics can be arbitrarily controlled by the control voltage applied to the electrodes, and the spectral characteristics can also be switched by changing the control voltage.

（Ｇ、実施例）［第１図乃至第３図］ 以下、本発明フォトセンサを図示実施例に従って詳細に
説明する。(G. Embodiment) [FIGS. 1 to 3] Hereinafter, the photosensor of the present invention will be described in detail according to the illustrated embodiment.

第１図は本発明フォトセンサの一つの実施例を示す断面
図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of the photosensor of the present invention.

同図において、１は石英等からなる絶縁基板、２は該絶
縁基板１表面に形成されたＮゝ型半導体領域、３は該半
導体領域２から離間して絶縁基板１表面上に形成された
Ｐ′″型半導体領域、４は該Ｐ＋型半導体領域３と上記
Ｎ０型半導体領域２との間の部分上に形成されたｉ型半
導体領域であり、約１μｍの膜厚を有している。In the figure, 1 is an insulating substrate made of quartz or the like, 2 is an N type semiconductor region formed on the surface of the insulating substrate 1, and 3 is a P type semiconductor region formed on the surface of the insulating substrate 1 at a distance from the semiconductor region 2. '' type semiconductor region 4 is an i type semiconductor region formed on a portion between the P+ type semiconductor region 3 and the N0 type semiconductor region 2, and has a film thickness of about 1 μm.

５はＩ半導体領域４の表面に形成された絶縁層、６は該
絶縁層５上に形成された分光特性制御用の制御電極であ
る。5 is an insulating layer formed on the surface of the I semiconductor region 4, and 6 is a control electrode for controlling spectral characteristics formed on the insulating layer 5.

このフォトセンサは、Ｐ＋型半導体領域３を接地し、Ｎ
＋＋半導体領域２に正の電位（＋Ｅ）を与え、そして、
分光特性制御用の制御電極６と例えばＰ＋型半導体領域
３との間に分光特性制御電圧Ｖｇを印加して使用する。This photosensor has a P+ type semiconductor region 3 grounded and an N
++ Applying a positive potential (+E) to the semiconductor region 2, and
A spectral characteristic control voltage Vg is applied between the control electrode 6 for controlling spectral characteristics and, for example, the P+ type semiconductor region 3.

第２図（Ａ＞、（Ｂ）は真性半導体領域４をその中央に
て切断した面におけるポテンシャル分布を示すもので、
その真性半導体領域４内の曲線は等電位面が上記切断面
に露出したものである。そして、同図（Ａ）は分光特性
制御電圧ＶｇがＯＶの場合、換言すれば、電極６がＰ＋
型半導体領域３と同電位にされた場合のポテンシャル分
布を示し、同図（Ｂ）は分光特性制御電圧ｖｇが＋１６
Ｖの場合を示している。FIG. 2 (A>, (B) shows the potential distribution on a plane cut at the center of the intrinsic semiconductor region 4.
The curve in the intrinsic semiconductor region 4 is an equipotential surface exposed at the cut surface. In the same figure (A), when the spectral characteristic control voltage Vg is OV, in other words, the electrode 6 is P+
The potential distribution is shown when the potential is the same as that of the type semiconductor region 3, and (B) shows the potential distribution when the spectral characteristic control voltage vg is +16
The case of V is shown.

分光特性制御用電圧Ｖｇを０■にした場合には、第２図
（Ａ）に示すようにＮ＋型領領域Ｐ＋型領域との間に印
加された電圧による電界が■領域４の比較的上部にまて
生している。従って、■領域４の上部において吸収され
た比較的波長の長い光も光電流にすることができる。換
言すれば、■領域４の上部において吸収された長波長の
入射光により発生した電子・正孔に対しても電界を及ぼ
して再結合部に光電流とすることができる。依って、分
光特性を長波長の光をも検知する特性にすることができ
る。When the spectral characteristic control voltage Vg is set to 0, the electric field due to the voltage applied between the N+ type region and the P+ type region is relatively high in the region 4, as shown in FIG. It's still alive. Therefore, light having a relatively long wavelength absorbed in the upper part of region 4 can also be converted into photocurrent. In other words, it is possible to apply an electric field to electrons and holes generated by long-wavelength incident light absorbed in the upper part of region 4, and to generate a photocurrent in the recombination portion. Therefore, the spectral characteristics can be made to detect even long wavelength light.

分光特性制御用電圧Ｖｇを高くした場合（Ｖｇ＝＋　１
６Ｖ）ｋ：は、第２図（Ｂ）　に示すように！半導体領
域４内に生じるところのＰ＋型領域・Ｎ＋型領領域間逆
バイアス電圧Ｅによる横方向の′電界が電Ｖｉ６直下に
生じた空乏層により下側に押され、その結果、■領域４
の上部における電界強度が非常に弱くなる。従って、■
領域４の上部において吸収された比較的波長の長い光が
光電変換されて電子と正孔が生じても、電子は正の電位
が与えられている分光特性制御電極６にドリフトされ、
ライフタイムがきて消滅するし、正孔の方はもともとラ
イフタイム、移動度が小さいので光電流にはほとんどな
り得ない。従って、長波長の光による光電流はほとんど
生じない。光電流が流れるのはＩ領域４の下部において
吸収された短波長の入射光によるもの゛のみになる。依
って、フォトセンサの分光特性を長波長の光を検知しな
い帯域の狭い特性にすることができる。When the spectral characteristic control voltage Vg is increased (Vg=+1
6V) k: as shown in Figure 2 (B)! The lateral electric field caused by the reverse bias voltage E between the P+ type region and the N+ type region generated in the semiconductor region 4 is pushed downward by the depletion layer generated directly under the electric field Vi6, and as a result, the ■region 4
The electric field strength above becomes very weak. Therefore,■
Even if the light with a relatively long wavelength absorbed in the upper part of the region 4 is photoelectrically converted and electrons and holes are generated, the electrons are drifted to the spectral characteristic control electrode 6 which is given a positive potential.
It disappears at the end of its lifetime, and holes have a small lifetime and mobility, so they can hardly become a photocurrent. Therefore, almost no photocurrent is generated due to long wavelength light. The photocurrent flows only due to the short wavelength incident light absorbed in the lower part of the I region 4. Therefore, the spectral characteristics of the photosensor can be made to have narrow band characteristics that do not detect long wavelength light.

第３図は波長・光電流特性を示すもので、この図から電
極６に印加する分光特性ｉ（制御電圧Ｖｇを変えること
によってその特性を変化させることができることが解る
。そして、分光特性制御電圧Ｖｇを連続的に変化させる
ことにより波長・光電流特性を連続的に変化させること
ができる。従）て、任意の波長・光電流特性が得られる
ように分光特性制御電圧Ｖｇを調節することにより任意
の分光特性を高精度に得ることができる。FIG. 3 shows the wavelength/photocurrent characteristics. From this figure, it can be seen that the characteristics can be changed by changing the spectral characteristic i (control voltage Vg) applied to the electrode 6. By continuously changing Vg, the wavelength and photocurrent characteristics can be changed continuously. Therefore, by adjusting the spectral characteristics control voltage Vg so that arbitrary wavelength and photocurrent characteristics can be obtained. Any spectral characteristic can be obtained with high precision.

・そして、分光特性制御用電圧Ｖｇの大きさを切換える
ことにより分光特性を変化させるようにすることができ
る。-The spectral characteristics can be changed by switching the magnitude of the spectral characteristics control voltage Vg.

このように、フォトセンサの分光特性を高精度に制御で
きるようにすることによってフォトセンサを用いた例え
ば複写機、ファクシミリ等の機能を豊富にすることがで
きる。例えば、罫線を赤にした原稿に報告書等を記載し
て複写、送信すると、目障りな罫線が除かれた報告書が
複写、送信されるようにすることが可能になる。また、
分光特性制御電圧を切換えることにより、例えば赤で記
載した文字等が複写、送信されるようにしたりさねない
ようにしたりすることができる。また、ホールベンで記
載された文字等は赤い色の光を乱反射し、読み取りにく
くするという傾向を有しており、読み取り易くするため
には長波長の光を検知しない分光特性のセンサで読みと
った方が良いか、本フォトセンサはそのようなセンサと
して用いるのに最適である。In this way, by making it possible to control the spectral characteristics of the photosensor with high precision, it is possible to enrich the functions of, for example, a copying machine, a facsimile machine, etc. using the photosensor. For example, if a report or the like is written on a document with red ruled lines and then copied and sent, the report can be copied and sent without the obtrusive ruled lines. Also,
By switching the spectral characteristic control voltage, for example, characters written in red can be copied or transmitted or not. In addition, letters written in Holeben have a tendency to diffusely reflect red light, making them difficult to read, so in order to make them easier to read, it is better to read them with a sensor with spectral characteristics that does not detect long wavelength light. This photosensor is ideal for use as such a sensor.

また、分光特性を適宜に制御することによって色フィル
タを得ることもできる。Moreover, a color filter can also be obtained by appropriately controlling the spectral characteristics.

尚、第１図に示したフォトセンサは次の方法で製造でき
る。石英等からなる絶縁基板１上に減圧ＣＶＤにより例
えば８００人程度の膜厚を有する多結晶シリコン層を成
長させ、該層にｓｉ４＋イオンを注入して一旦非晶質化
し、次いで６００℃の温度で熱処理してその層の結晶性
を良くしたうえで、その層のＮ型領域２、Ｐ型頭域３と
なる部分を５ｉ０２等で覆い、他の部分４ａ上に開口を
設ける。そして、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスあるいは５ｉＨ２Ｃ
１２とＨＣＩとの混合ガスを用いて高温下で上記開口上
にのみ選択的にアモルファスシリコン層を成長させ、こ
の層をＩ半導体領域４とする。Incidentally, the photosensor shown in FIG. 1 can be manufactured by the following method. A polycrystalline silicon layer having a thickness of, for example, about 800 nm is grown on an insulating substrate 1 made of quartz or the like by low pressure CVD, and the layer is once made amorphous by implanting Si4+ ions, and then grown at a temperature of 600°C. After improving the crystallinity of the layer by heat treatment, the portions of the layer that will become the N-type region 2 and the P-type head region 3 are covered with 5i02 or the like, and openings are provided on the other portions 4a. And S i H4 gas or 5iH2C
An amorphous silicon layer is selectively grown only on the opening at high temperature using a mixed gas of 12 and HCI, and this layer is used as the I semiconductor region 4.

尚、この技術については特願昭６１−１４４２６４、特
願昭６１−１４４２６５によって本願出願人会社から既
に提案が為されている。その後、周知の方法で■半導体
領域４表面に絶縁層５を形成し、該絶縁層５上に電極６
を蒸着等によって形成する。Incidentally, this technique has already been proposed by the applicant company in Japanese Patent Applications Sho 61-144264 and Sho 61-144265. Thereafter, (1) an insulating layer 5 is formed on the surface of the semiconductor region 4 by a well-known method, and an electrode 6 is formed on the insulating layer 5.
is formed by vapor deposition or the like.

（Ｈ，発明の効果） 以上に述べたように、本発明フォトセンサは、絶縁基板
上に互いに離間して配置された第１導電型半導体領域及
び第２導電型半導体領域と、上記第１及び第２の半導体
領域間にそれぞれと接続された状態で配置された真性半
導体領域と、該真性半導体領域の光が入射される側と反
対側の而に絶縁層を介して形成された電極と、を有する
ことを特徴とするものである。(H. Effects of the Invention) As described above, the photosensor of the present invention includes a first conductive type semiconductor region and a second conductive type semiconductor region which are spaced apart from each other on an insulating substrate; an intrinsic semiconductor region disposed between and connected to the second semiconductor regions, and an electrode formed via an insulating layer on the side opposite to the light incident side of the intrinsic semiconductor region; It is characterized by having the following.

従って、本発明フォトセンサによれば、ラテラルに形成
されたＰＩＮフォトダイオードの真性半導体領域の光が
入射される側と反対側の面に電極が形成されているので
、その電極に制御電圧をかけることにより真性半導体領
域内の電界のポテンシャル分布を変化させることができ
る。そして、その制御電圧の大ささによってポテンシャ
ル分布が大きく変化し、また、ポテンシャル分イ１１に
よって真性半導体領域の波長・充電流特性か変化する。Therefore, according to the photosensor of the present invention, since the electrode is formed on the side opposite to the light incident side of the intrinsic semiconductor region of the PIN photodiode formed laterally, a control voltage is applied to the electrode. This makes it possible to change the potential distribution of the electric field within the intrinsic semiconductor region. The potential distribution changes greatly depending on the magnitude of the control voltage, and the wavelength/charge current characteristics of the intrinsic semiconductor region also change depending on the potential component A11.

従って、電極に印加する制御電圧によって任意に分光特
性を制御することができ、そして、制御電圧を変化する
ことにより分光特性を切換えることができる。Therefore, the spectral characteristics can be arbitrarily controlled by the control voltage applied to the electrodes, and the spectral characteristics can be switched by changing the control voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図乃至第３図は本発明フォトセンサの一つの実施例
を説明するためのもので、第１図はフォトセンサの断面
図、第２図（Ａ）、（Ｂ）は真性半導体領域内のポテン
シャル分布図で、同図（Ａ）は制御電圧がＯｖの場合を
、同図（、Ｂ）は制御電圧が１６Ｖの場合を示し、第３
図は波長・充電流特性図、第４図は従来例を示す断面図
、第５図は波長・吸収率特性が真性半導体領域の厚さに
よって変化することを示す波長・吸収率特性図である。 符号の説明 １・・・絶縁基板、 ２・・・第１導電型半導体領域、 ３・・・第２導電型半導体領域、 ４・・・真性≠導体領域、５・・・絶縁層、６・・・電
極。 波長・充電流特性図 第３図 従来例ぞ示ｔＶ面図 第４図 暖 収 波長・０小牟特性図 第５図 手続ネ甫正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６２年特許願第４０５４２号 ０、発明の名称 フィトセンサ 、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称　（２
１８）　　　ソニー株式会社４、代理人 住所　東京都世田谷区豪徳寺１丁目３５番１号昭和６２
年３月３１日 ６、補正の対象 図面 ７、補正の内容 第２図の分区番号ｒ　（Ｃ）Ｊを「【Ｂ）」に訂正する
。尚、第２図の図面の内容及び分区番号「（Ａ）」には
変更なし。 ８、添付書類の目録1 to 3 are for explaining one embodiment of the photosensor of the present invention, FIG. 1 is a cross-sectional view of the photosensor, and FIGS. 2(A) and 2(B) are inside the intrinsic semiconductor region. In the potential distribution diagram, (A) shows the case where the control voltage is Ov, and (,B) shows the case where the control voltage is 16V.
The figure is a wavelength/charge current characteristic diagram, Figure 4 is a sectional view showing a conventional example, and Figure 5 is a wavelength/absorption rate characteristic diagram showing that wavelength/absorption rate characteristics change depending on the thickness of the intrinsic semiconductor region. . Explanation of symbols 1... Insulating substrate, 2... First conductivity type semiconductor region, 3... Second conductivity type semiconductor region, 4... Intrinsic≠conductor region, 5... Insulating layer, 6... ··electrode. Wavelength/charge current characteristic diagram Figure 3 Conventional example tV diagram Figure 4 Heat absorption wavelength/0 small wave characteristic diagram Figure 5 Procedure Nefu official text (method) % formula % 1. Incident display 1986 Patent Application No. 405420, name of the invention Phytosensor, relationship with the case of the person making the amendment Patent applicant address No. 6-7-35, Kitashinyo, Tokyo Parts Store Name (2
18) Sony Corporation 4, Agent address: 1-35-1 Gotokuji, Setagaya-ku, Tokyo 1982
March 31, 2015 6, Drawing 7 subject to amendment, content of amendment The subdivision number r (C)J in Figure 2 is corrected to "[B]". There are no changes to the content of the drawing in Figure 2 or the subdivision number "(A)". 8. List of attached documents

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）絶縁基板上に互いに離間して配置された第１導電
型半導体領域及び第２導電型半導体領域と、 上記第１及び第２の半導体領域間上にそれぞれと接続さ
れた状態で配置された真性半導体領域と、 上記真性半導体領域の光が入射される側と反対側の面に
絶縁層を介して形成された電極と、を有することを特徴
とするフォトセンサ(1) A first conductivity type semiconductor region and a second conductivity type semiconductor region which are arranged on an insulating substrate to be spaced apart from each other; and an electrode formed on a surface of the intrinsic semiconductor region opposite to the light incident side with an insulating layer interposed therebetween.