JPS63205382A - Tacky sheet for sticking wafer - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
光期Ω技封光野
本発明はウェハ貼着用粘着シートに関し、さらに詳しく
は、半導体ウェハを小片に切断分離する際に用いられる
ウェハ貼着用粘着シートに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an adhesive sheet for adhering wafers, and more particularly to an adhesive sheet for adhering wafers used when cutting and separating semiconductor wafers into small pieces.
発明の技術的背景ならびにその問題点
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離（ダイ
シング）された後に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼着された状態でダ゛イシング、洗浄、乾煤、エキスパ
ンディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が
加えられている。Technical background of the invention and its problems Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide, etc. are manufactured in a large diameter state, and after this wafer is cut and separated (diced) into small element pieces, it is transferred to the next process, a mounting process. ing. At this time, the semiconductor wafer is previously attached to an adhesive sheet and subjected to the following steps: dicing, cleaning, drying, expanding, picking up, and mounting.
このような半導体ウェハのダイシング工程で用いられて
いる粘着シートとしては、従来、塩化ビニル、ポリプロ
ピレンなとの基材面上にアクリル系などの粘着剤層が設
けられたものが用いられてきた。The adhesive sheet used in such a semiconductor wafer dicing process has conventionally been one in which an acrylic adhesive layer is provided on a base material such as vinyl chloride or polypropylene.
ところで上記のような粘着シートを用いて半導体ウェハ
を切断ブレードにより切断分離するには、従来半導体ウ
ェハの厚みの半分程度を切断するハーフカット方式が主
として採用されてきた。ところがこのハーフカット方式
では、切断ブレードにより切断されたウェハをさらに分
割する操作が必要であるという問題点があった。By the way, in order to cut and separate a semiconductor wafer with a cutting blade using the above-mentioned adhesive sheet, a half-cut method in which about half the thickness of the semiconductor wafer is cut has been mainly adopted. However, this half-cut method has a problem in that it requires an operation to further divide the wafer that has been cut by the cutting blade.
このような問題点を解決するため、ウェハを切断ブレー
ドによって完全に切断するフルカット方式が採用されつ
つある。このフルカット方式によればウェハは完全に切
断されるため、ウェハを分割する必要はないが、ウェハ
の切断時に切断ブレードが粘着剤層あるいは基材にもく
い込むため、切断ブレードに粘着剤が付着し目づまりを
起こして切断ブレードによるウェハの切断ができなくな
ってしまうという新たな問題点が生じてしまう。In order to solve these problems, a full cut method is being adopted in which the wafer is completely cut by a cutting blade. According to this full-cut method, the wafer is completely cut, so there is no need to divide the wafer. However, when cutting the wafer, the cutting blade penetrates into the adhesive layer or the base material, so the adhesive is absorbed into the cutting blade. A new problem arises in that the particles adhere to each other and cause clogging, making it impossible to cut the wafer with the cutting blade.
このような粘着剤が付着した切断ブレードは、この付着
物を除去するとともに切れ味を回復させるなめ、いわゆ
るドレッサーボードと接触させることが行なわれている
が、このような操作を採用しても、切断ブレードの寿命
は、ハーフカット方式の場合に比較して１／１０程度に
なってしまう。Cutting blades with adhesives adhered to them are brought into contact with a so-called dresser board in order to remove this adhesive and restore their sharpness, but even if such an operation is adopted, the blade will not cut properly. The life of the blade is about 1/10 that of the half-cut method.
切断ブレードの寿命が短くなるということは、単に高価
な切断ブレードが新たに必要となるという問題点に加え
て、切断ブレードの取り替えに手間がかかるという問題
点もある。なぜなら切断ブレードの取り替えには、精度
が要求されるからである。Shortening the lifespan of the cutting blade not only requires a new expensive cutting blade, but also causes the problem that it takes time and effort to replace the cutting blade. This is because precision is required when replacing the cutting blade.
上記のように、ウェハを切断ブレードによってフルカッ
ト方式により切断することが求められているが、現状で
はフルカット方式を採用すると切断ブレードの寿命が著
しく短くなってしまうという大きな問題点が存在してい
る。As mentioned above, there is a need to cut wafers using the full-cut method using a cutting blade, but at present, there is a major problem in that when the full-cut method is adopted, the life of the cutting blade is significantly shortened. There is.
光肌例且狼
本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであって、半導体ウェハを粘着シート
に貼着した状態で切断ブレードによりフルカット方式で
切断分離しても、切断ブレードに大量の粘着剤が付着し
て目づまりを起こすことがなく、かつ砥粒の研磨効果に
よって切断ブレードの寿命が短縮されることがないよう
な、ウェハ貼着用粘着シートを提供することを目的とし
ている。The present invention is an attempt to solve the above-mentioned problems associated with the conventional technology, and involves cutting a semiconductor wafer in a full-cut method using a cutting blade while attached to an adhesive sheet. We have created an adhesive sheet for attaching wafers that does not cause clogging due to a large amount of adhesive adhering to the cutting blade even when separated, and does not shorten the life of the cutting blade due to the abrasive effect of the abrasive grains. is intended to provide.
光」Ｖｌｌ九
本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、基材面上に粘
着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートにおいて
、基材中に、粒径が０．５〜１００μｍでありモース硬
度が６〜１０である砥粒を分散さぜたことを特徴として
いる。The adhesive sheet for wafer adhesion according to the present invention is an adhesive sheet for wafer adhesion formed by coating an adhesive layer on the surface of a base material, in which the particle size is 0.5 to 100 μm in the base material. It is characterized by dispersing abrasive grains with a Mohs hardness of 6 to 10.
本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、基材面上に粘
着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートにおいて
、基材中に特定の粒径および硬度を有する砥粒を分散さ
せているので、半導体ウェハを粘着シートに貼着した状
態で切断ブレードによりフルカット方式で切断分離して
も、切断ブレードに大量の粘着剤が付着して目づまりを
起こすことがなく、かつ砥粒の研磨効果によって切断ブ
レードの寿命が短縮されることが少ない。The adhesive sheet for wafer adhesion according to the present invention is an adhesive sheet for wafer adhesion formed by coating an adhesive layer on the surface of a base material, in which abrasive grains having a specific particle size and hardness are dispersed in the base material. Therefore, even if a semiconductor wafer is attached to an adhesive sheet and separated by a full cut method using a cutting blade, a large amount of adhesive will not adhere to the cutting blade and cause clogging, and the polishing effect of the abrasive grains will be maintained. Therefore, the life of the cutting blade is rarely shortened.
光用Ｏ且体煎肌朋
以下本発明に係るウェハ貼着用粘着シートについて具体
的に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The adhesive sheet for attaching wafers according to the present invention will be specifically described below.
本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、第１図に示す
ように、基材２とこの表面に設けられた粘着剤層３とか
らなっており、この基材２中には、砥粒４が分散されて
いる。As shown in FIG. 1, the adhesive sheet for attaching wafers according to the present invention consists of a base material 2 and an adhesive layer 3 provided on the surface of the base material 2. are distributed.
本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、ラベル状
などあらゆる形状をとりうる。基材２としては、耐水性
および耐熱性に優れているものが適し、特に合成樹脂フ
ィルムが適する。本発明の粘着シートでは、後記するよ
うに、その使用に当り、ＥＢ’１ＰＵＶなどの放射線照
射が行なわれる場合には、ＥＢ照射の場合は、該基材２
は透明である必要はないが、ＵＶ照射をして用いる場合
は、透明な材料である必要がある。The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention can be any shape such as a tape shape or a label shape. As the base material 2, a material having excellent water resistance and heat resistance is suitable, and a synthetic resin film is particularly suitable. As will be described later, in the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, when irradiation with radiation such as EB'1 PUV is performed during use, in the case of EB irradiation, the base material 2
Although it is not necessary that the material be transparent, if it is to be used with UV irradiation, it needs to be a transparent material.
このような基材２としては、具体的に、ポリエチレンフ
ィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィ
ルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチ
レンテレフタレートフィルム、ポリブテンフィルム、ポ
リブタジェンフィルム、ポリウレタンフィルム、ポリメ
チルペンテンフィルム、エチレン酢ビフィルムなどが用
いられる。また重合体構成単位としてカルボキシル基を
有する化合物を含む重合体フィルムあるいはこれと汎用
重合体フィルムとのラミネート体を用いることもできる
。Specific examples of such a base material 2 include polyethylene film, polypropylene film, polyvinyl chloride film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polybutene film, polybutadiene film, polyurethane film, polymethylpentene film, and ethylene film. Vinyl acetate film is used. Further, a polymer film containing a compound having a carboxyl group as a polymer constitutional unit or a laminate of this and a general-purpose polymer film can also be used.
半導体ウェハのダイシング後にエキスパディング処理を
する必要がある場合には、従来と同様にポリ塩化ビニル
、ポリプロピレンなどの長さ方向および幅方向に延伸性
をもつ合成樹脂フィルムを基材として用いることが好ま
しい。If it is necessary to perform an expanding process after dicing a semiconductor wafer, it is preferable to use a synthetic resin film that is stretchable in the length and width directions, such as polyvinyl chloride or polypropylene, as the base material, as in the past. .
本発明に係るウェハ貼着用粘着シート］では、基材２中
に砥粒４が分散されている。この砥粒４は、粒径が０．
５〜１００μｍ好ましくは１−〜５０μｍであって、モ
ース硬度は６〜］０好ましくは７〜］０である。具体的
には、グリーンカーボランダム、人造コランダム、オプ
ティカルエメリー、ホワイトアランダム、炭化ホウ素、
酸化クロム（ＩＩ［）、酸化セリウム、ダイヤモンドパ
ウダー、などが用いられる。このような砥粒４は無色あ
るいは白色であることが好ましい。このような砥粒４は
、基材２中に０．５〜７０重量％好ましくは５〜５０重
量％の量で存在している。In the adhesive sheet for wafer adhesion according to the present invention], abrasive grains 4 are dispersed in the base material 2. This abrasive grain 4 has a particle size of 0.
The diameter is 5 to 100 μm, preferably 1 to 50 μm, and the Mohs hardness is 6 to ]0, preferably 7 to ]0. Specifically, green carborundum, artificial corundum, optical emery, white arundum, boron carbide,
Chromium (II) oxide, cerium oxide, diamond powder, etc. are used. It is preferable that such abrasive grains 4 are colorless or white. Such abrasive grains 4 are present in the substrate 2 in an amount of 0.5 to 70% by weight, preferably 5 to 50% by weight.
このような本発明に係るウェハ貼着用粘着シート１は、
切断ブレードをウェハのみならず基材２にまでも切り込
むような深さで用いる場合に、特に好ましく用いられる
。The adhesive sheet 1 for wafer adhesion according to the present invention is as follows:
It is particularly preferably used when the cutting blade is used at a depth that cuts not only into the wafer but also into the base material 2.
上記のような砥粒４を基材２中に含ませることによって
、切断ブレードが基材２中に切り込んできて、切断ブレ
ードに粘着剤が付着しても砥粒の研磨効果により、目づ
まりを簡単に除去することができる。By including the abrasive grains 4 as described above in the base material 2, even if the cutting blade cuts into the base material 2 and adhesive adheres to the cutting blade, the abrasive grain's abrasive effect can easily prevent clogging. can be removed.
粘着剤としては、ゴム系あるいはアクリル系粘着剤など
の従来公知のものが広く用いられうるが、アクリル系粘
着剤が好ましく、具体的には、アクリル系エステルを主
たる楊成単量体単位とする単独重合体および共重合体か
ら選ばれたアクリル系重合体その他の官能性単量体との
共重合体およびこれら重合体の混合物である。たとえば
、モノマーのアクリル酸エステルとして、メタアクリル
酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタアクリル酸−２
−エチルヘキシル、メタアクリル酸グリシジル、メタア
クリル酸−２−ヒドロキシエチルなど、また上記のメタ
アクリル酸をたとえばアクリル酸に代えたものなども好
ましく使用できる。ウェハ裏面への粘着剤の付着を防止
するためには、低粘着性の粘着剤を用いることが好まし
い。As the adhesive, conventionally known adhesives such as rubber-based or acrylic-based adhesives can be widely used, but acrylic-based adhesives are preferred, and specifically, acrylic esters are the main Yang Chen monomer unit. These are homopolymers and copolymers selected from acrylic polymers and copolymers with other functional monomers, and mixtures of these polymers. For example, as monomer acrylic esters, ethyl methacrylate, butyl methacrylate, methacrylic acid-2
-Ethylhexyl, glycidyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, and the like, and those in which the above-mentioned methacrylic acid is replaced with acrylic acid, for example, can also be preferably used. In order to prevent the adhesive from adhering to the back surface of the wafer, it is preferable to use a low-tack adhesive.
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高めるため、（
メタ）アクリル酸、アクリロニトリル、酢酸ビニルなど
のモノマーを共重合させてもよい。Furthermore, in order to increase the compatibility with the oligomers described later, (
Monomers such as meth)acrylic acid, acrylonitrile, and vinyl acetate may be copolymerized.
これらのモノマーから重合して得られるアクリル系重合
体の分子量は、５．ＯＸ］、０４〜］０，０×１−０
であり、好ましくは、２．０Ｘ１０’ 〜８．０Ｘ１
０５である。The molecular weight of the acrylic polymer obtained by polymerizing these monomers is 5. OX], 04~]0,0x1-0
and preferably 2.0X10' to 8.0X1
It is 05.
上記のような粘着剤層中に放射線重合性化合物を含まぜ
ることによって、ウェハを切断分離した後、該粘着剤層
に放射線を照射することによって粘着力を低下させるこ
とができる。このような放射線重合性化合物としては、
たとえば特開昭６０−１．９６，９５６号公報および特
開昭６０−２２３．１．３９号公報に開示されているよ
うな光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合
性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分
子量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロー
ルプロパンアクリレート、テトラメチロールメタンテト
ラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、
ジペンタエリスリトールへキサアクリレートあるいは１
．４−ブチレングリコールジアクリレート、１．６−へ
キサンジオールジアクリレート、ポリエチレング＝ ９
−
リコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリ
レートなどが用いられる。By including a radiation-polymerizable compound in the adhesive layer as described above, the adhesive force can be reduced by irradiating the adhesive layer with radiation after cutting and separating the wafer. Such radiation polymerizable compounds include:
For example, photopolymerizable carbon-carbon in molecules that can be formed into a three-dimensional network by light irradiation as disclosed in JP-A-60-1.96,956 and JP-A-60-223.1.39. Low molecular weight compounds having at least two or more double bonds are widely used, specifically trimethylolpropane acrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate. ,
dipentaerythritol hexaacrylate or 1
．． 4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene = 9
- Recall diacrylate, commercially available oligoester acrylate, etc. are used.
さらに放射線重合性化合物として、上記のようなアクリ
レート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリ
ゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系
オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型な
どのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物た
とえば２．４−）リレンジイソシアナート、２．６−ド
リレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシ
アナート、１゜４−キシリレンジイソシアナート、ジフ
ェニルメタン４，４−ジイソシアナートなどを反応させ
て得られる末端インシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有する（メタ〉アクリレートたとえ
ば２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレン
グリコール（メタ）アクリレートなどを反応させて得ら
れる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素
−炭素二重結合を少なくとも１個以上有する放射線重合
性化合物である。Further, as the radiation polymerizable compound, in addition to the above-mentioned acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer is composed of a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2.4-)lylene diisocyanate, 2.6-lylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, etc. The terminal incyanato urethane prepolymer obtained by reacting diisocyanate, 1゜4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc. has a hydroxyl group (meth〉acrylate such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate). ) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, polyethylene glycol (meth)acrylate, etc. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond. be.
このようなウレタンアクリレート系オリゴマーとして、
特に分子量が３０００〜１００００好ましくは４０００
〜８０００であるものを用いると、半導体ウェハ表面が
粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。また
ウレタンアクリレート系オリゴマーを放射線重合性化合
物として用いる場合には、特開昭６０−１９６，９５６
号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭素
二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物を
用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れた
ものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前の
接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力が
充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が残存することはない。As such urethane acrylate oligomer,
In particular, the molecular weight is 3,000 to 10,000, preferably 4,000.
It is preferable to use one having a molecular weight of 8,000 to 8,000, because even if the surface of the semiconductor wafer is rough, the adhesive will not adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up. Furthermore, when using a urethane acrylate oligomer as a radiation polymerizable compound, JP-A-60-196,956
Compared to the case of using a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in the above publication, an extremely superior pressure-sensitive adhesive sheet can be obtained. That is, the adhesive strength of the adhesive sheet before irradiation with radiation is sufficiently large, and the adhesive strength decreases sufficiently after irradiation with radiation, so that no adhesive remains on the chip surface when a wafer chip is picked up.
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタン
アクリレート系オリゴマーなどの放射線重合性化合物と
の配合比は、アクリル系粘着剤１０〜９０重量部に対し
て放射線重合性化合物は９０〜１０重量部の範囲の量で
用いられることが好ましい。この場合には、得られる粘
着シートは初期の接着力が大きくしかも放射線照射後に
は粘着力は大きく低下し、容易にウェハチップを該粘着
シートからピックアップすることができる。The compounding ratio of the acrylic adhesive and the radiation polymerizable compound such as urethane acrylate oligomer in the adhesive in the present invention is 90 to 10 parts by weight of the radiation polymerizable compound to 10 to 90 parts by weight of the acrylic adhesive. Preferably, it is used in an amount in the range of . In this case, the adhesive sheet obtained has a high initial adhesive strength, but the adhesive strength decreases significantly after radiation irradiation, and wafer chips can be easily picked up from the adhesive sheet.
また本発明では粘着剤層３中に放射線照射により着色す
る化合物を含まぜることもできる。このような放射線照
射により着色する化合物は、放射線の照射前には無色ま
たは淡色であるが、放射線の照射により有色となる化合
物であって、この化合物の好ましい具体例としてはロイ
コ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用の１〜
リフエニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系
、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用い
られる。具体的には３−［Ｎ−（Ｐ−）シルアミノ）］
−７−アニリツフルオラン、３−ＩＮ−（Ｐ−）シル）
−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリツフルオラン、３−
［Ｎ−（Ｐ−）シル）−Ｎ−エチルアミノ１−７−アニ
リノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７
−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクト
ン、４．４’、４’“−トリスジメチルアミノトリフェ
ニルメタノール、４，４°、４”−）リスジメチルアミ
ノトリフェニルメタンなどが挙げられる。Further, in the present invention, the adhesive layer 3 may contain a compound that is colored by radiation irradiation. Such compounds that are colored by radiation irradiation are colorless or light-colored before radiation irradiation, but become colored by radiation irradiation, and preferred specific examples of these compounds include leuco dyes. As a leuco dye, the conventional 1~
Those based on rifenylmethane, fluoran, phenothiazine, auramine, and spiropyran are preferably used. Specifically, 3-[N-(P-)cylamino)]
-7-aniritefluorane, 3-IN-(P-)yl)
-N-methylamino]-7-anirite fluorane, 3-
[N-(P-)yl)-N-ethylamino 1-7-anilinofluorane, 3-diethylamino-6-methyl-7
-anilinofluorane, crystal violet lactone, 4.4',4'"-trisdimethylaminotriphenylmethanol, 4,4°,4"-)risdimethylaminotriphenylmethane, and the like.
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤と
しては、従来から用いられているフェノールホルマリン
樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土
などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させ
る場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもでき
る。Color developers that are preferably used with these leuco dyes include electron acceptors such as conventionally used initial polymers of phenol-formalin resin, aromatic carboxylic acid derivatives, and activated clay. In some cases, various known coloring agents may be used in combination.
このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦
有機溶媒などに溶解された後に粘着剤層中に含ませても
よく、また微粉末状にして粘着剤層中に含ませてもよい
。この化合物は、粘着剤層中に０．０１〜１０重量％好
ましくは０．５〜５重量％の量で用いられることが望ま
しい。該化合物が］０重量％を越えた量で用いられると
、粘着シートに照射される放射線がこの化合物に吸収さ
れすぎてしまうため、粘着剤層の硬化が不十分となり好
ましくなく、一方該化合物が０．０１重量％未満の量で
用いられると放射線照射時に粘着＝ １３ −
シートが充分に着色しないことがあり、ウェハチップの
ピックアップ時に誤動作が生じやすくなるため好ましく
ない。Such a compound that is colored by radiation irradiation may be dissolved in an organic solvent or the like and then included in the adhesive layer, or may be made into a fine powder and included in the adhesive layer. This compound is desirably used in the adhesive layer in an amount of 0.01 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight. If the compound is used in an amount exceeding 0% by weight, the radiation applied to the adhesive sheet will be absorbed too much by the compound, resulting in insufficient curing of the adhesive layer, which is undesirable. If it is used in an amount less than 0.01% by weight, the adhesive=13-sheet may not be sufficiently colored during radiation irradiation, and malfunctions may easily occur when picking up wafer chips, which is not preferable.
また上記の粘着剤中に、イソシアネート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とができる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イソシアナート化合物、たとえば２．４−）リレンジ
イソシアナート、２．６−）リレンジイソシアナート、
１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシレ
ンジイソシアナート、ジフェニルメタン−４，４−ジイ
ソシアナート、ジフェニルメタン−２，４−ジイソシア
ナート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアナート
、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソ
シアナート、ジシクロキシシルメタン−４，４°−ジイ
ソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−２，４゛−ジ
イソシアナート、リジンイソシアナートなどが用いられ
る。Further, by mixing an isocyanate curing agent into the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, the initial adhesive strength can be set to an arbitrary value. Such curing agents include polyvalent isocyanate compounds, such as 2.4-) lylene diisocyanate, 2.6-) lylene diisocyanate,
1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4-diisocyanate, diphenylmethane-2,4-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicycloxylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, lysine isocyanate, and the like.
さらに上記の粘着剤中に、Ｕ■照射用の場合には、ＵＶ
開始剤を混入することにより、ＵＶ照射による重合硬化
時間ならびにｔＪＶ照射量を少なくすることができる。Furthermore, in the above adhesive, in the case of U■ irradiation, UV
By incorporating an initiator, the polymerization curing time and tJV irradiation amount due to UV irradiation can be reduced.
このようなＵＶ開始剤としては、具体的には、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β −クロールアンスラキノンなどが挙げら
れる。Specifically, such UV initiators include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β - Examples include chloranthraquinone.
以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。The method of using the adhesive sheet according to the present invention will be explained below.
本発明に係る粘着シート１の上面に剥離性シートが設け
られている場合には、該シートを除去し、次いで粘着シ
ート１−の粘着剤層３を上向きにして載置し、この粘着
剤層３の上面にダイシング加工すべき半導体ウェハＡを
貼着する。この貼着状態でウェハＡにダイシング工程が
加えられる。When a releasable sheet is provided on the top surface of the adhesive sheet 1 according to the present invention, the sheet is removed, and then the adhesive sheet 1- is placed with the adhesive layer 3 facing upward, and this adhesive layer A semiconductor wafer A to be diced is attached to the upper surface of 3. A dicing process is applied to the wafer A in this adhered state.
この際、切断ブレードは、ウェハＡを完全に切断して、
粘着剤層３および基材２に達する。ところが本発明に係
る粘着シート１の基材２には砥粒４が含まれているので
、この砥粒４の働きによって切断ブレードに粘着剤が付
着することが軽減され、たとえ付着しても砥粒の研磨作
用でブレードの目立てが達成でき、したがって切断ブレ
ードの寿命が著しく短縮されることがない。At this time, the cutting blade completely cuts the wafer A,
The adhesive layer 3 and the base material 2 are reached. However, since the base material 2 of the adhesive sheet 1 according to the present invention contains abrasive grains 4, the action of the abrasive grains 4 reduces the possibility of the adhesive adhering to the cutting blade, and even if it does, the abrasive The sharpening of the blade can be achieved by the abrasive action of the grains, so that the life of the cutting blade is not significantly shortened.
ダイシング工程の後、洗浄、乾煤、エキスパンディング
の諸工程がウェハに加えられる。この際粘着剤層３によ
りウェハチップは粘着シートに充分に接着保持されてい
るので、上記各工程の間にウェハチップが脱落すること
はない。After the dicing process, cleaning, soot drying, and expanding processes are applied to the wafer. At this time, since the wafer chips are sufficiently adhered and held to the adhesive sheet by the adhesive layer 3, the wafer chips do not fall off during each of the above steps.
次に、各ウェハチップを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングするが、粘着剤層３中
に放射線重合化合物が含まれている場合には、ピックア
・ツブに先立っであるいはピックアップ時に、紫外線（
ＵＶ）あるいは電子線（ＥＢ）などの電離性放射線Ｂを
粘着シート］−の粘着剤層３に照射し、粘着剤層３中に
含まれる放射線重合性化合物を重合硬化せしめる。この
ように粘着剤層３に放射線を照射して放射線重合性化合
物を重合硬化せしめると、粘着剤の有する接着力は大き
く低下し、わずかの接着力が残存するのみとなる。Next, each wafer chip is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base, but if the adhesive layer 3 contains a radiation-polymerized compound, the , ultraviolet light (
The adhesive layer 3 of the adhesive sheet is irradiated with ionizing radiation B such as UV) or electron beam (EB) to polymerize and harden the radiation-polymerizable compound contained in the adhesive layer 3. When the radiation-polymerizable compound is polymerized and cured by irradiating the adhesive layer 3 with radiation in this manner, the adhesive strength of the adhesive is greatly reduced, and only a small amount of adhesive strength remains.
粘着シート１への放射線照射は、基材２の粘着剤層３が
設けられていない面から行なうことが好ましい。したが
って前述のように、放射線としてＵＶを用いる場合には
基材２は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してＥＢを用いる場合には基材２は必ずしも光透過性で
ある必要はない。The adhesive sheet 1 is preferably irradiated with radiation from the side of the base material 2 on which the adhesive layer 3 is not provided. Therefore, as mentioned above, when using UV as radiation, the base material 2 needs to be light-transparent, but when using EB as radiation, base material 2 does not necessarily need to be light-transparent. do not have.
このようにウェハチップＡＩ 、Ａ２・・・・・・が設
けられた部分の粘着剤層３に放射線を照射して、粘着剤
層３の接着力を低下せしめた後、この粘着シート１をピ
ックアップステーション（図示せず）に移送し、ここで
常法に従って基材２の下面から突き上げ針杆５によりピ
ックアップすべきチップＡ１・・・・・・を突き上げ、
このチップＡ１・・・・・・をたとえばエアピンセット
６によりピックアップし、これを所定の基台上にマウン
ティングする。このようにしてウェハチップＡ１．Ａ２
・・・・・・のピックアップを行なうと、ウェハチップ
面上には粘着剤が全く付着せずに簡単にピックアップす
ることができ、汚染のない良好な品質のチップが得られ
る。After irradiating the adhesive layer 3 in the area where the wafer chips AI, A2, . . . are provided with radiation to reduce the adhesive force of the adhesive layer 3, the adhesive sheet 1 is picked up. The chips are transferred to a station (not shown), where the chips A1 to be picked up are pushed up from the bottom surface of the base material 2 using a push-up needle rod 5 according to a conventional method.
This chip A1... is picked up by air tweezers 6, for example, and mounted on a predetermined base. In this way, wafer chip A1. A2
When the wafer chips are picked up, no adhesive adheres to the surface of the wafer chips, and the chips can be easily picked up, resulting in chips of good quality and no contamination.
なお放射線照射は、ピックアップステーションにおいて
行なうこともできる。Note that radiation irradiation can also be performed at a pickup station.
放射線照射は、ウェハＡの貼着面の全面にわたって１度
に照射する必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
ずべきウェハチップＡ１゜Ａ２・・・・・・の］−個ご
とに、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管
により照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下さぜ
な後、突き上げ針杆５によりウェハチップＡ１ 、Ａ２
・・・・・・を突き上げて順次ピックアップを行なうこ
ともできる。第５図には、上記の放射線照射方法の変形
例を示すが、この場合には、突き上げ針杆５の内部を中
空とし、その中空部に放射線発生源７を設けて放射線照
射とピックアップとを同時に行なえるようにしており、
このようにすると装置を簡単化できると同時にピッアッ
プ操作時間を短縮することができる。It is not necessarily necessary to irradiate the entire surface of the wafer A to which the wafer A is attached at once, and the irradiation may be performed in several parts. After irradiating each wafer with a radiation tube that irradiates only the corresponding back side to reduce the adhesive strength of the adhesive on that part, the wafer is removed using the push-up needle rod 5. Chip A1, A2
It is also possible to pick up items one by one by pushing them up. FIG. 5 shows a modification of the above-mentioned radiation irradiation method. In this case, the push-up needle rod 5 is made hollow, and a radiation source 7 is provided in the hollow part to perform radiation irradiation and pickup. We are making it possible to do this at the same time.
In this way, the device can be simplified and at the same time the pick-up operation time can be shortened.
なお上記の半導体ウェハの処理において、エキスパンデ
ィング工程を行なわず、ダイシング、洗浄、乾燥後直ち
にウェハチップＡＩ 、Ａ２・・・・・・のピックアッ
プ処理を行なうこともできる。Note that in the above semiconductor wafer processing, the expanding process may not be performed, and the wafer chips AI, A2, . . . can be picked up immediately after dicing, cleaning, and drying.
ル刊凶カス
本発明に係るウェハ貼着用粘着シートは、基材面上に粘
着剤層を塗布してなるウェハ貼着用粘着シートにおいて
、基材中に特定の粒径および硬度を有する砥粒を分散さ
せているので、半導体ウェハを粘着シートに貼着した状
態で切断ブレードによりフルカット方式で切断分離して
も、切断ブレードに大量の粘着剤が付着して目づまりを
起こずことが少なく、したがって切断ブレードの寿命が
著しく短縮されることがない。The adhesive sheet for attaching wafers according to the present invention is an adhesive sheet for attaching wafers which is formed by applying an adhesive layer on the surface of a base material, and includes abrasive grains having a specific particle size and hardness in the base material. Because it is dispersed, even if a semiconductor wafer is attached to an adhesive sheet and separated by a full cut method using a cutting blade, there is less chance of a large amount of adhesive adhering to the cutting blade and clogging. The life of the cutting blade is not significantly shortened.
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
実施■ユ
重合度８００の塩化ビニル樹脂１００重量部に平均粒径
が２０μｍのホワイトアランダム３０重量部を添加し、
コンパウンドを製造した。次いでこのコンパウンドにジ
オクチルフタレー１へ（ＤＯＰ）３０重量部を加えて、
Ｔダイ押出し板により、シリンダ一温度１６０℃、ダイ
温度２００°Ｃで厚みが：＋−００）ｔ ｍの塩化ビニ
ルフィルムを製膜した。Implementation ■ Add 30 parts by weight of white arundum with an average particle size of 20 μm to 100 parts by weight of vinyl chloride resin with a degree of polymerization of 800,
produced a compound. Next, 30 parts by weight of dioctyl phthalate 1 (DOP) was added to this compound,
A vinyl chloride film having a thickness of +-00) tm was formed using a T-die extrusion plate at a cylinder temperature of 160°C and a die temperature of 200°C.
また平均分子量が約３５００００ （ポリエチレン換算
）のアクリル系粘着剤１００重量部（固形分４０重量％
〉と、平均分子量が約６０００の２官能ウレタンアクリ
レ一トオリゴマー７０重量部（固形分６０重量％）と、
イソシアナート系硬化剤５重量部と、ベンゾフェノン４
重量部とを混合し、粘着剤組成物を調製した。In addition, 100 parts by weight of an acrylic adhesive with an average molecular weight of approximately 350,000 (polyethylene equivalent) (solid content 40% by weight)
>, 70 parts by weight of a bifunctional urethane acrylate oligomer having an average molecular weight of about 6000 (solid content 60% by weight),
5 parts by weight of isocyanate curing agent and 4 parts by weight of benzophenone
parts by weight to prepare an adhesive composition.
この組成物を先の砥粒含有フィルムに転写塗工して、粘
着剤層の厚さが１０μｍであるウェハ貼着用粘着シート
を作成しな。This composition was transfer-coated onto the above abrasive grain-containing film to prepare a pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer having a pressure-sensitive adhesive layer thickness of 10 μm.
この粘着シートに厚さ３５０μｍ口径５インチのシリコ
ンウェハを貼付し、ブレード回転数３００００切り込み
深さ３８０μｍに条件設定されたダイシングソーで、１
ｍｍ Ｘ １ ｍｍのシリコンチップをフルカットし
た。A silicon wafer with a thickness of 350 μm and a diameter of 5 inches was attached to this adhesive sheet, and a dicing saw with a blade rotation speed of 30,000 and a cutting depth of 380 μm was used for 1
A silicon chip measuring mm x 1 mm was fully cut.
ウェハを連続処理したところ約３００００ラインでブレ
ードの摩耗が激しくなり交換した。When wafers were processed continuously, the blade became severely worn after about 30,000 lines and had to be replaced.
このダイシング済ウェハ固定粘着シートの基材面より、
リニアフィラメントから発生させた電子線を加速電圧２
００ ｋｅＶ、電流２０ｍＡで２８ｒａｄ照射したのち
、ダイボンディングを行なったところ、いずれのチップ
も精度良くピックアップできた。From the base material side of this diced wafer fixing adhesive sheet,
The electron beam generated from the linear filament is accelerated at a voltage of 2
After 28 rad irradiation at 00 keV and 20 mA current, die bonding was performed, and all chips were able to be picked up with good accuracy.
実施例２
実施例１−で製膜した砥粒混入塩化ビニルフィルム上に
、アクリル系粘着剤（ｎ−ブチルアクリレートと酢酸ビ
ニルとアクリル酸の共重合体）１００重量部（固形分３
７％）と、エチレンイミン硬化剤３重量部から調製され
た粘着剤組成物を転写塗工して粘着剤層の厚さが１０μ
ｍで総厚が１１０μｍであるウェハ貼着用粘着シートを
作成した。Example 2 100 parts by weight of an acrylic adhesive (a copolymer of n-butyl acrylate, vinyl acetate, and acrylic acid) (solid content: 3
7%) and 3 parts by weight of an ethyleneimine curing agent was transfer coated to form an adhesive layer with a thickness of 10 μm.
A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment having a total thickness of 110 μm was prepared.
実施例１と同一のシリコンウェハ、ダイシングソーの条
件設定で、ｌｍｍＸ１ｍｍのシリコンチップをフルカッ
トした。A 1 mm x 1 mm silicon chip was fully cut using the same silicon wafer and dicing saw conditions as in Example 1.
ウェハを連続処理したところ、約３３０００ラインで切
れ味が低下したのでブレード交換を実施した。When wafers were processed continuously, the sharpness deteriorated after about 33,000 lines, so the blade was replaced.
比肩灯汁よ
実施例１におけるホワイトアランダムを全く添加しない
塩化ビニルコンパウンドを実施例１の押出し条件で厚み
が１００μｍのフィルムを製膜した。このフィルム上に
実施例２のアクリル系粘着剤組成物を転写塗工して、粘
着剤層の厚さが１−０μｍであるウェハ貼着用粘着シー
トを作成した。A film having a thickness of 100 μm was formed using the vinyl chloride compound of Example 1, in which no white arundum was added, under the extrusion conditions of Example 1. The acrylic pressure-sensitive adhesive composition of Example 2 was transfer-coated onto this film to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment, in which the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 1 to 0 μm.
次いで、実施例１と同一のシリコンウェハ、ダイシング
ソーの条件設定で、１ ｍｍ Ｘ １ ｍｍのシリコン
チップをフルカットしな。Next, using the same silicon wafer and dicing saw conditions as in Example 1, a 1 mm x 1 mm silicon chip was fully cut.
ウェハを連続処理したところ、約７０００ライン付近で
チップ表面にブレードのダイヤモンド粒子が混入した粘
着剤つぶが付着しはじめ、ブレードの切れ味が急激に低
下したので交換した。When wafers were continuously processed, adhesive particles mixed with diamond particles from the blade began to adhere to the chip surface around the 7000th line, and the sharpness of the blade decreased rapidly, so the blade was replaced.
丈施胴ユ
重合度８００の塩化ビニル樹脂１００重量部に平均粒子
が１０μｍのグリーンカーボアランダム４０重量部を添
加し、コンパウンドを製造したのち実施例１の押出し条
件で、厚み１００μｍのフィルムを製膜した。40 parts by weight of green carborundum with an average particle size of 10 μm was added to 100 parts by weight of vinyl chloride resin with a degree of polymerization of 800 to produce a compound, and then a film with a thickness of 100 μm was produced under the extrusion conditions of Example 1. It was filmed.
このフィルム上に実施例２のアクリル系粘着剤組成物を
転写塗工して、粘着剤層の厚さが１０μｍであるウェハ
貼着用粘着シートを作成した。The acrylic pressure-sensitive adhesive composition of Example 2 was transfer-coated onto this film to produce a pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment, in which the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 10 μm.
次いで、実施例１と同一のシリコンウェハ、ダイシング
ソーの条件設定で、１ ｍｍ Ｘ １ ｍｍのシリコン
チップをフルカットした。Next, a 1 mm x 1 mm silicon chip was fully cut using the same silicon wafer and dicing saw conditions as in Example 1.
ウェハを連続処理したところ、約３００００ラインまで
何らトラブルもなく同一ブレードで処理ができた。When wafers were processed continuously, up to about 30,000 lines could be processed with the same blade without any trouble.
第１図は本発明に係る粘着シートの断面図であり、第２
図〜第５図は該粘着シートを半導体ウェハのダイシング
工程からピックアップ工程までに用いた場合の説明図で
ある。
１・・・粘着シート、２・・・基材、３・・・粘着剤層
、４・・・砥粒、 Ａ・・・ウェハ、 Ｂ・・・放射線
。
代理人 弁理士 銘木 俊一部
第 １ 図
第 ２ 図
第 ３ 図FIG. 1 is a sectional view of the adhesive sheet according to the present invention, and the second
5 to 5 are explanatory diagrams when the adhesive sheet is used from a semiconductor wafer dicing process to a pick-up process. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Adhesive sheet, 2... Base material, 3... Adhesive layer, 4... Abrasive grains, A... Wafer, B... Radiation. Agent Patent Attorney Shunichi Meiki Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (1)
着シートにおいて、基材中に、粒径が０．５〜１００μ
ｍでありモース硬度が６〜１０である砥粒を分散させた
ことを特徴とするウェハ貼着用粘着シート。1) In an adhesive sheet for wafer adhesion formed by coating an adhesive layer on the base material surface, particles having a particle size of 0.5 to 100 μm are contained in the base material.
1. A pressure-sensitive adhesive sheet for wafer attachment, characterized in that abrasive grains having a Mohs hardness of 6 to 10 are dispersed therein.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037430A JPS63205382A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Tacky sheet for sticking wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62037430A JPS63205382A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Tacky sheet for sticking wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63205382A true JPS63205382A (en) | 1988-08-24 |
| JPH0224871B2 JPH0224871B2 (en) | 1990-05-30 |
Family
ID=12497297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62037430A Granted JPS63205382A (en) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Tacky sheet for sticking wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63205382A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028026A (en) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Nitto Denko Corp | Adhesive tape or sheet for dicing, dicing method of workpiece and pick-up method of cut strip of workpiece |
| JP2017147357A (en) * | 2016-02-18 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | Substrate and cutting method therefor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04188184A (en) * | 1990-11-21 | 1992-07-06 | Tatsuku Syst Kk | Label for concealing information, etc. |
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| JPS54105490A (en) * | 1978-02-06 | 1979-08-18 | Yutaka Hajikano | Method of fabricating display unit |
| JPS5541745A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Nec Home Electronics Ltd | Preparation of semiconductor device |
| JPS57132967A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-17 | Toray Ind Inc | Abrasive sheet-like stuff |
| JPS59118369A (en) * | 1982-12-27 | 1984-07-09 | Toshiba Corp | Manufacture of diaphragm |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62037430A patent/JPS63205382A/en active Granted
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0224871B2 (en) | 1990-05-30 |
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