JPS63202263A - 電源変換装置 - Google Patents
電源変換装置Info
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- JPS63202263A JPS63202263A JP62031773A JP3177387A JPS63202263A JP S63202263 A JPS63202263 A JP S63202263A JP 62031773 A JP62031773 A JP 62031773A JP 3177387 A JP3177387 A JP 3177387A JP S63202263 A JPS63202263 A JP S63202263A
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Landscapes
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- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、直流電源にて放電灯を高周波点灯させる電源
変換装置に関するものである。
変換装置に関するものである。
[背景技?FJ]
従来、直流電源にて放電灯を高周波点灯させるこの種の
電源変換gc置としては、第16図に示すようにハーフ
ブリッジ形インバー7回路を用いたものがあった。この
ような電源変換f&置を用いた放電灯照灯装置は、直流
電源Eを人力とするハーフブリッジ形インバータ回路1
を主スイツチング要素であるトランジスタQ、、Q2、
ダイオードDIlD2、カレントトランスよりなる駆動
トランスT1およびコンデンサC1で構成し、インノず
一夕回路1の出力側に接続される負荷回路2をチ1−ク
フイルL1、コンデンサC2お上り放電灯LAよりなる
共振回路にて構成している。ここに、駆動トランスT、
の1大巻Mnlは負荷回路2と直列に挿入されており、
負荷回路2の共振回路に流れる電流により極性の異なる
2大巻#in2@++3に誘起される電圧をトランジス
タQ、、Q、の帰還入力としてベースに印加してトラン
ジスタQ、、Q2を交互にスイッチングするようになっ
ている。このインバータ回路1には、直流電源Eが印加
されたときにインバータ回路1を起動するための起動回
路STが設けられており、起動回路STは、抵抗R0、
コンデンサC0、ダイオードD0および双方向性2踊子
スイツチ素子(ダイアック)Q3にて形成されている。
電源変換gc置としては、第16図に示すようにハーフ
ブリッジ形インバー7回路を用いたものがあった。この
ような電源変換f&置を用いた放電灯照灯装置は、直流
電源Eを人力とするハーフブリッジ形インバータ回路1
を主スイツチング要素であるトランジスタQ、、Q2、
ダイオードDIlD2、カレントトランスよりなる駆動
トランスT1およびコンデンサC1で構成し、インノず
一夕回路1の出力側に接続される負荷回路2をチ1−ク
フイルL1、コンデンサC2お上り放電灯LAよりなる
共振回路にて構成している。ここに、駆動トランスT、
の1大巻Mnlは負荷回路2と直列に挿入されており、
負荷回路2の共振回路に流れる電流により極性の異なる
2大巻#in2@++3に誘起される電圧をトランジス
タQ、、Q、の帰還入力としてベースに印加してトラン
ジスタQ、、Q2を交互にスイッチングするようになっ
ている。このインバータ回路1には、直流電源Eが印加
されたときにインバータ回路1を起動するための起動回
路STが設けられており、起動回路STは、抵抗R0、
コンデンサC0、ダイオードD0および双方向性2踊子
スイツチ素子(ダイアック)Q3にて形成されている。
ここに、直流電源Eが投入されると、起動回路S′「の
コンデンサC8が抵抗R0を介して充電され、コンデン
サC0の両端電圧が双方向性2端子スイッチ素子Q、の
ブレークオーバー電圧に達すると、コンデンサC0の充
電電荷がトランジスタQ2のベース、エミッタ接合を介
して放電してトランジスタQ2をオンさせるよう(こな
っている。
コンデンサC8が抵抗R0を介して充電され、コンデン
サC0の両端電圧が双方向性2端子スイッチ素子Q、の
ブレークオーバー電圧に達すると、コンデンサC0の充
電電荷がトランジスタQ2のベース、エミッタ接合を介
して放電してトランジスタQ2をオンさせるよう(こな
っている。
このトランジスタQ2のオン1こよって駆動トランスT
1の1次6 #i n 、に電流が流れ、上述したよう
に駆動トランスT、の2大巻Jin2?03に誘起され
る電圧により、@17図に示すように、インバータ回路
1のトランジスタQ、、Q2は、所定周期で交互にスイ
ッチングし、放電灯LAを点灯させる高周波電源を発生
させるようになっている0図中、IO++IQ2は各ト
ランジスタQ、、Q、のコレクタ電流であり、IDll
ID2はダイオードD、、D2を流れる電流である。
1の1次6 #i n 、に電流が流れ、上述したよう
に駆動トランスT、の2大巻Jin2?03に誘起され
る電圧により、@17図に示すように、インバータ回路
1のトランジスタQ、、Q2は、所定周期で交互にスイ
ッチングし、放電灯LAを点灯させる高周波電源を発生
させるようになっている0図中、IO++IQ2は各ト
ランジスタQ、、Q、のコレクタ電流であり、IDll
ID2はダイオードD、、D2を流れる電流である。
しかしながら、このような従来例にあっては、スイッチ
ング要素であるトランジスタQ、、Q、が高周波(約数
十KHz)でスイッチング動作している上、第17図(
a)に示すように、負荷回路2に流れる電流が、各ダイ
オードD 、、D 、から各トランジスタQ、、Q、に
切替わるときに、チタークコイルL1やトランスT、の
1次巻線n、などのイングクタンス要素に帯えられたエ
ネルギーにより急峻な電流(サーノ電流)が流れるとと
もに、トランジスタQ、、Q2のコレクタ、エミッタ電
圧VCE波形が第17図(b)(c)に示すように高調
波成分を含んだ矩形波になるため高周波雑音レベルが高
くなってテレビ、ラジオなどの他の機器に悪影響を及ぼ
すという問題があった。
ング要素であるトランジスタQ、、Q、が高周波(約数
十KHz)でスイッチング動作している上、第17図(
a)に示すように、負荷回路2に流れる電流が、各ダイ
オードD 、、D 、から各トランジスタQ、、Q、に
切替わるときに、チタークコイルL1やトランスT、の
1次巻線n、などのイングクタンス要素に帯えられたエ
ネルギーにより急峻な電流(サーノ電流)が流れるとと
もに、トランジスタQ、、Q2のコレクタ、エミッタ電
圧VCE波形が第17図(b)(c)に示すように高調
波成分を含んだ矩形波になるため高周波雑音レベルが高
くなってテレビ、ラジオなどの他の機器に悪影響を及ぼ
すという問題があった。
すなわち、この高周波雑音には、放電灯点灯装置から電
源線を介して他の機器に伝わる電源帰還雑音と、負荷回
路2又は電源線から輻射される輻射雑音とがあり、従来
、電源入力部に高周波力7トフィルタを挿入して電源帰
還雑音を低減させるとともに、第18図に示すように、
トランジスタQ、又はトランジスタQ2のコレクタ、エ
ミッタ間1こコンデンサC3tC3’を接続してコレク
タ、エミッタ間電圧VCIEの立ち上がり、立ち下がり
を第19図(a)(b)に示すように緩やかにすること
により、高周波雑音を低減させるようにしており、これ
らの高周波雑音の低減方法によって高周波雑音l・ベル
は、以下に示すような用品で定められた規格値以下に抑
えるようになっている。
源線を介して他の機器に伝わる電源帰還雑音と、負荷回
路2又は電源線から輻射される輻射雑音とがあり、従来
、電源入力部に高周波力7トフィルタを挿入して電源帰
還雑音を低減させるとともに、第18図に示すように、
トランジスタQ、又はトランジスタQ2のコレクタ、エ
ミッタ間1こコンデンサC3tC3’を接続してコレク
タ、エミッタ間電圧VCIEの立ち上がり、立ち下がり
を第19図(a)(b)に示すように緩やかにすること
により、高周波雑音を低減させるようにしており、これ
らの高周波雑音の低減方法によって高周波雑音l・ベル
は、以下に示すような用品で定められた規格値以下に抑
えるようになっている。
a)輻射雑音
試験品から水平距離で3−以上離れた地、αに空中線を
設置して測定したときの電界強度が、 150K Hz−1605K Hz−−−60dB16
05K Hz−27M Hz ・”−55dB27MH
z−200MHz ””50dB以下であること。
設置して測定したときの電界強度が、 150K Hz−1605K Hz−−−60dB16
05K Hz−27M Hz ・”−55dB27MH
z−200MHz ””50dB以下であること。
b)電源帰還雑音(雑音端子電圧)
周波数が525KHz〜1605KHzにおいて、−線
対地間を測定したときに65dB以下であること。
対地間を測定したときに65dB以下であること。
しかしながら、実際の使用状態において、為周波雑音強
度が上記規格値以内であってら、他の機器に影響を及ぼ
すことがある。例えば、第20図に示すように、放電灯
点灯iIc置八がへレビTVの室内アンテナやラジオな
どに非常に近接している場合には、テレビの画面および
音声に雑音が入ったり、ラジオの音声に雑音が入ったり
するという問題があった。これは、放電灯点灯装置Aの
′!1*線より輻射される高周波輻射雑音Nrが第21
図に示すようにテレビ放送の低チャンネルの周波数(映
像、音声中心周波数)と重なった場合には、輻射雑音強
度が規格値以内であっても実際の使用状態ではテレビの
画面お上り音声を乱すことになる。
度が上記規格値以内であってら、他の機器に影響を及ぼ
すことがある。例えば、第20図に示すように、放電灯
点灯iIc置八がへレビTVの室内アンテナやラジオな
どに非常に近接している場合には、テレビの画面および
音声に雑音が入ったり、ラジオの音声に雑音が入ったり
するという問題があった。これは、放電灯点灯装置Aの
′!1*線より輻射される高周波輻射雑音Nrが第21
図に示すようにテレビ放送の低チャンネルの周波数(映
像、音声中心周波数)と重なった場合には、輻射雑音強
度が規格値以内であっても実際の使用状態ではテレビの
画面お上り音声を乱すことになる。
なお、第21図中の点線は暗雑音Ndを示しており、高
周波輻射雑音の強度は60〜120MHzの範囲で暗雑
音Ndに比べて大幅に高くなっており、この周波数帯域
のラジオ放送の受信あるいはテレビ放送の受信に悪影響
を及ぼすことになる。
周波輻射雑音の強度は60〜120MHzの範囲で暗雑
音Ndに比べて大幅に高くなっており、この周波数帯域
のラジオ放送の受信あるいはテレビ放送の受信に悪影響
を及ぼすことになる。
そこで、さらに輻射雑音強度を低減させる必要があり、
従来は、第18図回路において、トランジスタQ、、Q
2に並列接続されているコンデンサC3゜C3’の容量
をさらに大きくしてトランジスタQ I ID2のコレ
クタ、エミッタ間電圧VCHの立ち上がり、立ち下がり
をより緩やかにしていたが、このコンデンサC3tC3
’の容量を大きくすると、トランジスタQ、、Q2のコ
レクタ電流の切れ(遮断性能)が悪くなったり、急峻な
電流(突入電流)が流れるなどして、スイッチング損失
が増加してしまうという問題があった。
従来は、第18図回路において、トランジスタQ、、Q
2に並列接続されているコンデンサC3゜C3’の容量
をさらに大きくしてトランジスタQ I ID2のコレ
クタ、エミッタ間電圧VCHの立ち上がり、立ち下がり
をより緩やかにしていたが、このコンデンサC3tC3
’の容量を大きくすると、トランジスタQ、、Q2のコ
レクタ電流の切れ(遮断性能)が悪くなったり、急峻な
電流(突入電流)が流れるなどして、スイッチング損失
が増加してしまうという問題があった。
[発明の目的]
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、スイッチング損失を増加させること
なく高周波輻射雑音をより低減することができ、実際の
使用状態において、テレビやラジオなどの他の機器に影
響を及ぼさないようにした電源変換装置を提供すること
にある。
的とするところは、スイッチング損失を増加させること
なく高周波輻射雑音をより低減することができ、実際の
使用状態において、テレビやラジオなどの他の機器に影
響を及ぼさないようにした電源変換装置を提供すること
にある。
[発明の開示1
(構 成)
本発明は、直流電源をスイッチング要素によってスイッ
チングして高周波電源を形成するようにした電源変換装
置において、直流電源からスイッチング要素に配線され
るリード線の要所に磁性体ビーズを外挿することにより
、スイッチング損失を増加させることなく高周波輻射雑
音をより低減することができ、実際の使用状態において
、テレビやラジオなどの他の機器に影響を及ぼさないよ
うにしたものである。
チングして高周波電源を形成するようにした電源変換装
置において、直流電源からスイッチング要素に配線され
るリード線の要所に磁性体ビーズを外挿することにより
、スイッチング損失を増加させることなく高周波輻射雑
音をより低減することができ、実際の使用状態において
、テレビやラジオなどの他の機器に影響を及ぼさないよ
うにしたものである。
(実施例1)
第1図は本発明一実施例を示すもので、直流電源Eをス
イッチング要素1こよってスイッチングして高周波?!
!源を形成するようにした第16図従来例と同様の電源
変換装置において、直流電[Eからスイッチング要素(
トランジスタQ、、Q、)に配線されるリード線の要所
に磁性体ビーズMBを外挿したものであり、実施例にあ
っては、トランジスタQ2のコレクタに接続されるリー
ド線に円筒状7エライトコ7よりなる磁性体ビーズMB
を外挿している。この磁性体ビーズMBとしては、FA
IR−RIT社製の第2図(、)(b)に示すような形
状(外径7.52−輪、内径2.39mm、 長さ7゜
55鎗m)のらのが用いられる。また、第3図に示すよ
うに、リード線αと磁性体ビーズMBとを一体化したビ
ーズインダクタBI(例えば、東北金属工業株式会社製
のB−01−A、lJ−ド線径0゜65mm17エライ
トコアの外径3.4mm、長さ4゜4mm)を用いても
良く、そのインピーダンスは測定周波数がIMH7,に
おいて、2〜5Ω程度に設定されている。
イッチング要素1こよってスイッチングして高周波?!
!源を形成するようにした第16図従来例と同様の電源
変換装置において、直流電[Eからスイッチング要素(
トランジスタQ、、Q、)に配線されるリード線の要所
に磁性体ビーズMBを外挿したものであり、実施例にあ
っては、トランジスタQ2のコレクタに接続されるリー
ド線に円筒状7エライトコ7よりなる磁性体ビーズMB
を外挿している。この磁性体ビーズMBとしては、FA
IR−RIT社製の第2図(、)(b)に示すような形
状(外径7.52−輪、内径2.39mm、 長さ7゜
55鎗m)のらのが用いられる。また、第3図に示すよ
うに、リード線αと磁性体ビーズMBとを一体化したビ
ーズインダクタBI(例えば、東北金属工業株式会社製
のB−01−A、lJ−ド線径0゜65mm17エライ
トコアの外径3.4mm、長さ4゜4mm)を用いても
良く、そのインピーダンスは測定周波数がIMH7,に
おいて、2〜5Ω程度に設定されている。
以下、実施例の動作について説明する。いま、トランジ
スタQ2のコレクタ側のリード線に磁性体ビーズMBを
外挿した本実施例におけるトランジスタ(ン2のコレク
タ電流は第4図(b)に示すようになり、tJIJ16
図従来例におけるトランジスタQ2のコレクタ電流は第
4図(a)に示すようになり、両図から明らかなように
、実施例にあっては磁性体ビーズMBを設けたことによ
る微少インダクタンスによってトランジスタQ2のコレ
クタに流れろ急峻な電流を大幅に小さくすることができ
、高周波輻射雑音を低減することができるようになって
いる。第5図は、高周波輻射雑音の低減効果を示す実測
データであり、本実施例における高周波輻射雑音Nr’
は暗雑音Ndと同等あるいはそれ以下のレベルになって
おり、従来例の高周波輻射雑音Nrに比べて大幅に低減
されていることが分かる。特に、60〜120MHzの
ラジオ、テレビ放送帯域を含む周波数帯域における@1
を雑音の低減効果が顕著であり、例えば、第20図に示
すように、本実施例の電源変換装置を用いた放電灯点灯
装fiAの近くにテレビTVの室内アンテナが配置され
ている場合にあっても、テレビの画面や音声が乱れるこ
とがない。
スタQ2のコレクタ側のリード線に磁性体ビーズMBを
外挿した本実施例におけるトランジスタ(ン2のコレク
タ電流は第4図(b)に示すようになり、tJIJ16
図従来例におけるトランジスタQ2のコレクタ電流は第
4図(a)に示すようになり、両図から明らかなように
、実施例にあっては磁性体ビーズMBを設けたことによ
る微少インダクタンスによってトランジスタQ2のコレ
クタに流れろ急峻な電流を大幅に小さくすることができ
、高周波輻射雑音を低減することができるようになって
いる。第5図は、高周波輻射雑音の低減効果を示す実測
データであり、本実施例における高周波輻射雑音Nr’
は暗雑音Ndと同等あるいはそれ以下のレベルになって
おり、従来例の高周波輻射雑音Nrに比べて大幅に低減
されていることが分かる。特に、60〜120MHzの
ラジオ、テレビ放送帯域を含む周波数帯域における@1
を雑音の低減効果が顕著であり、例えば、第20図に示
すように、本実施例の電源変換装置を用いた放電灯点灯
装fiAの近くにテレビTVの室内アンテナが配置され
ている場合にあっても、テレビの画面や音声が乱れるこ
とがない。
(実施例2)
第6図は他の実施例を示すもので、トランジスタQ、の
コレクタに接続されるリード線に磁性体ビーズMBを外
挿したものであり、前記実施例1と同様にトランジスタ
Q1のコレクタ電流の急峻な変化が小さくなって、高周
波輻射雑音の低減効果が得られることになる。なお、ト
ランジスタQ8.Q2の各コレクタに接続されるリード
線にそれぞれ磁性体ビーズMBを外挿した場合には、高
周波輻射雑音の低減効果がより大きくなることは言う虫
でもない。
コレクタに接続されるリード線に磁性体ビーズMBを外
挿したものであり、前記実施例1と同様にトランジスタ
Q1のコレクタ電流の急峻な変化が小さくなって、高周
波輻射雑音の低減効果が得られることになる。なお、ト
ランジスタQ8.Q2の各コレクタに接続されるリード
線にそれぞれ磁性体ビーズMBを外挿した場合には、高
周波輻射雑音の低減効果がより大きくなることは言う虫
でもない。
(実施例3)
第7図はさらに他の実施例を示すもので、グイオードD
2のカソードと、トランジスタQ2のコレクタとに接続
されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したものであ
る。
2のカソードと、トランジスタQ2のコレクタとに接続
されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したものであ
る。
本実施例にあっては、ダイオードD2に流れる電流も磁
性体ビーズMBによる微少インダクタンスにより波形が
整形されることになるので、より大きな雑音低減効果が
得られることになる。第8図(a)(b)は、従来例お
よび本実施例のトランジスタQ2に流れる電流IQ2お
よびID2の波形比較図であり、同図(a)に示す従来
例の電流波形には急峻な電流変化が存在するが、同図(
b)に示す本実施例の電流波形には急峻な変化が大幅に
少なくなっており、高周波輻射雑音が低減されるように
なりいる。
性体ビーズMBによる微少インダクタンスにより波形が
整形されることになるので、より大きな雑音低減効果が
得られることになる。第8図(a)(b)は、従来例お
よび本実施例のトランジスタQ2に流れる電流IQ2お
よびID2の波形比較図であり、同図(a)に示す従来
例の電流波形には急峻な電流変化が存在するが、同図(
b)に示す本実施例の電流波形には急峻な変化が大幅に
少なくなっており、高周波輻射雑音が低減されるように
なりいる。
(実施例4)
第9図はさらに他の実施例を示すもので、ダイオードD
、のカソードと、トランジスタQ、のコレクタとに接続
されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したものであ
り、実施例3と同様の効果が得られるようになっている
。なお、ダイオードD2のカソードとトランジスタQ2
のコレクタとに接続されるリード線にも磁性体ビーズM
Bを外挿すれば、高周波輻射雑音の低減効果がより大き
くなる。
、のカソードと、トランジスタQ、のコレクタとに接続
されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したものであ
り、実施例3と同様の効果が得られるようになっている
。なお、ダイオードD2のカソードとトランジスタQ2
のコレクタとに接続されるリード線にも磁性体ビーズM
Bを外挿すれば、高周波輻射雑音の低減効果がより大き
くなる。
(実施例5)
第10図はさらに他の実施例を示すもので、トランジス
タQ2のエミッタに接続されるリード線に磁性体ビーr
MBを外挿したものであり、この場合にあっても、前記
実施例と同様にトランジスタQ2に流れる電流の急峻な
変化を少なくして高周波輻射雑音を大幅に低減すること
ができる。
タQ2のエミッタに接続されるリード線に磁性体ビーr
MBを外挿したものであり、この場合にあっても、前記
実施例と同様にトランジスタQ2に流れる電流の急峻な
変化を少なくして高周波輻射雑音を大幅に低減すること
ができる。
(実施例6)
第11図はさらに他の実施例を示すもので、トランジス
タQ1のエミッタに接続されるリード線に磁性体ビーズ
MBを外挿したものであり、実施例5と同様にトランジ
スタQ1に流れるWi流の急峻な変化を少なくして高周
波輻射雑音を低減することができる。なお、両トランジ
スタQ、、Q2の各エミッタに接続されるリード線にそ
れぞれ磁性体ビーズMBを外挿すれば、高周波輻射雑音
の低減効果がより大きくなる。
タQ1のエミッタに接続されるリード線に磁性体ビーズ
MBを外挿したものであり、実施例5と同様にトランジ
スタQ1に流れるWi流の急峻な変化を少なくして高周
波輻射雑音を低減することができる。なお、両トランジ
スタQ、、Q2の各エミッタに接続されるリード線にそ
れぞれ磁性体ビーズMBを外挿すれば、高周波輻射雑音
の低減効果がより大きくなる。
(実施例7)
第12図はさらに他の実施例を示すもので、ダイオード
D2の7ノードと、トランジスタQ2のエミッタとに接
続されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したもので
あり、実施例3と同様に、ダイオードD2に流れる電流
およびトランジスタQ2に流れる電流の急峻な変化を少
なくすることができ、高周波輻射雑音の低減効果をより
大きくすることができる。
D2の7ノードと、トランジスタQ2のエミッタとに接
続されるリード線に磁性体ビーズMBを外挿したもので
あり、実施例3と同様に、ダイオードD2に流れる電流
およびトランジスタQ2に流れる電流の急峻な変化を少
なくすることができ、高周波輻射雑音の低減効果をより
大きくすることができる。
(実施例8)
第13図はさらに他の実施例を示すもので、ダイオード
D1の7ノードと、トランジスタQ1のエミッタとに接
続されるリード線に磁性体と一ズMBを外挿したもので
あり、実施例7と同様の高周波輻射雑音の低減効果が得
られることになる。なお、ダイオードD2の7ノードと
トランジスタQ2のエミッタとに接続されるリード線に
も磁性体ビーズMBを外挿すれば、高周波輻射雑音の低
減効果がより大きくなる。
D1の7ノードと、トランジスタQ1のエミッタとに接
続されるリード線に磁性体と一ズMBを外挿したもので
あり、実施例7と同様の高周波輻射雑音の低減効果が得
られることになる。なお、ダイオードD2の7ノードと
トランジスタQ2のエミッタとに接続されるリード線に
も磁性体ビーズMBを外挿すれば、高周波輻射雑音の低
減効果がより大きくなる。
(実施例9)
第14図はさらに他の実施例を示すもので、直流電源E
を、トランスT2(日本フェライト社製DF−R−16
A−M−C)と、トランスT3とコンデンサC,とより
なる高周波カット用のフィルタ回路と、ダイオードD、
、D、およびコンデンサC1゜C5よりなる倍圧整流回
路とで枯成し、第3図に示したビーズイングクタBIを
トランジスタQ2のコレクタ側に挿入して、トランジス
タQ2のコレクタに接続されるリード線に磁性体ビーX
:MBを外挿した場合と同様の効果を得るようにしたも
のである。なお、トランジスタQ、、Q2の直列回路に
は、高周波ノイズ吸収用コンデンサC1が接続されてい
る。
を、トランスT2(日本フェライト社製DF−R−16
A−M−C)と、トランスT3とコンデンサC,とより
なる高周波カット用のフィルタ回路と、ダイオードD、
、D、およびコンデンサC1゜C5よりなる倍圧整流回
路とで枯成し、第3図に示したビーズイングクタBIを
トランジスタQ2のコレクタ側に挿入して、トランジス
タQ2のコレクタに接続されるリード線に磁性体ビーX
:MBを外挿した場合と同様の効果を得るようにしたも
のである。なお、トランジスタQ、、Q2の直列回路に
は、高周波ノイズ吸収用コンデンサC1が接続されてい
る。
(実施例9)
第15図はさらに他の実施例を示すもので、実施例9と
同様の放電灯点灯装置において、トランジスタQ、、Q
2のエミッタ側に突入電流防止用抵抗R+ r R2を
挿入したものであり、この場合、高周波/イX吸収用コ
ンデンサC3はトランジスタQ、、Q2にできるだけ近
接して実装したほうが良ν111 なお、実施例では、バー7プリツノ形インバータ回路を
用いたものを示しているが、非電圧共振形の1石式イン
バータ回路、チaツバ式のインバータ回路にも本発明に
係る高周波輻射雑音防止機りかを適用できることは言う
までもない。
同様の放電灯点灯装置において、トランジスタQ、、Q
2のエミッタ側に突入電流防止用抵抗R+ r R2を
挿入したものであり、この場合、高周波/イX吸収用コ
ンデンサC3はトランジスタQ、、Q2にできるだけ近
接して実装したほうが良ν111 なお、実施例では、バー7プリツノ形インバータ回路を
用いたものを示しているが、非電圧共振形の1石式イン
バータ回路、チaツバ式のインバータ回路にも本発明に
係る高周波輻射雑音防止機りかを適用できることは言う
までもない。
[発明の効果1
本発明は上述のように、直流電源をスイッチング要素に
よってスイッチングして高周波電源を形成するようにし
た電源変換装置において、直流電源からスイッチング要
素に配繰されるリード線の要所に磁性体ビーズを外挿し
たものであり、スイッチング損失を増加させることなく
高周波輻射雑音をより低減することができ、実際の使用
状態において、テレビやラノオなどの他の8!器に影響
を及ぼさないようにした電源変換装置を提供することが
できるという効果がある。
よってスイッチングして高周波電源を形成するようにし
た電源変換装置において、直流電源からスイッチング要
素に配繰されるリード線の要所に磁性体ビーズを外挿し
たものであり、スイッチング損失を増加させることなく
高周波輻射雑音をより低減することができ、実際の使用
状態において、テレビやラノオなどの他の8!器に影響
を及ぼさないようにした電源変換装置を提供することが
できるという効果がある。
第1図は本発明一実施例の回路図、第2図(a)は同一
ヒの要部正面図、第2図(b)は同上の要部側面図、第
3図は同上の要部側面図、第4図および第5図は同上の
動作説明図、第6図は他の実施例の回路図、第7図はさ
らに他の実施例の回路図、PIIJ8図は同上の動作説
明図、第9図乃至fJ&13図はさらに他の実施例の回
路図、第14図および第15図はさらに他の実施例の回
路図、第16図は従来例の回路図、第17図は同上の動
作説明図、tjG18図は他の従来例の回路図、第19
図乃至第21図は同上の動作説明図である。 Eは直流電源、Q、、Q、はスイッチング要素たるトラ
ンゾスタ、MBは磁性体ビーズである。 代理人 弁理士 石 1)長 七 第2図 (0) (b) 第3図 第4図 第5図 (MHz) 第6W!4 第7図 第8r! 第9図 第10囚 第11図 第12図 C1 第111 第16図 第17図 第旧図 C+ 第19図 第20図 第21図 (MHz)
ヒの要部正面図、第2図(b)は同上の要部側面図、第
3図は同上の要部側面図、第4図および第5図は同上の
動作説明図、第6図は他の実施例の回路図、第7図はさ
らに他の実施例の回路図、PIIJ8図は同上の動作説
明図、第9図乃至fJ&13図はさらに他の実施例の回
路図、第14図および第15図はさらに他の実施例の回
路図、第16図は従来例の回路図、第17図は同上の動
作説明図、tjG18図は他の従来例の回路図、第19
図乃至第21図は同上の動作説明図である。 Eは直流電源、Q、、Q、はスイッチング要素たるトラ
ンゾスタ、MBは磁性体ビーズである。 代理人 弁理士 石 1)長 七 第2図 (0) (b) 第3図 第4図 第5図 (MHz) 第6W!4 第7図 第8r! 第9図 第10囚 第11図 第12図 C1 第111 第16図 第17図 第旧図 C+ 第19図 第20図 第21図 (MHz)
Claims (1)
- (1)直流電源をスイッチング要素によってスイッチン
グして高周波電源を形成するようにした電源変換装置に
おいて、直流電源からスイッチング要素に配線されるリ
ード線の要所に磁性体ビーズを外挿したことを特徴とす
る電源変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62031773A JPS63202263A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 電源変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62031773A JPS63202263A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 電源変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63202263A true JPS63202263A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12340370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62031773A Pending JPS63202263A (ja) | 1987-02-14 | 1987-02-14 | 電源変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63202263A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0280996U (ja) * | 1988-12-03 | 1990-06-21 | ||
JPH04317218A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-09 | Mels Corp | スイッチング回路 |
EP0654893A1 (de) * | 1993-11-19 | 1995-05-24 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Treiberschaltung für einen Schrittmotor |
JP2009225570A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電力変換装置 |
GB2482471A (en) * | 2010-06-17 | 2012-02-08 | Wen-Hsin Chao | Transformer for a halogen lamp |
-
1987
- 1987-02-14 JP JP62031773A patent/JPS63202263A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0280996U (ja) * | 1988-12-03 | 1990-06-21 | ||
JPH04317218A (ja) * | 1991-04-17 | 1992-11-09 | Mels Corp | スイッチング回路 |
EP0654893A1 (de) * | 1993-11-19 | 1995-05-24 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Treiberschaltung für einen Schrittmotor |
WO1995014327A1 (de) * | 1993-11-19 | 1995-05-26 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Treiberschaltung für einen schrittmotor |
US5656910A (en) * | 1993-11-19 | 1997-08-12 | Sgs-Thomson Microelectronics Gmbh | Driver circuit for a stepping motor |
JP2009225570A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 電力変換装置 |
GB2482471A (en) * | 2010-06-17 | 2012-02-08 | Wen-Hsin Chao | Transformer for a halogen lamp |
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