JPS6320153A - 合金タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
合金タ−ゲツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS6320153A JPS6320153A JP16455886A JP16455886A JPS6320153A JP S6320153 A JPS6320153 A JP S6320153A JP 16455886 A JP16455886 A JP 16455886A JP 16455886 A JP16455886 A JP 16455886A JP S6320153 A JPS6320153 A JP S6320153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- mold
- segregation
- casting
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- -1 Argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000748 Gd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば光磁気記録ディスク用の磁性薄膜をＰ
ＶＤ法によって形成する際に使用される合金ターゲット
の製造方法に関する。
ＶＤ法によって形成する際に使用される合金ターゲット
の製造方法に関する。
（従来技術）
近年、光磁気メモリーに対する関心が著しく高まってき
ているが、光磁気メモリーは、磁性材料に光を当てる事
により記録を行うものであり、ディスク面に磁性薄膜を
形成したものが使用される。そして、磁性薄膜の材料と
しては遷移金属−希土類系、たとえばＦｅ−Ｇｄ、 Ｆ
ｅ−Ｔｂ等の二元系あるいは、Ｇｏ−Ｇｄ−Ｔｂ、 Ｆ
ｅ−Ｇｄ−Ｔｂ等の三元系などが有望視されている。
ているが、光磁気メモリーは、磁性材料に光を当てる事
により記録を行うものであり、ディスク面に磁性薄膜を
形成したものが使用される。そして、磁性薄膜の材料と
しては遷移金属−希土類系、たとえばＦｅ−Ｇｄ、 Ｆ
ｅ−Ｔｂ等の二元系あるいは、Ｇｏ−Ｇｄ−Ｔｂ、 Ｆ
ｅ−Ｇｄ−Ｔｂ等の三元系などが有望視されている。
光磁気記録ディスクを製造するに際しては、合成樹脂な
どにより成形した円形基盤の表面に上記した磁性薄膜材
料を ＰＶＤ法等によって形成させる。 ＰＶＤ法とし
ては、例えばスパッター装置を使用するものがあり、真
空容器中に、磁性薄膜の組成にほぼ等しい組成の合金タ
ーゲットを設置し、このターゲットと対向させて前記円
形基盤を設置する。
どにより成形した円形基盤の表面に上記した磁性薄膜材
料を ＰＶＤ法等によって形成させる。 ＰＶＤ法とし
ては、例えばスパッター装置を使用するものがあり、真
空容器中に、磁性薄膜の組成にほぼ等しい組成の合金タ
ーゲットを設置し、このターゲットと対向させて前記円
形基盤を設置する。
そして真空容器内にアルゴンガスを１Ｏ−２Ｔｏｒｒ程
度加え、高周波電流を流し、放電させる。
度加え、高周波電流を流し、放電させる。
放電によって生じたプラズマ中のアルゴンイオンを前記
合金ターゲットに衝突させ、衝突エネルギーにより遷移
金属と希土類をたたき出し、前記基盤に付着させるよう
にしたものである。
合金ターゲットに衝突させ、衝突エネルギーにより遷移
金属と希土類をたたき出し、前記基盤に付着させるよう
にしたものである。
この様に、磁性薄膜をＰＶＤ法によって作るには合金タ
ーゲットが必要であるが、従来、遷移金属−希土類系の
合金は、非常に脆くこのため一度鋳造した合金を粉末に
して、成形焼結するという粉末冶金法により、合金ター
ゲットを製造するのが一般的であった。
ーゲットが必要であるが、従来、遷移金属−希土類系の
合金は、非常に脆くこのため一度鋳造した合金を粉末に
して、成形焼結するという粉末冶金法により、合金ター
ゲットを製造するのが一般的であった。
しかしながら、この粉末冶金法は、希土類元素が著しく
活性であるため、汚染が著しく大きく、不純物の少い良
質の合金ターゲットを得るのは困難であり、工程が多い
ため高コストであるという欠点があった。
活性であるため、汚染が著しく大きく、不純物の少い良
質の合金ターゲットを得るのは困難であり、工程が多い
ため高コストであるという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は、上述した様な従来の問題点に着目して行われ
たものであり、鋳造法により割れのない汚染の少い遷移
金属−希土類系合金ターゲットを作る事を目的としてい
る。
たものであり、鋳造法により割れのない汚染の少い遷移
金属−希土類系合金ターゲットを作る事を目的としてい
る。
（発明の構成）
この発明は、遷移金属−希土類系の薄膜形成用合金ター
ゲットを鋳造法で製造するに際し、鋳型を回転させる事
を特徴とする。
ゲットを鋳造法で製造するに際し、鋳型を回転させる事
を特徴とする。
一般に遷移金属−希土類系合金は、非常に脆く通常の金
型や砂型に鋳込むと冷却時の熱応力で割れてしまい割れ
のない成形体を得るのは不可能であった。また、この種
合金は活性が高くかつ鋳造温度も高いので侵食に酎える
鋳型材料は窒化硅素等特殊なものに限られている。
型や砂型に鋳込むと冷却時の熱応力で割れてしまい割れ
のない成形体を得るのは不可能であった。また、この種
合金は活性が高くかつ鋳造温度も高いので侵食に酎える
鋳型材料は窒化硅素等特殊なものに限られている。
本発明者らは、遷移金属−希土類系合金をアルミナ繊維
系耐火断熱材で作った鋳型に鋳込み、長時間かけて徐冷
したところ鋳型の侵食もなく割れのないターゲツト材を
作るのに成功した。しかし、このターゲツト材は、場所
による成分の偏析がＷａｘ ４％程度もあり、ターゲツ
ト材として使用する事は不可能であった。
系耐火断熱材で作った鋳型に鋳込み、長時間かけて徐冷
したところ鋳型の侵食もなく割れのないターゲツト材を
作るのに成功した。しかし、このターゲツト材は、場所
による成分の偏析がＷａｘ ４％程度もあり、ターゲツ
ト材として使用する事は不可能であった。
そこで、鋳造時に合金を徐冷しながら、熱応力の発生を
抑え、合金成分の偏析を少くする方法を検討して、本発
明に到達した。
抑え、合金成分の偏析を少くする方法を検討して、本発
明に到達した。
すなわち、鋳造時に鋳型を回転させながら、注湯すると
偏析が非常に少くなるという事である。
偏析が非常に少くなるという事である。
回転の速度はあまり遅いと偏析を少くする効果が出ず５
ｒｐｍ以上、好ましくは１１００ｒｐ以上１００゜ｒｐ
ｍ迄が好ましい。１０ｒｐｍ以下では、偏析を防止する
効果が少く、１１０００ｒｐ以上では、偏析防止の効果
は飽和する。
ｒｐｍ以上、好ましくは１１００ｒｐ以上１００゜ｒｐ
ｍ迄が好ましい。１０ｒｐｍ以下では、偏析を防止する
効果が少く、１１０００ｒｐ以上では、偏析防止の効果
は飽和する。
以下に実施例を示して本発明を詳述する。
Ｆｅ −５０ｗｔ％、Ｇｄ合金５００ｇを高周波溶解炉
で、アルゴン雰囲気中で溶解し、アルミナｍ維系耐火断
熱材で作った鋳型を回転させながら、この中に鋳込んだ
。鋳造体の大きさは直径１００ｍｍ、厚さ５ｍ＋ａの円
板状である。 □ 鋳型め形状は、円板の上下部分が厚さ１５ｍｍ、サイド
部分が厚さ２５ｍｌ１１で、湯口は円板中央上部に設け
た。
で、アルゴン雰囲気中で溶解し、アルミナｍ維系耐火断
熱材で作った鋳型を回転させながら、この中に鋳込んだ
。鋳造体の大きさは直径１００ｍｍ、厚さ５ｍ＋ａの円
板状である。 □ 鋳型め形状は、円板の上下部分が厚さ１５ｍｍ、サイド
部分が厚さ２５ｍｌ１１で、湯口は円板中央上部に設け
た。
鋳湯温度は１４５０°Ｃである。
鋳型の回転速度をＯｒｐｍから１２０Ｏｒｐｍまで変化
させ、鋳造後の円板の中心部Ａから外縁部Ｅまで等間隔
に各５ケ所から分析試料をサンプリングし、ＦｅとＧｄ
の組成を分析した。
させ、鋳造後の円板の中心部Ａから外縁部Ｅまで等間隔
に各５ケ所から分析試料をサンプリングし、ＦｅとＧｄ
の組成を分析した。
表１にＦｅ成分の分析結果を示す。
（以下余白）
表１によれば、鋳型を回転させないときは、Ｆｅの偏析
が最大４．２％あるが、鋳型の回転数を上げるにつれ、
偏析が減少し、１１０００ｒｐ以上では０．２％まで減
少する。
が最大４．２％あるが、鋳型の回転数を上げるにつれ、
偏析が減少し、１１０００ｒｐ以上では０．２％まで減
少する。
また、これらのターゲツト材はいずれも割れは発生しな
かった。
かった。
Claims (1)
- 遷移金属−希土類系の薄膜形成用合金ターゲットを製造
するに際し、溶解した合金を注湯する際に鋳型を回転さ
せる事を特徴とする合金ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16455886A JPS6320153A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16455886A JPS6320153A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320153A true JPS6320153A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15795445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16455886A Pending JPS6320153A (ja) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | 合金タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6320153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305991A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-11 | Pegasus Sewing Mach Mfg Co Ltd | ミシンの押え上げ補助装置 |
| CN100348507C (zh) * | 2003-02-14 | 2007-11-14 | 金京睦 | 杀菌阀以及使用其的水净化装置 |
-
1986
- 1986-07-15 JP JP16455886A patent/JPS6320153A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305991A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-11 | Pegasus Sewing Mach Mfg Co Ltd | ミシンの押え上げ補助装置 |
| CN100348507C (zh) * | 2003-02-14 | 2007-11-14 | 金京睦 | 杀菌阀以及使用其的水净化装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100568392B1 (ko) | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 | |
| JP3772972B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| JPS61139637A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトとその製造方法 | |
| JPH0925564A (ja) | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット | |
| CN108517497B (zh) | 一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法 | |
| JPS6320153A (ja) | 合金タ−ゲツトの製造方法 | |
| US20030168333A1 (en) | Metal or metal alloy based sputter target and method for the production thereof | |
| JP3525439B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JP2004084065A (ja) | 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| JP2002275561A (ja) | 薄膜形成用金又は金合金材料及びその製造方法、並びにその金又は金合金を用いたハースインゴット及びその製造方法 | |
| JP4026767B2 (ja) | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP2894695B2 (ja) | 希土類金属−鉄族金属ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4573381B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2597380B2 (ja) | 希土類金属−遷移金属ターゲット用合金粉末の製造方法および希土類金属−遷移金属ターゲットの製造方法 | |
| US20020159911A1 (en) | Nickel-titanium sputter target alloy | |
| JP2909108B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JPH0254760A (ja) | ターゲットの製造方法 | |
| JPH01142079A (ja) | 希土類合金ターゲットの製造方法 | |
| JPH0768611B2 (ja) | スパツタリング用合金タ−ゲツトの製造方法 | |
| JPH0499171A (ja) | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 | |
| JPS6247475A (ja) | 合金タ−ゲツトの製造方法 | |
| JPH05295408A (ja) | 傾斜機能材料を用いた急冷凝固粉の製造方法 | |
| JPS6216444B2 (ja) | ||
| JPH0770745A (ja) | 希土類磁性膜用ターゲットの製造方法 | |
| JPH0518899B2 (ja) |