JPS63201516A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPS63201516A JPS63201516A JP62035349A JP3534987A JPS63201516A JP S63201516 A JPS63201516 A JP S63201516A JP 62035349 A JP62035349 A JP 62035349A JP 3534987 A JP3534987 A JP 3534987A JP S63201516 A JPS63201516 A JP S63201516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- slit
- light
- signal processing
- photodetection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 3
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、位置検出装置に関し、例えば半導体製造装置
、検査装置における位置検出装置に適用して好適なもの
である。
、検査装置における位置検出装置に適用して好適なもの
である。
従来、半導体製造装置における位置検出装置として、特
開昭56−42205号公報に開示されているように、
投影レンズによってマスクパターンが転写される位置に
配設された対象物としての半導体ウェハに対して、斜め
に検出スリット光を照射する斜め入射型の位置検出装置
が用いられている。
開昭56−42205号公報に開示されているように、
投影レンズによってマスクパターンが転写される位置に
配設された対象物としての半導体ウェハに対して、斜め
に検出スリット光を照射する斜め入射型の位置検出装置
が用いられている。
第6図は、この従来の斜め入射型の位置検出装置を示す
もので、光源1において発生された光束LOが集光レン
ズ2を通ってスリット3を照射する。スリット3は、紙
面に対して垂直方向に延長する関口3Aを有し、この間
口3Aの像が送光側結像レンズ4Aによって半導体ウェ
ハ5の表面5A上に結像され、かくして被検出面を構成
する表面5A上に、スリット状の結像光束でなる検出ス
リット光LLを照射する。
もので、光源1において発生された光束LOが集光レン
ズ2を通ってスリット3を照射する。スリット3は、紙
面に対して垂直方向に延長する関口3Aを有し、この間
口3Aの像が送光側結像レンズ4Aによって半導体ウェ
ハ5の表面5A上に結像され、かくして被検出面を構成
する表面5A上に、スリット状の結像光束でなる検出ス
リット光LLを照射する。
かくして光源1と、集光レンズ2と、スリット3と、送
光側結像レンズ4Aとで照射系に1を構成している。
光側結像レンズ4Aとで照射系に1を構成している。
表面5Aによって、反射されて得られるスリット反射光
L2は、受光側結像レンズ4Bを通り、振動ミラー6で
反射し、受光スリット7上に再結像され、その間ロアA
を通過した光が検出光L3として、例えば光電変換手段
としての光電変換素子9上に集光される。
L2は、受光側結像レンズ4Bを通り、振動ミラー6で
反射し、受光スリット7上に再結像され、その間ロアA
を通過した光が検出光L3として、例えば光電変換手段
としての光電変換素子9上に集光される。
振動ミラー6により、受光スリット7の開ロアA上に結
像した反射スリット像は振動し、半導体ウェハ5が合焦
位置にあるときに反射スリット像の振動中心が開ロアA
の中心と一致するように構成されている。受光スリット
7の開ロアAを通過した反射スリット像の光は、光電変
換素子9により検出信号S1に変換され、信号処理回路
IOにおいて振動ミラー6の振動周期で同期位相検波さ
れる。
像した反射スリット像は振動し、半導体ウェハ5が合焦
位置にあるときに反射スリット像の振動中心が開ロアA
の中心と一致するように構成されている。受光スリット
7の開ロアAを通過した反射スリット像の光は、光電変
換素子9により検出信号S1に変換され、信号処理回路
IOにおいて振動ミラー6の振動周期で同期位相検波さ
れる。
かくして受光側結像レンズ4Bと、振動ミラー6と、受
光スリット7と、光電変換素子9とで受光系に2を構成
し、また信号処理回路10により信号処理系に3を構成
する。
光スリット7と、光電変換素子9とで受光系に2を構成
し、また信号処理回路10により信号処理系に3を構成
する。
その同期位相検波信号S2は、第7図に示すように、半
導体ウェハ5の表面5Aの高さZが2=+21から2=
−2,までの検出可能範囲R内を変化したとき、反射ス
リット像の振動中心が開ロアAの中心からずれることに
より、信号レベル■がV=+VイからV = −V、の
範囲を変化する。
導体ウェハ5の表面5Aの高さZが2=+21から2=
−2,までの検出可能範囲R内を変化したとき、反射ス
リット像の振動中心が開ロアAの中心からずれることに
より、信号レベル■がV=+VイからV = −V、の
範囲を変化する。
かくして信号処理回路10は、同期位相検波信号S2の
信号レベルVがV−0になるように半導体ウェハ5の位
置を調整することにより、投影レンズからの投影光を合
焦状態にオートフォーカシング制御をする。
信号レベルVがV−0になるように半導体ウェハ5の位
置を調整することにより、投影レンズからの投影光を合
焦状態にオートフォーカシング制御をする。
ところがこの種の斜め入射型位置検出装置を用いて、半
導体ウェハ5の位置を検出する場合、半導体ウェハ5の
合焦位置からの偏位量が小さい場合には、同期位相検波
信号S2の信号レベルVが+y、〜−■、4内にあるの
で信号処理回路10において合焦検出動作をし得るが、
半導体ウェハ5の合焦位置からの偏位量が大きくなって
、検出可能範囲Rから外側にずれると、振動ミラー6に
よって振動する反射スリット像が受光スリット7の開ロ
アAを通過しなくなるため、同期位相検波信号S2が応
答しなくなる(すなわち0レベルを維持する状態になる
)。
導体ウェハ5の位置を検出する場合、半導体ウェハ5の
合焦位置からの偏位量が小さい場合には、同期位相検波
信号S2の信号レベルVが+y、〜−■、4内にあるの
で信号処理回路10において合焦検出動作をし得るが、
半導体ウェハ5の合焦位置からの偏位量が大きくなって
、検出可能範囲Rから外側にずれると、振動ミラー6に
よって振動する反射スリット像が受光スリット7の開ロ
アAを通過しなくなるため、同期位相検波信号S2が応
答しなくなる(すなわち0レベルを維持する状態になる
)。
この問題を解決する方法として、スリット像の振幅を拡
げることにより検出可能範囲Rを拡大することが考えら
れるが、このようにすると、同期位相検波信号S2によ
る焦点検出感度が低下するおそれがあり、望ましくない
。
げることにより検出可能範囲Rを拡大することが考えら
れるが、このようにすると、同期位相検波信号S2によ
る焦点検出感度が低下するおそれがあり、望ましくない
。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、焦点検出
感度を劣化させることなく検出可能範囲を拡大できるよ
うにした位置検出装置を提案しようとするものである。
感度を劣化させることなく検出可能範囲を拡大できるよ
うにした位置検出装置を提案しようとするものである。
かかる問題点を解決するため本発明においては、対象物
5に対し斜めに検出光L1を照射する照射系に1と、対
象物5から反射して来る検出光L3を受光する受光系に
2と、受光系に2の出力S1を受ける信号処理系に3と
を有し、対象物5で反射した検出光L2が対象物5の移
動に伴い整光系に2に対し、移動するように照射系に1
と受光系に2とを配設し、信号処理系に3は受光系に2
に対して検出光L3が所定位置に照射されると検出信号
S1を発生する位置検出装置において、受光系に2は、
第1と第2の光電変換手段9.21.22を含み、第1
の光電変換手段9は所定位置に配設され、第2の光電変
換手段21.22は検出光L3の移動を検出する範囲が
第1の光電変換手段9より大きく、信号処理系に3は第
2の光電変換手段21.22の出力S13により検出光
L3を第1の光電変換手段9に向けて移動させるために
対象物5を変位させる信号を発生するようにする。
5に対し斜めに検出光L1を照射する照射系に1と、対
象物5から反射して来る検出光L3を受光する受光系に
2と、受光系に2の出力S1を受ける信号処理系に3と
を有し、対象物5で反射した検出光L2が対象物5の移
動に伴い整光系に2に対し、移動するように照射系に1
と受光系に2とを配設し、信号処理系に3は受光系に2
に対して検出光L3が所定位置に照射されると検出信号
S1を発生する位置検出装置において、受光系に2は、
第1と第2の光電変換手段9.21.22を含み、第1
の光電変換手段9は所定位置に配設され、第2の光電変
換手段21.22は検出光L3の移動を検出する範囲が
第1の光電変換手段9より大きく、信号処理系に3は第
2の光電変換手段21.22の出力S13により検出光
L3を第1の光電変換手段9に向けて移動させるために
対象物5を変位させる信号を発生するようにする。
受光系に2は第1と第2の光電変換手段9.21.22
を含み、第1の光電変換手段9は所定位置に配設され、
第2の光電変換手段21.22は検出光L3の移動を検
出する範囲が第1の光電変換手段9より大きく、信号処
理系に3は第2の光電変換手段21.22の出力Slに
より検出光L3を第1の光電変換手段9に向けて移動さ
せるために対象物5を変位させる信号を発生するように
する。
を含み、第1の光電変換手段9は所定位置に配設され、
第2の光電変換手段21.22は検出光L3の移動を検
出する範囲が第1の光電変換手段9より大きく、信号処
理系に3は第2の光電変換手段21.22の出力Slに
より検出光L3を第1の光電変換手段9に向けて移動さ
せるために対象物5を変位させる信号を発生するように
する。
かくするにつき対象物5の位置が、第1の光電変換手段
9において検出できる範囲より、大幅にずれたような場
合においても、第2の光電変換手段21.22において
検出して確実に高い精度で合焦状態に制御することがで
きる。
9において検出できる範囲より、大幅にずれたような場
合においても、第2の光電変換手段21.22において
検出して確実に高い精度で合焦状態に制御することがで
きる。
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
(1)第1の実施例
第1図に示すように、受光スリット7の振動ミラー6側
の面7B上に一対の粗調整用光電変換手段としての粗調
整用光電変換素子21及び22が設けられている。
の面7B上に一対の粗調整用光電変換手段としての粗調
整用光電変換素子21及び22が設けられている。
一方の光電変換素子21は、開ロアAの一例位置におい
てこれと直交する方向に右方に反射スリット像Pが移動
したとき、反射スリット像Pの受光面積が大きくなるよ
うに三角形状に形成されている。
てこれと直交する方向に右方に反射スリット像Pが移動
したとき、反射スリット像Pの受光面積が大きくなるよ
うに三角形状に形成されている。
また他方の光電変換素子22は、開ロアAの他側位置に
おいてこれと直交する方向に左方に反射スリット像Pが
移動したとき、反射スリット像Pの受光面積が大きくな
るように三角形状に形成されている。
おいてこれと直交する方向に左方に反射スリット像Pが
移動したとき、反射スリット像Pの受光面積が大きくな
るように三角形状に形成されている。
この実施例の場合、反射スリット像Pの中心が開ロアA
の中心と一致する位置P、にあるとき、一対の光電変換
素子21及び22に対する反射スリット像Pの受光面積
がほぼ等しくなることにより、その検出信号D1及びD
2の信号レベルが互いに等しくなってその差がほぼ0に
なるように構成されている。
の中心と一致する位置P、にあるとき、一対の光電変換
素子21及び22に対する反射スリット像Pの受光面積
がほぼ等しくなることにより、その検出信号D1及びD
2の信号レベルが互いに等しくなってその差がほぼ0に
なるように構成されている。
この状態から反射スリット像Pが開ロアAからはずれて
右方(又は左方)にずれた位置PL(又はP2)にある
とき、光電変換素子21及び22の検出信号DI及びD
2が差動的に(その和が一定値になる)変化することに
より、その差の値が正方向に増大しく又は負方向に減少
する)ように変化するように構成されている。
右方(又は左方)にずれた位置PL(又はP2)にある
とき、光電変換素子21及び22の検出信号DI及びD
2が差動的に(その和が一定値になる)変化することに
より、その差の値が正方向に増大しく又は負方向に減少
する)ように変化するように構成されている。
光電変換素子21及び22から得られる検出信号D1及
びD2は、信号処理回路10内に設けられた粗調整信号
形成回路23に入力される。
びD2は、信号処理回路10内に設けられた粗調整信号
形成回路23に入力される。
すなわち検出信号D1及びD2は、順次増幅回路25及
び26、低域通過フィルタ27及び28を通って減算回
路29、加算回路30に入力され、その減算出力311
及び加算出力S12が割算回路31に与えられる。
び26、低域通過フィルタ27及び28を通って減算回
路29、加算回路30に入力され、その減算出力311
及び加算出力S12が割算回路31に与えられる。
以上の構成において、検出信号D1及びD2は反射スリ
ット像Pの移動に従って差動的に変化するので(第1図
)、加算回路30の加算出力S12の値は、反射スリッ
ト像Pが左右方向に移動しても一定値を維持し、かつ反
射スリット像Pの明るさに応じて変化する。
ット像Pの移動に従って差動的に変化するので(第1図
)、加算回路30の加算出力S12の値は、反射スリッ
ト像Pが左右方向に移動しても一定値を維持し、かつ反
射スリット像Pの明るさに応じて変化する。
これに対して減算回路29の減算出力5llO値は、反
射スリット像Pが左方向に移動すれば、差動的に大きく
変化し、かつ反射スリット像Pの明るさに応じて変化す
る。
射スリット像Pが左方向に移動すれば、差動的に大きく
変化し、かつ反射スリット像Pの明るさに応じて変化す
る。
そこで割算回路31において減算回路29の減算出力S
llを分子としかつ加算回路30の加算出力S12を分
母として割算すれば、反射スリット像Pの明るさの変化
を受けずに、反射スリット像Pの左右方向の位置P、
、P、 、P、に応じて直線的に信号レベルが変化する
粗調整信号313(第3図(B))を得ることができる
。
llを分子としかつ加算回路30の加算出力S12を分
母として割算すれば、反射スリット像Pの明るさの変化
を受けずに、反射スリット像Pの左右方向の位置P、
、P、 、P、に応じて直線的に信号レベルが変化する
粗調整信号313(第3図(B))を得ることができる
。
実際上この粗調整信号S13は、光電変換素子9から得
られる検出信号Sl(精密調整用信号として用いる)と
共に、半導体ウェハ5のZ方向の位置調整信号として用
いられる。
られる検出信号Sl(精密調整用信号として用いる)と
共に、半導体ウェハ5のZ方向の位置調整信号として用
いられる。
以上の構成によれば、光電変換素子9の同期位相検波信
号S2(第3図)が検出可能範囲Rに入るような位置に
反射スリット像Pがあるとき、信号処理回路10は、こ
の同期位相検波信号S2を用いて精密なオートフォーカ
シング動作をし得る。
号S2(第3図)が検出可能範囲Rに入るような位置に
反射スリット像Pがあるとき、信号処理回路10は、こ
の同期位相検波信号S2を用いて精密なオートフォーカ
シング動作をし得る。
これに加えて光電変換素子9の同期位相検波信号S2が
検出可能範囲Rからはずれるような位置に反射スリット
像Pが移動したとき、信号処理回路10は、第3図(B
)に示すように、粗調整信号313の範囲R11及びR
12の信号を用いて反射スリット像Pを検出可能範囲R
に対応する範囲R1に引き戻すような粗なオートフォー
カシング動作をし得る。
検出可能範囲Rからはずれるような位置に反射スリット
像Pが移動したとき、信号処理回路10は、第3図(B
)に示すように、粗調整信号313の範囲R11及びR
12の信号を用いて反射スリット像Pを検出可能範囲R
に対応する範囲R1に引き戻すような粗なオートフォー
カシング動作をし得る。
かくして上述の実施例によれば、半導体ウェハ5の位置
が従来の場合と比較して大幅にずれたような場合にも、
これを確実に検出して高い精度で合焦状態に制御するこ
とができる。
が従来の場合と比較して大幅にずれたような場合にも、
これを確実に検出して高い精度で合焦状態に制御するこ
とができる。
(2)第2の実施例
第4図及び第5図は、本発明の第2の実施例を示すもの
で、第1図及び第2図との対応部分に同一符号を付して
示すように、受光スリット7の開ロアAの一側に、これ
と直交する方向に延長する位置検出素子(P S D
(position 5ensitive detec
Lor))でなる粗調整用光電変換素子35が設けられ
ている。
で、第1図及び第2図との対応部分に同一符号を付して
示すように、受光スリット7の開ロアAの一側に、これ
と直交する方向に延長する位置検出素子(P S D
(position 5ensitive detec
Lor))でなる粗調整用光電変換素子35が設けられ
ている。
粗調整用光電変換素子35は、反射スリット像Pの照射
位置が、開ロアAを中心にして右方(又は左方)にずれ
ると、これに応じて差動的に変化する一対の検出信号D
ll及びD12を送出し、この検出信号Dll及びD1
2を増幅回路25及び26を介して低域通過フィルタ2
7及び28に入力する。
位置が、開ロアAを中心にして右方(又は左方)にずれ
ると、これに応じて差動的に変化する一対の検出信号D
ll及びD12を送出し、この検出信号Dll及びD1
2を増幅回路25及び26を介して低域通過フィルタ2
7及び28に入力する。
第4図及び第5図の構成において、粗調整用光電変換素
子35から得られる検出信号Dll及びD12は、第1
に共に反射スリット像Pの明るさに対応する値を存し、
また第2に反射スリット像Pの位置がP、−P、〜P、
の間を変化すればこれに応じて変化する。
子35から得られる検出信号Dll及びD12は、第1
に共に反射スリット像Pの明るさに対応する値を存し、
また第2に反射スリット像Pの位置がP、−P、〜P、
の間を変化すればこれに応じて変化する。
従ってこの実施例においても、上述の場合と同様の効果
を得ることができる。
を得ることができる。
(3)他の実施例
(a) なお上述の実施例においては、受光スリット
7の面7B上に粗調整用光電変換素子21及び22を、
受光スリット7の開ロアAを挟んで、両側に向かい合う
位置に設け、しかも光電変換素子21及び22が、三角
形状をしている場合について述べたが、これに代え、受
光スリット7の開ロアAの一側にまとめて、一対の光電
変換素子21及び22を設けるように変更したり、一対
の光電変換素子21及び22により発生する検出出力が
結果的に差動的に変化するような形状に成形したりする
など、種々変更し得、要は光電変換素子21及び22に
より得られた検出出力により、反射スリット像Pの受光
スリット7の開ロアAに対するずれ看及びずれの方向を
検知することができるようにすれば良い。
7の面7B上に粗調整用光電変換素子21及び22を、
受光スリット7の開ロアAを挟んで、両側に向かい合う
位置に設け、しかも光電変換素子21及び22が、三角
形状をしている場合について述べたが、これに代え、受
光スリット7の開ロアAの一側にまとめて、一対の光電
変換素子21及び22を設けるように変更したり、一対
の光電変換素子21及び22により発生する検出出力が
結果的に差動的に変化するような形状に成形したりする
など、種々変更し得、要は光電変換素子21及び22に
より得られた検出出力により、反射スリット像Pの受光
スリット7の開ロアAに対するずれ看及びずれの方向を
検知することができるようにすれば良い。
(bl また上述の実施例においては、振動ミラー6
により、反射スリット像Pを振動させ受光スリット7が
固定している場合について述べたが、これに代え、振動
ミラーを取り除いて又はミラーを固定させて、受光スリ
ット7が、受光スリット7の開ロアAと直交する方向に
所定の振幅で振動するようにしても良い。
により、反射スリット像Pを振動させ受光スリット7が
固定している場合について述べたが、これに代え、振動
ミラーを取り除いて又はミラーを固定させて、受光スリ
ット7が、受光スリット7の開ロアAと直交する方向に
所定の振幅で振動するようにしても良い。
(C) さらに上述の実施例においては、受光スリッ
ト7に第2の光電変換素子21及び22を取り付けるよ
うにした場合について述べたが、これに代え、受光スリ
ット7と振動ミラー6との間に、第2の光電変(負素子
21及び22が取り付けられた検出器を設けるようにし
ても良い。
ト7に第2の光電変換素子21及び22を取り付けるよ
うにした場合について述べたが、これに代え、受光スリ
ット7と振動ミラー6との間に、第2の光電変(負素子
21及び22が取り付けられた検出器を設けるようにし
ても良い。
(d) さらに上述の実施例においては、微調整の検
出方法として、第2の光電変換素子21及び22が設け
られた受光スリット7の開ロアAを通過した検出光L3
を第1の光電変換素子9で検出するようにしたが、受光
スリット7に代え、当該受光スリット7とほぼ同じ形状
の光電変換素子9を第2の光電変換素子21及び22と
同一平面上に設けるようにしても、上述の場合と同様の
効果を得ることができる。
出方法として、第2の光電変換素子21及び22が設け
られた受光スリット7の開ロアAを通過した検出光L3
を第1の光電変換素子9で検出するようにしたが、受光
スリット7に代え、当該受光スリット7とほぼ同じ形状
の光電変換素子9を第2の光電変換素子21及び22と
同一平面上に設けるようにしても、上述の場合と同様の
効果を得ることができる。
(e) さらに上述の実施例においては、反射スリッ
ト像Pと所定の幅の開ロアAを有する受光スリット7と
を相対的に振動させる(換言すれば繰り返し往復移動さ
せる)ようにした場合について述べたが、これに代え反
射スリット像Pと所定の幅の開ロアAを有する受光スリ
ット7とを相対的に開ロアAを少なくとも1回横切るよ
うに移動させ、その際の検出結果に基づいて半導体ウェ
ハ5の位置を検出するようにしても良い。
ト像Pと所定の幅の開ロアAを有する受光スリット7と
を相対的に振動させる(換言すれば繰り返し往復移動さ
せる)ようにした場合について述べたが、これに代え反
射スリット像Pと所定の幅の開ロアAを有する受光スリ
ット7とを相対的に開ロアAを少なくとも1回横切るよ
うに移動させ、その際の検出結果に基づいて半導体ウェ
ハ5の位置を検出するようにしても良い。
以上のように本発明によれば、被検出対象の位置が合焦
位置より大幅にずれたとき、これを確実に検出し得、か
くするにつき従来の場合と同様にオートフォーカシング
動作の精度を高い値に維持し得る位置検出装置を容易に
実現し得る。
位置より大幅にずれたとき、これを確実に検出し得、か
くするにつき従来の場合と同様にオートフォーカシング
動作の精度を高い値に維持し得る位置検出装置を容易に
実現し得る。
第1図は本発明による光電変換素子の第1の実施例を示
す路線的平面図、第2図はその光電変換素子の信号処理
を示すブロック図、第3図(八)及び(B)はその信号
波形図、第4図は本発明による光電変換素子の第2の実
施例を示す路線的平面図、第5図はその光電変換素子の
信号処理を示すブロック図、第6図は位置検出装置の全
体構成を示す路線図、第7図はその検出信号の波形図で
ある。 1・・・・・・光源、5・・・・・・半導体ウェハ、6
・・・・・・振動ミラー、7・・・・・・受光スリット
、9・・・・・・第1の光電変換素子、10・・・・・
・信号処理回路、21.22.35・・・・・・第2の
光電変換素子。
す路線的平面図、第2図はその光電変換素子の信号処理
を示すブロック図、第3図(八)及び(B)はその信号
波形図、第4図は本発明による光電変換素子の第2の実
施例を示す路線的平面図、第5図はその光電変換素子の
信号処理を示すブロック図、第6図は位置検出装置の全
体構成を示す路線図、第7図はその検出信号の波形図で
ある。 1・・・・・・光源、5・・・・・・半導体ウェハ、6
・・・・・・振動ミラー、7・・・・・・受光スリット
、9・・・・・・第1の光電変換素子、10・・・・・
・信号処理回路、21.22.35・・・・・・第2の
光電変換素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対象物に対し斜めに検出光を照射する照射系と、該対象
物から反射して来る該検出光を受光する受光系と、該受
光系の出力を受ける信号処理系とを有し、該対象物で反
射した検出光が該対象物の移動に伴い該受光系に対し、
移動するように該照射系と受光系とを配設し、該信号処
理系は該受光系に対して該検出光が所定位置に照射され
ると検出信号を発生する位置検出装置において、 前記受光系は、第1と第2の光電変換手段を含み、該第
1の光電変換手段は前期所定位置に配設され、該第2の
光電変換手段は前記検出光の移動を検出する範囲が該第
1の光電変換手段より大きく、前記信号処理系は該第2
の光電変換手段の出力により前記検出光を該第1の光電
変換手段に向けて移動させるために前記対象物を変位さ
せる信号を発生する ことを特徴とする位置検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62035349A JPS63201516A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62035349A JPS63201516A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 位置検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63201516A true JPS63201516A (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=12439384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62035349A Pending JPS63201516A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63201516A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008233342A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 高さ検出装置 |
JP2008309532A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Lasertec Corp | 3次元測定装置及び検査装置 |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62035349A patent/JPS63201516A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008233342A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Advanced Mask Inspection Technology Kk | 高さ検出装置 |
JP2008309532A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Lasertec Corp | 3次元測定装置及び検査装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4725722A (en) | Automatic focusing method and apparatus utilizing contrasts of projected pattern | |
US5587794A (en) | Surface position detection apparatus | |
US4636626A (en) | Apparatus for aligning mask and wafer used in semiconductor circuit element fabrication | |
US5834767A (en) | Surface position detecting system and projection exposure apparatus using the same | |
US5729337A (en) | Inclination detecting apparatus | |
GB2139753A (en) | Sensing relative position of alignment marks | |
JP2938187B2 (ja) | パターン形成方法及び同方法を実施するための装置 | |
US4614432A (en) | Pattern detector | |
US4698513A (en) | Position detector by vibrating a light beam for averaging the reflected light | |
JPS61111402A (ja) | 位置検出装置 | |
JPH05275313A (ja) | 焦点位置検出装置 | |
JPS63201516A (ja) | 位置検出装置 | |
JPS6244201B2 (ja) | ||
JPS6169011A (ja) | 自動焦点調節装置 | |
JP3218484B2 (ja) | 投影露光装置、露光方法、及び該方法を用いる半導体製造方法 | |
JPH0319689B2 (ja) | ||
JPH0677096B2 (ja) | 投影装置の焦点合せ装置 | |
JPH0342611A (ja) | 落射照明型顕微鏡用自動焦点調節装置 | |
CN107783379B (zh) | 一种测量信息的补偿方法 | |
JPS6227613A (ja) | 位置検出装置 | |
JPS6289010A (ja) | 顕微鏡自動焦点装置 | |
JPS63205775A (ja) | パタ−ン欠陥検査装置 | |
JP3158538B2 (ja) | 基板表面の光学的検査装置及び方法 | |
JPH01263610A (ja) | 焦点合せ装置 | |
JPH0365603A (ja) | 位置合せ方法 |