JPS63201079A - セラミツク焼結体用メタライズペ−スト及びそのメタライズ法 - Google Patents
セラミツク焼結体用メタライズペ−スト及びそのメタライズ法Info
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- JPS63201079A JPS63201079A JP23570086A JP23570086A JPS63201079A JP S63201079 A JPS63201079 A JP S63201079A JP 23570086 A JP23570086 A JP 23570086A JP 23570086 A JP23570086 A JP 23570086A JP S63201079 A JPS63201079 A JP S63201079A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分計〉
本発明は予め焼結されたセラミック焼結体の表面を、所
望のパターンでメタライズする為のペースト及びそのメ
タライズ方法に関するものである。
望のパターンでメタライズする為のペースト及びそのメ
タライズ方法に関するものである。
〈従来の技術及びその問題点〉
セラミック焼結体は集積回路基板をはじめ電子機器部材
として多用されており、この様な用途に用いる為にはセ
ラミック焼結体表面に所望パターン状のメタル部を形成
する必要がある。更に上記の様な電子機器部材としての
用途の場合に限らず、セラミック焼結体と金属体とを強
固に接合して用いる例は数多くあり、その場合にもセラ
ミック焼結体表面にメタル部を形成する必要がある。こ
の様な要望を満たす為に従来からセラミック焼結体に対
するメタライズ法が知られており、それは大別して■予
め焼結されたセラミック体に対するメタライズ法と、■
未焼成セラミックから成るグリーンシート上にメタライ
ズ用のペーストを塗布し、その後の焼成でセラミックの
焼結とメタライズを同時に行なう方法の2通りがある。
として多用されており、この様な用途に用いる為にはセ
ラミック焼結体表面に所望パターン状のメタル部を形成
する必要がある。更に上記の様な電子機器部材としての
用途の場合に限らず、セラミック焼結体と金属体とを強
固に接合して用いる例は数多くあり、その場合にもセラ
ミック焼結体表面にメタル部を形成する必要がある。こ
の様な要望を満たす為に従来からセラミック焼結体に対
するメタライズ法が知られており、それは大別して■予
め焼結されたセラミック体に対するメタライズ法と、■
未焼成セラミックから成るグリーンシート上にメタライ
ズ用のペーストを塗布し、その後の焼成でセラミックの
焼結とメタライズを同時に行なう方法の2通りがある。
■の方法としては例えば特公昭3B−6542号公報で
示される方法があるが、この方法はMo−Mnを主成分
とするメタライズペーストをアルミナセラミック基板上
に塗布し湿潤水素ガスと窒素ガスとの混合ガス中で焼成
する方法であるが、湿潤ガス雰囲気にしなければならな
いという煩雑性があると共に、基板とペーストの間で焼
成に伴う変形量の差が大であるという問題が残っており
、一方上記■の方法はセラミックの焼結とメタライズが
同時に行なえる、更には複数枚のグリーンテープを積層
して多重積層物を造る事が出来る等の利点を持つ為に近
年はこの■の方法の開発が盛んで、例えば特開昭55−
144482号公報や特公昭60−28790号公報で
示される様な例がある。この■の方法の例は、W−Ni
あるいはW−Ti02−人1203を主成分とするメタ
ライズペーストを、前述したセラミックグリーンシート
上へ塗布し、その後セラミックの焼結とメタライズとを
同時に行なう方法であり、グリーンシートに対する方法
としては優れた方法といえるが、焼結済みのセラミック
体に対してのメタライズ法としては不向きである。即ち
、これらの方法はあくまでグリーンシートと共に焼成す
る事でメタライズされるが為に、そこで用いるペースト
の焼成に伴う収縮率がグリーンシートのそれと整合化さ
れており、焼結後のセラミック体に用いた場合にはペー
スト部のみがより大きく収縮を起こし結果的に剥離を起
こす、あるいはペーストを充分にメタライズ化させる為
の温度条件に保持すればセラミック焼結体の粒成長が著
しい場合がある等々の問題があるのである。
示される方法があるが、この方法はMo−Mnを主成分
とするメタライズペーストをアルミナセラミック基板上
に塗布し湿潤水素ガスと窒素ガスとの混合ガス中で焼成
する方法であるが、湿潤ガス雰囲気にしなければならな
いという煩雑性があると共に、基板とペーストの間で焼
成に伴う変形量の差が大であるという問題が残っており
、一方上記■の方法はセラミックの焼結とメタライズが
同時に行なえる、更には複数枚のグリーンテープを積層
して多重積層物を造る事が出来る等の利点を持つ為に近
年はこの■の方法の開発が盛んで、例えば特開昭55−
144482号公報や特公昭60−28790号公報で
示される様な例がある。この■の方法の例は、W−Ni
あるいはW−Ti02−人1203を主成分とするメタ
ライズペーストを、前述したセラミックグリーンシート
上へ塗布し、その後セラミックの焼結とメタライズとを
同時に行なう方法であり、グリーンシートに対する方法
としては優れた方法といえるが、焼結済みのセラミック
体に対してのメタライズ法としては不向きである。即ち
、これらの方法はあくまでグリーンシートと共に焼成す
る事でメタライズされるが為に、そこで用いるペースト
の焼成に伴う収縮率がグリーンシートのそれと整合化さ
れており、焼結後のセラミック体に用いた場合にはペー
スト部のみがより大きく収縮を起こし結果的に剥離を起
こす、あるいはペーストを充分にメタライズ化させる為
の温度条件に保持すればセラミック焼結体の粒成長が著
しい場合がある等々の問題があるのである。
上記した如く■のグリーンシートから出発する方法には
多くの利点はあるが、この■の方法ではメタライズと共
に基板の焼結も行なわれるが為に、■の方法に比べ、基
板自体の収縮、変形は大きくなる事は避けられず、その
用途によってはやはり■の方法を採らざるを得ない場合
もあるのである。
多くの利点はあるが、この■の方法ではメタライズと共
に基板の焼結も行なわれるが為に、■の方法に比べ、基
板自体の収縮、変形は大きくなる事は避けられず、その
用途によってはやはり■の方法を採らざるを得ない場合
もあるのである。
即ち、例えばセラミック表面へ形成するメタル部は、該
メタル部に対し更に別の金属体をメッキ層を介したロウ
付けその他の手段で接合する為の役割を奏するに過ぎず
、該メタル部自体の形状、大きさは多少精度が悪くても
よいが、基板であるセラミック体の寸法精度は厳密性が
要求されるという様な例がそれである。
メタル部に対し更に別の金属体をメッキ層を介したロウ
付けその他の手段で接合する為の役割を奏するに過ぎず
、該メタル部自体の形状、大きさは多少精度が悪くても
よいが、基板であるセラミック体の寸法精度は厳密性が
要求されるという様な例がそれである。
本発明は特にはこの様な場合の要求を満たすべく、予め
焼結されたセラミック焼結体に対してのメタライズペー
スト及びそのメタライズ法を提供する事を目的とする。
焼結されたセラミック焼結体に対してのメタライズペー
スト及びそのメタライズ法を提供する事を目的とする。
く問題点を解決する為の手段〉
上記目的を達成する為に本発明が採用するペーストとし
てはTiO2粉末1.5〜15.、重量%、A I2O
3又はMgO粉末0.5〜10重量%、残部がその0.
1〜5.0重量%をNi若しくはXl−P合金粉末にて
置換したW又はMo粉末より成る粉末成分と、ビヒクル
及び有機溶剤とから成ることを特徴とするセラミック焼
結体用メタライズペーストであり、又その方法はこの様
な組成のペーストを非酸化性雰囲気中、1400〜16
00℃で焼成するという方法である。
てはTiO2粉末1.5〜15.、重量%、A I2O
3又はMgO粉末0.5〜10重量%、残部がその0.
1〜5.0重量%をNi若しくはXl−P合金粉末にて
置換したW又はMo粉末より成る粉末成分と、ビヒクル
及び有機溶剤とから成ることを特徴とするセラミック焼
結体用メタライズペーストであり、又その方法はこの様
な組成のペーストを非酸化性雰囲気中、1400〜16
00℃で焼成するという方法である。
〈実施例及び作用〉
以下本発明をその実施例を示し乍ら詳述する。
本発明は、セラミック焼結体に対して行なったメタライ
ズ層に、更に別の金属体が強固に接合される如きメタラ
イズ層を得る事を主目的とするものである為に、該メタ
ライズ層がセラミック焼結体との間で強固に結合される
事は勿論、該メタライズ層に対し他の金属体を冶金的に
接合出来るという事も重要な事である。その為にまず得
られた種々の組成メタライズ層に対してのメッキの難易
度を調べた。即ち99.75重量%W−0.25重量%
Ni−P合金(Pが9.0重量%の合金)なる組成物に
対し、添加するTiO2及び^l、03の量(重量%)
を種々変えた組成の混合粉末に、ビヒクルと有機溶剤と
を添加混合して得たペーストを、MgOと5i02とか
ら成る鉱化剤を8重量%含むアルミナ焼結体表面に塗布
し、乾燥後1450℃の水素炉内で焼成して得られた各
試料に対し、同一条件の無電解ニッケルーリンメッキを
行ない、各々の場合のメッキが出来た面積を比較した。
ズ層に、更に別の金属体が強固に接合される如きメタラ
イズ層を得る事を主目的とするものである為に、該メタ
ライズ層がセラミック焼結体との間で強固に結合される
事は勿論、該メタライズ層に対し他の金属体を冶金的に
接合出来るという事も重要な事である。その為にまず得
られた種々の組成メタライズ層に対してのメッキの難易
度を調べた。即ち99.75重量%W−0.25重量%
Ni−P合金(Pが9.0重量%の合金)なる組成物に
対し、添加するTiO2及び^l、03の量(重量%)
を種々変えた組成の混合粉末に、ビヒクルと有機溶剤と
を添加混合して得たペーストを、MgOと5i02とか
ら成る鉱化剤を8重量%含むアルミナ焼結体表面に塗布
し、乾燥後1450℃の水素炉内で焼成して得られた各
試料に対し、同一条件の無電解ニッケルーリンメッキを
行ない、各々の場合のメッキが出来た面積を比較した。
このメッキ条件は、アルミナ焼結体にはメッキが着かず
、その表面のメタライズ層にはメッキが着く様な条件を
採用し、各試料のメタライズ層に対してどの位の割合で
メッキが出来たかで判断し、100〜80%を0,80
〜50%をQ、50〜20%を△、20%以下を×で表
示すると下記第1表の如くであった。第1表に於いて、
TiO2及びA 120.の量は、いずれも混合粉末成
分を100とした場合の重量%である。
、その表面のメタライズ層にはメッキが着く様な条件を
採用し、各試料のメタライズ層に対してどの位の割合で
メッキが出来たかで判断し、100〜80%を0,80
〜50%をQ、50〜20%を△、20%以下を×で表
示すると下記第1表の如くであった。第1表に於いて、
TiO2及びA 120.の量は、いずれも混合粉末成
分を100とした場合の重量%である。
次にメタライズ層の密着強度を調べる為の実験として、
上記第1表の結果を得るのに用いたと同様の組成のペー
ストを、MgO,5i02の鉱化剤を8重量%含むアル
ミナ焼結体上へスクリーン印刷により塗布し、乾燥後1
450℃の水素炉内で焼成して得た試料に対し、今度は
アルミナ焼結体にもメッキが着く様な条件の無電解ニッ
ケルーリンメッキによりメッキを施し、そのメッキ層に
、1.5a+m径のNi棒をBAg−8の銀ロウ剤を用
い840℃にてロウ付を行ない、ロウ付面に垂直な方向
への引張り試験を行なって剥離時の荷重を測定した結果
(kg )を第2表に示す。この第2表中〉9として示
しているのは、アルミナ焼結体部分が破壊されたもので
ある。
上記第1表の結果を得るのに用いたと同様の組成のペー
ストを、MgO,5i02の鉱化剤を8重量%含むアル
ミナ焼結体上へスクリーン印刷により塗布し、乾燥後1
450℃の水素炉内で焼成して得た試料に対し、今度は
アルミナ焼結体にもメッキが着く様な条件の無電解ニッ
ケルーリンメッキによりメッキを施し、そのメッキ層に
、1.5a+m径のNi棒をBAg−8の銀ロウ剤を用
い840℃にてロウ付を行ない、ロウ付面に垂直な方向
への引張り試験を行なって剥離時の荷重を測定した結果
(kg )を第2表に示す。この第2表中〉9として示
しているのは、アルミナ焼結体部分が破壊されたもので
ある。
第2表
次に上記第2表に示す結果を考慮し乍ら、良好な密着強
度を有する範囲について、人1203に替えてMgOを
使用し、同様の試験を行なった結果を下記第3表に示す
。この第3表中、〉9については上記第2表と同様であ
る。
度を有する範囲について、人1203に替えてMgOを
使用し、同様の試験を行なった結果を下記第3表に示す
。この第3表中、〉9については上記第2表と同様であ
る。
更に第2表で良好゛な密着強度を有する範囲について、
Wに替えてMoを使用し、同様の試験を行なった結果を
下記第4表に示す。この第4表中、〉9については上記
第2表と同じである。
Wに替えてMoを使用し、同様の試験を行なった結果を
下記第4表に示す。この第4表中、〉9については上記
第2表と同じである。
第4表
次に高純度アルミナ焼結体、窒化アルミニウム焼結体及
びジルコニア焼結体に対して行なった試験及びその結果
を示す。
びジルコニア焼結体に対して行なった試験及びその結果
を示す。
用いた高純度アルミナ焼結体は、純度995重量%で焼
結助剤としてのMgOを0.5重量%含む組成で、大気
中1550℃、1時間の条件で常圧焼結して得た。
結助剤としてのMgOを0.5重量%含む組成で、大気
中1550℃、1時間の条件で常圧焼結して得た。
又窒化アルミニウム焼結体は実質的に100%人INで
、窒素雰囲気中1800℃、1時間の条件でホットプレ
ス焼結をして得た。
、窒素雰囲気中1800℃、1時間の条件でホットプレ
ス焼結をして得た。
更にジルコニア焼結体は、Y2O3を3モル%含み残部
ZrO2なる組成で、大気中1500℃、1時間の条件
で常圧焼結して得た。
ZrO2なる組成で、大気中1500℃、1時間の条件
で常圧焼結して得た。
これらの3種類の焼結体に対し、上記第2表で示す中で
良好な密着強度が出た組成のペーストを用い、上記第2
表を得るに際して行なったと同様の引張り試験を行なっ
た結果を下記第5表に示す。
良好な密着強度が出た組成のペーストを用い、上記第2
表を得るに際して行なったと同様の引張り試験を行なっ
た結果を下記第5表に示す。
この第5表にあっては焼結体自体の強度が大である為に
9kgを大幅に越える値まで十分に測定可能であった。
9kgを大幅に越える値まで十分に測定可能であった。
第5表
上記試験結果を参酌し乍ら、本発明ペーストの組成範囲
の限定理由につき詳述する。まず人120゜については
、本発明のペーストにあってはNI。
の限定理由につき詳述する。まず人120゜については
、本発明のペーストにあってはNI。
Ni−P合金を添加し、焼成温度を低くなすと共に得ら
れるメタライズ層に対してメッキをし易くしてはいるが
、これらNi、 Ni−P合金を加えているが為に得ら
れるメタライズ層には著しい粒成長がある。
れるメタライズ層に対してメッキをし易くしてはいるが
、これらNi、 Ni−P合金を加えているが為に得ら
れるメタライズ層には著しい粒成長がある。
例えば第1図、第2図及び第3図に示すのは、それぞれ
99.75重量%W−0.25重量%Ni−P合金(P
が9重量%)に対し、TiO2が2重量%含ませたもの
に、人1203を各々0,2,5重量%添加し全体で1
00とした組成のペーストを、上記第2表を得た実験条
件で焼成した試料の破面の走査電子顕微鏡写真(倍率は
全て1000倍)であるが、第1図に示すAl2O3を
含まない場合はメタライズ層の粒が著しく大である。し
かるに人1203を含む第2図及び第3図の場合にはメ
タライズ層の粒が微細になっている。この様なAl2O
3はメタライズ層の粒成長に伴う薄膜形成の困難性、更
には該メタライズ層の強度低下を抑制する為に添加する
ものであり、その様な抑制効果は0.5重量%以上でな
いと発現されないが、それがあまり多量になるとメタラ
イズ層中の酸化物量が多くなり、第1表や第2表で判る
如く、メッキが着き難くなると共に該メタライズ層自体
の密着強度も低下するので10重量%以下とする。なお
MgOについてはその作用、効果並びに添加量は上記人
120.と略同様である。
99.75重量%W−0.25重量%Ni−P合金(P
が9重量%)に対し、TiO2が2重量%含ませたもの
に、人1203を各々0,2,5重量%添加し全体で1
00とした組成のペーストを、上記第2表を得た実験条
件で焼成した試料の破面の走査電子顕微鏡写真(倍率は
全て1000倍)であるが、第1図に示すAl2O3を
含まない場合はメタライズ層の粒が著しく大である。し
かるに人1203を含む第2図及び第3図の場合にはメ
タライズ層の粒が微細になっている。この様なAl2O
3はメタライズ層の粒成長に伴う薄膜形成の困難性、更
には該メタライズ層の強度低下を抑制する為に添加する
ものであり、その様な抑制効果は0.5重量%以上でな
いと発現されないが、それがあまり多量になるとメタラ
イズ層中の酸化物量が多くなり、第1表や第2表で判る
如く、メッキが着き難くなると共に該メタライズ層自体
の密着強度も低下するので10重量%以下とする。なお
MgOについてはその作用、効果並びに添加量は上記人
120.と略同様である。
次にTlO2は得られるメタライズ層がアルミナ焼結体
に対し、強固に密着するが為に添加するものであり、第
2表の結果から明らかな如<、1.5重量%以上なけれ
ばその効果は望めないが、それが多すぎると第1表で判
る様にやはりメッキが着き難くなると共に、更にはセラ
ミック焼結体へTiの拡散が大となり過ぎその部分でセ
ラミック焼結体が粒成長を起こす傾向にあるのでその上
限は15重量%とすべきである。
に対し、強固に密着するが為に添加するものであり、第
2表の結果から明らかな如<、1.5重量%以上なけれ
ばその効果は望めないが、それが多すぎると第1表で判
る様にやはりメッキが着き難くなると共に、更にはセラ
ミック焼結体へTiの拡散が大となり過ぎその部分でセ
ラミック焼結体が粒成長を起こす傾向にあるのでその上
限は15重量%とすべきである。
次にNi、 Ni−P合金は前にも述べた如く、焼成温
度を低下させると共に、得られるメタライズ層に対しメ
ッキが着き易くする為に添加するものである。この効果
を確認する為の実験として、Ti025重量%及び人j
’20,5重量%、残部が胃なる粉末組成のペーストと
、そのWの025重量%を、それぞれNi、 Ni−P
(Pが9重量%)合金で置換した組成のペーストとに
よりその焼成温度及びメッキの難易度を比較した。その
結果Ni、Ni−P合金を含むものは、1450℃で充
分に焼成が可能で先に示したメタライズ層の密着強度試
験で〉9即ち、アルミナ焼結体部分から破壊する程度の
強度が得られたが、Ni、 Ni−P合金を含まないW
のみのものは1450℃の焼成では得られるメタライズ
層はナイフで容易に削れる程度のものでしかなく、上記
同様の充分な強度を得る為には1550℃の温度が必要
であった。
度を低下させると共に、得られるメタライズ層に対しメ
ッキが着き易くする為に添加するものである。この効果
を確認する為の実験として、Ti025重量%及び人j
’20,5重量%、残部が胃なる粉末組成のペーストと
、そのWの025重量%を、それぞれNi、 Ni−P
(Pが9重量%)合金で置換した組成のペーストとに
よりその焼成温度及びメッキの難易度を比較した。その
結果Ni、Ni−P合金を含むものは、1450℃で充
分に焼成が可能で先に示したメタライズ層の密着強度試
験で〉9即ち、アルミナ焼結体部分から破壊する程度の
強度が得られたが、Ni、 Ni−P合金を含まないW
のみのものは1450℃の焼成では得られるメタライズ
層はナイフで容易に削れる程度のものでしかなく、上記
同様の充分な強度を得る為には1550℃の温度が必要
であった。
又得られたメタライズ層に対するメッキの着き方でもX
i、 Ni−P添加のものの方が著しく優れていた。
i、 Ni−P添加のものの方が著しく優れていた。
この様な目的から添加するNi、 Xl−P合金はその
所期の目的を達する為には01重量%以上なければなら
ないが、その効果は5.0重量%で殆んど飽和し、それ
以上加えると高温強度の低下という悪影響があるので5
0重量%までとする。なおNi−P合金中のPの量は、
その旧−P合金が出来る限り低融点を有する範囲とし、
共晶点付近のP8.O〜10,0重量%が好ましい。
所期の目的を達する為には01重量%以上なければなら
ないが、その効果は5.0重量%で殆んど飽和し、それ
以上加えると高温強度の低下という悪影響があるので5
0重量%までとする。なおNi−P合金中のPの量は、
その旧−P合金が出来る限り低融点を有する範囲とし、
共晶点付近のP8.O〜10,0重量%が好ましい。
次に本発明のメタライズ法に於いて、それを非酸化性雰
囲気で行なうのは、ペースト特にその中の金属成分が酸
化されないが為であり、その焼成温度は1400℃以上
なければメタライズ層自体の強度及びその密着強度が不
十分であるし、逆に1600℃を越えるとメタライズ層
及びアルミナ焼結体の粒成長が著しくなり強度低下を招
くのでそれ以下の温度とする。
囲気で行なうのは、ペースト特にその中の金属成分が酸
化されないが為であり、その焼成温度は1400℃以上
なければメタライズ層自体の強度及びその密着強度が不
十分であるし、逆に1600℃を越えるとメタライズ層
及びアルミナ焼結体の粒成長が著しくなり強度低下を招
くのでそれ以下の温度とする。
〈発明の効果〉
以上性べて来た如く、本発明によれば焼結後のセラミッ
ク焼結体に対し、それ自体の強度が大きくなるメタライ
ズ層を強固な密着強度で形成する事が出来、しかも得ら
れろメタライズ層に対して金属メッキを容易にかつ強固
に行なう事が出来る。
ク焼結体に対し、それ自体の強度が大きくなるメタライ
ズ層を強固な密着強度で形成する事が出来、しかも得ら
れろメタライズ層に対して金属メッキを容易にかつ強固
に行なう事が出来る。
第1図〜第3図は、それぞれ本発明に於ける人120.
添加の効果を確認する為に行なった実験で得られた試料
の破面の結晶構造を示す顕微鏡写真。 手続補正書(方側 1、事件の表示 昭和61年 特許願 第235700号2、発明の名称 セラミック焼結体用メタライズペースト及びそのメタラ
イズ法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 福岡市南区清水二丁目20番31号氏名 日本タ
ングステン株式会社 代表者 縄1)政商 4、代理人 説明・・・・・・・顕微鏡写真。」を削除する。
添加の効果を確認する為に行なった実験で得られた試料
の破面の結晶構造を示す顕微鏡写真。 手続補正書(方側 1、事件の表示 昭和61年 特許願 第235700号2、発明の名称 セラミック焼結体用メタライズペースト及びそのメタラ
イズ法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 福岡市南区清水二丁目20番31号氏名 日本タ
ングステン株式会社 代表者 縄1)政商 4、代理人 説明・・・・・・・顕微鏡写真。」を削除する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、TiO_2粉末1.5〜15重量%、Al_2O_
3又はMgO粉末0.5〜10重量%、残部がその0.
1〜5.0重量%をNi若しくはNi−P合金粉末にて
置換したW又はMo粉末より成る粉末成分と、これらと
ビヒクル及び有機溶剤とから成ることを特徴とするセラ
ミック焼結体用メタライズペースト。 2、セラミック焼結体が、アルミナ、窒化アルミニウム
又はジルコニア焼結体であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のペースト。 3、セラミック焼結体の表面に、TiO_2粉末1.5
〜15重量%、Al_2O_3又はMgO粉末0.5〜
10重量%、残部がその0.1〜5.0重量%をNi若
しくはNi−P合金粉末にて置換したW又はMo粉末よ
り成る粉末成分と、これらとビヒクル及び有機溶剤とか
ら成るペーストを塗布し、非酸化性雰囲気下で1400
〜1600℃の温度域で焼成することを特徴とするセラ
ミック焼結体のメタライズ法。 4、セラミック焼結体が、アルミナ、窒化アルミニウム
又はジルコニア焼結体であることを特徴とする特許請求
の範囲第3項記載のメタライズ法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23570086A JPS63201079A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | セラミツク焼結体用メタライズペ−スト及びそのメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23570086A JPS63201079A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | セラミツク焼結体用メタライズペ−スト及びそのメタライズ法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63201079A true JPS63201079A (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=16989928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23570086A Pending JPS63201079A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | セラミツク焼結体用メタライズペ−スト及びそのメタライズ法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63201079A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319258A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミック基板の製造方法 |
JP2008150285A (ja) * | 2007-12-26 | 2008-07-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、真空スイッチ、及び真空容器 |
US7817402B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-10-19 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic device and method of production of the same |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23570086A patent/JPS63201079A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0319258A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 窒化アルミニウムセラミック基板の製造方法 |
US7817402B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-10-19 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic electronic device and method of production of the same |
JP2008150285A (ja) * | 2007-12-26 | 2008-07-03 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、真空スイッチ、及び真空容器 |
JP4659812B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-03-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合用セラミック部材の製造方法、接合用セラミック部材、真空スイッチ、及び真空容器 |
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