JPS63199413A - 液相成長用スライドボ−ト - Google Patents
液相成長用スライドボ−トInfo
- Publication number
- JPS63199413A JPS63199413A JP3141987A JP3141987A JPS63199413A JP S63199413 A JPS63199413 A JP S63199413A JP 3141987 A JP3141987 A JP 3141987A JP 3141987 A JP3141987 A JP 3141987A JP S63199413 A JPS63199413 A JP S63199413A
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- JP
- Japan
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- melt
- growth
- soaking
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- Pending
Links
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- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置などにおける液相エピタキシャル
成長に使用するスライドカートの構造に関するものであ
る。
成長に使用するスライドカートの構造に関するものであ
る。
（従来の技術）
第３図は、例えば「半導体ハンドズック（第２版）、オ
ーム社、３５９頁」に記載されている従来の液相成長用
スライドボートを示す断面図で、これに例えば半導体レ
ーザ等のダブルヘテロ構造を有する半導体装置の製造を
適用した場合について説明する。まず、基板１が例えば
カーボンから形成されている液相成長用スライドボート
の一方即ちスライダ２上面の溝３内に設置される。スラ
イドボートの他方即ち融液ホルダとしてのメル）＆ツク
ス４は各融液溜５〜７を有し、第１層Ｐ型工叶層、第２
層Ｎ型ＩｎＰ層、第３層Ｐ型ＩｎＰ層をそれぞれ成長さ
せるための融液Ｉ 、 ＩＩ、ＩＩＩを各融液溜５〜７
の中に収納している。
ーム社、３５９頁」に記載されている従来の液相成長用
スライドボートを示す断面図で、これに例えば半導体レ
ーザ等のダブルヘテロ構造を有する半導体装置の製造を
適用した場合について説明する。まず、基板１が例えば
カーボンから形成されている液相成長用スライドボート
の一方即ちスライダ２上面の溝３内に設置される。スラ
イドボートの他方即ち融液ホルダとしてのメル）＆ツク
ス４は各融液溜５〜７を有し、第１層Ｐ型工叶層、第２
層Ｎ型ＩｎＰ層、第３層Ｐ型ＩｎＰ層をそれぞれ成長さ
せるための融液Ｉ 、 ＩＩ、ＩＩＩを各融液溜５〜７
の中に収納している。
か＼る構成の液相成長用スライドボートは、周囲にヒー
タ８を配設した炉芯管としての石英管９内に配置され、
Ｈ１雰囲気中において加熱される。
タ８を配設した炉芯管としての石英管９内に配置され、
Ｈ１雰囲気中において加熱される。
次に動作について説明する。ヒータ８の加熱により石英
管９内の炉内をＨ２雰囲気下で６００℃の温度にする。
管９内の炉内をＨ２雰囲気下で６００℃の温度にする。
融液Ｉ、ＩＩ、ｍの飽和温度が５９５℃であるが、上記
６００℃の温度にした後に、５９０℃の温朋迄炉内を冷
却し、この状態でスライダ２を図示矢印Ａの方向に間歇
的に移動させ、基板１を第１、第２．第３の融液溜５，
６．７内の融液Ｉ。
６００℃の温度にした後に、５９０℃の温朋迄炉内を冷
却し、この状態でスライダ２を図示矢印Ａの方向に間歇
的に移動させ、基板１を第１、第２．第３の融液溜５，
６．７内の融液Ｉ。
ｆｆ、ＩＩＩの順に接触させてエピタキシャル成長すせ
る。これにより、融液■との接触で第１層にＰ型ＩｎＰ
層が、融液Ｉとの接触で第２層にＮ型ＩｎＰ層が、融液
■との接触で第３層にＰ型ＩｎＰ層が、３層に基板１上
に順次形成される。
る。これにより、融液■との接触で第１層にＰ型ＩｎＰ
層が、融液Ｉとの接触で第２層にＮ型ＩｎＰ層が、融液
■との接触で第３層にＰ型ＩｎＰ層が、３層に基板１上
に順次形成される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記構成の装置では６００℃の温度から
５９０℃の温度迄の冷却中に融液よりカーボン素材のメ
ルトボックスの方が早く冷える性質があるために、融液
溜の渕の融液中のインジウムが融液の中心部のそれと比
較して温度の下が９方が早いために、融液と基板が接し
て液相エピタキシャル成長が始まった時に、基板の端の
万の成長厚が大きくなシ、均一に液相エピタキシャル成
長層を形成できないと云う問題点があった。
５９０℃の温度迄の冷却中に融液よりカーボン素材のメ
ルトボックスの方が早く冷える性質があるために、融液
溜の渕の融液中のインジウムが融液の中心部のそれと比
較して温度の下が９方が早いために、融液と基板が接し
て液相エピタキシャル成長が始まった時に、基板の端の
万の成長厚が大きくなシ、均一に液相エピタキシャル成
長層を形成できないと云う問題点があった。
この発明は以上述べたメル）ｙＫラックス融液との冷却
速度の違いによる成長層の不均一性を除去し、基板全面
において成長厚の均一性に優れた液相成長用スライドボ
ートを提供することを目的とする。
速度の違いによる成長層の不均一性を除去し、基板全面
において成長厚の均一性に優れた液相成長用スライドボ
ートを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る液相成長用スライドカートは融液を入れ
る均熱融液槽内にエピタキシャル成長用の融液を入れる
融液溜を設けてメルトボックスを構成したものである。
る均熱融液槽内にエピタキシャル成長用の融液を入れる
融液溜を設けてメルトボックスを構成したものである。
（作用）
この発明における液相成長用スライドが一トは、温度冷
却時における均熱融液槽内の融液による保温効果により
融液溜内の融液の温度が均一になり、均一な成長厚の膜
を基板上にエピタキシャル成長することができる。
却時における均熱融液槽内の融液による保温効果により
融液溜内の融液の温度が均一になり、均一な成長厚の膜
を基板上にエピタキシャル成長することができる。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はメルトボックスの構成を示し、同図（Ａ）は上
視図、同図（Ｂ）は凡−ン線縦断面図、同図（Ｃ）はＹ
ｔ Ｙｔ線線断断面図ある。メルトボックス１０は例
えばカーボン素材から形成され、Ｉｎ融液を入れる均熱
融液槽１１内に３つの底なし融液溜１２〜１４が一列に
離隔して設けられている。
視図、同図（Ｂ）は凡−ン線縦断面図、同図（Ｃ）はＹ
ｔ Ｙｔ線線断断面図ある。メルトボックス１０は例
えばカーボン素材から形成され、Ｉｎ融液を入れる均熱
融液槽１１内に３つの底なし融液溜１２〜１４が一列に
離隔して設けられている。
第２図はこの発明の一実施例による液相成長用スライド
ボートの断面図でアシ、同図において、第３図と同一部
分には同符号を付しである。炉内でスライド可能に設け
られたスライダ２上にメルトボックス１０が接して配置
されている。又、均熱融液槽１１内にはＩｎ融液■が入
れられている。
ボートの断面図でアシ、同図において、第３図と同一部
分には同符号を付しである。炉内でスライド可能に設け
られたスライダ２上にメルトボックス１０が接して配置
されている。又、均熱融液槽１１内にはＩｎ融液■が入
れられている。
例えば、融液溜１２〜１４は各２０Ｕｏ、その仕切りカ
ーボン板厚は各ＩＵ、均熱融液槽１１の槽幅は５０朋の
寸法である。
ーボン板厚は各ＩＵ、均熱融液槽１１の槽幅は５０朋の
寸法である。
次に動作について説明する。従来と同様にＨ２雰囲気下
で６００℃から０．５℃／ｍｉｎ程度の冷却速度で炉内
を５９０℃迄冷却する。５９０℃になると、スライダ２
を図示矢印Ａ方向に間歇的に移動させ、例えばＰ型Ｉｎ
Ｐから成る基板１を融液溜１２〜１４内の融液Ｉ、ＩＩ
、ＩＩＩに順に接触させ、エピタキシャル成長させる。
で６００℃から０．５℃／ｍｉｎ程度の冷却速度で炉内
を５９０℃迄冷却する。５９０℃になると、スライダ２
を図示矢印Ａ方向に間歇的に移動させ、例えばＰ型Ｉｎ
Ｐから成る基板１を融液溜１２〜１４内の融液Ｉ、ＩＩ
、ＩＩＩに順に接触させ、エピタキシャル成長させる。
なお、５９０℃迄冷却しても融液溜１２〜１４の外周囲
はＩｎ融液■で囲まれており、しかも融液溜１２〜１４
の仕切板厚が薄くその熱容量が小さいのでＩｎ融液■に
よる保温効果によＱ谷融液Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩが温度勾配
をもたず、成長厚が均一となる。
はＩｎ融液■で囲まれており、しかも融液溜１２〜１４
の仕切板厚が薄くその熱容量が小さいのでＩｎ融液■に
よる保温効果によＱ谷融液Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩが温度勾配
をもたず、成長厚が均一となる。
ここで、各融液Ｉ、■、■と基板１との接触時間を例え
ば各５分とすると約０．５μｍ厚の均一層が各々得られ
る。
ば各５分とすると約０．５μｍ厚の均一層が各々得られ
る。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したようにこの発明によれば融液溜の
外周囲に均熱用融液を設けたので、融液溜内の融液が冷
却直後も均一な温度となっているので、均一な成長厚の
液相エピタキシャル成長が期待できる。
外周囲に均熱用融液を設けたので、融液溜内の融液が冷
却直後も均一な温度となっているので、均一な成長厚の
液相エピタキシャル成長が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例にょるメルトボックスを示
す図、第２図はこの発明の一実施例によるスライドボー
トの断面図、第３図は従来のスライドボート等の断面図
である。 １・・・基板、２・・・スライダ、１ｏ・・・メルトボ
ックス、１１・・・均熱融液槽、１２〜１４・・・融液
溜。
す図、第２図はこの発明の一実施例によるスライドボー
トの断面図、第３図は従来のスライドボート等の断面図
である。 １・・・基板、２・・・スライダ、１ｏ・・・メルトボ
ックス、１１・・・均熱融液槽、１２〜１４・・・融液
溜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 液相エピタキシャル成長用の融液を入れるための底なし
の融液溜を有するメルトボックスと基板を保持して上記
メルトボックス下にスライド可能に設けられたスライダ
とを備えた液相成長用スライドボートにおいて、 上記メルトボックスは、均熱用融液を入れるための均熱
融液槽内に上記融液溜を配設したことを特徴とする液相
成長用スライドボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141987A JPS63199413A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 液相成長用スライドボ−ト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3141987A JPS63199413A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 液相成長用スライドボ−ト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199413A true JPS63199413A (ja) | 1988-08-17 |
Family
ID=12330738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3141987A Pending JPS63199413A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 液相成長用スライドボ−ト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP3141987A patent/JPS63199413A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
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