JPS63198240A

JPS63198240A - 抵抗体の製法

Info

Publication number: JPS63198240A
Application number: JP62029354A
Authority: JP
Inventors: Tsunenari Saito; 恒成斎藤; Kazuyuki Ota; 太田　一幸; Eiko Suzuki; 鈴木　暎康; Keiji Honda; 本田　敬二; Takahiko Yamagami; 山上　隆彦
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1987-02-10
Filing date: 1987-02-10
Publication date: 1988-08-16
Also published as: DE3804078C2; KR880010463A; KR960010358B1; US4825535A; GB2201043B; DE3804078A1; GB8802938D0; GB2201043A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は、陰極線管内で偶発的に生ずる放電の悪影響を
抑制するための陰極線管内で使用される抵抗体の製法に
関する。

〔発明の概要〕

本発明は、放電制御用の抵抗体の製法において、抵抗体
芯体の表面にこれと一体焼成されたセラミック絶縁層を
有してなる抵抗体を形成し、この抵抗体を陰極線管内に
封入する前に特定条件下で真空ヘーキング処理すること
によって、品質のよい安定した抵抗体を得る。

〔従来の技術〕

例えばテレビジョン受像機のような陰極線管の設計、製
造にあたっては、管内放電特に電子銃の電極間或いは電
極と他部との間で放電が発生しないように細心の配慮を
しているが、多種多様な全く偶発的な原因によって管内
放電が発生ずるを完全には防止し切れないのが実情であ
る。もし、何等対策していないと放電経路に沿って異常
な大電流が流れ、電極焼損、接続線の焼損による断線、
その化テレビジョン受像機等ではその回路等に損傷を与
える場合がある。放電電流による事故対策として、ソフ
トフラッシュと呼ばれるものがあり一般には管体内面に
塗布され高電圧ＨＶが印加される内部導電膜即ち黒鉛導
電膜の電気抵抗を高くしてこの導電膜内で放電のエネル
ギーを消尽させる方法や、電子銃を構成する電極間の導
電接続線に高抵抗体を用いる方法等がある。

第１図は後者の高抵抗体を用いた一例である。

第１図において、陰極線管の電子銃（１）は、管体（２
）のネック部（３）内に収容され、カソードにと例えば
第１〜第５グリツド０１〜Ｇ５が順次配列されて成る。

この場合、第３〜第５グリツド６３〜ＧＧによってユニ
ポテンシャル型の主電子レンズが構成されるものであり
、第３及び第５グリツドには図示していが螢光面と同様
の高電圧ＨＶ、すなわち陽極電圧が与えられる。第３グ
リツドＧ３及び第５グリツドＧｓへの給電は、例えば管
体（１）のファンネル部（４）の内面に塗布され、高電
圧ＨＶが印加された黒鉛塗膜等より成る内部導電膜（５
）に、第５グリツドＧ５にとりつけた弾性金属リード片
（６）の遊端を弾性的に接触させ、第５グリツドＧ５及
び第３グリッド０３間を高抵抗体即ち放電制御用抵抗体
Ｒを通じて接続することによって行なう。

そして、他の電極に、Ｇｘ　、Ｇ２及びＧ３に関しては
、ネック部（３）の端部に封着したステム（７）に貫通
配設した対応する端子ピン（８）に夫々導線によって連
結し、各端子ピン（８）から給電を行うようになされて
いるが、低電圧の印加される特にフォーカス電極、すな
わち第４グリツドＧ４と、これに対応する端子ピン（８
）との接続を同様に放電制御用抵抗体Ｒを介して行う。

これら抵抗体Ｒには、通常の状態では電流が流れないも
のであり、特性上何らの影響がないが、放電による電流
が流れようとするときは、これが電流抑制の効果を生じ
る。

このような放電制御用抵抗体Ｒとしては、アルミナ、粘
度、黒鉛粉の混合焼結体が用いられて来た。例えば特願
昭６１−４３２０５号に示すようなカーボンを含む円柱
状のＡｌ２Ｏ２のセラミンク材料による成型体を酸素雰
囲気中で焼成し、その表面のみにおいてカーボンを炭酸
ガスＣＯ２として消失させて高抵抗化してＡｊ！２０３
のセラミック絶縁層を形成し、内部においてはカーボン
が残存することによって所要の比抵抗を有するｌｌｊ！
２（ｈのセラミック抵抗芯体を一体構造とした放電制御
用抵抗体が使用されている。このような放電制御用抵抗
体においては、黒鉛粉が導電エレメントとして機能して
いる。この高抵抗体による放電電流抑制効果は著しく、
抵抗値も容易に制御することが出来るため、放電電流の
制御も容易である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、上述の放電制御用抵抗体においては、本来ガ
ス放出量の多い黒鉛を使用しているため、放電電流によ
るジュール熱で加熱されたときにガスを発生したり、ひ
どい時は静止している場合でも除々にガスを発生し、カ
ソードの電子放出機能を阻害するという問題が生じてい
た。

かかるガスの発生は、上述の放電制御用抵抗体の表面を
つつむセラミック絶縁層が多孔質であるため（即ち作製
時、黒鉛含有のへβ２０３セラミック成型体の表面近く
の黒鉛を燃やしてセラミック絶縁層を形成するため燃焼
ガスが出る穴がおいて多孔質となる）に生ずるものであ
る。

本発明は、上述の点に鑑み、陰極線管内に封入した後の
ガスの発生を低減し、品質的に安定した放電制御用抵抗
体を得ることができる抵抗体の製法を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、抵抗体芯体の表面にこれと一体焼成されたセ
ラミック絶縁層を有してなる放電制御用抵抗体を形成し
、この放電制御用抵抗体を、陰極線管内に封入する前に真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ〜Ｉ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒ。

処理温度２５０℃〜５００℃、処理時間３０分以上、の条件下で真空ベーキング処理する。そして、この処理
された抵抗体を電子銃に取付けて陰極線管内に封入する
。

〔作用〕

上述の条件下で抵抗体を真空ベーキング処理することに
より、抵抗体芯体内のガスが取り除かれ、爾後、この抵
抗体を陰極線管内に封入して陰極線管を動作させたとき
、カソードの電子放出機能が劣化しないことが認められ
た。

〔実施例〕

先ず、カーボンを含む円柱状のＡＡ２０３のセラミック
材料による成型体を酸素雰囲気中で焼成し、その温度と
時間を選定することによってその表面のみにおいてカー
ボンを炭酸ガスＣＯ２として消失させてＡＡ２０３のセ
ラミック絶縁層（１ｏ）を形成し、内部においてはカー
ボンが残存することによって所要の比抵抗を有するＡｌ
２０ｇのセラミンク抵抗芯体（９）を一体構造とした抵
抗体Ｒを形成する（第２図及び第３図参照）。そして、
抵抗体Ｒの両端には、その中央の抵抗芯体（９）と電気
的に連結する例えばステンレス製の端子キャップ（１３
）を嵌着する。この場合、抵抗体Ｒの抵抗芯体（９）と
端子キャップ（１３）との電気的連結を良好に行うため
に、抵抗体Ｒの両端部の端子キャンプ（１３）を被冠す
る部分には、抵抗体Ｒ両端面に露呈された抵抗芯体（９
）への表面を含んでＡＮ等の良電気伝導性の導電層を爆
射させておく。

この様にして形成した抵抗体Ｒを、第４Ｗ：Ｉに示す真
空ベーキング処理装置（２１）に入れて真空ベーキング
処理した後、カラー陰極線管に封入し、その評価を調べ
た。なお、第４図において、（２２）は電気炉を示し、
その炉心管（２３）内に抵抗体Ｒを入れ、真空排気口（
２４）より真空ポンプ（例えばロータリポンプ、拡散ポ
ンプ等）にて真空排気し、抵抗体Ｒを真空ベーキング処
理する。（２５）は温度計である。処理したのちは電磁
弁（２６）を切換えて導入口（２７）より炉心管（２３
）内に乾燥Ｎ２ガスを入れるようになす。

処理条件としては、真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒ、
　ｌ　ｘ１０’−’Ｔｏｒｒ、　Ｉ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏ
ｒｒ、　Ｉ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒ、処理温度１２０℃
、　２００℃、２５０°Ｃ，３００°ｃ、４００℃。

５００℃、処理時間１５分、３０分、６０分、１２０分
の各組合せについて行った。評価方法としては次に示す
ＣＱＦ　（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｑｕａｌｉｔｙ　Ｆａｃｔ
ｏｒ）値を用いた。

ＭＩＫとは最大カソード電流を指し、Ｍ　Ｉ　Ｋ’とは
カントオフ電圧ＥｘｃｏとＭＩＫの関係を統計的に調べ
、その平均値、標準偏差値から求めた必要最低限のカソ
ードエミッション放出特性を言う。

具体的には、第２グリツドＧ２の電圧ＥＣ２−２００■
、フィラメント電圧Ｅｆ　＝　６．３Ｖとし、から求め
た。

各条件での評価結果を第５図に示す。試料数は、夫々カ
ラー陰極線管５本のカソード即ち陰極線管５本×３カソ
ードー１５カソードである。但し放電によるダメージを
受けたカソードは除いた。第５図において、◎印は非常
に良く改良された。Ｏ印は改良された（良好）。Δ印は
やや疑問。Ｘ印は改良されず。

また、加速テスト後の値とは、ライフ時間に相当する加
速テスト後のＣＱＦ値であり規格値に対する相対的評価
である。経時変化とは、陰極線管製造直後のＣＱＦ値か
ら加速テスト後のＣＱＦ値の劣化度合いを表す。

第５図から次のような評価結果が得られた。

（ｉ）処理温度が１２０℃では、処理時間及び真空度を
いずれの条件に設定しても良い結果は得られなかった。

（１１）処理温度２００℃では、真空度Ｉ　Ｘ　１０−
’ＴｏｒｒＪ２Ｊ上必要であり、真空度Ｉ　Ｘ　１０−
’　Ｔｏｒｒでは処理時間６０分以上、真空度Ｉ　Ｘ　
１０””〜Ｉ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒでは処理時間３０
分以上を必要とした。

（ｉｉｉ　）処理温度２５０℃では真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ
−４Ｔｏｒｒ以上必要であり、真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ−４
Ｔｏｒｒでは処理時間６０分以上、真空度Ｉ　Ｘ　１０
””〜Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒでは処理時間３０分以
上を必要とした。

（］■）処理温度３００℃では真空度Ｉ　Ｘ　１０−’
Ｔｏｒｒ以上必要であり、真空度Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏ
ｒｒでは処理時間３０分以上、真空度Ｉ　Ｘ　１０−６
〜Ｉ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒでは処理時間１５分以上を
必要とした。

（ｖ）処理温度４００℃では真空度Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔ
ｏｒｒ以上必要であり、真空度Ｉ　Ｘ　１０−３〜Ｉ　
Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒは処理時間３０分以上、真空度Ｉ
　Ｘ　１０−６〜Ｉ　Ｘ　１Ｏ−７Ｔｏｒｒでは処理時
間１５分以上を必要とした。

（ｖｉ）処理温度５００°Ｃでは真空度Ｉ　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒ以上必要であり、真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ−３Ｔ
ｏｒｒでは処理時間３０分以上、真空度Ｉ　Ｘ　１０−
４〜Ｉ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒでは処理時間１５分以上
必要とした。

そして、極めて好ましい条件としては処理温度４５０℃
、真空度Ｉ　Ｘ　１Ｏ−６Ｔｏｒｒ、処理時間１〜２時
間であった。

また、抵抗体Ｒの付属品であるステンレス製の端子キャ
ップの酸化は４００°Ｃ以下では全く生じないが、５０
０℃では生じるため、処理温度５００°Ｃで酸化を生ぜ
しめないためには処理時間に関係なく真空度Ｉ　Ｘ　１
０−’Ｔｏｒｒが必要であった。但し、本処理は端子キ
ャンプを取付ける前に施せば問題は無くなる。

また、本処理を施した抵抗体Ｒを陰極線管に封入すると
きには当然ながら放置時間は短い程よい。

而して、本発明では能率等を考えて、真空度１Ｘ　１ｏ
−３Ｔｏｒｒ〜Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、処理温度２
５０℃〜り００℃、処理時間３０分以上の条件下で抵抗
体Ｒを真空ベーキング処理するを提唱する。

かかる真空ベーキング処理により、品質的に安定した放
電制御用抵抗体が得られるものである。

なお、抵抗体Ｒとしては第２図の構成のものにさらに外
側にアルミナ筒体のような絶縁外被体を設けた構成とす
ることもできる。この場合、絶縁外被体を配した状態、
あるいは絶縁外被体を配さない状態で上記本処理を施す
ことが可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、抵抗体芯体の表面にこれと一体焼成さ
れたセラミック絶縁層を有して成る放電制御用抵抗体を
、陰極線管内に挿入する前に、前述の特定条件下で真空
ベーキング処理を施すことにより品質的に安定した放電
制御用抵抗体が得られる。かかる抵抗体を陰極線管内に
使用したときには抵抗体よりのガスの発生が抑制され、
従って高品質の陰極線管を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る放電制御用抵抗体を適用する陰極
線管の一例を示す要部の構成図、第２図は本発明に係る
放電制御用抵抗体の例を示す拡大側面図、第３図は第２
図のＡ−Ａ線上の断面図、第４図は本発明に使用される
真空ベーキング処理装置の概略的構成図、第５図は真空
ベーキング処理した抵抗体の評価結果を示す表図である
。Ｒは放電制御用抵抗体、（９）は抵抗芯体、（１０）は
セラミック絶縁層である。

Claims

【特許請求の範囲】　抵抗体芯体の表面にこれと一体焼成されたセラミック
絶縁層を有してなる放電制御用抵抗体を形成し、該放電制御用抵抗体を、陰極線管内に封入する前に真空度１×１０＾−＾３Ｔｏｒｒ〜１×１０＾−＾７Ｔ
ｏｒｒ処理温度２５０℃〜５００℃ 処理時間３０分以上の条件下で真空ベーキング処理することを特徴とする抵
抗体の製法。