JPS63197390A - パルスレ−ザ励起電源装置 - Google Patents
パルスレ−ザ励起電源装置Info
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- JPS63197390A JPS63197390A JP2815087A JP2815087A JPS63197390A JP S63197390 A JPS63197390 A JP S63197390A JP 2815087 A JP2815087 A JP 2815087A JP 2815087 A JP2815087 A JP 2815087A JP S63197390 A JPS63197390 A JP S63197390A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[a業上の利用分野]
本発明は、高速繰り返しパルスレーザ励起電源に関し、
特にエキシマ−レーザ、m蒸気Li−サ、炭酸ガスレー
ザ等の高速繰り返し励起に使用され、半導体素子をスイ
ッチに用いたテスラ型昇圧器と可飽和インダクタによる
磁気パルス圧縮回路とを併用することにより長寿命、高
信頼性および低出力インピーダンスを実現したパルスレ
ーザ励起電源装置に関する。
特にエキシマ−レーザ、m蒸気Li−サ、炭酸ガスレー
ザ等の高速繰り返し励起に使用され、半導体素子をスイ
ッチに用いたテスラ型昇圧器と可飽和インダクタによる
磁気パルス圧縮回路とを併用することにより長寿命、高
信頼性および低出力インピーダンスを実現したパルスレ
ーザ励起電源装置に関する。
[従来の技術]
ArF、KrF、Xe CJ2等のエキシマ−レーザお
よびその他のレーザの励起には、立上り時間が数10n
sec程度でかつパルス幅の短い高電圧パルスが必要で
あり、このようなレーザは高速放電レーザ(fast
discharge 1asers )と言われている
。従来、この種の高速放電レーザを高速繰り返し駆動す
るための励起電源装置として、主にサイラトロンやスパ
ーク、ギャップスイッチを使用したL−C反転回路、ブ
ルームライン回路、パルス充電整形回路等が利用され、
前記レーザをかなり高速で繰り返し駆動することが可能
となっていた。
よびその他のレーザの励起には、立上り時間が数10n
sec程度でかつパルス幅の短い高電圧パルスが必要で
あり、このようなレーザは高速放電レーザ(fast
discharge 1asers )と言われている
。従来、この種の高速放電レーザを高速繰り返し駆動す
るための励起電源装置として、主にサイラトロンやスパ
ーク、ギャップスイッチを使用したL−C反転回路、ブ
ルームライン回路、パルス充電整形回路等が利用され、
前記レーザをかなり高速で繰り返し駆動することが可能
となっていた。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、前記従来形の励起電源装置においては、
電流立上り時間が短く繰り返し速度が速い場合には、ス
イッチ素子での電力損失が大きくなり、かつこれが素子
自体の負担となるためスイッチ素子の寿命が極めて短く
なると共に、励起電源装置の大電力化が困難であるとい
う不都合があった。
電流立上り時間が短く繰り返し速度が速い場合には、ス
イッチ素子での電力損失が大きくなり、かつこれが素子
自体の負担となるためスイッチ素子の寿命が極めて短く
なると共に、励起電源装置の大電力化が困難であるとい
う不都合があった。
このため、スイッチ素子として半導体素子を使用するこ
とも検討されたが、パルス幅を充分に短くしかつ出力イ
ンピーダンスを低くして充分に大きな尖どう出力電力を
得ることが不可能であったため、前記レーザを励起する
ことができなかった。
とも検討されたが、パルス幅を充分に短くしかつ出力イ
ンピーダンスを低くして充分に大きな尖どう出力電力を
得ることが不可能であったため、前記レーザを励起する
ことができなかった。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたもので、高
速繰り返し動作が可能でかつ低い出力インピーダンス特
性を有すると共に、究めて長寿命かつ高信頼性を有する
高出力パルスレーザ励起電源装置を提供することを目的
としている。
速繰り返し動作が可能でかつ低い出力インピーダンス特
性を有すると共に、究めて長寿命かつ高信頼性を有する
高出力パルスレーザ励起電源装置を提供することを目的
としている。
[問題点を解決するための手段]
本発明に係る高速繰り返しパルスレーザ励起電源装置に
おいては、半導体素子をスイッチ素子としてテスラ型昇
圧器に接続すると共に、このテスラ型昇圧器の2次側に
強磁性体を磁心に持つ可飽和インダクタをエネルギ共振
回路のインダクタとして用いた磁気パルス圧縮回路を複
数段縦続接続する構成が用いられる。前記半導体素子と
しては例えばSCRが使用され、また可飽和インダクタ
の磁心としては例えば非晶質金属磁性体薄膜を多層巻き
にしたものが使用される。
おいては、半導体素子をスイッチ素子としてテスラ型昇
圧器に接続すると共に、このテスラ型昇圧器の2次側に
強磁性体を磁心に持つ可飽和インダクタをエネルギ共振
回路のインダクタとして用いた磁気パルス圧縮回路を複
数段縦続接続する構成が用いられる。前記半導体素子と
しては例えばSCRが使用され、また可飽和インダクタ
の磁心としては例えば非晶質金属磁性体薄膜を多層巻き
にしたものが使用される。
[作用]
上述の構成においては、テスラ型昇圧器が空心であるた
め鉄損を初めとする損失が少なく構成部品も少ないため
高速繰り返し動作が可能であり、昇圧比を適当に決定す
ることにより、1次側スイッチとして半導体大電力素子
の使用が可能となり、長寿命、高信頼性および大電力の
励起電源装置の実現が可能となる。
め鉄損を初めとする損失が少なく構成部品も少ないため
高速繰り返し動作が可能であり、昇圧比を適当に決定す
ることにより、1次側スイッチとして半導体大電力素子
の使用が可能となり、長寿命、高信頼性および大電力の
励起電源装置の実現が可能となる。
しかしながら、半導体素子とテスラ型昇圧器のみではパ
ルス幅を充分に短くし、かつ出力インピーダンスを低す
ることが困難であるため、本発明においては、前述のよ
うにテスラ型昇圧器の2次側に磁気パルス圧縮回路を接
続することにより、効率良く高電圧パルスのパルス幅を
圧縮することにより、出力インピーダンスを低下させる
ことが可能となっている。すなわち、本発明においては
、半導体スイッチ素子、テスラ型昇圧器、および磁気パ
ルス圧縮回路を併用することにより、パルス幅の短い高
電圧パルスを効率良くかつ高い繰り返し速度で出力する
ことが可能となり、さらに出力インピーダンスも充分に
低くすることができる。
ルス幅を充分に短くし、かつ出力インピーダンスを低す
ることが困難であるため、本発明においては、前述のよ
うにテスラ型昇圧器の2次側に磁気パルス圧縮回路を接
続することにより、効率良く高電圧パルスのパルス幅を
圧縮することにより、出力インピーダンスを低下させる
ことが可能となっている。すなわち、本発明においては
、半導体スイッチ素子、テスラ型昇圧器、および磁気パ
ルス圧縮回路を併用することにより、パルス幅の短い高
電圧パルスを効率良くかつ高い繰り返し速度で出力する
ことが可能となり、さらに出力インピーダンスも充分に
低くすることができる。
[実施例]
以下、図面により本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の1実施例に係わる高速繰り返しパル
スレーザ励起電源装置の電気的構成を示す。同図の装置
は、直流電源ps、直流電源psに接続されたSCRの
ような半導体スイッチ素子SW1エネルギ蓄積コンデン
サC1、逆電流ダイオードD1、半導体スイッチ素子S
Wの両端にコンデンサC1を介して1次コイルが接続さ
れたテスラ型昇圧器T1、該テスラ型昇圧器T1の2次
コイルに縦続接続された可飽和インダクタSL1、SL
2.SL3およびコンデンサC2゜C3,C4を有する
エネルギ蓄積回路を具備している。なお、磁気パルス圧
縮回路の出力にはエキシマ−レーザのようなレーザ負荷
LDが接続されている。
スレーザ励起電源装置の電気的構成を示す。同図の装置
は、直流電源ps、直流電源psに接続されたSCRの
ような半導体スイッチ素子SW1エネルギ蓄積コンデン
サC1、逆電流ダイオードD1、半導体スイッチ素子S
Wの両端にコンデンサC1を介して1次コイルが接続さ
れたテスラ型昇圧器T1、該テスラ型昇圧器T1の2次
コイルに縦続接続された可飽和インダクタSL1、SL
2.SL3およびコンデンサC2゜C3,C4を有する
エネルギ蓄積回路を具備している。なお、磁気パルス圧
縮回路の出力にはエキシマ−レーザのようなレーザ負荷
LDが接続されている。
第2図は、第1図の装置に使用されているパルス圧縮回
路の具体的構成を示す。第2図に示されるように、パル
ス圧縮回路装置は、高電圧に対する安定性と低インダク
タンスを実現するために、高電圧導体板1を中央に置き
、これを2枚のアース導体板3a、3bによりはさみ込
む構造となつている。各コンデンサC2,C3,C4は
例えばそれぞれ残留インダクタンスの小さいセラミック
コンデンサ等を複数個並列接続することにより構成され
る。なお、テスラ型昇圧器T1の1次コイル側に接続さ
れるエネルギ蓄積コンデンサC1としては例えばオイル
コンデンサ等が使用される。
路の具体的構成を示す。第2図に示されるように、パル
ス圧縮回路装置は、高電圧に対する安定性と低インダク
タンスを実現するために、高電圧導体板1を中央に置き
、これを2枚のアース導体板3a、3bによりはさみ込
む構造となつている。各コンデンサC2,C3,C4は
例えばそれぞれ残留インダクタンスの小さいセラミック
コンデンサ等を複数個並列接続することにより構成され
る。なお、テスラ型昇圧器T1の1次コイル側に接続さ
れるエネルギ蓄積コンデンサC1としては例えばオイル
コンデンサ等が使用される。
また、各可飽和インダクタSL1.SL2.SL3の近
辺には冷却ファン5a、5b、5cがそれぞれ設けられ
ている。上記可飽和インダクタは液冷されても良い。
辺には冷却ファン5a、5b、5cがそれぞれ設けられ
ている。上記可飽和インダクタは液冷されても良い。
各々の可飽和インダクタSLI、SLY。
SL3は例えば第3図に示す磁心にそれぞれ所定数のコ
イルを巻回することにより構成することができる。第3
図に示される磁心は、非晶質金属磁性体薄膜7と絶縁用
合成樹脂薄膜9とを重ね合わせ多層巻にして構成されて
いる。非晶質金属磁性体薄膜としては例えばFe系ある
いはCo系の非晶質金属を用いるのが好ましく、これに
より低損失、高透磁率、高磁束密度の磁心を形成するこ
とができる。また、絶縁用合成樹脂薄膜9としては、例
えばポリアミド系、ポリイミド系あるいはポリエステル
系合成樹脂を用いたものを使用することができる。また
薄膜としてセラミック等を用いることもできる。なお、
第3図に示される磁心としては、上述の他、非晶質金属
磁性体薄膜を多層巻にし、絶縁層としてシリコン系、エ
ポキシ系、アクリル酸エステル系等の樹脂を含浸させた
も<7)、’ Si O2、Mg O,パラキシレン、
セラミックス等の絶縁膜でコーティングした非晶質金属
磁性体薄膜を多層巻にしたもの、あるいはフェライトを
一体成型したもの等を用いるようにしてもよい。各可飽
和インダクタSL1.SL2.SL3はこのような磁心
を各々所望の数だけ使用しかつコイルの巻線数を適切に
選択することにより、飽和時のインダクタンスSL、t
が例えば順次小さくなるように構成される。
イルを巻回することにより構成することができる。第3
図に示される磁心は、非晶質金属磁性体薄膜7と絶縁用
合成樹脂薄膜9とを重ね合わせ多層巻にして構成されて
いる。非晶質金属磁性体薄膜としては例えばFe系ある
いはCo系の非晶質金属を用いるのが好ましく、これに
より低損失、高透磁率、高磁束密度の磁心を形成するこ
とができる。また、絶縁用合成樹脂薄膜9としては、例
えばポリアミド系、ポリイミド系あるいはポリエステル
系合成樹脂を用いたものを使用することができる。また
薄膜としてセラミック等を用いることもできる。なお、
第3図に示される磁心としては、上述の他、非晶質金属
磁性体薄膜を多層巻にし、絶縁層としてシリコン系、エ
ポキシ系、アクリル酸エステル系等の樹脂を含浸させた
も<7)、’ Si O2、Mg O,パラキシレン、
セラミックス等の絶縁膜でコーティングした非晶質金属
磁性体薄膜を多層巻にしたもの、あるいはフェライトを
一体成型したもの等を用いるようにしてもよい。各可飽
和インダクタSL1.SL2.SL3はこのような磁心
を各々所望の数だけ使用しかつコイルの巻線数を適切に
選択することにより、飽和時のインダクタンスSL、t
が例えば順次小さくなるように構成される。
以上のように構成された高速繰り返しパルスレーザ°励
起電源装置の動作を説明する。まず、エネルギ蓄積コン
デンサC1を高電圧の直流電源PsでVCIに充電して
おき、半導体スイッチSWのゲートを外部からトリガす
ることにより該半導体スイッチSWを導通させる。これ
により、コンデンサC1の電荷がテスラ型昇圧器T1を
介してコンデンサC2へ移乗し、いったんコンデンサC
2が正電圧に充電された後に、テスラ型昇圧器特有の重
共振モードによりコンデンサC2の電圧が負電圧に反転
し最大負電圧VC2□8に達する。
起電源装置の動作を説明する。まず、エネルギ蓄積コン
デンサC1を高電圧の直流電源PsでVCIに充電して
おき、半導体スイッチSWのゲートを外部からトリガす
ることにより該半導体スイッチSWを導通させる。これ
により、コンデンサC1の電荷がテスラ型昇圧器T1を
介してコンデンサC2へ移乗し、いったんコンデンサC
2が正電圧に充電された後に、テスラ型昇圧器特有の重
共振モードによりコンデンサC2の電圧が負電圧に反転
し最大負電圧VC2□8に達する。
ここで、可飽和インダクタSLIはこの間未飽和状態に
あり、高インダクタンスとなるため、コンデンサC2の
電荷はほとんどコンデンサC3へ流出することはない、
一方、コンデンサC2の電圧は最大負電圧VC2+++
□に達すると、可飽和インダクタSLIは飽和状態にな
り急激にインダクタンスが低下するように設計されてい
る。これにより、コンデンサC2に蓄積された電荷は、
コンデンサCIへ戻らず、コンデンサC2、可飽和イン
ダクタSLIおよびコンデンサC3によって構成される
回路の時定数τ1に従ってコンデンサC3へ移乗し、1
1時間経過の後詰コンデンサC3の電圧が最大電圧■。
あり、高インダクタンスとなるため、コンデンサC2の
電荷はほとんどコンデンサC3へ流出することはない、
一方、コンデンサC2の電圧は最大負電圧VC2+++
□に達すると、可飽和インダクタSLIは飽和状態にな
り急激にインダクタンスが低下するように設計されてい
る。これにより、コンデンサC2に蓄積された電荷は、
コンデンサCIへ戻らず、コンデンサC2、可飽和イン
ダクタSLIおよびコンデンサC3によって構成される
回路の時定数τ1に従ってコンデンサC3へ移乗し、1
1時間経過の後詰コンデンサC3の電圧が最大電圧■。
、□、に達する。この時、時定数で1は次式で表わされ
る。
る。
τ1=π 1.、tx C1x C2CI+ C2
ここで、SLI*atは可飽和インダクタSLIの飽和
インダクタンスである。上式で表わされる時定数で1の
時間の間、可飽和インダクタSL2は未飽和状態にあり
、コンデンサC2に蓄積された電荷はコンデンサC4へ
流れ込まず、はとんどコンデンサC3へ移乗する。そし
て、コンデンサC3の電圧が■。5.□に達すると、可
飽和インダクタSL2が急激に飽和するが、ここで可飽
和インダクタSL2の飽和インダクタンスを可飽和イン
ダクタSLIのそれより小さくしておくことにより、コ
ンデンサC3、可飽和インダクタSL2、およびコンデ
ンサC4によって構成される回路の時定数τ2に従って
コンデンサC3に蓄積されたエネルギを有効にコンデン
サC4へ移乗させると共に、パルス幅を圧縮することが
可能となる。この場合、時定数で2は次式で表わされる
。
ここで、SLI*atは可飽和インダクタSLIの飽和
インダクタンスである。上式で表わされる時定数で1の
時間の間、可飽和インダクタSL2は未飽和状態にあり
、コンデンサC2に蓄積された電荷はコンデンサC4へ
流れ込まず、はとんどコンデンサC3へ移乗する。そし
て、コンデンサC3の電圧が■。5.□に達すると、可
飽和インダクタSL2が急激に飽和するが、ここで可飽
和インダクタSL2の飽和インダクタンスを可飽和イン
ダクタSLIのそれより小さくしておくことにより、コ
ンデンサC3、可飽和インダクタSL2、およびコンデ
ンサC4によって構成される回路の時定数τ2に従って
コンデンサC3に蓄積されたエネルギを有効にコンデン
サC4へ移乗させると共に、パルス幅を圧縮することが
可能となる。この場合、時定数で2は次式で表わされる
。
τ22 πL2satX C3x C4(:4+ C
4ここで、SLzgatは可飽和インダクタSL2の飽
和インダクタンスである。
4ここで、SLzgatは可飽和インダクタSL2の飽
和インダクタンスである。
同様に、コンデンサC3の電荷が完全にコンデンサC4
に移乗するまで可飽和インダクタSL3が未飽和状態を
保ち、エネルギの移乗が行なわれコンデンサC4の電圧
が最大となった時点で可飽和インダクタSL3が飽和し
、コンデンサc4に蓄積されたエネルギが負荷LDへ流
れ込む。なお、電源装置の出力インピーダンス2゜ut
はZout = 2 s−t C4−で表わされ
、可飽和インダクタSL3の形状を考慮することにより
、その飽和インダクタンスSLs*atは数IQnHと
小さくすることができるから出力インピーダンス2゜u
tを1Ω以下にすることも可能である。
に移乗するまで可飽和インダクタSL3が未飽和状態を
保ち、エネルギの移乗が行なわれコンデンサC4の電圧
が最大となった時点で可飽和インダクタSL3が飽和し
、コンデンサc4に蓄積されたエネルギが負荷LDへ流
れ込む。なお、電源装置の出力インピーダンス2゜ut
はZout = 2 s−t C4−で表わされ
、可飽和インダクタSL3の形状を考慮することにより
、その飽和インダクタンスSLs*atは数IQnHと
小さくすることができるから出力インピーダンス2゜u
tを1Ω以下にすることも可能である。
このように、エネルギ共振移乗回路を複数個直列に接続
し、回路中のインダクタとして可飽和インダクタを使用
しかつ可飽和インダクタの飽和インダクタンスを次第に
減少させることにより、磁気パルス圧縮装置を構成する
ことが可能となり、エネルギを有効に伝達させると共に
、パルス幅の圧縮が可能となる。さらに、パルス電源の
出力インピーダンスとエキシマ−レーザの放電インピー
ダンスとを整合させることができる。
し、回路中のインダクタとして可飽和インダクタを使用
しかつ可飽和インダクタの飽和インダクタンスを次第に
減少させることにより、磁気パルス圧縮装置を構成する
ことが可能となり、エネルギを有効に伝達させると共に
、パルス幅の圧縮が可能となる。さらに、パルス電源の
出力インピーダンスとエキシマ−レーザの放電インピー
ダンスとを整合させることができる。
また、初段のパルス発生装置に効率が良く、かつ大型化
が容易であるテスラ型昇圧器を用いることにより、直流
電源電圧を例えば数KVと低くすることができ、絶縁が
容易になると共にパルススイッチとして半導体素子が使
用できることになる。これにより、長寿命かつ信頼性の
高い励起電源装置を構成することが可能となる。
が容易であるテスラ型昇圧器を用いることにより、直流
電源電圧を例えば数KVと低くすることができ、絶縁が
容易になると共にパルススイッチとして半導体素子が使
用できることになる。これにより、長寿命かつ信頼性の
高い励起電源装置を構成することが可能となる。
なお、第1図の装置において、コンデンサc1の容量を
2.5 μF、 コンデンサC2,C3,C4の容量を
それぞれ13.8n Fとし、レーザ負荷LDの抵抗を
2.0Ωと設定した場合には、次のような結果が得られ
た。すなわち、コンデンサc1の充電電圧を3KVとし
、半導体スイッチ素子swをトリガすることによりコン
デンサc2の電圧は14μsec後に32KVに達し、
その後1.3 μsec経過後コンデンサC3の電圧は
30KVとなった。さらに300nsec経過後には、
コンデンサc4の電圧が26KVに達した後、負荷電流
4.4KA、電圧8.8KV、レーザ負荷への注入電力
約40M Wが得られた。また、この時の電流立上り時
間は40nsecであり、パルス全幅は120nsec
であった。
2.5 μF、 コンデンサC2,C3,C4の容量を
それぞれ13.8n Fとし、レーザ負荷LDの抵抗を
2.0Ωと設定した場合には、次のような結果が得られ
た。すなわち、コンデンサc1の充電電圧を3KVとし
、半導体スイッチ素子swをトリガすることによりコン
デンサc2の電圧は14μsec後に32KVに達し、
その後1.3 μsec経過後コンデンサC3の電圧は
30KVとなった。さらに300nsec経過後には、
コンデンサc4の電圧が26KVに達した後、負荷電流
4.4KA、電圧8.8KV、レーザ負荷への注入電力
約40M Wが得られた。また、この時の電流立上り時
間は40nsecであり、パルス全幅は120nsec
であった。
[発明の効果]
以上のように、本発明によれば、半導体スイッチ素子、
テスラ型昇圧器および磁気パルス圧縮回路を組合せるこ
とにより、高速繰り返し動作が可能でかつ低い出力イン
ピーダンスを有するパルスレーザ励起電源装置が実現さ
れる。また、半導体スイッチ素子の使用が可能となるた
め、極めて長寿命かつ高信頼性を有する励起電源装置が
提供されると共に大電力の励起電源装置の実現も容易に
可能となる。
テスラ型昇圧器および磁気パルス圧縮回路を組合せるこ
とにより、高速繰り返し動作が可能でかつ低い出力イン
ピーダンスを有するパルスレーザ励起電源装置が実現さ
れる。また、半導体スイッチ素子の使用が可能となるた
め、極めて長寿命かつ高信頼性を有する励起電源装置が
提供されると共に大電力の励起電源装置の実現も容易に
可能となる。
第1図は本発明の1実施例に係わるパルスレーザ励起電
源装置の構成を示すブロック回路図、第2図は第1図の
装置に使用される磁気パルス圧縮回路装置の一例を示す
説明図、そして第3図は第2図の回路装置に使用される
可飽和インダクタの磁心の一例を示す説明図である。 PS:直流電源、 SW:半導体スイッチ素子、 Dl :ダイオード、 CI、C2,C3,C4:コンデンサ、T1:テスラ型
昇圧器、 SLI、SL2.SL3:可飽和インダクタ、LD:レ
ーザ負荷、 LL:インダクタンス、 1:高電圧導体板、 3a、3b:接地導体板、 5a、5b:冷却ファン、 7:非晶質金属強磁性体薄膜、 9:絶縁用合成樹脂薄膜。
源装置の構成を示すブロック回路図、第2図は第1図の
装置に使用される磁気パルス圧縮回路装置の一例を示す
説明図、そして第3図は第2図の回路装置に使用される
可飽和インダクタの磁心の一例を示す説明図である。 PS:直流電源、 SW:半導体スイッチ素子、 Dl :ダイオード、 CI、C2,C3,C4:コンデンサ、T1:テスラ型
昇圧器、 SLI、SL2.SL3:可飽和インダクタ、LD:レ
ーザ負荷、 LL:インダクタンス、 1:高電圧導体板、 3a、3b:接地導体板、 5a、5b:冷却ファン、 7:非晶質金属強磁性体薄膜、 9:絶縁用合成樹脂薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、テスラ型昇圧器、該テスラ型昇圧器にパルス電源を
供給するためのパルススイッチ手段、および前記テスラ
型昇圧器の出力に縦続的に接続され各々可飽和インダク
タとエネルギ蓄積コンデンサとを有する複数のパルス圧
縮回路を具備することを特徴とするパルスレーザ励起電
源装置。 2、前記パルススイッチ手段は半導体スイッチング素子
を含む特許請求の範囲第1項に記載の装置。 3、前記可飽和インダクタは非晶質金属磁性体薄膜を多
層巻きにした磁心またはフェライト磁心を有する特許請
求の範囲第1項または第2項に記載の装置。 4、前記可飽和インダクタの磁性体薄膜はポリアミド系
、ポリイミド系またはポリエステル系等の合成樹脂薄膜
の絶縁材または合成樹脂含浸による絶縁層またはコーテ
ィングによる絶縁膜を介して巻回されている特許請求の
範囲第3項に記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2815087A JPS63197390A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | パルスレ−ザ励起電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2815087A JPS63197390A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | パルスレ−ザ励起電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63197390A true JPS63197390A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12240734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2815087A Pending JPS63197390A (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | パルスレ−ザ励起電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63197390A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19541031A1 (de) * | 1994-11-04 | 1996-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Gepulste Laservorrichtung mit Entladungsanregung |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62282476A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ装置 |
JPS62282475A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP2815087A patent/JPS63197390A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62282476A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ装置 |
JPS62282475A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19541031A1 (de) * | 1994-11-04 | 1996-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Gepulste Laservorrichtung mit Entladungsanregung |
US5708676A (en) * | 1994-11-04 | 1998-01-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Discharge excitation type pulse laser apparatus |
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