JPS63190635A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JPS63190635A JPS63190635A JP1948287A JP1948287A JPS63190635A JP S63190635 A JPS63190635 A JP S63190635A JP 1948287 A JP1948287 A JP 1948287A JP 1948287 A JP1948287 A JP 1948287A JP S63190635 A JPS63190635 A JP S63190635A
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- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/126—Microwaves
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a、産業上の利用分野
本発明はマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
プラズマ処理装置とは、一定のガスをプラズマ化し、そ
の反応生成物により試料をエツチングしもしくは試料表
面上に薄膜を堆積せしめる装置である。
の反応生成物により試料をエツチングしもしくは試料表
面上に薄膜を堆積せしめる装置である。
近年、ガスのプラズマ化の手段としてマイクロ波を利用
する方法が盛んに用いられるようになった。
する方法が盛んに用いられるようになった。
マイクロ波を利用する利点として、他の方法よりもプラ
ズマ密度を効率的に高められること、プラズマ化できる
圧力範囲が広いこと、必要に応じて試料の加熱が可能な
こと、放電を起すための電極が反応容器中にないので試
料表面の汚染を少くできること等があげられる。
ズマ密度を効率的に高められること、プラズマ化できる
圧力範囲が広いこと、必要に応じて試料の加熱が可能な
こと、放電を起すための電極が反応容器中にないので試
料表面の汚染を少くできること等があげられる。
b、従来の技術
第4図は従来技術によるマイクロ波プラズマ処理装置の
概念的立面図である。
概念的立面図である。
マイクロ波発振器1aの出力電力は導波管2aを経由し
て石英製反応容器3aに導かれる。反応容器3aにはガ
ス供給管6aから特定の種類のガスが導入され、排気管
7aから一定流量で排気される。これにより反応容器3
aの内部は一定の圧力に維持される。導入されたガスは
マイクロ波電力によりプラズマ化され、試糾合5aに載
置された試料4aの表面にエツチング加工。
て石英製反応容器3aに導かれる。反応容器3aにはガ
ス供給管6aから特定の種類のガスが導入され、排気管
7aから一定流量で排気される。これにより反応容器3
aの内部は一定の圧力に維持される。導入されたガスは
マイクロ波電力によりプラズマ化され、試糾合5aに載
置された試料4aの表面にエツチング加工。
または薄膜堆積処理を行う。
導波管2aは断面が矩形状もしくは円形状をなしており
、その末端は反応容器3aを収容しかつマイクロ波電力
の反射を少くするためにテーパ状に拡大されている。
、その末端は反応容器3aを収容しかつマイクロ波電力
の反射を少くするためにテーパ状に拡大されている。
C1発明が解決しようとする問題点
導波管を第5図に図示するように誘電率εが一様に分布
する例えば矩形導波管とし、TE、、モードで励振する
と、第6図に図示するように電場は導波管の2等分面で
最大となる。なお電場はそのy成分Eyが図示されてい
る。マイクロ波エネルギー密度Pは、導波管の中央部(
矩形の長辺の2等分面)で最大になる。これは、マイク
ロ波電力が導波管の2等分面内の反応容器中のガスに集
中して照射されることを意味する。
する例えば矩形導波管とし、TE、、モードで励振する
と、第6図に図示するように電場は導波管の2等分面で
最大となる。なお電場はそのy成分Eyが図示されてい
る。マイクロ波エネルギー密度Pは、導波管の中央部(
矩形の長辺の2等分面)で最大になる。これは、マイク
ロ波電力が導波管の2等分面内の反応容器中のガスに集
中して照射されることを意味する。
一般に反応容器中の圧力が増大すると、特にガス圧力が
約1 torr以上のとき、プラズマ中の電離電子等の
平均自由工程が短かくなる。したがってマイクロ波が局
部的に照射されることにより、プラズマはさらに縮小す
る。すなわち試料4aの表面に均一な処理を施こすこと
ができなくなり、かつ試料4aが局部的に加熱され易い
という問題点がある。
約1 torr以上のとき、プラズマ中の電離電子等の
平均自由工程が短かくなる。したがってマイクロ波が局
部的に照射されることにより、プラズマはさらに縮小す
る。すなわち試料4aの表面に均一な処理を施こすこと
ができなくなり、かつ試料4aが局部的に加熱され易い
という問題点がある。
本発明は、マイクロ波を利用したプラズマ処理装置にお
いて、反応容器内のガスにマイクロ波を均一に照射し均
一なプラズマを形成することができるマイクロ波プラズ
マ処理装置を提供することを目的とする。
いて、反応容器内のガスにマイクロ波を均一に照射し均
一なプラズマを形成することができるマイクロ波プラズ
マ処理装置を提供することを目的とする。
d0問題点を解決するための手段
上記問題点は、マイクロ波発振回路と、マイクロ波を伝
播させる導波管と、導波管の終端部に収容された反応容
器と、反応容器にガスを送るガス供給管と、反応容器か
らガスを排出するガス排出管と、反応容器中に試料を載
置する試料台を備え、反応容器中のガスにマイクロ波を
照射してガスを励起してプラズマを発生させ、該プラズ
マで試料にプラズマ処理をするマイクロ波プラズマ処理
装置において、上記導波管の終端部の内壁に、または終
端部と終端部に隣接する部分の内壁に比誘電率が大きく
誘電体損失の小さい誘電体からなる誘電体板が取付けら
れていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置
によって解決された。
播させる導波管と、導波管の終端部に収容された反応容
器と、反応容器にガスを送るガス供給管と、反応容器か
らガスを排出するガス排出管と、反応容器中に試料を載
置する試料台を備え、反応容器中のガスにマイクロ波を
照射してガスを励起してプラズマを発生させ、該プラズ
マで試料にプラズマ処理をするマイクロ波プラズマ処理
装置において、上記導波管の終端部の内壁に、または終
端部と終端部に隣接する部分の内壁に比誘電率が大きく
誘電体損失の小さい誘電体からなる誘電体板が取付けら
れていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置
によって解決された。
e、 作用
内壁が金属である導波管(以下金属導波管と称す)の内
部を伝播するマイクロ波は、マイクロ波伝播方向に関し
ては進行波であり、伝播方向に垂直な面内においては定
在波である。マイクロ波が単一モードからなるとき、マ
イクロ波のボインティングベクトルの空間分布はそのモ
ードに固有の分布関数となる。
部を伝播するマイクロ波は、マイクロ波伝播方向に関し
ては進行波であり、伝播方向に垂直な面内においては定
在波である。マイクロ波が単一モードからなるとき、マ
イクロ波のボインティングベクトルの空間分布はそのモ
ードに固有の分布関数となる。
例えばE、。モードのマイクロ波においては導波管の2
等分面近傍においてエネルギー分布が最大となる。
等分面近傍においてエネルギー分布が最大となる。
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置においては、
導波管の終端部近傍においてマイクロ波電界成分に平行
な内壁の金属は誘電体に覆われている。
導波管の終端部近傍においてマイクロ波電界成分に平行
な内壁の金属は誘電体に覆われている。
誘電体内部における光の位相速度と真空中における光の
位相速度は異なるので、この近傍におけるマイクロ波の
境界条件は金属導波管のそれとは異なる。
位相速度は異なるので、この近傍におけるマイクロ波の
境界条件は金属導波管のそれとは異なる。
すなわちこの近傍におけるマイクロ波は、金属導波管に
対する単一モードでは表現できず、金属導波管の固有モ
ードを複数個重ね合わせた複合モードマイクロ波となる
。
対する単一モードでは表現できず、金属導波管の固有モ
ードを複数個重ね合わせた複合モードマイクロ波となる
。
−aに高次モードのマイクロ波のエネルギー分布は低次
モードのそれに比較してより一様であるので、高次モー
ドを含む複合モードマイクロ波のエネルギー分布は低次
モードのみからなる単一モードマイクロ波よりエネルギ
ー分布はより一様になる。
モードのそれに比較してより一様であるので、高次モー
ドを含む複合モードマイクロ波のエネルギー分布は低次
モードのみからなる単一モードマイクロ波よりエネルギ
ー分布はより一様になる。
したがってマイクロ波によって励起されるプラズマのエ
ネルギー分布が一様になる。
ネルギー分布が一様になる。
f、実施例
第1図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概
念的断面図である。
念的断面図である。
マイクロ波発振器1の出力電力は導波管2を経由して石
英反応容器3に導かれる。反応容器3にはガス供給管6
から特定の種類のガスが導入され、排気管7から一定流
量で排気される。これにより反応容器3の内部は一定の
圧力に維持される。導入されたガスはマイクロ波電力に
よりプラズマ化され、試料台5に載置された試料40表
面にエツチング加工。
英反応容器3に導かれる。反応容器3にはガス供給管6
から特定の種類のガスが導入され、排気管7から一定流
量で排気される。これにより反応容器3の内部は一定の
圧力に維持される。導入されたガスはマイクロ波電力に
よりプラズマ化され、試料台5に載置された試料40表
面にエツチング加工。
または薄膜堆積処理を行う。
導波管2は断面が矩形状もしくは円形状をなしており、
その末端は反応容器3を収容しかつマイクロ波電力の反
射を少くするためにテーパ状に拡大されている。
その末端は反応容器3を収容しかつマイクロ波電力の反
射を少くするためにテーパ状に拡大されている。
導波管2の終端部2A、または終端部2Aと終端部2A
に隣接する部分2Bのマイクロ波電界成分に平行な内壁
にアルミナセラミックスからなる誘電体板が取り付けら
れている。なお誘電体板はアルミナセラミックスに限ら
れず、比誘電率が大きく誘電体損失が小さい他の材質か
らなる誘電体板を使用することもできる。
に隣接する部分2Bのマイクロ波電界成分に平行な内壁
にアルミナセラミックスからなる誘電体板が取り付けら
れている。なお誘電体板はアルミナセラミックスに限ら
れず、比誘電率が大きく誘電体損失が小さい他の材質か
らなる誘電体板を使用することもできる。
第2図は第1図のB−B断面における誘電率の概念的分
布図である。
布図である。
誘電率εは導波管の境界部分で大きいので、導波管の境
界部分における電磁波の位相速度は導波管の中央部と異
なる。したがって誘電体と金属内壁の境界条件2誘電体
と真空の間の境界条件を満すために位相の異なるマイク
ロ波あるいは高次モードのマイクロ波が発生する。すな
わちマイクロ波伝播方向に対して垂直な面内においてマ
イクロ波は定在波ではなくなり、種々の位相のマイクロ
波および高次モードのマイクロ波の重ね合せとなる。例
えば電場のy成分E、は、第3図に図示するように、導
波管の内部では比較的一様であり誘電体と金属の境界に
おいてゼロとなる分布となる。この結果、導波管内部に
おけるエネルギー分布が、誘電体板を取付けないときに
比較してより一様になる。なおE、の分布は断面毎に、
および時間的に変動する。
界部分における電磁波の位相速度は導波管の中央部と異
なる。したがって誘電体と金属内壁の境界条件2誘電体
と真空の間の境界条件を満すために位相の異なるマイク
ロ波あるいは高次モードのマイクロ波が発生する。すな
わちマイクロ波伝播方向に対して垂直な面内においてマ
イクロ波は定在波ではなくなり、種々の位相のマイクロ
波および高次モードのマイクロ波の重ね合せとなる。例
えば電場のy成分E、は、第3図に図示するように、導
波管の内部では比較的一様であり誘電体と金属の境界に
おいてゼロとなる分布となる。この結果、導波管内部に
おけるエネルギー分布が、誘電体板を取付けないときに
比較してより一様になる。なおE、の分布は断面毎に、
および時間的に変動する。
なおマイクロ波は誘電体板8内におけるエネルギー損失
を少くするために、誘電体材料としては誘電体損失ta
n δが小さい物質が好ましい。
を少くするために、誘電体材料としては誘電体損失ta
n δが小さい物質が好ましい。
実際に使用した結果、誘電体取付は位置は、反応室3を
収容する部分および反応室3より約1波長手前の導波管
拡大部、すなわち導波管の終端部2八と終端部2八に隣
接する部分2Bのマイクロ波電界成分に平行な内壁に誘
電体板を取付けると、従来技術によるより一様なプラズ
マが得られることが判明した。誘電体の厚さは該誘電体
内の波長の約1/10であった。
収容する部分および反応室3より約1波長手前の導波管
拡大部、すなわち導波管の終端部2八と終端部2八に隣
接する部分2Bのマイクロ波電界成分に平行な内壁に誘
電体板を取付けると、従来技術によるより一様なプラズ
マが得られることが判明した。誘電体の厚さは該誘電体
内の波長の約1/10であった。
なお反応室3を収容する部分2Aだけに誘電体板を取付
けたときにもかなり一様なプラズマが得られた。
けたときにもかなり一様なプラズマが得られた。
誘電体板8を反応室3より1波長以上手前の位置から取
付けても、電力損失が増大するのみで効果は変らない。
付けても、電力損失が増大するのみで効果は変らない。
g、 効果
マイクロ波照射によって、プラズマとは無関係に試料4
.試料台が加熱されるが、このとき試料4゜試料台5の
中央部のみが局所的加熱されることなく、一様に加熱さ
れる。したがって本発明においては広いガス圧力範囲に
おける一様なプラズマ生成と相俟って、従来技術に比較
してより一様な試料上の反応および薄膜の形成が可能と
なる。
.試料台が加熱されるが、このとき試料4゜試料台5の
中央部のみが局所的加熱されることなく、一様に加熱さ
れる。したがって本発明においては広いガス圧力範囲に
おける一様なプラズマ生成と相俟って、従来技術に比較
してより一様な試料上の反応および薄膜の形成が可能と
なる。
第1図は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概
念的断面図、第2図は第1図のA−A断面における誘電
率εの概念的分布図、第3図は第1図のA−A断面にお
ける電場の概念的分布図、第4図は従来技術によるマイ
クロ波プラズマ処理装置の概念的断面図、第5図は第4
図のB−B断面における誘電率εの概念的分布図、第6
図は第4図のB−B断面における電場の概念的分布図で
ある。 1・・・マイクロ波発振回路、 212□、23・・・
導波管、3・・・反応容器、 4・・・試
料、5・・・試料台、 6・・・ガス供
給管、7・・・排気管、 8・・・誘電
体板。
念的断面図、第2図は第1図のA−A断面における誘電
率εの概念的分布図、第3図は第1図のA−A断面にお
ける電場の概念的分布図、第4図は従来技術によるマイ
クロ波プラズマ処理装置の概念的断面図、第5図は第4
図のB−B断面における誘電率εの概念的分布図、第6
図は第4図のB−B断面における電場の概念的分布図で
ある。 1・・・マイクロ波発振回路、 212□、23・・・
導波管、3・・・反応容器、 4・・・試
料、5・・・試料台、 6・・・ガス供
給管、7・・・排気管、 8・・・誘電
体板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロ波発振回路と、マイクロ波を伝播させる導波管
と、導波管の終端部に収容された反応容器と、反応容器
にガスを送るガス供給管と、反応容器からガスを排出す
るガス排出管と、反応容器中に試料を載置する試料台を
備え、反応容器中のガスにマイクロ波を照射してガスを
励起してプラズマを発生させ、該プラズマで試料にプラ
ズマ処理をするマイクロ波プラズマ処理装置において、 上記導波管の終端部の内壁に、または終端部と終端部に
隣接する部分の内壁に比誘電率が大きく誘電体損失の小
さい誘電体からなる誘電体板が取付けられていることを
特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1948287A JPS63190635A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1948287A JPS63190635A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63190635A true JPS63190635A (ja) | 1988-08-08 |
Family
ID=12000563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1948287A Pending JPS63190635A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63190635A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5044311A (en) * | 1988-11-04 | 1991-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
US6080977A (en) * | 1997-03-12 | 2000-06-27 | Nukem Nuklear Gmbh | Apparatus for concentrating salt-containing solutions with microwave energy |
JP2008544134A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | ボーグワーナー・インコーポレーテッド | ターボチャージャ用の円板部材 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1948287A patent/JPS63190635A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5044311A (en) * | 1988-11-04 | 1991-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
US6080977A (en) * | 1997-03-12 | 2000-06-27 | Nukem Nuklear Gmbh | Apparatus for concentrating salt-containing solutions with microwave energy |
JP2008544134A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | ボーグワーナー・インコーポレーテッド | ターボチャージャ用の円板部材 |
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