JPS63187669A - 光電気集積回路 - Google Patents
光電気集積回路Info
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- JPS63187669A JPS63187669A JP62018711A JP1871187A JPS63187669A JP S63187669 A JPS63187669 A JP S63187669A JP 62018711 A JP62018711 A JP 62018711A JP 1871187 A JP1871187 A JP 1871187A JP S63187669 A JPS63187669 A JP S63187669A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電気集積回路に搭載される発光及び受光素子
と電子回路との接続方法に関する。
と電子回路との接続方法に関する。
従来、この種の光電気集、積回路では、第3図に示すよ
うに発光及び受光素子2は、ボンディングワイヤ3又は
導電パターン8を介して、電子回路5と接続されていた
。従って発光及び受光素子2゜例えば、受光素子を用い
た光電気集積回路では。
うに発光及び受光素子2は、ボンディングワイヤ3又は
導電パターン8を介して、電子回路5と接続されていた
。従って発光及び受光素子2゜例えば、受光素子を用い
た光電気集積回路では。
光ファイバ6との結合を行うために、光軸を調整する際
に、光ファイバ6から変調された光信号を入力すると共
に、電子回路5には外部端子7から電源を供給して、電
子回路5の出力信号の糸幅が最大となるように光軸調整
を行っていた。
に、光ファイバ6から変調された光信号を入力すると共
に、電子回路5には外部端子7から電源を供給して、電
子回路5の出力信号の糸幅が最大となるように光軸調整
を行っていた。
また、別な方法として、第4図に示すように発光又は受
光素子2を直接外部端子7に接続し、光軸調整を行う際
は外部端子7にバイアス電圧を加える方法もある。
光素子2を直接外部端子7に接続し、光軸調整を行う際
は外部端子7にバイアス電圧を加える方法もある。
しかしながら、上述した従来の光電気集積回路は、前者
の場合、入力光に変調をかける装置や高周波信号を測定
する装置が必要となるという欠点があった。また、後者
の場合は外部端子から雑音が誘導され2発光又は受光素
子及び電子回路の待性が劣化したシ、信号対雑音比が劣
化するとbう欠点がある。
の場合、入力光に変調をかける装置や高周波信号を測定
する装置が必要となるという欠点があった。また、後者
の場合は外部端子から雑音が誘導され2発光又は受光素
子及び電子回路の待性が劣化したシ、信号対雑音比が劣
化するとbう欠点がある。
そこで2本発明の技術的課題は上記欠点に鑑み。
光電気集積回路と光ファイバとの結合を行うための光軸
調整に際し、高周波信号を測定する装置等を必要とせず
、かつ、外部からの雑音の侵入を防止した光電気集積回
路を提供することである。
調整に際し、高周波信号を測定する装置等を必要とせず
、かつ、外部からの雑音の侵入を防止した光電気集積回
路を提供することである。
本発明によれば、光ファイバに対し光信号を入力又は出
力する光素子と、前記光ファイバと光素子との結合を調
整するために、前記光素子に光軸調整用心圧を印加する
外部端子と、該外部端子と前記光素子との間に直列に設
けられ、該外部端子からの前記光軸調整用心圧を前記光
素子拠導すた後に電気的に切断される素子とを有するこ
とを特徴とする光電気集積回路が得られる。
力する光素子と、前記光ファイバと光素子との結合を調
整するために、前記光素子に光軸調整用心圧を印加する
外部端子と、該外部端子と前記光素子との間に直列に設
けられ、該外部端子からの前記光軸調整用心圧を前記光
素子拠導すた後に電気的に切断される素子とを有するこ
とを特徴とする光電気集積回路が得られる。
即ち2本発明の光電気集積回路は、セラミック基板上に
実装された発光又は受光素子及び電子回路と、光ファイ
バとの結合を行うために光軸を調整をする際、該発光又
は受光素子にバイアス電圧を印加するための端子と、該
発光又は受光素子との間に直列に挿入されだ厚膜抵抗と
を有し、光軸調整後は、レーザー等により該厚膜抵抗を
切断することを特徴とする。
実装された発光又は受光素子及び電子回路と、光ファイ
バとの結合を行うために光軸を調整をする際、該発光又
は受光素子にバイアス電圧を印加するための端子と、該
発光又は受光素子との間に直列に挿入されだ厚膜抵抗と
を有し、光軸調整後は、レーザー等により該厚膜抵抗を
切断することを特徴とする。
次に2本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本考案の一実施例である。第2図は第1図の厚
膜抵抗1近傍の拡大図及びその電気的等価回路図である
。2は1発光又は受光素子であり。
膜抵抗1近傍の拡大図及びその電気的等価回路図である
。2は1発光又は受光素子であり。
がンディングワイヤ3を経てセラミック基板4上の電子
回路5と接続されている。光ファイバ6との光学結合の
調整は、外部端子7にバイアス電圧を印加し、光電流を
監視して行う。光電流は発光又ハ受光素子2とデンディ
ングワイヤ3 (!:導電ツクターン8と厚膜抵抗1と
を経て外部端子7に流れる。光学結合調整後は厚膜抵抗
Iをレーザーで切断する。その結果、切断部9が受光素
子2と外部端子7とを電気的に絶縁する。
回路5と接続されている。光ファイバ6との光学結合の
調整は、外部端子7にバイアス電圧を印加し、光電流を
監視して行う。光電流は発光又ハ受光素子2とデンディ
ングワイヤ3 (!:導電ツクターン8と厚膜抵抗1と
を経て外部端子7に流れる。光学結合調整後は厚膜抵抗
Iをレーザーで切断する。その結果、切断部9が受光素
子2と外部端子7とを電気的に絶縁する。
以上説明したまうに2本発明は、光ファイバとの結合を
行うだめの光軸調整後、レーザーを使って厚膜抵抗を切
断することにより1発光及び受光素子を単独で動作させ
て、光学調整ができるため。
行うだめの光軸調整後、レーザーを使って厚膜抵抗を切
断することにより1発光及び受光素子を単独で動作させ
て、光学調整ができるため。
入力光に変調をかける装置や高周波信号を測定する装置
を使わなくてすむ効果がある。また、厚膜抵抗を切断す
るので2図2に示すように外部端子からの雑音の侵入に
対しても抵抗10が存在することになるので雑音の低減
ができる効果がある。
を使わなくてすむ効果がある。また、厚膜抵抗を切断す
るので2図2に示すように外部端子からの雑音の侵入に
対しても抵抗10が存在することになるので雑音の低減
ができる効果がある。
第1図は本発明の実施例斜視図、第2図は第1図の厚膜
抵抗近傍の拡大図及びその電気的等価回路図、第3図及
び第4図は従来の光電気集積回路の実施例である。 1・・・厚膜抵抗、2・・・発光又は受光素子、3・・
・?ンディングワイヤ、4・・・セラミック基板、5・
・・電子回路、6・・・光ファイバ、7・・・外部端子
、8・・・導電パターン、9・・・切断部、10・・・
抵抗。 第1図 第2図
抵抗近傍の拡大図及びその電気的等価回路図、第3図及
び第4図は従来の光電気集積回路の実施例である。 1・・・厚膜抵抗、2・・・発光又は受光素子、3・・
・?ンディングワイヤ、4・・・セラミック基板、5・
・・電子回路、6・・・光ファイバ、7・・・外部端子
、8・・・導電パターン、9・・・切断部、10・・・
抵抗。 第1図 第2図
Claims (1)
- 1、光ファイバに対し光信号を入力又は出力する光素子
と、前記光ファイバと光素子との結合を調整するために
、前記光素子に光軸調整用電圧を印加する外部端子と、
該外部端子と前記光素子との間に直列に設けられ、該外
部端子からの前記光軸調整用電圧を前記光素子に導いた
後に電気的に切断される素子とを有することを特徴とす
る光電気集積回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62018711A JPH0719898B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光電気集積回路 |
GB8801978A GB2200796B (en) | 1987-01-30 | 1988-01-29 | An integrated optoelectronic circuit |
US07/150,040 US4868640A (en) | 1987-01-30 | 1988-01-29 | Integrated optoelectronic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62018711A JPH0719898B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光電気集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63187669A true JPS63187669A (ja) | 1988-08-03 |
JPH0719898B2 JPH0719898B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=11979237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62018711A Expired - Lifetime JPH0719898B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 光電気集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4868640A (ja) |
JP (1) | JPH0719898B2 (ja) |
GB (1) | GB2200796B (ja) |
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CA2037006A1 (en) * | 1990-03-16 | 1991-09-17 | Hisao Go | Lead frame |
AU631000B2 (en) * | 1990-08-28 | 1992-11-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module |
CA2120464A1 (en) * | 1992-02-18 | 1993-08-19 | Bidyut K. Bhattacharyya | Advance multilayer molded plastic package using mesic technology |
US5228101A (en) * | 1992-03-02 | 1993-07-13 | Motorola, Inc. | Electrical to optical links using metalization |
US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
DE19738168A1 (de) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Bosch Gmbh Robert | Optoelektronisches Mikrosystem |
US20080093633A1 (en) * | 2006-10-18 | 2008-04-24 | United Microelectronics Corp. | Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor and fabricating method thereof |
DE112016000295T5 (de) * | 2015-01-08 | 2017-09-21 | Acacia Communications, Inc. | Durchgangsübertragungspfad auf photonischen Schaltungen für optische Ausrichtung |
CN105607196B (zh) * | 2015-12-30 | 2018-05-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种光学芯片、制备方法及应用该光学芯片的光互连模块 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5899172A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-13 | 株式会社日立製作所 | 電気絶縁基板 |
US4616655A (en) * | 1984-01-20 | 1986-10-14 | Cordis Corporation | Implantable pulse generator having a single printed circuit board and a chip carrier |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62018711A patent/JPH0719898B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-01-29 GB GB8801978A patent/GB2200796B/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-29 US US07/150,040 patent/US4868640A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2200796B (en) | 1990-02-28 |
US4868640A (en) | 1989-09-19 |
JPH0719898B2 (ja) | 1995-03-06 |
GB2200796A (en) | 1988-08-10 |
GB8801978D0 (en) | 1988-02-24 |
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