JPS63173A - 高速半導体装置 - Google Patents
高速半導体装置Info
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- JPS63173A JPS63173A JP61143803A JP14380386A JPS63173A JP S63173 A JPS63173 A JP S63173A JP 61143803 A JP61143803 A JP 61143803A JP 14380386 A JP14380386 A JP 14380386A JP S63173 A JPS63173 A JP S63173A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/36—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the concentration or distribution of impurities in the bulk material
- H01L29/365—Planar doping, e.g. atomic-plane doping, delta-doping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/205—Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures
- H10N60/207—Field effect devices
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
プレーナドーピングによる近接した電子層および正孔層
からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正孔層の
一方にソース、ドレインの選択電極を設け、更にこの層
のキャリアの濃度を制御電極により制御するようにした
高速半導体装置。
からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正孔層の
一方にソース、ドレインの選択電極を設け、更にこの層
のキャリアの濃度を制御電極により制御するようにした
高速半導体装置。
本発明は、比較的高い温度で動作することができる超伝
導トランジスタの構造に関する。
導トランジスタの構造に関する。
従来、超伝導現象は、液体ヘリウム温度程度の極低温で
観察され、これを利用したデバイスは極低温に冷却する
必要があり、超伝導デバイスを利用するのに困難性があ
った。そして、実用レベルでは超伝導を用いたトランジ
スタは存在しない。
観察され、これを利用したデバイスは極低温に冷却する
必要があり、超伝導デバイスを利用するのに困難性があ
った。そして、実用レベルでは超伝導を用いたトランジ
スタは存在しない。
研究段階では、電界効果型トランジスタへの超伝導のし
みだし効果を用いたもの、ジョセフソン接合による電子
の注入を用いたものがある。いずれも通常のＢＣＳ論理
による超伝導現象を用いたものである。
みだし効果を用いたもの、ジョセフソン接合による電子
の注入を用いたものがある。いずれも通常のＢＣＳ論理
による超伝導現象を用いたものである。
ところで、最近、電子と正孔ペアの合成粒子による超伝
導機構により、比較的高い温度で超伝導効果が得られる
ことが提唱され、液体ヘリウムより高い温度でも超伝導
が起ることがわかってきた（Ｙｕ、Ｅ、Ｌｏｚｏｖｉｋ
ａｎｄ Ｖ、 １． Ｙｕｄｓｏｎ ： ５ｏｌｉｄ
ＳｔａｔｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ １９
（１９７６） ｐｐ、 ３９１〜３９３参照）。電子−
正孔対における超伝導現象は、従来のＢＣ３論理により
記述されるものとは全く異なり、論理的には液体窒素温
度以上乃至室温でも超伝導現象が期待される。
導機構により、比較的高い温度で超伝導効果が得られる
ことが提唱され、液体ヘリウムより高い温度でも超伝導
が起ることがわかってきた（Ｙｕ、Ｅ、Ｌｏｚｏｖｉｋ
ａｎｄ Ｖ、 １． Ｙｕｄｓｏｎ ： ５ｏｌｉｄ
ＳｔａｔｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ １９
（１９７６） ｐｐ、 ３９１〜３９３参照）。電子−
正孔対における超伝導現象は、従来のＢＣ３論理により
記述されるものとは全く異なり、論理的には液体窒素温
度以上乃至室温でも超伝導現象が期待される。
しかしながら、これまで電子−正孔対超伝導機構につい
ては、単に現象的な検討が行なわれたのみであり、これ
までトランジスタ等の素子は実現されていない。
ては、単に現象的な検討が行なわれたのみであり、これ
までトランジスタ等の素子は実現されていない。
そこで、本発明の目的は、電子−正孔対超伝導機構を利
用したトランジスタの構造を実現することにある。
用したトランジスタの構造を実現することにある。
本発明は、プレーナドーピングによる近接した電子層お
よび正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或い
は正孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースお
よびドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子
層または正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を
備えることを特徴とする高速半導体装置を提供する。そ
して、更に前記電子層または正孔層のうち、ソースおよ
びドレインの選択電極がオーミックに接触する層のドー
ピング濃度をｎ１、他方の層のドレイン濃度をｎ２とす
るとき、ｎ １ ＜ ｎ ２としてなることを特徴とす
る高速半導体装置を提供する。
よび正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或い
は正孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースお
よびドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子
層または正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を
備えることを特徴とする高速半導体装置を提供する。そ
して、更に前記電子層または正孔層のうち、ソースおよ
びドレインの選択電極がオーミックに接触する層のドー
ピング濃度をｎ１、他方の層のドレイン濃度をｎ２とす
るとき、ｎ １ ＜ ｎ ２としてなることを特徴とす
る高速半導体装置を提供する。
本発明の原理および作用を、第２図に示した実施例のエ
ネルギバンド構造図を用いて説明する。
ネルギバンド構造図を用いて説明する。
第２図において、ＧａＡｓ層１および５の間に絶縁性の
ＡｌＡｓ薄層４が介在した層構造となっており、ＧａＡ
ｓ層 Ａｊ！ Ａｓ界面近傍３にｎ型不純物がプレーナ
ドーピングにより導入され、 ＡｌＡｓ／ ＧａＡｓ界
面近傍２にｎ型不純物が同様にプレーナドーピングによ
り導入されている。そして、界面２．３にそって２次元
的なチャネル（以下電子層３または正孔層２という）が
形成され、絶縁性のＡｌＡｓ薄層を挾んで２次元電子ガ
スおよび２次元正孔ガスが形成されている。この第２図
の電子層３と正孔層２の形成過程を説明すると、３のｎ
型不純物のプレーナドーピング層からの電子が２のｎ型
不純物のプレーナドーピング層に拡散してアクセプタを
埋めことにより、３のｎ型プレーナドーピング層のドナ
ーはイオン化し、それにより３の層の伝導帯の端が曲り
、エネルギレベルが低下する。−方２のｐ型プレーナド
ーピング層の価電子帯のエネルギレベルが上昇する。そ
れに伴い、電子の遷移を妨げる向きに電界が発生する結
果ある所で平衡状態となる。第２図はこの平衡状態を示
してあり、３のｎ型プレーナドーピング層の伝導帯の端
のエネルギレベルはフェルミレベルＥＦより低下してい
る。−方、２のｐ型プレーナドーピング層の価電子帯の
エネルギレベルは上昇し、フェルミレベルより上になっ
ている。ここで、３のｎ型プレーナドーピング層の不純
物濃度は十分高いから、この平衡状態においても、完全
に空乏化することなくキャリアが残っており、電子層を
構成する。−方、２のｐ型プレーナドーピングＮ２は、
正孔層を構成する。
ＡｌＡｓ薄層４が介在した層構造となっており、ＧａＡ
ｓ層 Ａｊ！ Ａｓ界面近傍３にｎ型不純物がプレーナ
ドーピングにより導入され、 ＡｌＡｓ／ ＧａＡｓ界
面近傍２にｎ型不純物が同様にプレーナドーピングによ
り導入されている。そして、界面２．３にそって２次元
的なチャネル（以下電子層３または正孔層２という）が
形成され、絶縁性のＡｌＡｓ薄層を挾んで２次元電子ガ
スおよび２次元正孔ガスが形成されている。この第２図
の電子層３と正孔層２の形成過程を説明すると、３のｎ
型不純物のプレーナドーピング層からの電子が２のｎ型
不純物のプレーナドーピング層に拡散してアクセプタを
埋めことにより、３のｎ型プレーナドーピング層のドナ
ーはイオン化し、それにより３の層の伝導帯の端が曲り
、エネルギレベルが低下する。−方２のｐ型プレーナド
ーピング層の価電子帯のエネルギレベルが上昇する。そ
れに伴い、電子の遷移を妨げる向きに電界が発生する結
果ある所で平衡状態となる。第２図はこの平衡状態を示
してあり、３のｎ型プレーナドーピング層の伝導帯の端
のエネルギレベルはフェルミレベルＥＦより低下してい
る。−方、２のｐ型プレーナドーピング層の価電子帯の
エネルギレベルは上昇し、フェルミレベルより上になっ
ている。ここで、３のｎ型プレーナドーピング層の不純
物濃度は十分高いから、この平衡状態においても、完全
に空乏化することなくキャリアが残っており、電子層を
構成する。−方、２のｐ型プレーナドーピングＮ２は、
正孔層を構成する。
この電子層の２次元電子ガスと正孔層の正孔ガスが絶縁
性の薄ＦｉＡｆｆｉＡｓを挾んで存在することにより、
電子と正孔対による合成粒子が得られ、超伝導となる。
性の薄ＦｉＡｆｆｉＡｓを挾んで存在することにより、
電子と正孔対による合成粒子が得られ、超伝導となる。
ところが、この超伝導により、電子と正孔は同一方向に
運動し、全体として電流はキャンセルされるため、電子
と正孔対による合成粒子による超伝導を利用して、トラ
ンジスタを得るには、電子または正孔の一方のみを取出
さなければならない。
運動し、全体として電流はキャンセルされるため、電子
と正孔対による合成粒子による超伝導を利用して、トラ
ンジスタを得るには、電子または正孔の一方のみを取出
さなければならない。
そこで、本発明においては、２次元電子ガスまたば正孔
ガスのみにコンタクトする選択電極を設け、電子または
正孔の一方のみを取出すようにしている。
ガスのみにコンタクトする選択電極を設け、電子または
正孔の一方のみを取出すようにしている。
しかしながら、なお、電子−正孔対超伝導機構によるト
ランジスタを得るのに問題が残る。
ランジスタを得るのに問題が残る。
その理由は、例えば、２次元電子ガスにコンタクトする
選択電極を形成し、電子を取出す構成にした場合で考え
ると、正孔層には電極が形成されず正孔流が取出されな
いため、正孔が正孔層内に局所的に滞留し、正孔層内に
電界が発生し、正孔流を妨げる。そのため、電子−正孔
対超伝導が起り難くなる。そこで、本発明においては、
電子層と正孔層のドーピングに差をつけ、選択電極によ
りチャネル外に取出さない方のドープ量を大きくする構
成とし、選択電極が形成されない方の層のキャリアの流
れを増大できるようにして、選択電極が形成される方の
層のキャリアの流れと整合させて、上記キャリアの局所
的滞留を防止している。
選択電極を形成し、電子を取出す構成にした場合で考え
ると、正孔層には電極が形成されず正孔流が取出されな
いため、正孔が正孔層内に局所的に滞留し、正孔層内に
電界が発生し、正孔流を妨げる。そのため、電子−正孔
対超伝導が起り難くなる。そこで、本発明においては、
電子層と正孔層のドーピングに差をつけ、選択電極によ
りチャネル外に取出さない方のドープ量を大きくする構
成とし、選択電極が形成されない方の層のキャリアの流
れを増大できるようにして、選択電極が形成される方の
層のキャリアの流れと整合させて、上記キャリアの局所
的滞留を防止している。
その構成により、電子−正孔対超伝導機構による超伝導
を実現でき、トランジスタ動作が可能な素子が提供可能
になる。
を実現でき、トランジスタ動作が可能な素子が提供可能
になる。
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１Ａ図には本発明の実施例のトランジスタの要部断面
構成を示してあり、また、第１Ｂ図には実施例の電流径
路を示し、さらに、第２図には実施例のトランジスタの
ゲート電極直下のバンド構造が示しである。 第１Ａ図
において、各層は以下の如くである。
構成を示してあり、また、第１Ｂ図には実施例の電流径
路を示し、さらに、第２図には実施例のトランジスタの
ゲート電極直下のバンド構造が示しである。 第１Ａ図
において、各層は以下の如くである。
１・−半導体絶縁性（Ｓ Ｉ ） ＧａＡｓ基板１′−
ノンドープＧａＡｓ層（バッファ層）２−・ｐ” −Ｇ
ａＡｓプレーナドープ層Ｂｅ（ベリリウム）ドープ、ド
ーピング濃度２）ＯＸ １１０１３ａ″″２ １１・−ノンドープＧａＡｓ層 厚味５人 ４−・−ノンドープ ｉＡｓ層 厚味９０人 １２− ノンドープＧａＡｓ層 厚味５人 ３−−− ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ層Ｓｉ（
シリコン）ドープ、ドーピング濃度１、Ｉ Ｘ ＩＱＩ
３ｃａｉ−２ ５・−ｎ −ＧａＡｓ層 Ｓｉドープ、ドーピング濃度Ｉ Ｘ ＩＱ” ａｍ−３
厚味３００人 なお、以上の各半導体層は、ＭＢＥ＜分子線エピタキシ
ャル成長法）またはＭＯＣＶＤ （有機金属気相成長法
）等を用いて形成することができる。
ノンドープＧａＡｓ層（バッファ層）２−・ｐ” −Ｇ
ａＡｓプレーナドープ層Ｂｅ（ベリリウム）ドープ、ド
ーピング濃度２）ＯＸ １１０１３ａ″″２ １１・−ノンドープＧａＡｓ層 厚味５人 ４−・−ノンドープ ｉＡｓ層 厚味９０人 １２− ノンドープＧａＡｓ層 厚味５人 ３−−− ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ層Ｓｉ（
シリコン）ドープ、ドーピング濃度１、Ｉ Ｘ ＩＱＩ
３ｃａｉ−２ ５・−ｎ −ＧａＡｓ層 Ｓｉドープ、ドーピング濃度Ｉ Ｘ ＩＱ” ａｍ−３
厚味３００人 なお、以上の各半導体層は、ＭＢＥ＜分子線エピタキシ
ャル成長法）またはＭＯＣＶＤ （有機金属気相成長法
）等を用いて形成することができる。
次に、電極領域は以下のように形成されている。
６−ゲート電極（Ａｊ？デポジション）７．８−一一ソ
ース、ドレイン電極 ＡｕＧｅ／＾Ｕをデポジション後、合金化９．１０−ｍ
−選択電極形成用イオン注入領域注入イオンＳｅ（セレ
ン）、注入濃度 ピーク濃度で５ｘ １０１１１ ｃｍ−’次に、本発明
の実施例のトランジスタ動作について説明する。
ース、ドレイン電極 ＡｕＧｅ／＾Ｕをデポジション後、合金化９．１０−ｍ
−選択電極形成用イオン注入領域注入イオンＳｅ（セレ
ン）、注入濃度 ピーク濃度で５ｘ １０１１１ ｃｍ−’次に、本発明
の実施例のトランジスタ動作について説明する。
３のｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ層（Ｓｔドープ
層）からの電子のうち、Ｉ Ｘ １０１３ ａｍ−２は
２のｐ＋＋−ＧａＡｓプレーナドープ層（Ｂｅドープ層
）のアクセプタを埋めるためにフリーキャリアとはなら
ない。したがって、ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ
層３に１×１０Ｉ２ｃｆ１１″″２の電子、２のｐ”
−ＧａＡｓプレーナドープ層にＩ Ｘ １０” ｅｌｍ
−２の正孔がメ￥れフリーキャリアとして残る。これら
、２つの層は、１００人のノンドープ層、即ちノンドー
プＧａＡｓ層１１，１２（厚味各５人）と４のノンドー
プｉＡｓ層（厚味９０人）により隔てられるために、先
に述べた電子−正孔対超伝導機構によって、低温下で超
伝導となる。超伝導領域は、選択電極形成用のイオン注
入領域９，１０を除く部分である。 この超伝導により
、電子と正孔は同一方向に運動し、全体として電流はキ
ャンセルされるため、そのままではトランジスタ動作が
できないため、ソース、ドレインの選択電極９．１０に
より、電子による電流のみを取出す。そして、この電子
の濃度は、ゲート電極６により、５のｎ −ＧａＡｓ層
領域での空乏層をコントロールすることにより制御され
る。
層）からの電子のうち、Ｉ Ｘ １０１３ ａｍ−２は
２のｐ＋＋−ＧａＡｓプレーナドープ層（Ｂｅドープ層
）のアクセプタを埋めるためにフリーキャリアとはなら
ない。したがって、ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ
層３に１×１０Ｉ２ｃｆ１１″″２の電子、２のｐ”
−ＧａＡｓプレーナドープ層にＩ Ｘ １０” ｅｌｍ
−２の正孔がメ￥れフリーキャリアとして残る。これら
、２つの層は、１００人のノンドープ層、即ちノンドー
プＧａＡｓ層１１，１２（厚味各５人）と４のノンドー
プｉＡｓ層（厚味９０人）により隔てられるために、先
に述べた電子−正孔対超伝導機構によって、低温下で超
伝導となる。超伝導領域は、選択電極形成用のイオン注
入領域９，１０を除く部分である。 この超伝導により
、電子と正孔は同一方向に運動し、全体として電流はキ
ャンセルされるため、そのままではトランジスタ動作が
できないため、ソース、ドレインの選択電極９．１０に
より、電子による電流のみを取出す。そして、この電子
の濃度は、ゲート電極６により、５のｎ −ＧａＡｓ層
領域での空乏層をコントロールすることにより制御され
る。
以上の実施例において、ｎ ” −ＧａＡｓプレーナド
ープ層３と、２のｐ” ＧａＡｓプレーナドープ層の
ドーピング濃度に差をつけて正孔濃度の方を増すように
している理由をさらに詳しく説明する。
ープ層３と、２のｐ” ＧａＡｓプレーナドープ層の
ドーピング濃度に差をつけて正孔濃度の方を増すように
している理由をさらに詳しく説明する。
もし、２の電子層と３の正孔層の電子流と正孔流とが同
じであったとすると、電子層３の電子はドレインの選択
電極により外部回路に取出され、再びソースの選択電極
を介して電子チャネル３に戻るという閉ループを形成す
るのに対して、正孔チャネル２には電極が形成されてい
ないため、正孔チャネル２内のパスを流れるのみである
から正孔はドレインの選択電極近くに滞留することにな
る。
じであったとすると、電子層３の電子はドレインの選択
電極により外部回路に取出され、再びソースの選択電極
を介して電子チャネル３に戻るという閉ループを形成す
るのに対して、正孔チャネル２には電極が形成されてい
ないため、正孔チャネル２内のパスを流れるのみである
から正孔はドレインの選択電極近くに滞留することにな
る。
それにより正孔の流れを阻害する電界が正孔層内に発生
し、正孔の流れが阻害されることにより、電子−正孔対
合成粒子の他方の対の電子の数が減少し、超伝導でなく
なる。
し、正孔の流れが阻害されることにより、電子−正孔対
合成粒子の他方の対の電子の数が減少し、超伝導でなく
なる。
そこで、本発明のように、正孔層２の正孔濃度を高くし
ておくと、正孔層２の正孔のうち、電子層３の電子数と
同じ数の正孔は電子−正孔対超伝導機構により超伝導化
する。そして、残りの曇亨傷−十曇墨曇正孔は正孔層・
３内のパスを常伝導で流れる。ここで、第１Ｂ図の電流
径路のように正孔層２内のパスを流れる正孔流りは常伝
導で流れる正孔層だけ従来例より流れ易くなるから、正
孔の局所的蓄積が少なくなり、電子−正孔対超伝導機構
による超伝導が阻害されることが防止される。
ておくと、正孔層２の正孔のうち、電子層３の電子数と
同じ数の正孔は電子−正孔対超伝導機構により超伝導化
する。そして、残りの曇亨傷−十曇墨曇正孔は正孔層・
３内のパスを常伝導で流れる。ここで、第１Ｂ図の電流
径路のように正孔層２内のパスを流れる正孔流りは常伝
導で流れる正孔層だけ従来例より流れ易くなるから、正
孔の局所的蓄積が少なくなり、電子−正孔対超伝導機構
による超伝導が阻害されることが防止される。
次に、本実施例において、プレーナドーピングを用いて
いる点を説明する。
いる点を説明する。
電子層３および正孔層２のドーピングを通常のドーピン
グにより単に高濃度に行なうと、ｎ層からｐ層に電子が
移ることによる空乏層のために、電子層と正孔層との距
離が大きくなり非常に低温でしか超伝導化しない。これ
に対して、本実施例のようにプレーナドーピングを行な
うと、ドーピング濃度が極高いので、空乏層は形成され
ず、絶縁層を挾んで発生する電子−正孔対超伝導機構に
より超伝導が起るのである。なお、上記において、ソー
ス、ドレインの選択電極を形成する層を電子層としたが
、正孔層にソース、ドレインの選択電極を形成するよう
にして、正孔層と電子層のドーピング濃度を電子層の方
が高くなるようにしても良い。
グにより単に高濃度に行なうと、ｎ層からｐ層に電子が
移ることによる空乏層のために、電子層と正孔層との距
離が大きくなり非常に低温でしか超伝導化しない。これ
に対して、本実施例のようにプレーナドーピングを行な
うと、ドーピング濃度が極高いので、空乏層は形成され
ず、絶縁層を挾んで発生する電子−正孔対超伝導機構に
より超伝導が起るのである。なお、上記において、ソー
ス、ドレインの選択電極を形成する層を電子層としたが
、正孔層にソース、ドレインの選択電極を形成するよう
にして、正孔層と電子層のドーピング濃度を電子層の方
が高くなるようにしても良い。
以上のように、本発明によれば、プレーナドープにより
電子層および正孔層を絶縁層を挾んで形成し、且つ選択
電極により、電子層または正孔層に選択的にオーミック
コンタクトし、電子流または正孔流の一方を取出すこと
により、電子−正孔対超伝導効果を用いたトランジスタ
を実現できる。
電子層および正孔層を絶縁層を挾んで形成し、且つ選択
電極により、電子層または正孔層に選択的にオーミック
コンタクトし、電子流または正孔流の一方を取出すこと
により、電子−正孔対超伝導効果を用いたトランジスタ
を実現できる。
また、電子−正孔対超伝導機構を利用したトランジスタ
の正孔の蓄積（正孔流を取出す場合は電子の蓄積）を、
電子層と正孔層にドーピング濃度差をつけることにより
、防ぐことができ、電子−正孔対超伝導機構を利用した
高速なトランジスタを提供することが可能になる。
の正孔の蓄積（正孔流を取出す場合は電子の蓄積）を、
電子層と正孔層にドーピング濃度差をつけることにより
、防ぐことができ、電子−正孔対超伝導機構を利用した
高速なトランジスタを提供することが可能になる。
第１Ａ図は本発明の実施例の断面図、第１Ｂ図は実施例
の電流径路の説明図、第２図は実施例のエネルギバンド
図である。 １−半導体絶縁性（Ｓ Ｉ ） ＧａＡｓ基板１１−ノ
ンドープＧａＡｓ層 ２−・ｐ ” −ＧａＡｓブレーナドープ層３−−−
ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ層４−ノンドープＧ
ａＡｓ層 ５−−− ｎ −ＧａＡｓ層
の電流径路の説明図、第２図は実施例のエネルギバンド
図である。 １−半導体絶縁性（Ｓ Ｉ ） ＧａＡｓ基板１１−ノ
ンドープＧａＡｓ層 ２−・ｐ ” −ＧａＡｓブレーナドープ層３−−−
ｎ ” −ＧａＡｓプレーナドープ層４−ノンドープＧ
ａＡｓ層 ５−−− ｎ −ＧａＡｓ層
Claims (2)
- （１）プレーナドーピングによる近接した電子層および
正孔層からなる電子−正孔対超伝導体の電子層或いは正
孔層の一方に選択的にオーミック接触するソースおよび
ドレインの選択電極を備えるとともに、更に該電子層ま
たは正孔層のキャリアの濃度を制御する制御電極を備え
ることを特徴とする高速半導体装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の高速半導体装置にお
いて、 前記電子層または正孔層のうち、ソースおよびドレイン
の選択電極がオーミックに接触する層のドーピング濃度
をｎ＿１、他方の層のドレイン濃度をｎ＿２とするとき
、 ｎ＿１＜ｎ＿２ としてなることを特徴とする高速半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143803A JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143803A JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63173A true JPS63173A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0770705B2 JPH0770705B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=15347342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143803A Expired - Fee Related JPH0770705B2 (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | 高速半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770705B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175471A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
| EP0331527A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Superconductive transistor |
| EP0828296A2 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-11 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143803A patent/JPH0770705B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63175471A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
| EP0331527A2 (en) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Superconductive transistor |
| EP0828296A2 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-11 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
| EP0828296A3 (en) * | 1996-09-03 | 1998-03-18 | International Business Machines Corporation | High temperature superconductivity in strained Si/SiGe |
| KR100293400B1 (ko) * | 1996-09-03 | 2001-07-12 | 포만 제프리 엘 | 초전도체구조및이의응용장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770705B2 (ja) | 1995-07-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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