JPS63162511A - 窒化ケイ素の製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素の製造方法Info
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- JPS63162511A JPS63162511A JP30819086A JP30819086A JPS63162511A JP S63162511 A JPS63162511 A JP S63162511A JP 30819086 A JP30819086 A JP 30819086A JP 30819086 A JP30819086 A JP 30819086A JP S63162511 A JPS63162511 A JP S63162511A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産 土の1
この発明はシリカ還元法による窒化ケイ素の製造方法に
関するものである。
関するものである。
先り匹1L
高純度の窒化ケイ素を経済的に製造する方法として、シ
リカとカーボンの混合物を窒素雰囲気中で加熱するシリ
カ還元法は公知である。例えば、特公昭54−2391
7号公報においては、シリカ粉末と、カーボン粉末と、
窒化ケイ素粉末、炭化ケイ素粉末、酸窒化ケイ素系粉末
のうち少なくともいずれか1種とからなる混合粉末を、
窒素を含む雰囲気中で加熱処理して、還元窒化反応させ
る窒化ケイ素粉末の製造方法が提案されている。
リカとカーボンの混合物を窒素雰囲気中で加熱するシリ
カ還元法は公知である。例えば、特公昭54−2391
7号公報においては、シリカ粉末と、カーボン粉末と、
窒化ケイ素粉末、炭化ケイ素粉末、酸窒化ケイ素系粉末
のうち少なくともいずれか1種とからなる混合粉末を、
窒素を含む雰囲気中で加熱処理して、還元窒化反応させ
る窒化ケイ素粉末の製造方法が提案されている。
口が ゛しよ〜と
従来のシリカ還元法による窒化ケイ素の製造方法にあっ
ては、製造された窒化ケイ素粉末中に比較的多量の炭素
が含有されることを避は得なかった。
ては、製造された窒化ケイ素粉末中に比較的多量の炭素
が含有されることを避は得なかった。
しかしながら、窒化ケイ素粉末中の含有炭素は、周知の
ように粉末を焼結する際に焼結体の緻密化を阻害するた
め、含有炭素量は可能な限り低減する必要がある。
ように粉末を焼結する際に焼結体の緻密化を阻害するた
め、含有炭素量は可能な限り低減する必要がある。
11悲国立
この発明は前述のような従来技術の現状に鑑みて、窒化
ケイ素中の含有炭素量を大幅に減少させることのできる
窒化ケイ素の製造方法を提供することを目的としている
。
ケイ素中の含有炭素量を大幅に減少させることのできる
窒化ケイ素の製造方法を提供することを目的としている
。
Luと最上−
前述の目的を達成するために、この発明はシリカ還元法
による窒化ケイ素の製造方法において、シリカとカーボ
ンの混合物をNH3とN2との混合ガス中で加熱するこ
とを特徴とする窒化ケイ素の製造方法を要旨としている
。
による窒化ケイ素の製造方法において、シリカとカーボ
ンの混合物をNH3とN2との混合ガス中で加熱するこ
とを特徴とする窒化ケイ素の製造方法を要旨としている
。
ム 、を ′するための
この発明による窒化ケイ素の製造方法においては、シリ
カとカーボンの混合物を(種子粉末を添加し又は添加せ
ずに>NH3とN2どの混合ガス中で加熱する。それに
より窒化ケイ素粉末中の含有炭素量を大幅に低減するも
のである。
カとカーボンの混合物を(種子粉末を添加し又は添加せ
ずに>NH3とN2どの混合ガス中で加熱する。それに
より窒化ケイ素粉末中の含有炭素量を大幅に低減するも
のである。
本発明者等は、シリカ還元法における窒化ケイ素粉末へ
の炭素含有の原因について究明したところ、従来考えら
れていたものと異なる原因を明らかにすることができた
。従来は、原料カーボンがシリカを還元するのに必要な
量よりも過剰に配合されており、そのため合成後に余剰
のカーボンを大気中で加熱して酸化除去していたことか
ら、窒化ケイ素への炭素含有の原因は原料カーボンが未
脱炭のまま残留しているからだと考えられていた。しか
しながら、本発明者等の研究の結果、含有炭素は合成中
に生成されるものであり、窒化ケイ素粉末の内部に存在
していることを発見した。それゆえ、窒化ケイ素粉末の
外部からの酸化によっては含有炭素を効果的に除去しが
たいということを究明した。
の炭素含有の原因について究明したところ、従来考えら
れていたものと異なる原因を明らかにすることができた
。従来は、原料カーボンがシリカを還元するのに必要な
量よりも過剰に配合されており、そのため合成後に余剰
のカーボンを大気中で加熱して酸化除去していたことか
ら、窒化ケイ素への炭素含有の原因は原料カーボンが未
脱炭のまま残留しているからだと考えられていた。しか
しながら、本発明者等の研究の結果、含有炭素は合成中
に生成されるものであり、窒化ケイ素粉末の内部に存在
していることを発見した。それゆえ、窒化ケイ素粉末の
外部からの酸化によっては含有炭素を効果的に除去しが
たいということを究明した。
本発明者等の研究成果によれば、窒化ケイ素粉末への炭
素混入の原因は次のとおりである。
素混入の原因は次のとおりである。
シリカ還元反応は次のような反応によって進行する。式
中、Sは固体、Gは気体をそれぞれ示す。
中、Sは固体、Gは気体をそれぞれ示す。
Si 02 (S)+C(S)
−8i O(G) +CO(G)
Si O(G) +C(S)
一8i (G)+CO(G)
3Si (G)+2N2 (G)
→3i 3 N4 (S)
反応系内のN2分圧が低い場合や、局部的にCoIl度
が高くなった場合は、前述の第1番目および第2番目の
式の逆反応が起こり、C(S)が析出し、生成中の窒化
ケイ素粉末内に炭素が取り込まれる。
が高くなった場合は、前述の第1番目および第2番目の
式の逆反応が起こり、C(S)が析出し、生成中の窒化
ケイ素粉末内に炭素が取り込まれる。
また、シリカ還元反応の熱力学平衡関係において、N2
分圧と00分圧とで関係づけられる凝縮相の安定関係を
示すと、第1図のようになる。これは1427℃の例を
示すものであり、5i−C−N−0系の凝縮相の安定関
係を示している。このような系では、凝縮相としてSi
3N4、SiC,5iOzおよびCが存在するが、Si
3 N4の生成領域においてもCはSi 3 N4と
平衡に存在し得る。
分圧と00分圧とで関係づけられる凝縮相の安定関係を
示すと、第1図のようになる。これは1427℃の例を
示すものであり、5i−C−N−0系の凝縮相の安定関
係を示している。このような系では、凝縮相としてSi
3N4、SiC,5iOzおよびCが存在するが、Si
3 N4の生成領域においてもCはSi 3 N4と
平衡に存在し得る。
したがって、Si3N4の合成過程でCはSi 3 N
4粉末の内部に取り込まれる。
4粉末の内部に取り込まれる。
以上述べたような原因により反応過程で生成したCがS
i 3 N4粉末の内部に取り込まれ、その結果、窒化
ケイ素粉末中に炭素が含有されるのである。
i 3 N4粉末の内部に取り込まれ、その結果、窒化
ケイ素粉末中に炭素が含有されるのである。
したがって、Si 3 N4粉末中のCff1を低減す
るには、合成時雰囲気中のCO濃度を低くする、可逆反
応によって生成するCを何らかの方法で除去する、ある
いは両者を同時に行う等の方法が考えられる。本発明者
らはここれを行うだめの具体的な方法について種々の実
験検討を行った結果、N2ガス中にNH3ガスを添加、
混合する方法が最も効果的であることを発見し、この発
明を完成するに至った。
るには、合成時雰囲気中のCO濃度を低くする、可逆反
応によって生成するCを何らかの方法で除去する、ある
いは両者を同時に行う等の方法が考えられる。本発明者
らはここれを行うだめの具体的な方法について種々の実
験検討を行った結果、N2ガス中にNH3ガスを添加、
混合する方法が最も効果的であることを発見し、この発
明を完成するに至った。
N2ガスにNH3ガスを添加、混合することにより、反
応過程で生成するCOガスは次の反応により除去される
。
応過程で生成するCOガスは次の反応により除去される
。
Co (G)+2NH3(G)→CH4(G)+H20
+N2・・・・・・(4) 2GO(G)+2NH3(G)→C2N2(G)+28
20 (G)+N2 (G)また、合成過程で生成す
るCは次の反応式により除去される。
+N2・・・・・・(4) 2GO(G)+2NH3(G)→C2N2(G)+28
20 (G)+N2 (G)また、合成過程で生成す
るCは次の反応式により除去される。
3C(S)+4NH3(G)→3CH4(G)+2Nz
(G)・・・(5) 6C(S)+2NH3(G)→3C2H2(G)+N2
(G)・・・(6) このようにしてCOおよびCを除去してやれば、合成さ
れた窒化ケイ素粉末の内部にCが取込まれることはない
。
(G)・・・(5) 6C(S)+2NH3(G)→3C2H2(G)+N2
(G)・・・(6) このようにしてCOおよびCを除去してやれば、合成さ
れた窒化ケイ素粉末の内部にCが取込まれることはない
。
1克i
平均粒径20μmを有する5iOz(シリカ)粉末と、
平均粒径40μmを有するC(カーボンブラック)粉末
と、平均粒径0゜1μmを有するSi3N4 (窒化ケ
イ素)粉末を表1に示す割合で配合し、一部のものにつ
いては触媒を添加し、表1に示す条件で還元窒化処理お
よび脱炭処理を行なった。
平均粒径40μmを有するC(カーボンブラック)粉末
と、平均粒径0゜1μmを有するSi3N4 (窒化ケ
イ素)粉末を表1に示す割合で配合し、一部のものにつ
いては触媒を添加し、表1に示す条件で還元窒化処理お
よび脱炭処理を行なった。
そのようにして得られた窒化ケイ素粉末を調べたところ
、含有炭素Mが極めて少ないことが明らかとなった。
、含有炭素Mが極めて少ないことが明らかとなった。
また、表1に示す3つの比較例についても実験した。こ
れらの比較例においては、NH3を含まないN2 (
窒素)のみの雰囲気で還元窒化処理を行なった。
れらの比較例においては、NH3を含まないN2 (
窒素)のみの雰囲気で還元窒化処理を行なった。
また、実施例1および比較例7の生成粉末を用いて焼結
体の特性比較を行なった。それぞレノ粉末に−Y203
5重量部とへ92035重吊部を添加し、n−ブタノー
ル中で40時間混合した。その後、溶媒を蒸発させて得
られた混合粉をタテ50mm、ヨコ5Qmm1厚み40
mmになるように金型で成形したのち、1ton /c
m2の圧力で混合粉をラバープレスにより加圧成形し
て成形体を得た。この成形体を1760℃の窒素雰囲気
中で3時間焼成したところ、実施例1の粉末を使用した
焼結体のかさ密度が3.18(1/c m3であるのに
対し、比較例7の方は2.91(1/c m3であり、
比較例の方は極めて低い値であった。
体の特性比較を行なった。それぞレノ粉末に−Y203
5重量部とへ92035重吊部を添加し、n−ブタノー
ル中で40時間混合した。その後、溶媒を蒸発させて得
られた混合粉をタテ50mm、ヨコ5Qmm1厚み40
mmになるように金型で成形したのち、1ton /c
m2の圧力で混合粉をラバープレスにより加圧成形し
て成形体を得た。この成形体を1760℃の窒素雰囲気
中で3時間焼成したところ、実施例1の粉末を使用した
焼結体のかさ密度が3.18(1/c m3であるのに
対し、比較例7の方は2.91(1/c m3であり、
比較例の方は極めて低い値であった。
本件発明による窒化ケイ素の製造方法における最適の条
件について説明すると、混合ガス中のNH3の割合はo
、oi〜60容量%が適当であり、残りをN2単独また
はN2を含有する不活性ガスまたは非酸化性ガスを含有
するようにする。NH3の階が0.01%より小さい場
合には顕著なC聞低減効果が得られない。また、NH3
の量が60%より多い場合は、(5)、(6)式により
原料中のCが消耗されるのみならず、次式により3Si
03 +4NH3→ Si 3N4 +6)+20 により、多量のN20を生成し、このN20が、3i
3 N4を酸化するので好ましくない。
件について説明すると、混合ガス中のNH3の割合はo
、oi〜60容量%が適当であり、残りをN2単独また
はN2を含有する不活性ガスまたは非酸化性ガスを含有
するようにする。NH3の階が0.01%より小さい場
合には顕著なC聞低減効果が得られない。また、NH3
の量が60%より多い場合は、(5)、(6)式により
原料中のCが消耗されるのみならず、次式により3Si
03 +4NH3→ Si 3N4 +6)+20 により、多量のN20を生成し、このN20が、3i
3 N4を酸化するので好ましくない。
カーボンは5iOz1重量部に対し0.4〜10重最部
に選ぶ。Si 021重量部当り還元するのに必要なC
は0.4重量部である。
に選ぶ。Si 021重量部当り還元するのに必要なC
は0.4重量部である。
0.4重量部より少ないとSiO2は未反応となる。i
omm部より多いと5iOzの還元には過剰であり、
脱炭に多大のエネルギーを貸すことになる。また、加熱
温度は800〜1500℃にするのが好ましい。加熱温
度が800℃よりも低いと実質的に反応が進まないこと
があり得る。また、1500℃よりも高いと、SiCが
生成し、高純度のSi3N4が得難くなる。
omm部より多いと5iOzの還元には過剰であり、
脱炭に多大のエネルギーを貸すことになる。また、加熱
温度は800〜1500℃にするのが好ましい。加熱温
度が800℃よりも低いと実質的に反応が進まないこと
があり得る。また、1500℃よりも高いと、SiCが
生成し、高純度のSi3N4が得難くなる。
この発明による窒化ケイ素の製造方法においては、シリ
カ還元法によるにもかかわらず炭素含有量が極端に少な
い窒化ケイ素を得ることができる。
カ還元法によるにもかかわらず炭素含有量が極端に少な
い窒化ケイ素を得ることができる。
なお、原料中に種子粉末としてSi3N4、Si C,
Si 2 N20、Si等を添加することができる。ざ
らに原料の中に触媒としてMO、Ca 1Zr 、 B
e 1Sr 1Sn 、Ge 。
Si 2 N20、Si等を添加することができる。ざ
らに原料の中に触媒としてMO、Ca 1Zr 、 B
e 1Sr 1Sn 、Ge 。
Ti 、Hfやこれらの化合物などを添加することがで
きる。
きる。
第1図は5i−C−N−0系の凝縮相の安定関係を示す
。 4−′二。 代理人 弁理士 田辺 徹ゝ、J、 /、□第1図 1427℃ log l)co(atm) 昭和62年4月2L3 日
。 4−′二。 代理人 弁理士 田辺 徹ゝ、J、 /、□第1図 1427℃ log l)co(atm) 昭和62年4月2L3 日
Claims (7)
- (1)シリカ還元法による窒化ケイ素の製造方法におい
て、シリカとカーボンの混合物をNH_3とN_2との
混合ガス中で加熱することを特徴とする窒化ケイ素の製
造方法。 - (2)混合ガスの混合比は、NH_3が0.01〜60
容量%である特許請求の範囲第1項に記載した窒化ケイ
素の製造方法。 - (3)混合ガスの混合比は、NH_3が1〜40容量%
である特許請求の範囲第1項に記載された窒化ケイ素の
製造方法。 - (4)加熱温度が800〜1500℃である特許請求の
範囲第1項、第2項又は第3項に記載された窒化ケイ素
の製造方法。 - (5)加熱温度が1200〜1500℃である特許請求
の範囲第1項、第2項又は第3項に記載された窒化ケイ
素の製造方法。 - (6)混合物の混合比がシリカ1重量部に対しカーボン
0.4〜10重量部%である特許請求の範囲第1項〜第
5項のいずれか1項に記載された窒化ケイ素の製造方法
。 - (7)窒化ケイ素の総炭素含有量が0.5重量%以下に
なるようにした特許請求の範囲第1項〜第5項のいずれ
か1項に記載された窒化ケイ素の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30819086A JPS63162511A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 窒化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30819086A JPS63162511A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 窒化ケイ素の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63162511A true JPS63162511A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=17977997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30819086A Pending JPS63162511A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 窒化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63162511A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5461481A (en) * | 1992-12-29 | 1995-10-24 | Research Technology International Company | System, apparatus and/or method for analyzing light intensities of light reflected from a surface of a sample |
US5525556A (en) * | 1994-04-14 | 1996-06-11 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite powders |
JP2009161376A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toda Kogyo Corp | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
US8147605B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-04-03 | Elkem Solar As | Coating composition for a mould |
CN106892665A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-06-27 | 华泽庆 | 一种用低品位硅藻土制造氮化硅的制备方法 |
CN106986652A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-07-28 | 华泽庆 | 一种用硅藻土制造氮化硅陶瓷产品的制备方法 |
WO2023189539A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | デンカ株式会社 | 窒化ケイ素粉末及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP30819086A patent/JPS63162511A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5461481A (en) * | 1992-12-29 | 1995-10-24 | Research Technology International Company | System, apparatus and/or method for analyzing light intensities of light reflected from a surface of a sample |
US5525556A (en) * | 1994-04-14 | 1996-06-11 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite powders |
US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
US5643843A (en) * | 1994-04-14 | 1997-07-01 | The Dow Chemical Company | Silicon nitride/silicon carbide composite densified materials prepared using composite powders |
US8147605B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-04-03 | Elkem Solar As | Coating composition for a mould |
JP2009161376A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toda Kogyo Corp | 窒化ケイ素粉末の製造法 |
CN106892665A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-06-27 | 华泽庆 | 一种用低品位硅藻土制造氮化硅的制备方法 |
CN106986652A (zh) * | 2017-04-21 | 2017-07-28 | 华泽庆 | 一种用硅藻土制造氮化硅陶瓷产品的制备方法 |
WO2023189539A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | デンカ株式会社 | 窒化ケイ素粉末及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 |
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