JPS6316040A - 粉粒体の熱処理方法 - Google Patents
粉粒体の熱処理方法Info
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- JPS6316040A JPS6316040A JP7187886A JP7187886A JPS6316040A JP S6316040 A JPS6316040 A JP S6316040A JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP S6316040 A JPS6316040 A JP S6316040A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2/00—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
- B01J2/16—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic by suspending the powder material in a gas, e.g. in fluidised beds or as a falling curtain
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
本発明は、例えば、七メント原料扮などを、圧力損失が
少なく、゛かつ、炉径の大きい噴流層炉で造粒焼成する
方法に関する。
少なく、゛かつ、炉径の大きい噴流層炉で造粒焼成する
方法に関する。
噴流層炉をスケールアップする場合、第4図a。
b、 c、 dに示すように、炉径りを大きくすると層
高りが増加する。炉の圧力損失(層差圧)は、hに比例
するので、第5図に示すように炉径りの大型化により層
差圧ΔPが増加する。この層差圧ΔPの増加は、電力消
費量の増加につながり、非常に不利である。
高りが増加する。炉の圧力損失(層差圧)は、hに比例
するので、第5図に示すように炉径りの大型化により層
差圧ΔPが増加する。この層差圧ΔPの増加は、電力消
費量の増加につながり、非常に不利である。
噴流層炉42を用いて、例えばセメント原料粉をM温度
1300−1450℃で熱処理することによって、数1
0Ilyaのセメント原料粉は、微開の大きな粒子に造
粒することができる。そのもっとも基本的なシステムを
第6図に示しているが、セメント原料を予熱部41で予
熱し、噴流層炉42に連続供給すると、新しい粒子が生
成されて成長するが、1300〜1450℃の温度条件
に保っても、投入したセメント原料粉の全てが完全に造
粒されない。造粒されないセメント原料粉は炉から飛散
する。このため炉出口部には、飛散ダストの分gl響4
3を設けて捕集したセメント原料粉を炉に戻す方法がと
られている。即ち、炉での造粒率を100%にするため
には、第6図で示すようにゲスト分離器43(サイクロ
ンなど)を設け、セメント原料粉を循環する必要がある
。
1300−1450℃で熱処理することによって、数1
0Ilyaのセメント原料粉は、微開の大きな粒子に造
粒することができる。そのもっとも基本的なシステムを
第6図に示しているが、セメント原料を予熱部41で予
熱し、噴流層炉42に連続供給すると、新しい粒子が生
成されて成長するが、1300〜1450℃の温度条件
に保っても、投入したセメント原料粉の全てが完全に造
粒されない。造粒されないセメント原料粉は炉から飛散
する。このため炉出口部には、飛散ダストの分gl響4
3を設けて捕集したセメント原料粉を炉に戻す方法がと
られている。即ち、炉での造粒率を100%にするため
には、第6図で示すようにゲスト分離器43(サイクロ
ンなど)を設け、セメント原料粉を循環する必要がある
。
上述したように、噴流層炉の大型化に伴い炉の圧力損失
が大きくなるので、従来では第7図に示すように、ガス
導入部(炉下部のコーン部)の複数化が提案されており
、造粒をうまくするためには、ガス導入部の数に相当す
る数の原料投入シュートを設ける必要がある。
が大きくなるので、従来では第7図に示すように、ガス
導入部(炉下部のコーン部)の複数化が提案されており
、造粒をうまくするためには、ガス導入部の数に相当す
る数の原料投入シュートを設ける必要がある。
例えば、第7図において、小領域のガス導入部1と3の
みにシュー1−7.8からセメント原料粉を投入し、燃
料は4,5.6から何れも同量投入している場合、造粒
温度、即ち、層温度1300〜1450℃に対して比較
的低い温度(約850℃)に予熱されたセメント原料粉
を投入する故、ガス導入部1,3の温度を一定に保つた
めには、4と6の燃料を増加することになる。
みにシュー1−7.8からセメント原料粉を投入し、燃
料は4,5.6から何れも同量投入している場合、造粒
温度、即ち、層温度1300〜1450℃に対して比較
的低い温度(約850℃)に予熱されたセメント原料粉
を投入する故、ガス導入部1,3の温度を一定に保つた
めには、4と6の燃料を増加することになる。
一方、原料粉の入らないガス導入部2は、5の燃料を減
少することになる。この結果、ガス導入部2は酸素が残
余することになり、炉出口の排ガス中の02濃度を一定
にするとすれば、ガス導入部1、および3は空気比の少
ない、詳しくは、02 i11度の低い条件での燃焼と
な咋、不利となる。
少することになる。この結果、ガス導入部2は酸素が残
余することになり、炉出口の排ガス中の02濃度を一定
にするとすれば、ガス導入部1、および3は空気比の少
ない、詳しくは、02 i11度の低い条件での燃焼と
な咋、不利となる。
また第7図に示すノズル9から、例えば粗粒炭などの燃
料を投入した場合、燃料を多く必要とする原料粉が供給
されるガス導入部1と3にのみ燃料を投入することは技
術的に困難であり、このため原料粉の供給口のないガス
導入部2の温度が高くなり、アフロメイシヲントラブル
が生じ、不利である。
料を投入した場合、燃料を多く必要とする原料粉が供給
されるガス導入部1と3にのみ燃料を投入することは技
術的に困難であり、このため原料粉の供給口のないガス
導入部2の温度が高くなり、アフロメイシヲントラブル
が生じ、不利である。
本発明は、このような実情に鑑みなされたもので、簡単
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、分割小領域化された一部のガス導入部に予熱部から
の粉粒体を供給し、残りのガス導入部にゲスト分viI
i?にて捕集した粉粒体を供給することにより、各ガス
導入部に温度差が生ぜず、アフロメイシアンが起こらな
い長期安定運転が可能な方法を提供せんとするものであ
る。
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、分割小領域化された一部のガス導入部に予熱部から
の粉粒体を供給し、残りのガス導入部にゲスト分viI
i?にて捕集した粉粒体を供給することにより、各ガス
導入部に温度差が生ぜず、アフロメイシアンが起こらな
い長期安定運転が可能な方法を提供せんとするものであ
る。
従来技術の問題点を解決する本発明の構成は、粉粒体の
熱処理炉の下部が複数のガス導入部からなる噴流層炉に
、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と粉粒体の熱処理
を行うようにした方法において、上記一部のガス導入部
に、予熱部からの粉粒体を供給し、残りのガス導入部に
、ダスト分離器にて捕集した粉粒体を供給するようにし
たことを特徴とするものである。
熱処理炉の下部が複数のガス導入部からなる噴流層炉に
、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と粉粒体の熱処理
を行うようにした方法において、上記一部のガス導入部
に、予熱部からの粉粒体を供給し、残りのガス導入部に
、ダスト分離器にて捕集した粉粒体を供給するようにし
たことを特徴とするものである。
〔実施例1〕 (第1図)
第1図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部を4個の
ガス導入部12.13.14.15に分割小領域化させ
たもので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱し
た粉粒体をガス導入部15にのみ投入するようにし、更
に、造粒されずに層から飛び出しな粉粒体を3個のダス
ト分離器17.18.19にて捕集分配して、このダス
ト分gll#17.18.19から各別に上記ガス導入
部12.13.14に対し供給するようにしたものであ
る。20は粗粒炭などの燃料供給ノズルで、各ガス導入
部12〜15に均等に燃料が散布供給される。尚この燃
料供給ノズルに代え、各ガス導入部の下部から各別に燃
料を供給するようにしてもよい。このようにして噴流層
炉のスケールアップが行われる。
ガス導入部12.13.14.15に分割小領域化させ
たもので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱し
た粉粒体をガス導入部15にのみ投入するようにし、更
に、造粒されずに層から飛び出しな粉粒体を3個のダス
ト分離器17.18.19にて捕集分配して、このダス
ト分gll#17.18.19から各別に上記ガス導入
部12.13.14に対し供給するようにしたものであ
る。20は粗粒炭などの燃料供給ノズルで、各ガス導入
部12〜15に均等に燃料が散布供給される。尚この燃
料供給ノズルに代え、各ガス導入部の下部から各別に燃
料を供給するようにしてもよい。このようにして噴流層
炉のスケールアップが行われる。
〔実施例2〕 (第2図)
第2図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部を4個の
ガス導入部21.22.23.24に分割小領域化した
もので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱した
粉粒体を、シュート分岐ダンパー25にて2分してガス
導入部23.24に投入し、更に、造粒されずに層から
飛び出しな粉粒体を1個のダスト分離器26にて捕集し
、この捕集粉粒体をシュート分岐ダンパー27で2分し
てガス導入部21.22に戻すようにしたものである。
ガス導入部21.22.23.24に分割小領域化した
もので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱した
粉粒体を、シュート分岐ダンパー25にて2分してガス
導入部23.24に投入し、更に、造粒されずに層から
飛び出しな粉粒体を1個のダスト分離器26にて捕集し
、この捕集粉粒体をシュート分岐ダンパー27で2分し
てガス導入部21.22に戻すようにしたものである。
また、燃料系は上記第1実施例と同一であるので説明を
省略する。
省略する。
〔実施例3〕 (第3図)
第3図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部を炉径の
小さい2個のガス導入部28.29と、これよりも炉径
の大きな1個のガス導入部30とに分割小領域化したも
ので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱した粉
粒体を、上記大きなガス導入部30に供給し、更に、造
粒されずに層から飛び出しな粉粒体を1個のダスト分g
t器31にて捕良し、この捕集粉粒体をシュート分岐ダ
ンパー32で2分してガス導入部28.29に戻すよう
にしたものである。
小さい2個のガス導入部28.29と、これよりも炉径
の大きな1個のガス導入部30とに分割小領域化したも
ので、セメント原料の粉粒体を予熱部16で予熱した粉
粒体を、上記大きなガス導入部30に供給し、更に、造
粒されずに層から飛び出しな粉粒体を1個のダスト分g
t器31にて捕良し、この捕集粉粒体をシュート分岐ダ
ンパー32で2分してガス導入部28.29に戻すよう
にしたものである。
また、ガス導入部28.29は他のガス導入部30に比
べて炉径が小さいので圧力損失も小さい。従って、該ガ
ス導入部28.29の空気導入’1’!’33.34に
可変オリフィス33m、 34aをとりつけて、総ての
ガス導入部?8、29.30の圧力損失を一定にしてい
る。尚、燃料系は上記第1実施例と同一であるので、説
明を省略する。
べて炉径が小さいので圧力損失も小さい。従って、該ガ
ス導入部28.29の空気導入’1’!’33.34に
可変オリフィス33m、 34aをとりつけて、総ての
ガス導入部?8、29.30の圧力損失を一定にしてい
る。尚、燃料系は上記第1実施例と同一であるので、説
明を省略する。
上述のように本発明の構成によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
(a) 噴流層炉の炉径が大きくなっても、その圧力
損失が小さくでき、電力消費量が低減しうろことは勿論
のこと、 (b) 炉内の各小領域化されたガス導入部に温度差
ができず、従来のように1グロメイショントラブルの発
生が極力回避しうろ。その結果、長期安全運転が可能と
なる。
損失が小さくでき、電力消費量が低減しうろことは勿論
のこと、 (b) 炉内の各小領域化されたガス導入部に温度差
ができず、従来のように1グロメイショントラブルの発
生が極力回避しうろ。その結果、長期安全運転が可能と
なる。
(e) 炉出口で酸素濃度管理をしても、各ガス導入
部間での燃料量の差はあまり大きくないので、不完全燃
焼のガス導入部はない。従って、造粒物の製品性は良好
である。
部間での燃料量の差はあまり大きくないので、不完全燃
焼のガス導入部はない。従って、造粒物の製品性は良好
である。
第1図は第1実施例の、第2図は第2実施例の、第3図
は第3図実施例の説明図、第4図a、 b、 e、 d
は、炉径の大型化による層高の変化を示す説明図。 第5図は層差圧ΔP−炉径り特性図、第6図は基本的な
噴流層炉のシステム説明図、第7図は炉下部を複数の小
領域ガス導入部とした従来例の説明図である。 11・・・噴流層炉、 12.13.14. Is・・
ガス導入部、16・予熱部、 17.18.19・ダス
ト分R藩、20・・・燃料供給ノズル、 21.22.
23.24・・ガス導入部、25・・シュート分岐ダン
パー、26・ダスト分子lA’J14.27・シュート
分岐ダンパー、 28.29.30・ガス導入部、31
・・・ダスト分gi器、32・・シュー−1・分岐ダン
パー、33.34−・・空気導入管、 33m、34m
・−・可変オリフィス。 特許出願人 川崎重工業株式会社 2.″1件4 代 理 人 佐 腎 義
雄・−パさ第1図 11冊 第2図 第3図 第4r1!J (4)cb) (e) cL)千 第5図 炉径O 第7図 手 続 補 正 書、ヵ、) 昭和62年7月29日 昭和61年 特許願 第71878号 2、発明の名称 粉粒体の熱処理方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (097) 川崎重工業株式会社 4、代理人 昭和62年7月1日(昭和62年7月28日発送)6、
補正の対生 明細書 7、補正の内容 別紙のとおり 1、明細書第9頁第9行の「第4図a、 b、 e、
dJを「第4図」と補正する。 以上
は第3図実施例の説明図、第4図a、 b、 e、 d
は、炉径の大型化による層高の変化を示す説明図。 第5図は層差圧ΔP−炉径り特性図、第6図は基本的な
噴流層炉のシステム説明図、第7図は炉下部を複数の小
領域ガス導入部とした従来例の説明図である。 11・・・噴流層炉、 12.13.14. Is・・
ガス導入部、16・予熱部、 17.18.19・ダス
ト分R藩、20・・・燃料供給ノズル、 21.22.
23.24・・ガス導入部、25・・シュート分岐ダン
パー、26・ダスト分子lA’J14.27・シュート
分岐ダンパー、 28.29.30・ガス導入部、31
・・・ダスト分gi器、32・・シュー−1・分岐ダン
パー、33.34−・・空気導入管、 33m、34m
・−・可変オリフィス。 特許出願人 川崎重工業株式会社 2.″1件4 代 理 人 佐 腎 義
雄・−パさ第1図 11冊 第2図 第3図 第4r1!J (4)cb) (e) cL)千 第5図 炉径O 第7図 手 続 補 正 書、ヵ、) 昭和62年7月29日 昭和61年 特許願 第71878号 2、発明の名称 粉粒体の熱処理方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 (097) 川崎重工業株式会社 4、代理人 昭和62年7月1日(昭和62年7月28日発送)6、
補正の対生 明細書 7、補正の内容 別紙のとおり 1、明細書第9頁第9行の「第4図a、 b、 e、
dJを「第4図」と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔第1項〕 (a)粉粒体の熱処理炉の下部が複数のガス導入部から
なる噴流層炉に、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と
粉粒体の熱処理を行うようにした方法において、 (b)上記一部のガス導入部に、予熱部からの粉粒体を
供給し、残りのガス導入部に、ダスト分離器にて捕集し
た粉粒体を供給するようにしたことを特徴とする粉粒体
の熱処理方法。 〔第2項〕 噴流層炉の炉出口部に、複数のダスト分離器を設け、こ
れらを各別にガス導入部に接続するとともに、残りのガ
ス導入部に予熱部からの粉粒体供給シュートを接続した
特許請求の範囲第1項記載の粉粒体の熱処理方法。 〔第3項〕 炉出口部に設けたダスト分離器のシュート、および/ま
たは、予熱部からの粉粒体供給シュートを夫々複数に分
岐させ、これらの両シュートを夫々各別にガス導入部に
接続した特許請求の範囲第1項記載の粉粒体の熱処理方
法。 〔第4項〕 複数に形成された各ガス導入部のガス流量に比例するよ
うに、ダスト分離器の容量、および/または、シュート
分配を行うようにした特許請求の範囲第1項記載の粉粒
体の熱処理方法。 〔第5項〕 噴流層炉の層温度が1300〜1450℃である特許請
求の範囲第1〜4項記載の粉粒体の熱処理方法。 〔第6項〕 粉粒体がセメント原料粉である特許請求の範囲第1〜5
項記載の粉粒体の熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187886A JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187886A JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6316040A true JPS6316040A (ja) | 1988-01-23 |
JPH0429412B2 JPH0429412B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=13473213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7187886A Granted JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6316040A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009502704A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シリコン噴流流動層 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7187886A patent/JPS6316040A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009502704A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シリコン噴流流動層 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0429412B2 (ja) | 1992-05-18 |
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