JPS63155595A - 薄膜el素子 - Google Patents
薄膜el素子Info
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- JPS63155595A JPS63155595A JP61301999A JP30199986A JPS63155595A JP S63155595 A JPS63155595 A JP S63155595A JP 61301999 A JP61301999 A JP 61301999A JP 30199986 A JP30199986 A JP 30199986A JP S63155595 A JPS63155595 A JP S63155595A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、交流駆動の薄膜EL(エレクトロルミネセ
ント)素子に関するものである。
ント)素子に関するものである。
一般にこの種の薄膜EL素子は、特開昭61−2509
94号公報等に開示されて第3図に示す如く、ガラス板
等の透明絶縁板から成る基板31上にITO等の透明導
電材料を素材とする透明電極32を形成し、次いでこの
上にSing、 Alz02+ Y2O2,Taxes
等の酸化物絶縁材料を素材とする絶縁層33、ZnS等
の母体材料にMn等の活性剤を混ぜた螢光材料を素材と
する発光層34、絶縁層33と同様な絶縁層35をこの
順序で平面的に積層形成し、更に絶縁層35上にAI等
の金属導電材料を素材とする背面電極36を積層形成し
て構成されており、両電極32.36へ200V前後の
交流電圧を印加すると両電極32.36の間に発生する
電界により発光層34が発光を行い、基板31を通って
外部へ照射される。
94号公報等に開示されて第3図に示す如く、ガラス板
等の透明絶縁板から成る基板31上にITO等の透明導
電材料を素材とする透明電極32を形成し、次いでこの
上にSing、 Alz02+ Y2O2,Taxes
等の酸化物絶縁材料を素材とする絶縁層33、ZnS等
の母体材料にMn等の活性剤を混ぜた螢光材料を素材と
する発光層34、絶縁層33と同様な絶縁層35をこの
順序で平面的に積層形成し、更に絶縁層35上にAI等
の金属導電材料を素材とする背面電極36を積層形成し
て構成されており、両電極32.36へ200V前後の
交流電圧を印加すると両電極32.36の間に発生する
電界により発光層34が発光を行い、基板31を通って
外部へ照射される。
かかる構成の薄膜EL素子では、絶縁層33.35の膜
厚はそれぞれ0.1〜1.0μm、発光層34の膜厚は
0.2〜1.0μm程度に形成されることから、両電極
32.36間の距離(膜厚)は1μm程度であり、ここ
に200V前後の交流電圧を印加すると電界強度のオー
ダは105〜106V/cmと強電界となるため、絶縁
層33.35には絶縁破壊耐圧の大きなものが望まれる
。
厚はそれぞれ0.1〜1.0μm、発光層34の膜厚は
0.2〜1.0μm程度に形成されることから、両電極
32.36間の距離(膜厚)は1μm程度であり、ここ
に200V前後の交流電圧を印加すると電界強度のオー
ダは105〜106V/cmと強電界となるため、絶縁
層33.35には絶縁破壊耐圧の大きなものが望まれる
。
ところで、絶縁層33.35は、コンデンサ的作用を有
していて発光層34界面へ電荷を蓄積させる働きを有す
るものであるから、印加電圧を発光層34へ効率的に加
えるには、必然的に比誘電率の大きなものの方が好まし
い。
していて発光層34界面へ電荷を蓄積させる働きを有す
るものであるから、印加電圧を発光層34へ効率的に加
えるには、必然的に比誘電率の大きなものの方が好まし
い。
この発明は、前記諸事項に着目して考えられたものであ
り、強電界に強くて破壊されに<<、発光が効率的に行
われる薄膜EL素子の提供を目的とする。
り、強電界に強くて破壊されに<<、発光が効率的に行
われる薄膜EL素子の提供を目的とする。
前記目的を達成するため、この発明は透明電極と背面電
極との間に発光層を形成し、前記発光層と接して前記両
電極へ交流電圧を印加することにより発生する電界が横
切る個所に絶縁層を形成する薄膜EL素子において、前
記絶縁層に比誘電率が大きい絶縁性オイルを用いるもの
である。
極との間に発光層を形成し、前記発光層と接して前記両
電極へ交流電圧を印加することにより発生する電界が横
切る個所に絶縁層を形成する薄膜EL素子において、前
記絶縁層に比誘電率が大きい絶縁性オイルを用いるもの
である。
〔作用〕
絶縁層として、従来の酸化物絶縁材料に比べ、絶縁破壊
耐圧が同程度もしくは同程度以上であり、比誘電率が大
きい絶縁性オイルを用いることにより、強電界に耐えら
れ、発光層界面へ電荷が集中的に蓄積される。
耐圧が同程度もしくは同程度以上であり、比誘電率が大
きい絶縁性オイルを用いることにより、強電界に耐えら
れ、発光層界面へ電荷が集中的に蓄積される。
(第1実施例)
第1図は、この発明の第1実施例を示しており、ガラス
板等の透明絶縁板から成る基板1上にITO等の透明導
電材料を素材とする透明電極2を蒸着法等の手段により
形成し、次いでこの上にZnS等の母体材料にMn等の
活性剤を混ぜた螢光材料を素材とする発光層3を蒸着法
等の手段により平面的に積層形成している。また、基板
1と同様な基板4上には胱等の金属導電材料を素材とす
る背面電極5を蒸着法等の手段により形成している。そ
して、側基板1 5の周縁部には、発光層3と背面電極
5とが一定の空間を有して対向するようにマイラフィル
ムやテフロンフィルム等のスペーサ6を設けてあり、更
に、側基板1.5の側面部は前記空間の気密性を保つよ
うに無機あるいは有機の接着剤7により封止されている
。そして、前記空間には、絶縁層8として、従来の酸化
物絶縁材料に比べ、絶縁破壊耐圧が同程度もしくは同程
度以上であり、比誘電率が大きい絶縁性オイルが封入さ
れており、すなわち、発光層3と接して両電極1.5へ
交流電圧を印加することにより発生する電界が横切る個
所に絶縁性オイルから成る絶縁層8が位置している。
板等の透明絶縁板から成る基板1上にITO等の透明導
電材料を素材とする透明電極2を蒸着法等の手段により
形成し、次いでこの上にZnS等の母体材料にMn等の
活性剤を混ぜた螢光材料を素材とする発光層3を蒸着法
等の手段により平面的に積層形成している。また、基板
1と同様な基板4上には胱等の金属導電材料を素材とす
る背面電極5を蒸着法等の手段により形成している。そ
して、側基板1 5の周縁部には、発光層3と背面電極
5とが一定の空間を有して対向するようにマイラフィル
ムやテフロンフィルム等のスペーサ6を設けてあり、更
に、側基板1.5の側面部は前記空間の気密性を保つよ
うに無機あるいは有機の接着剤7により封止されている
。そして、前記空間には、絶縁層8として、従来の酸化
物絶縁材料に比べ、絶縁破壊耐圧が同程度もしくは同程
度以上であり、比誘電率が大きい絶縁性オイルが封入さ
れており、すなわち、発光層3と接して両電極1.5へ
交流電圧を印加することにより発生する電界が横切る個
所に絶縁性オイルから成る絶縁層8が位置している。
このような構成の薄膜EL素子は、両電極1゜5と連設
され薄膜EL素子の外部へ引き出されたり一ド(図示し
ない)に交流電圧を印加すると両電極1,5の間に発生
する電界により発光層3が発光を行い、基板1を通って
外部へ照射される。
され薄膜EL素子の外部へ引き出されたり一ド(図示し
ない)に交流電圧を印加すると両電極1,5の間に発生
する電界により発光層3が発光を行い、基板1を通って
外部へ照射される。
なお、絶縁層8を構成する絶縁性オイルとしては、たと
えば絶縁破壊耐圧がIQ’V/amのオーダで従来の酸
化物絶縁材料と同程度、比誘電率が109で従来の酸化
物絶縁材料(最も大きいTaxesの成nり時の比誘電
率は10程度)の数10倍のホルムアミドを使用するこ
とができ、かかる絶縁性オイルを絶縁層8として用いる
ことにより、薄膜EL素子は強電界に強くて破壊されに
<<、比誘電率が従来の数10倍と太き(なることによ
って両電極l。
えば絶縁破壊耐圧がIQ’V/amのオーダで従来の酸
化物絶縁材料と同程度、比誘電率が109で従来の酸化
物絶縁材料(最も大きいTaxesの成nり時の比誘電
率は10程度)の数10倍のホルムアミドを使用するこ
とができ、かかる絶縁性オイルを絶縁層8として用いる
ことにより、薄膜EL素子は強電界に強くて破壊されに
<<、比誘電率が従来の数10倍と太き(なることによ
って両電極l。
5間の距離が10μm程度に広がったとしても発光層3
の電束密度は高くなり、発光層3界面へ電荷が集中的に
蓄積されて発光層3での発光が効率的に行われることと
なり、従来と同程度の値の交流電圧の印加の場合には発
光輝度が上界し、発光輝度を従来と同程度にする場合に
は印加電圧の値を従来よりも低くすることができ省電力
化が図れる。
の電束密度は高くなり、発光層3界面へ電荷が集中的に
蓄積されて発光層3での発光が効率的に行われることと
なり、従来と同程度の値の交流電圧の印加の場合には発
光輝度が上界し、発光輝度を従来と同程度にする場合に
は印加電圧の値を従来よりも低くすることができ省電力
化が図れる。
特に後者の場合、すなわち、印加電圧の値を低くする場
合には、その分従来よりも電界強度が低下して絶縁破壊
の危険性が減少するため、絶縁層8を構成する絶縁オイ
ルの絶縁破壊耐圧は、従来の酸化物絶縁材料より前記電
界強度の低下に応じて小さくても良く、酸化物絶縁材に
比べ絶縁破壊耐圧が同程度とはこのような場合を含むも
のである。
合には、その分従来よりも電界強度が低下して絶縁破壊
の危険性が減少するため、絶縁層8を構成する絶縁オイ
ルの絶縁破壊耐圧は、従来の酸化物絶縁材料より前記電
界強度の低下に応じて小さくても良く、酸化物絶縁材に
比べ絶縁破壊耐圧が同程度とはこのような場合を含むも
のである。
(第2実施例)
第2図は、この発明の第2実施例を示しており、前記第
1図で示した実施例と同一個所には同一の符号を付して
その詳細な説明は省く。
1図で示した実施例と同一個所には同一の符号を付して
その詳細な説明は省く。
9は、従来の絶縁N(第3図の符号33.35参照)と
同様な酸化物絶縁材料を蒸着等の手段により透明電極2
と発光層3との間に平面的に積層形成した絶縁層であり
、絶縁性オイルにて形成した絶縁層8とで発光層3をサ
ンドインチ状にはさむ構成となっているが、発光層3と
接して両電極2゜5へ交流電圧を印加することにより発
生する電界が横切る個所に絶縁性オイルから成る絶縁層
8を形成することにより、前記実施例と同様の働きを得
ることができる。
同様な酸化物絶縁材料を蒸着等の手段により透明電極2
と発光層3との間に平面的に積層形成した絶縁層であり
、絶縁性オイルにて形成した絶縁層8とで発光層3をサ
ンドインチ状にはさむ構成となっているが、発光層3と
接して両電極2゜5へ交流電圧を印加することにより発
生する電界が横切る個所に絶縁性オイルから成る絶縁層
8を形成することにより、前記実施例と同様の働きを得
ることができる。
(実施例の応用例)
第1図および第2図の各実施例において、背面電極5を
透明電極2と同様にITO等の透明導電材料により形成
することもでき、この場合の薄膜EL素子は、発光層3
が発光を行い、両基板l。
透明電極2と同様にITO等の透明導電材料により形成
することもでき、この場合の薄膜EL素子は、発光層3
が発光を行い、両基板l。
4を通って外部へ照射される両面発光型となる。
ところで、第3図にて示した従来の薄膜EL素子を両面
発光型とするべく背面電極(第3図の符号36参照)を
ITO等の透明導電材料により形成する場合には、前記
透明導電材料を蒸着の手段により形成する時に前記背面
電極下部の絶縁層(第3図の符号35参照)ならびに発
光層(第3図の符号34参照)等が加熱されて損傷する
危険性があるが、この発明の前記両面発光型の構成では
、発光層3等に余分な熱加重が加えられないので、品質
の高い安定した薄膜EL素子を得ることができる。
発光型とするべく背面電極(第3図の符号36参照)を
ITO等の透明導電材料により形成する場合には、前記
透明導電材料を蒸着の手段により形成する時に前記背面
電極下部の絶縁層(第3図の符号35参照)ならびに発
光層(第3図の符号34参照)等が加熱されて損傷する
危険性があるが、この発明の前記両面発光型の構成では
、発光層3等に余分な熱加重が加えられないので、品質
の高い安定した薄膜EL素子を得ることができる。
また、絶縁層8は、発光層3の周囲をとりまくように位
置するから、絶縁性オイルにシリコーンオイル等の防水
性材料および/あるいはモレキュラシーブス等の吸水性
材料を混入することにより、薄膜EL素子の外部から浸
入するおそれのある水分を発光層3側へ通さない構成と
なり、薄膜EL素子の水分による劣化を防ぎ、寿命を延
ばすことができる。
置するから、絶縁性オイルにシリコーンオイル等の防水
性材料および/あるいはモレキュラシーブス等の吸水性
材料を混入することにより、薄膜EL素子の外部から浸
入するおそれのある水分を発光層3側へ通さない構成と
なり、薄膜EL素子の水分による劣化を防ぎ、寿命を延
ばすことができる。
また、前記各実施例において、発光層3を両電極2,5
の各々上面に分割して形成しても良く、この場合、分割
形成する発光層3の各々が異なる値の交流電圧の印加で
発光を行い、しがち発光の色が異なるよう螢光材料を選
択すれば、薄膜EL素子は多色発光を行うことができる
。
の各々上面に分割して形成しても良く、この場合、分割
形成する発光層3の各々が異なる値の交流電圧の印加で
発光を行い、しがち発光の色が異なるよう螢光材料を選
択すれば、薄膜EL素子は多色発光を行うことができる
。
また、絶縁性オイルに粘性の弱いものを用いたり、混ぜ
たりすることにより、仮に発光層3で破壊が生じたとし
ても破壊部へ瞬時に絶縁性オイルが入り込み、破壊を局
部的に噛い止めることができる。
たりすることにより、仮に発光層3で破壊が生じたとし
ても破壊部へ瞬時に絶縁性オイルが入り込み、破壊を局
部的に噛い止めることができる。
この発明は、透明電極と背面電極との間に発光層を形成
し、前記発光層と接して前記両電極へ交流電圧を印加す
ることにより発生する電界が横切る個所に絶縁層を形成
する薄膜EL素子において、前記絶縁層に比誘電率が大
きい絶縁性オイルを用いるものであり、強電界に強くて
破壊されにくく、発光層界面へ電荷が集中的に蓄積され
るため発光が効率的に行われるという優れた効果を奏す
るものである。
し、前記発光層と接して前記両電極へ交流電圧を印加す
ることにより発生する電界が横切る個所に絶縁層を形成
する薄膜EL素子において、前記絶縁層に比誘電率が大
きい絶縁性オイルを用いるものであり、強電界に強くて
破壊されにくく、発光層界面へ電荷が集中的に蓄積され
るため発光が効率的に行われるという優れた効果を奏す
るものである。
また、絶縁層が絶縁性オイルを封入することにより形成
されるため、従来絶縁層の成膜時に生じていたピンホー
ルやクランク等の欠損による薄膜EL素子の品質の不安
定さや不良品の発生を解消することができ、安定した品
質の高い薄膜EL素子を得ることができるものである。
されるため、従来絶縁層の成膜時に生じていたピンホー
ルやクランク等の欠損による薄膜EL素子の品質の不安
定さや不良品の発生を解消することができ、安定した品
質の高い薄膜EL素子を得ることができるものである。
第1図はこの発明の第1実施例の要部断面図、第2図は
この発明の第2実施例の要部断面図、第3図は従来例の
要部断面図である。 1.4・一基板 2−・透明電極 3−発光層 5−背面電極
この発明の第2実施例の要部断面図、第3図は従来例の
要部断面図である。 1.4・一基板 2−・透明電極 3−発光層 5−背面電極
Claims (1)
- 透明電極と背面電極との間に発光層を形成し、前記発
光層と接して前記両電極へ交流電圧を印加することによ
り発生する電界が横切る個所に絶縁層を形成する薄膜E
L素子において、前記絶縁層に比誘電率が大きい絶縁性
オイルを用いることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61301999A JPS63155595A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61301999A JPS63155595A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 薄膜el素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63155595A true JPS63155595A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17903663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61301999A Pending JPS63155595A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63155595A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041356A (ja) * | 1999-10-29 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP2015018283A (ja) * | 1999-12-27 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2015207009A (ja) * | 2000-05-12 | 2015-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9514670B2 (en) | 2000-05-12 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61301999A patent/JPS63155595A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014041356A (ja) * | 1999-10-29 | 2014-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
JP2015079265A (ja) * | 1999-10-29 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
JP2017027075A (ja) * | 1999-10-29 | 2017-02-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015018283A (ja) * | 1999-12-27 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP2015207009A (ja) * | 2000-05-12 | 2015-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9514670B2 (en) | 2000-05-12 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US9536468B2 (en) | 2000-05-12 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10354589B2 (en) | 2000-05-12 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US10867557B2 (en) | 2000-05-12 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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