JPS63151837A - Vibration type transducer - Google Patents
Vibration type transducerInfo
- Publication number
- JPS63151837A JPS63151837A JP30027186A JP30027186A JPS63151837A JP S63151837 A JPS63151837 A JP S63151837A JP 30027186 A JP30027186 A JP 30027186A JP 30027186 A JP30027186 A JP 30027186A JP S63151837 A JPS63151837 A JP S63151837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon substrate
- cavity
- thin film
- acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 70
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、機械的振動体の少なくλも一面側に、その面
に対向して設けた空洞とこの空洞に流体を導く導管を兼
ねた音響管とを設け、前記振動体を含む機械−音響振動
系の共振周波数から前記流体の密度または圧力を測定す
る振動式トランスジューサに関する。The present invention provides a mechanical vibrating body with a cavity provided opposite to the surface on one side of the mechanical vibrating body, and an acoustic tube that also serves as a conduit for guiding fluid to the cavity, and a mechanical acoustic tube including the vibrating body. The present invention relates to a vibration transducer that measures the density or pressure of the fluid from the resonance frequency of a vibration system.
この種の振動式トランスジューサについて、本件出願人
は、既に、Ｎｉ−Ｆｅ合合材材料ら成る金属製振動板の
少なくとも一面側に、この面に対向する空洞とこの空洞
に測定流体を導く導管を兼ねた音響管とを設け、この金
属製振動板に接着した圧電振動子によって金属製振動板
に撓み振動をさせるようにした振動式トランスジューサ
を提案している（例えば特願昭６０−２３９２２８号参
照）。
このトランスジューサは空洞および導管の大きさと金属
製振動板の弾性とを適宜設定することにより、低密度流
体に対しても精度の良い測定が行えるという利点がある
。Regarding this type of vibrating transducer, the applicant has already provided a cavity on at least one side of a metal diaphragm made of a Ni-Fe composite material, which faces this side, and a conduit for guiding a measuring fluid into this cavity. They have proposed a vibrating transducer in which a piezoelectric vibrator is bonded to the metal diaphragm, and the metal diaphragm is made to bend and vibrate. ). This transducer has the advantage of being able to accurately measure even low-density fluids by appropriately setting the dimensions of the cavity and conduit and the elasticity of the metal diaphragm.
ところが、小口径パイプ等の流体計測用として小型化の
要求が強いが、しかし小型化するには特性上振動板の共
振周波数を出来るだけ下げる必要があり、そのためには
振動板の厚さを数μｍ以下と非常に薄く形成しなければ
ならず、金属板で振動板を製作する方法では、品質や寸
法等に限界がある。さらに、振動板に付加する空洞、音
響管等の音響振動系の構成要素も振動体と同様に小さく
する必要があり、機械的な加工方法では製作費に関して
問題がある。
そこで、本発明は、このような従来技術の問題点を解消
して、小型でかつ安価な振動式トランスジューサを提供
することを目的とする。However, there is a strong demand for miniaturization for fluid measurement of small-diameter pipes, etc. However, to achieve miniaturization, it is necessary to lower the resonant frequency of the diaphragm as much as possible due to its characteristics, and to do this, the thickness of the diaphragm must be reduced by several steps. The diaphragm must be formed very thin, less than μm, and there are limits to quality, dimensions, etc. in the method of manufacturing a diaphragm using a metal plate. Furthermore, the components of the acoustic vibration system, such as cavities and acoustic tubes added to the diaphragm, need to be made as small as the vibrating body, and mechanical processing methods pose problems in terms of manufacturing costs. SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art and provide a small and inexpensive vibration transducer.
このような目的を達成するために、本発明は、振動体を
、たとえばＣＶＤ （化学的気相成長法）により形成さ
れたシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成るシ
リコン薄膜と、たとえばスパッタリング等によりこのシ
リコン薄膜上に設けられた電極と、同様にたとえばスパ
ッタリング等によりこの電極上に設けられた圧電性薄膜
と、この圧電性薄膜の同一面上に設けられた２つの電極
と、これらの電極を覆うように設けられた保護膜とから
成る振動体によって構成することを特徴とする。
本発明の実施態様によれば、シリコン薄膜は、音響管を
形成する貫通孔とこの貫通孔に連通ずる空洞とを有する
シリコン基板上に設けられる。
その場合に、シリコン基板は空洞を有する第１のシリコ
ン基板と貫通孔を有してこの第１のシリコン基板に接合
される第２のシリコン基板とから成り、この第２のシリ
コン基板上にシリコン薄膜が設けられるようにすること
ができる。In order to achieve such an object, the present invention provides a vibrator with a silicon thin film made of a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by, for example, CVD (chemical vapor deposition), and a silicon thin film formed by, for example, sputtering or the like. An electrode provided on a silicon thin film, a piezoelectric thin film similarly provided on this electrode by, for example, sputtering, two electrodes provided on the same surface of this piezoelectric thin film, and covering these electrodes. It is characterized by being constituted by a vibrating body comprising a protective film provided as shown in FIG. According to an embodiment of the invention, a silicon thin film is provided on a silicon substrate having a through hole forming an acoustic tube and a cavity communicating with the through hole. In that case, the silicon substrate is made up of a first silicon substrate having a cavity and a second silicon substrate having a through hole and bonded to the first silicon substrate. A thin film can be provided.
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はその
拡大断面図である。この第１図および第２図において、
■は厚さｈのシリコン基板、２はこのシリコン基板１上
にＣＶＤ （化学的気相成長法）により形成したシリコ
ン酸化膜もしくはシリコン窒化膜から成るシリコン薄膜
である。３はこのシリコン薄膜２の上にスパッタリング
等により形成した第１電極であり、数百人程度の厚さを
存する。４はこの第１電極３の上に積層形成された直径
ｄの円板状圧電性薄膜であり、たとえばＺｎＯのＣ軸配
向膜をスパッタリング等により形成される。５，６はこ
の圧電性薄膜４の同一面上に設けられた第２電極およず
第３電極であり、前記第１電極３と同程度の厚さに形成
される。７はシリコン薄膜２と同じ材料にて形成した出
来るだけ薄い０．５μｍ前後の保護膜であり、電極３，
５゜６相互間の絶縁と圧電性薄膜４の環境条件下での劣
化を防止する役目を有している。
このようにして、シリコン基板１上に順次積層した後、
このシリコン基板１の裏面にシリコン薄膜２と同一材料
のマスクを設け、シリコンとマスクとのエツチング速度
が異なることを利用した選択性エツチングを施すことに
より、シリコン基板１上のシリコン薄膜２を残して、直
径りのダイアフラム８が形成される。この直径りは圧電
性薄膜４の直径ｄよりも大きくしである。
９はこのようにして製作された振動体である。
１０はダイアフラム８のほぼ中心に対応する位置に選択
性エツチングにより貫通孔１１を形成した別のシリコン
基板であり、シリコン基板１に接着固定されている。し
かして、ダイアフラム８とシリコン基板１０との間には
ほぼ円板状の空洞１２が形成され、そして、シリコン基
板１０の貫通孔１１がこの空洞１２に測定流体を導く導
管を兼ねた音響管となる。このようにして、空洞１２内
の流体の音響容量Ｃａと貫通孔１１内の測定流体のイナ
ータンスＭａとで音響振動系が構成される。
また、電極３．５．６はそれぞれリード３ａ。
５ａ、６ａを介してポンディングパッド３ｂ。
５ｂ、６ｂに接続されている。ポンディングパッド３ｂ
はアース接続され、ポンディングパッド５ｂは増幅器１
４に接続され、ポンディングパッド６ｂは帰還回路１５
に接続されている。増幅器１４および帰還回路１５によ
って後述する自動発振回路１３が構成される。
ところで、このようなトランスジューサにおける振動体
の小型化の限界はダイアフラム８を形成するシリコン薄
膜２の厚さによって規定される。
−例によれば、シリコン薄膜２をシリコン窒化膜によっ
て形成し、かつ圧電性薄膜４をＺｎＯによって形成し、
そして、次のように、
ダイアフラム８：厚さ４ｐｍ、直径ｐ＝ｌ、５ ｍｍ圧
電製薄膜４ ：厚さ１μｍ、直径ｄ−１，５ｍｍ保護膜
７ ：厚さ 約０．５μｍ
シリコン基板１：厚さ ０．１ ｍｍ
貫通孔１１ ；直径Ｑ、５ｍｍφ、長さ約Ｑ、５ｍｍ
と選定することにより、好ましいトランスジューサが得
られた。
このような構成において測定流体の密度を測定する方法
について簡単に説明する。
第３図（Ａ）は振動体９と貫通孔１１および空洞１２内
の測定流体とから成る機械−音響複合振動系を機械系か
ら見た等価電気回路である。この第３図（Ａ）において
、Ｍｍ、Ｃｍはそれぞれ振動体９の質量および機械コン
プライアンス、Ｍａ。
Ｃａはそれぞれ貫通孔ｌｌ内の測定流体のイナータンス
および空洞１２内の測定流体の音響容量を表し、Ａは振
動体９の面積と貫通孔１１の面積との比で定まる、音響
系を機械系へ変換するための変換係数である。
しかして、空洞１２内の測定流体の音響容量Ｃａを小さ
くし、音響系の共振周波数ｆａ（Ｍｍ。
Ｃｍにて決定される）を振動体９の共振周波数ｆｍ （
Ｍａ、Ｃａにて決定される）よりも高くすると、かかる
等価電気回路は同図（Ｂ）の如く示すことができる。こ
の図（Ｂ）から明らかなように、この振動系の共振周波
数ｆｎはＭｍ、Ｃｍ、Ｍａここで、貫通孔１１内の流体
のイナータンスＭａは、開口面積をＳ、長さをし、流体
密度をρとすると、次式にて表される。
Ｍａ＝（Ｌ／Ｓ） ρ
よって、上記２つの式に基づいて、共振周波数ｆｎから
密度ρを求めることができる。
この共振周波数ｆｎの測定は次のようにして行われる。
すなわち、増幅器１４により電極３．５を介して圧電性
薄膜４に交流電圧を印加すると、振動体９がその面に垂
直方向に撓み振動する。この振動変位によって電極３，
６間には交流電圧が生起するので、この電圧を帰還回路
１５により増幅器１４を介して電極３．５間に正帰還す
る。その結果、この振動系は共振周波数ｆｎにて発振し
、密度が測定可能となる。
なお、第１図および第２図の実施例においては、空洞１
２を有するシリコン基板１と貫通孔１２を、有するシリ
コン基板１０とは別個の基板により製作する例について
述べたが゛、両基板は音響管を形成する貫通孔とこの貫
通孔に連通ずる空洞とを有する１つのシリコン基板によ
って置換することができる。この場合には、第２図にお
いて、シリコン薄膜２からシリコン基板１が除去されて
、かかる１つのシリコン基板がシリコン薄膜２に接合さ
れる。
なおまた、第１図および第２図の実施例においては、空
洞１２および音響管（貫通孔）１１はシリコン薄膜２の
一方側に形成された例について述べたが、シリコン薄膜
２の両側に形成してもよい。
この場合には、音響管を形成する貫通孔とこの貫通孔に
連通ずる空洞とを有する１つのシリコン基板が保護膜７
にかかる空洞を保護膜側にして接合されるようにすると
よい。Next, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged sectional view thereof. In this figure 1 and figure 2,
2 is a silicon substrate having a thickness h, and 2 is a silicon thin film made of a silicon oxide film or a silicon nitride film formed on this silicon substrate 1 by CVD (chemical vapor deposition). 3 is a first electrode formed on this silicon thin film 2 by sputtering or the like, and has a thickness of about several hundred layers. Reference numeral 4 denotes a disk-shaped piezoelectric thin film having a diameter d laminated on the first electrode 3, and is formed by sputtering a C-axis oriented film of ZnO, for example. 5 and 6 are a second electrode and a third electrode provided on the same surface of the piezoelectric thin film 4, and are formed to have the same thickness as the first electrode 3. 7 is a protective film of about 0.5 μm as thin as possible formed of the same material as the silicon thin film 2;
It has the role of insulating the 5° and 6 layers and preventing deterioration of the piezoelectric thin film 4 under environmental conditions. After sequentially stacking layers on the silicon substrate 1 in this way,
A mask made of the same material as the silicon thin film 2 is provided on the back surface of the silicon substrate 1, and selective etching is performed using the difference in etching speed between silicon and the mask, leaving the silicon thin film 2 on the silicon substrate 1. , a diaphragm 8 having a diameter is formed. This diameter is larger than the diameter d of the piezoelectric thin film 4. 9 is a vibrating body manufactured in this manner. 10 is another silicon substrate having a through hole 11 formed by selective etching at a position corresponding to approximately the center of the diaphragm 8, and is fixed to the silicon substrate 1 by adhesive. Thus, a substantially disk-shaped cavity 12 is formed between the diaphragm 8 and the silicon substrate 10, and the through hole 11 of the silicon substrate 10 serves as an acoustic tube that also serves as a conduit for guiding the measurement fluid into the cavity 12. Become. In this way, an acoustic vibration system is constituted by the acoustic capacitance Ca of the fluid in the cavity 12 and the inertance Ma of the measured fluid in the through hole 11. Moreover, the electrodes 3, 5, and 6 are leads 3a, respectively. 5a, 6a to the bonding pad 3b. 5b and 6b. Ponding pad 3b
is connected to ground, and the bonding pad 5b is connected to the amplifier 1.
4, and the bonding pad 6b is connected to the feedback circuit 15.
It is connected to the. The amplifier 14 and the feedback circuit 15 constitute an automatic oscillation circuit 13, which will be described later. Incidentally, the limit of miniaturization of the vibrating body in such a transducer is defined by the thickness of the silicon thin film 2 forming the diaphragm 8. - according to the example, the silicon thin film 2 is formed of a silicon nitride film and the piezoelectric thin film 4 is formed of ZnO;
And, as follows, diaphragm 8: thickness 4 pm, diameter p=l, 5 mm piezoelectric thin film 4: thickness 1 μm, diameter d-1.5 mm protective film 7: thickness about 0.5 μm silicon substrate 1: Thickness: 0.1 mm Through hole 11; diameter Q, 5 mmφ, length approximately Q, 5 mm
A preferred transducer was obtained by selecting . A method for measuring the density of a measurement fluid in such a configuration will be briefly described. FIG. 3(A) is an equivalent electric circuit of a mechanical-acoustic complex vibration system consisting of the vibrating body 9, the through hole 11, and the measuring fluid in the cavity 12, as viewed from the mechanical system. In FIG. 3(A), Mm and Cm are the mass and mechanical compliance of the vibrating body 9, respectively, and Ma. Ca represents the inertance of the fluid to be measured in the through hole ll and the acoustic capacity of the fluid to be measured in the cavity 12, respectively, and A is determined by the ratio of the area of the vibrating body 9 to the area of the through hole 11. This is a conversion coefficient for conversion. Therefore, the acoustic capacitance Ca of the measurement fluid in the cavity 12 is reduced, and the resonance frequency fa (Mm, determined by Cm) of the acoustic system is changed to the resonance frequency fm (
(determined by Ma and Ca), such an equivalent electric circuit can be shown as shown in FIG. As is clear from this figure (B), the resonance frequency fn of this vibration system is Mm, Cm, Ma.Here, the inertance Ma of the fluid in the through hole 11 is determined by the opening area S, the length, and the fluid density. Letting ρ be, it is expressed by the following formula. Ma=(L/S) ρ Therefore, the density ρ can be determined from the resonance frequency fn based on the above two equations. The measurement of this resonance frequency fn is performed as follows. That is, when an AC voltage is applied to the piezoelectric thin film 4 by the amplifier 14 via the electrode 3.5, the vibrating body 9 is deflected and vibrates in a direction perpendicular to its surface. Due to this vibrational displacement, the electrode 3,
Since an alternating current voltage is generated between the electrodes 3 and 6, this voltage is positively fed back between the electrodes 3 and 5 by the feedback circuit 15 via the amplifier 14. As a result, this vibration system oscillates at the resonant frequency fn, making it possible to measure the density. In the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, the cavity 1
An example has been described in which the silicon substrate 1 having the acoustic tube 1 and the through hole 12 are manufactured using a separate substrate from the silicon substrate 10 having the through hole. It can be replaced by one silicon substrate having . In this case, in FIG. 2, the silicon substrate 1 is removed from the silicon thin film 2, and this one silicon substrate is bonded to the silicon thin film 2. Furthermore, in the embodiments shown in FIGS. 1 and 2, an example was described in which the cavity 12 and the acoustic tube (through hole) 11 were formed on one side of the silicon thin film 2, but they may be formed on both sides of the silicon thin film 2. You may. In this case, one silicon substrate having a through hole forming an acoustic tube and a cavity communicating with the through hole is used as the protective film 7.
It is preferable that the cavities located on the protective film side be bonded.
以上に説明したように二本発明による振動式トランスジ
ューサによれば、振動体を、シリコン膜と、このシリコ
ン膜上に設けられた電極と、この電極上に設けられた圧
電性薄膜と、この圧電性薄膜の同一面上に設けられた２
つの電極と、これらの電極を覆うように設けられた保護
膜とから成る振動体によって構成したので、通常の半導
体製造プロセスを利用して製作可能となり、従って振動
体の寸法精度を向上させて小型化することができ、かつ
安価に製作することができる。
また、シリコン薄膜をベースとして振動体を構成したの
で、従来の金属製基板に比較して耐蝕性が向上する効果
も得られる。
さらに、本発明の実施態様によれば、シリコン薄膜は、
音響管を形成する貫通孔とこの貫通孔に連通ずる空洞と
を有するシリコン基板上に設けられる。
その場合に、シリコン基板は空洞を有する第１−のシリ
コン基板と貫通孔を有してこの第１のシリコン基板に接
合される第２のシリコン基板とから成り、この第２のシ
リコン基板上にシリコン薄膜が設けられるようにするこ
とができる。
このような構成によれば、音響系の構成要素をも通常の
半導体製造プロセスを利用して製作可能となり、従うて
安価に製作可能となる利点が奏される。As explained above, according to the two vibrating transducers of the present invention, the vibrating body is composed of a silicon film, an electrode provided on this silicon film, a piezoelectric thin film provided on this electrode, and a piezoelectric thin film provided on this electrode. 2 provided on the same surface of the sexual thin film
Since the vibrating body consists of two electrodes and a protective film provided to cover these electrodes, it can be manufactured using a normal semiconductor manufacturing process, which improves the dimensional accuracy of the vibrating body and makes it compact. and can be manufactured at low cost. Furthermore, since the vibrating body is constructed using a silicon thin film as a base, corrosion resistance can be improved compared to conventional metal substrates. Further, according to embodiments of the present invention, the silicon thin film is
It is provided on a silicon substrate having a through hole forming an acoustic tube and a cavity communicating with the through hole. In that case, the silicon substrate consists of a first silicon substrate having a cavity and a second silicon substrate having a through hole and bonded to the first silicon substrate. A thin silicon film may be provided. According to such a configuration, the components of the acoustic system can also be manufactured using a normal semiconductor manufacturing process, and therefore, there is an advantage that they can be manufactured at low cost.
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はその
拡大断面図、第３図はその等価電気回路図である。
１〜・−シリコン基板、２−・−・ シリコン膜、３−
電極、 ４−・・ 圧電性薄膜、５−・ 電
極、 ６−・−電極、７ ・−・・ 保護膜、
８ ・−・ ダイアフラム、９ ・・−振動体
、 １０ −・−シリコン基板、工１− 貫通孔
、 １２ ・−空洞。
■１FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view thereof, and FIG. 3 is an equivalent electric circuit diagram thereof. 1--Silicon substrate, 2---Silicon film, 3-
electrode, 4-... piezoelectric thin film, 5-- electrode, 6-- electrode, 7... protective film,
8... diaphragm, 9...- vibrating body, 10...- silicon substrate, work 1- through hole, 12...- cavity. ■１
Claims (1)
して設けた空洞とこの空洞に流体を導く導管を兼ねた音
響管とを設け、前記振動体を含む機械−音響振動系の共
振周波数から前記流体の密度または圧力を測定する振動
式トランスジューサにおいて、 前記振動体を、 シリコン薄膜と、このシリコン薄膜上に設けられた電極
と、この電極上に設けられた圧電性薄膜と、この圧電性
薄膜の同一面上に設けられた２つの電極と、これらの電
極を覆うように設けられた保護膜とから成る振動体によ
って構成した、 ことを特徴とする振動式トランスジューサ。 ２）特許請求の範囲第１項記載のトランスジューサにお
いて、前記シリコン薄膜は、前記音響管を形成する貫通
孔とこの貫通孔に連通する空洞とを有するシリコン基板
上に設けられることを特徴とする振動式トランスジュー
サ。 ３）特許請求の範囲第２項記載のトランスジューサにお
いて、前記シリコン基板は空洞を有する第１のシリコン
基板と貫通孔を有してこの第１のシリコン基板に接合さ
れる第２のシリコン基板とから成り、この第２のシリコ
ン基板上に前記シリコン薄膜が設けられることを特徴と
する振動式トランスジューサ。[Scope of Claims] 1) A mechanical vibrating body is provided with a cavity provided on at least one surface facing the surface and an acoustic tube that also serves as a conduit for guiding fluid into the cavity, and a machine including the vibrating body. - In a vibrating transducer that measures the density or pressure of the fluid from the resonance frequency of an acoustic vibration system, the vibrating body comprises a silicon thin film, an electrode provided on the silicon thin film, and a piezoelectric material provided on the electrode. A vibrating transducer comprising a vibrating body consisting of a piezoelectric thin film, two electrodes provided on the same surface of the piezoelectric thin film, and a protective film provided to cover these electrodes. . 2) The transducer according to claim 1, wherein the silicon thin film is provided on a silicon substrate having a through hole forming the acoustic tube and a cavity communicating with the through hole. expression transducer. 3) In the transducer according to claim 2, the silicon substrate includes a first silicon substrate having a cavity and a second silicon substrate having a through hole and bonded to the first silicon substrate. A vibrating transducer characterized in that the silicon thin film is provided on the second silicon substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30027186A JPS63151837A (en) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | Vibration type transducer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30027186A JPS63151837A (en) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | Vibration type transducer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151837A true JPS63151837A (en) | 1988-06-24 |
Family
ID=17882780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30027186A Pending JPS63151837A (en) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | Vibration type transducer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151837A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6938470B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-09-06 | Baker Hughes Incorporated | Method and apparatus for downhole fluid characterization using flexural mechanical resonators |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192937A (en) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | Nippon Soken Inc | Measuring device for characteristics of fluid |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP30027186A patent/JPS63151837A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192937A (en) * | 1983-04-16 | 1984-11-01 | Nippon Soken Inc | Measuring device for characteristics of fluid |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6938470B2 (en) * | 2001-05-15 | 2005-09-06 | Baker Hughes Incorporated | Method and apparatus for downhole fluid characterization using flexural mechanical resonators |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Haller et al. | A surface micromachined electrostatic ultrasonic air transducer | |
| JP4757026B2 (en) | Acceleration sensor characteristic adjustment method | |
| US4961345A (en) | Vibration type transducer | |
| JP3352462B2 (en) | Mechanical signal processor with loss compensation means | |
| US5668303A (en) | Sensor having a membrane as part of an electromechanical resonance circuit forming receiver and transmitter converter with interdigital structures spaced apart from one another | |
| US7716986B2 (en) | Acoustic wave sensing device integrated with micro-channels and method for the same | |
| Prasad et al. | Design and fabrication of Si-diaphragm, ZnO piezoelectric film-based MEMS acoustic sensor using SOI wafers | |
| EP3624464A1 (en) | Piezoelectric microphone chip and piezoelectric microphone | |
| JPH11514579A (en) | Mechanical signal processor with loss compensation means | |
| WO2004019426A1 (en) | Method for manufacturing resonant device | |
| JP3428803B2 (en) | Acceleration sensor and method of manufacturing the same | |
| US20200171544A1 (en) | High Frequency Ultrasonic Transducer and Method of Fabrication | |
| JPS63151837A (en) | Vibration type transducer | |
| US20220184660A1 (en) | Lithium-based piezoelectric micromachined ultrasonic transducer | |
| JPS63307326A (en) | Pressure sensor and production thereof | |
| JP2005039720A (en) | Piezoelectric ultrasonic sensor element | |
| JP2007500478A (en) | Multilayer resonator and time base incorporating the resonator | |
| JP3259322B2 (en) | Sound wave transducer | |
| JP2017207283A (en) | Manufacturing method for vibration element | |
| Mescher et al. | Novel MEMS microshell transducer arrays for high-resolution underwater acoustic imaging applications | |
| JP2011108680A (en) | Method of manufacturing multilayer substrate, method of manufacturing diaphragm, and method of manufacturing pressure sensor | |
| JP2003057035A (en) | Manufacturing method of vibration gyro and vibration gyro component | |
| WO2022219717A1 (en) | Ultrasound transducer, distance measurement device, and ultrasound transducer manufacturing method | |
| WO2022220142A1 (en) | Ultrasonic transducer, distance measurement device, and method for manufacturing ultrasonic transducer | |
| WO2023131986A1 (en) | Method for manufacturing ultrasonic transducer, ultrasonic transducer and rangefinder |