JPS6314482A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
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- JPS6314482A JPS6314482A JP61158275A JP15827586A JPS6314482A JP S6314482 A JPS6314482 A JP S6314482A JP 61158275 A JP61158275 A JP 61158275A JP 15827586 A JP15827586 A JP 15827586A JP S6314482 A JPS6314482 A JP S6314482A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光の色を判別するための色センサとして用い
る１膜半導体装置に関するものである。
る１膜半導体装置に関するものである。
〈従来の技術〉
近年、カラー・コードによる品物の仕分けや、糸、毛糸
、顔料、染料の色識別、図柄の色読み取り、カラーカメ
ラの調整等に用いられる色センサが求められ、２〜３の
色センサが開発されている。
、顔料、染料の色識別、図柄の色読み取り、カラーカメ
ラの調整等に用いられる色センサが求められ、２〜３の
色センサが開発されている。
従来の色センナの構造を第３図に示す、この色センサは
、名古屋重工業研究所と名古屋大学工学部とが共同で開
発したち（Ｋａｔｏ、Ｈ，、Ｍｏｒｉｎａｇａ。
、名古屋重工業研究所と名古屋大学工学部とが共同で開
発したち（Ｋａｔｏ、Ｈ，、Ｍｏｒｉｎａｇａ。
Ｓ、 、Ｙｏｓｈｉｄａ、Ｍ、 ａｎｄ Ａｒ１ｚｕ
ｎ＋ｉ、Ｔ、 、 ”ＡＮｅｗ Ｉ ｎＬｅｇｒａ
ｔｅｄ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ ｆｏｒ Ｃｏ１
ｏｕｒＤｉｓｔｉｎｃｔｉｏｎ、’ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｅ ：５ｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃ Ｉｎ５ｔｒｕ＋ａｅｎＬｓ、ｖｏｌ、
９．ｐｐ、 １０７０（０７２、Ｄ ｅｃ、 １９７６
、加藤、松田「半導体色識別素子」、ｒ昭和５６年度電
子通信学会聡き全国大会講演論文！１，５３−５，１１
ｐ、 ２−３３６−２−３３７．１９８１年４月、加藤
。
ｎ＋ｉ、Ｔ、 、 ”ＡＮｅｗ Ｉ ｎＬｅｇｒａ
ｔｅｄ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ ｆｏｒ Ｃｏ１
ｏｕｒＤｉｓｔｉｎｃｔｉｏｎ、’ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｅ ：５ｃｉｅｎｔ
ｉｆｉｃ Ｉｎ５ｔｒｕ＋ａｅｎＬｓ、ｖｏｌ、
９．ｐｐ、 １０７０（０７２、Ｄ ｅｃ、 １９７６
、加藤、松田「半導体色識別素子」、ｒ昭和５６年度電
子通信学会聡き全国大会講演論文！１，５３−５，１１
ｐ、 ２−３３６−２−３３７．１９８１年４月、加藤
。
松田、上田「産業用ロボットのための色識別素子」。
ｒ自動化技術ｊ、第１２巻、第６号、ｐｐ、 １１−１
４．１９８０年６月等参照）のであり、４〜８［Ω・ｃ
１１Ｉ］の導電率を有するｎ型シリコン（Ｓ ｉ）基板
１８上に、大気中で３００［’Ｃ］に加熱し５ｎＣ１，
・ｘＨ２Ｏ−ＨＣＩ−ＨｚＯ混合液をスプレィして付け
てＳ ｎ ０２１６と形成し、酸１ヒシリコン（ＳｉＯ
２）１７て′３つに分離してＳｕ＋０２−３ｉ接会を持
った３つのフォトダイオードを椙成し、赤、青、緑の各
フィルタ１２，１３．１４を重ね、更に、その上を、赤
外線カット・フィルタで被覆するとともに、それぞれの
フォトダイオードから金３１５を引き出し、又、Ｓ ｉ
ｎ 仮１８からオーミック・コンタクト電極１９を引
き出してなり、赤、青、緑のフィルタを通した光をそれ
ぞれ独立のフォトダイオードで受け、各出力の組み合わ
せで色を決めるようになっている。
４．１９８０年６月等参照）のであり、４〜８［Ω・ｃ
１１Ｉ］の導電率を有するｎ型シリコン（Ｓ ｉ）基板
１８上に、大気中で３００［’Ｃ］に加熱し５ｎＣ１，
・ｘＨ２Ｏ−ＨＣＩ−ＨｚＯ混合液をスプレィして付け
てＳ ｎ ０２１６と形成し、酸１ヒシリコン（ＳｉＯ
２）１７て′３つに分離してＳｕ＋０２−３ｉ接会を持
った３つのフォトダイオードを椙成し、赤、青、緑の各
フィルタ１２，１３．１４を重ね、更に、その上を、赤
外線カット・フィルタで被覆するとともに、それぞれの
フォトダイオードから金３１５を引き出し、又、Ｓ ｉ
ｎ 仮１８からオーミック・コンタクト電極１９を引
き出してなり、赤、青、緑のフィルタを通した光をそれ
ぞれ独立のフォトダイオードで受け、各出力の組み合わ
せで色を決めるようになっている。
又、三洋電機株式会社は、アモルファス光センサと赤、
青、緑等の色フィルタとを用いたアモルファス色センサ
を商品化している。
青、緑等の色フィルタとを用いたアモルファス色センサ
を商品化している。
ところが、この種の色センサは、正確に色を判別しよう
とすると、３つのフォ１〜ダイオードに均一に光が当た
るようにしなければならず、センサの位置や受光面の角
度が変わると色判別に誤りが生じるという欠点を有して
いる。更に、３色のフィルタを必要とするため、色セン
サの性能が色フィルタの性能により、大きく左右される
という問題点も有している。
とすると、３つのフォ１〜ダイオードに均一に光が当た
るようにしなければならず、センサの位置や受光面の角
度が変わると色判別に誤りが生じるという欠点を有して
いる。更に、３色のフィルタを必要とするため、色セン
サの性能が色フィルタの性能により、大きく左右される
という問題点も有している。
そこで、出願人は、先に、第４図（ａ）（ｂ）に示すよ
うな色フィルタを必要としないｐｎｐｆ２３ｆｉを有し
た色センサを発表した（谷、吉川１重政「半導体カラー
・センサ」、ｒテレビジョン学会技術報告」。
うな色フィルタを必要としないｐｎｐｆ２３ｆｉを有し
た色センサを発表した（谷、吉川１重政「半導体カラー
・センサ」、ｒテレビジョン学会技術報告」。
Ｅ Ｄ４１８．１９７８年１２月、銘木「半導体カラー
センサとその応用」、？新しく開発された固体素子セン
サとその応用技術、講習会テキストＪ、 ｐｐ、 ５７
−６Ｊ１９８０年１２月、賀好、山根、銘木「半導体カ
ラーセンサの応用、、ｌｉ′第１回「センサの基礎と応
用」シンポジウム講演予稿集Ｊ、Ｂ５−１．９１）、
４７−４８．１９８１年６月等参照）、この色センサは
、第４図（ａ）に示すように、Ｓｉ半導体でｐ領域２２
．２４とｎ領域２３とからなる簡単なｐｎｐｔＷ造を形
成し、それぞれの領域からＴＬｉ２５，２６．２７を引
き出したものであり、これは、第４図（ｂ）に示すよう
に、２つのフォトダイオードＰＤ、とＰＤ、を逆方向に
直列接続した等価回路で表わされ、フォトダイオードＰ
Ｄ、とフォトダイオードＰＤ２の分光５度特性が異なる
ことを利用し、浅いｐｎ’ｂＦ合のフォ１〜ダイオード
ＰＤ、は短波長の光に感じ、深いｐｎ接合のフォトダイ
オードＰＤ２は長波長の光に感じるようになっており、
Ｓｉそのものがフィルタとなっている。このため、色フ
ィルタは必要としない、又、符号２１は、赤外圭泉カッ
ト・フィルりである。
センサとその応用」、？新しく開発された固体素子セン
サとその応用技術、講習会テキストＪ、 ｐｐ、 ５７
−６Ｊ１９８０年１２月、賀好、山根、銘木「半導体カ
ラーセンサの応用、、ｌｉ′第１回「センサの基礎と応
用」シンポジウム講演予稿集Ｊ、Ｂ５−１．９１）、
４７−４８．１９８１年６月等参照）、この色センサは
、第４図（ａ）に示すように、Ｓｉ半導体でｐ領域２２
．２４とｎ領域２３とからなる簡単なｐｎｐｔＷ造を形
成し、それぞれの領域からＴＬｉ２５，２６．２７を引
き出したものであり、これは、第４図（ｂ）に示すよう
に、２つのフォトダイオードＰＤ、とＰＤ、を逆方向に
直列接続した等価回路で表わされ、フォトダイオードＰ
Ｄ、とフォトダイオードＰＤ２の分光５度特性が異なる
ことを利用し、浅いｐｎ’ｂＦ合のフォ１〜ダイオード
ＰＤ、は短波長の光に感じ、深いｐｎ接合のフォトダイ
オードＰＤ２は長波長の光に感じるようになっており、
Ｓｉそのものがフィルタとなっている。このため、色フ
ィルタは必要としない、又、符号２１は、赤外圭泉カッ
ト・フィルりである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記第４図（ａ） （ｂ）に示す色センサは、
２色分解であるため、波長は読み取れるが、色の判別は
人の視覚と異なることもあり、例えば、赤と青をまぜて
紫となったとしても、この色センサでは、黄と緑との間
の色と判別することがあり、色を正確に判別することは
困難であった。
２色分解であるため、波長は読み取れるが、色の判別は
人の視覚と異なることもあり、例えば、赤と青をまぜて
紫となったとしても、この色センサでは、黄と緑との間
の色と判別することがあり、色を正確に判別することは
困難であった。
そこで、本発明は、正確な色の判別を行なうことができ
る色センサを提供することを目的としてなされたもので
ある。
る色センサを提供することを目的としてなされたもので
ある。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため、本発明の１膜半導体装置は
、基板上にｐｉｎ接合又はｐ１接合を三層以上積層し、
該各層の上下に光透過性或は、一方を不透過性とする電
極を形成してなる。
、基板上にｐｉｎ接合又はｐ１接合を三層以上積層し、
該各層の上下に光透過性或は、一方を不透過性とする電
極を形成してなる。
く作用〉
各接合層に導かれた光の強度の波長依存性が、各接合層
の両端の電極から検出される光電流を測定することによ
り求められる。
の両端の電極から検出される光電流を測定することによ
り求められる。
〈実施例〉
以下、図示の一実施例に基づき、本発明の詳細な説明す
る。
る。
第１図及び第２図は、本発明の薄膜半導体装置の一実施
例を示したものであり、第１図は、構造を示す簡略断面
模式図、第２図は、各層の分光感度の波長依存性を示す
特性図である。
例を示したものであり、第１図は、構造を示す簡略断面
模式図、第２図は、各層の分光感度の波長依存性を示す
特性図である。
この薄膜半導体装置は、第１図に示すように、ガラス基
板２上に、透明導電酸化膜（工ｒａｎｓｐａｒｅｎＬＣ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ０ｘｉｄｅ；ＴＣ○）３ａ、第１
層のｐ型半導体（ｐ領域）４ａ、第１層のｉ型半導体（
ｉ領域）５ａ、第１層のｎ型半導体（ｎ領域）６ａ−Ｔ
ＣＯ３ｂ、第２層のｐ型半導体４ｂ、第２ＦＪのｎ型半
導体５ｂ、第２層のｎ型半導体６ｂ、 ＴＣＯ３ｃ、第
３層のｐ型半導体４ｃ、第３層のｉ型半導体５ｃ、第３
Ｎのｎ型半導体６ｃ並びにオーミック・コンタクト電極
７を、順次、形成してなる。
板２上に、透明導電酸化膜（工ｒａｎｓｐａｒｅｎＬＣ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ０ｘｉｄｅ；ＴＣ○）３ａ、第１
層のｐ型半導体（ｐ領域）４ａ、第１層のｉ型半導体（
ｉ領域）５ａ、第１層のｎ型半導体（ｎ領域）６ａ−Ｔ
ＣＯ３ｂ、第２層のｐ型半導体４ｂ、第２ＦＪのｎ型半
導体５ｂ、第２層のｎ型半導体６ｂ、 ＴＣＯ３ｃ、第
３層のｐ型半導体４ｃ、第３層のｉ型半導体５ｃ、第３
Ｎのｎ型半導体６ｃ並びにオーミック・コンタクト電極
７を、順次、形成してなる。
上記の構成により、入射光１は、まず、ガラス基板２及
びＴＣＯ３ａを透過して、番）型半導体４ａ、ｎ型半導
体５ａ及びｎ型半導体６ａからなる第１層のｐｉｎ接合
に一部が吸収される。ここで吸収される光は、入射光１
の短波長成分である０次に、該第１層のｐｉｎ接合で吸
収されなかった光は、ＴＣ○３ｂを透過して、ｎ型半導
体４ｂ、ｉ型半導体５ｂ及びｎ型半導体６ｂからなる第
２層のｐｉｎ接合に一部が形成される。ここで吸収され
る光は、入射光１の中波長成分である。更に、該第２．
ＩＩのｐｉｎ接合でも吸収されなかった光は、ＴＣＯ３
ｃを透過して、ｐ型半導体４ｅ、ｎ型半導体５Ｃ及びｎ
型半導体６Ｃからなる第３層のｐｉｎ接合で吸収される
。ここで吸収される光は、入射光１の長波長成分である
。そして、各層で吸収された光は、ｐｉｎ接合によって
光電変換されて光電流となり、ＴＣＯ３ａ、３ｂ、３ｃ
及びオーミック・コンタクト電極７から電流ｉａ、ｉｂ
、ｉｃとして取り出される。尚、図中符号８ａ、８ｂ、
Ｓｃは、それぞれ、各層の出力電流ｉａ、ｉｂ、ｉｅを
測定するための電流計である。ここで、上記構成におい
て、上部層が下部層の色フィルタとなっているため、外
部色フィルタはエアである。
びＴＣＯ３ａを透過して、番）型半導体４ａ、ｎ型半導
体５ａ及びｎ型半導体６ａからなる第１層のｐｉｎ接合
に一部が吸収される。ここで吸収される光は、入射光１
の短波長成分である０次に、該第１層のｐｉｎ接合で吸
収されなかった光は、ＴＣ○３ｂを透過して、ｎ型半導
体４ｂ、ｉ型半導体５ｂ及びｎ型半導体６ｂからなる第
２層のｐｉｎ接合に一部が形成される。ここで吸収され
る光は、入射光１の中波長成分である。更に、該第２．
ＩＩのｐｉｎ接合でも吸収されなかった光は、ＴＣＯ３
ｃを透過して、ｐ型半導体４ｅ、ｎ型半導体５Ｃ及びｎ
型半導体６Ｃからなる第３層のｐｉｎ接合で吸収される
。ここで吸収される光は、入射光１の長波長成分である
。そして、各層で吸収された光は、ｐｉｎ接合によって
光電変換されて光電流となり、ＴＣＯ３ａ、３ｂ、３ｃ
及びオーミック・コンタクト電極７から電流ｉａ、ｉｂ
、ｉｃとして取り出される。尚、図中符号８ａ、８ｂ、
Ｓｃは、それぞれ、各層の出力電流ｉａ、ｉｂ、ｉｅを
測定するための電流計である。ここで、上記構成におい
て、上部層が下部層の色フィルタとなっているため、外
部色フィルタはエアである。
第２Ｉ２Ｉは、第１図に示す薄膜半導体装置の各層にお
ける光を流ｉａ、ｉｂ、ｉｅの波長依存性を示したもの
であり、該実施例において、光電流ｉａは青色の光、光
電流ｉｂは緑色の光、光電流ｉｃは赤色の光にそれぞれ
対応している。従って、これらの光電流ｉａ、ｉｂ、ｉ
ｃの大きさを比較・検討することにより、入射光１の色
を判別することができる。
ける光を流ｉａ、ｉｂ、ｉｅの波長依存性を示したもの
であり、該実施例において、光電流ｉａは青色の光、光
電流ｉｂは緑色の光、光電流ｉｃは赤色の光にそれぞれ
対応している。従って、これらの光電流ｉａ、ｉｂ、ｉ
ｃの大きさを比較・検討することにより、入射光１の色
を判別することができる。
尚、本実施例に於いては、半導体として、非晶質（ａ＋
ａｏｒｐｂｏｕｓ ；アモルファス）シリコン（Ｓｉ）
半導体を用いたが、入射光や、必要とする色分解範囲等
により、光学的エネルギー・ギャップ（ｏｐｔｉｃａｌ
ｅｎｅｒｇｙ ｇａｐ）の異なる半導体、例えば、アモ
ルファスシリコン窒素（α−３ｉＮ）、アモルファスシ
リコン炭素（α−３ｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（α−５ｉＧｅ）、ｎ−ＩＶ族化６物半導体、
多結晶シリコン等を使用しても良く、又、ＴＣＯも光透
過性を有するものであれば良く、所謂透明電極である金
（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、１！（Ａｇ）、アルミニ
ウム（ＡＩ）その他の金属３膜（厚さ５０［入］未溝）
や、ＮＥＳＡ膜やＩＴＯ膜等の半導体薄膜等を使用して
ら良い、更に、各部の膜厚は、本実施例では、ｐ型半導
体及びｎ型半導体において５０〜２００［人］、ｉ型半
導体において５００〜１０，０ＯＯｒ入コ、ＴＣＯにお
いて６００〜７００［人］としているが、これらの数値
に限定されず、又、接合構造も、上記実施例に示すｐｉ
ｎ接合に限定されず、ｎｉｐ接合、ｎｐ接合、ｐｎ接合
等適宜選択すれば良い、なお、接合の順序は薄膜半導体
装置内において同一である必要はない、そして、この１
ｌｉＧｌ半導体装置を、光透過性を有する基板上に作成
した場合には、基板側から入射光を導入するようにし、
光不透過性の基板上に作成した場合には、基板とは反対
側から入射光を導入するようにすれば良いが、このとき
、基板とは反対側のオーミック・コンタクト電極７は、
光透過性を有する透明電極とする必要がある。
ａｏｒｐｂｏｕｓ ；アモルファス）シリコン（Ｓｉ）
半導体を用いたが、入射光や、必要とする色分解範囲等
により、光学的エネルギー・ギャップ（ｏｐｔｉｃａｌ
ｅｎｅｒｇｙ ｇａｐ）の異なる半導体、例えば、アモ
ルファスシリコン窒素（α−３ｉＮ）、アモルファスシ
リコン炭素（α−３ｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（α−５ｉＧｅ）、ｎ−ＩＶ族化６物半導体、
多結晶シリコン等を使用しても良く、又、ＴＣＯも光透
過性を有するものであれば良く、所謂透明電極である金
（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、１！（Ａｇ）、アルミニ
ウム（ＡＩ）その他の金属３膜（厚さ５０［入］未溝）
や、ＮＥＳＡ膜やＩＴＯ膜等の半導体薄膜等を使用して
ら良い、更に、各部の膜厚は、本実施例では、ｐ型半導
体及びｎ型半導体において５０〜２００［人］、ｉ型半
導体において５００〜１０，０ＯＯｒ入コ、ＴＣＯにお
いて６００〜７００［人］としているが、これらの数値
に限定されず、又、接合構造も、上記実施例に示すｐｉ
ｎ接合に限定されず、ｎｉｐ接合、ｎｐ接合、ｐｎ接合
等適宜選択すれば良い、なお、接合の順序は薄膜半導体
装置内において同一である必要はない、そして、この１
ｌｉＧｌ半導体装置を、光透過性を有する基板上に作成
した場合には、基板側から入射光を導入するようにし、
光不透過性の基板上に作成した場合には、基板とは反対
側から入射光を導入するようにすれば良いが、このとき
、基板とは反対側のオーミック・コンタクト電極７は、
光透過性を有する透明電極とする必要がある。
〈発明の効果〉
以上のように、本発明のような構造とすることにより、
色フィルタを必要としないので、色フィルタによって色
の判別性能が影響されることなく、しかも一つの連続し
た接合構造によって広範囲に互って色の判別が行ない得
る高性能の色センナを実現することができ、受光面を一
つにすることにより入射光の角度やセンサの位置関係に
よるバラツキや誤差を低減することが可能となり、製造
工程の簡略化、低コスト化並びに製品のコンパクト化を
図ることができ、色の判別精度の著しい向上が期待でき
る。
色フィルタを必要としないので、色フィルタによって色
の判別性能が影響されることなく、しかも一つの連続し
た接合構造によって広範囲に互って色の判別が行ない得
る高性能の色センナを実現することができ、受光面を一
つにすることにより入射光の角度やセンサの位置関係に
よるバラツキや誤差を低減することが可能となり、製造
工程の簡略化、低コスト化並びに製品のコンパクト化を
図ることができ、色の判別精度の著しい向上が期待でき
る。
第１図は、本発明の薄膜半導体装置の一実施例の構造を
示す簡略断面模式図、 第２図は、同上、各層によって検出される光電流の波長
依存性を示す分光恐度特性図、第３図及び第４図（ａ）
（ｂ）は、従来の色センサの一例を示し、第３図は３
色の色フィルタを用いた３色分解型１チップ色センサの
構造を示す簡略断面模式図、第４図（ａ）（ｂ）は単純
なｐｎｐ構造の２色分解型色センサであり、第４図（ａ
）は構造を示す簡略断面模式図、第４図（ｂ＞はその等
価回路図である。
示す簡略断面模式図、 第２図は、同上、各層によって検出される光電流の波長
依存性を示す分光恐度特性図、第３図及び第４図（ａ）
（ｂ）は、従来の色センサの一例を示し、第３図は３
色の色フィルタを用いた３色分解型１チップ色センサの
構造を示す簡略断面模式図、第４図（ａ）（ｂ）は単純
なｐｎｐ構造の２色分解型色センサであり、第４図（ａ
）は構造を示す簡略断面模式図、第４図（ｂ＞はその等
価回路図である。
Claims (1)
- （１）基板上にｐｉｎ接合又はｐｎ接合を三層以上積層
し、該各層の上下に光透過性或は、一方を不透過性とす
る電極を形成してなることを特徴とする薄膜半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158275A JPS6314482A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61158275A JPS6314482A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6314482A true JPS6314482A (ja) | 1988-01-21 |
Family
ID=15668042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61158275A Pending JPS6314482A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314482A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03118634U (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-06 | ||
| JPH08250758A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| EP1309049A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-07 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Wavelength sensitive device for wavelength stabilisation |
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
| US7932574B2 (en) | 2003-05-06 | 2011-04-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP61158275A patent/JPS6314482A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03118634U (ja) * | 1990-03-22 | 1991-12-06 | ||
| JPH08250758A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-09-27 | Nec Corp | 半導体受光素子 |
| EP1309049A1 (en) * | 2001-11-05 | 2003-05-07 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Wavelength sensitive device for wavelength stabilisation |
| US6678293B2 (en) | 2001-11-05 | 2004-01-13 | Agilent Technologies, Inc. | Wavelength sensitive device for wavelength stabilization |
| US7932574B2 (en) | 2003-05-06 | 2011-04-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| JP2006128592A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多波長受光素子及びその製造方法 |
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