JPS63141947A - 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法 - Google Patents
1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法Info
- Publication number
- JPS63141947A JPS63141947A JP28998886A JP28998886A JPS63141947A JP S63141947 A JPS63141947 A JP S63141947A JP 28998886 A JP28998886 A JP 28998886A JP 28998886 A JP28998886 A JP 28998886A JP S63141947 A JPS63141947 A JP S63141947A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- bis
- compound
- dodecahexaene
- aminophenyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- LSJAZRBMMLGSKZ-UHFFFAOYSA-N 4-[12-(4-aminophenyl)dodeca-1,3,5,7,9,11-hexaenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C=CC=CC=CC=CC=CC=CC1=CC=C(N)C=C1 LSJAZRBMMLGSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 abstract description 5
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 abstract description 3
- QEVKLFCXVVUUAR-UHFFFAOYSA-M 3-(4-nitrophenyl)prop-2-enyl-triphenylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1C=CC[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QEVKLFCXVVUUAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- NDCAAPXLWRAESY-UHFFFAOYSA-N hexa-2,4-dienedial Chemical compound O=CC=CC=CC=O NDCAAPXLWRAESY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- -1 Diphenylhexatriene bisazo compound Chemical class 0.000 description 17
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N cyclohexatrienamine Chemical group NC1=CC=C=C[CH]1 UKJLNMAFNRKWGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLCGEJFIZRSXBL-UHFFFAOYSA-N dodeca-1,3,5,7,9,11-hexaene Chemical compound C=CC=CC=CC=CC=CC=C GLCGEJFIZRSXBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFGQHAHJWJBOPD-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-n-phenylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=CC2=CC=CC=C2C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 JFGQHAHJWJBOPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 238000007239 Wittig reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000006193 diazotization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-N iron;hydrochloride Chemical compound Cl.[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- HYGXISCUUFVGQW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;1,4-dioxane Chemical compound CN(C)C=O.C1COCCO1 HYGXISCUUFVGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHQSYGRFZMUQGQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;hydrate Chemical compound O.CN(C)C=O WHQSYGRFZMUQGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYXUHIZLHNDFJT-UHFFFAOYSA-N n-[(9-ethylcarbazol-3-yl)methylideneamino]-n-methylaniline Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1C=NN(C)C1=CC=CC=C1 QYXUHIZLHNDFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000000636 p-nitrophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)[N+]([O-])=O 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
艮笠豆災
本発明は新規な1,12−ビス(4−アミノフェニル)
−1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン及び
そのIll六方法関し、更に詳しくは有機光導電体とし
て有用なビスアゾ化合物を製造するための中間原料であ
る1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1゜3.5
,7,9.11−ドデカへキサエン及びその製造方法に
関する。
−1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン及び
そのIll六方法関し、更に詳しくは有機光導電体とし
て有用なビスアゾ化合物を製造するための中間原料であ
る1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1゜3.5
,7,9.11−ドデカへキサエン及びその製造方法に
関する。
災米五生
従来より5ある種のアゾ化合物が電子写真感光体の一つ
の形態であるVcM型感光感光体いられる有機光導電体
、特に電荷発生顔料として有用であることが知られてい
る。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上に
光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生顔
料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で発
生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送する
能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層と
を設けた感光体である。従来、このような感光体に使用
されるアゾ化合物としては例えば特開昭47−3754
3号公報、同52−55643号公報等に記載されるベ
ンジジン系ビスアゾ化合物や特開昭52−8832号公
報に記載されるスチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭5
8−222152号公報に記載されるジフェニルヘキサ
トリエン系ビスアゾ化合物、特開昭58−222153
号公報に記載されるジフェニルブタジェン系ビスアゾ化
合物等が知られている。
の形態であるVcM型感光感光体いられる有機光導電体
、特に電荷発生顔料として有用であることが知られてい
る。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上に
光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生顔
料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で発
生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送する
能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層と
を設けた感光体である。従来、このような感光体に使用
されるアゾ化合物としては例えば特開昭47−3754
3号公報、同52−55643号公報等に記載されるベ
ンジジン系ビスアゾ化合物や特開昭52−8832号公
報に記載されるスチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭5
8−222152号公報に記載されるジフェニルヘキサ
トリエン系ビスアゾ化合物、特開昭58−222153
号公報に記載されるジフェニルブタジェン系ビスアゾ化
合物等が知られている。
しかし従来のアゾ化合物を用いた積層型感光体は一般に
感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足で
ある。一方、近年レーザープリンター用感光体として特
に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感度
感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体は
同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状で
ある。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体として
有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足で
ある。一方、近年レーザープリンター用感光体として特
に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感度
感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体は
同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状で
ある。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体として
有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
目 的
本発明の目的は高速複写機用としては勿論。
レーザープリンター用としても実用的な高感度の電子写
真感光体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体
として有用なビスアゾ化合物を112造するための中間
原料である1、12−ビス(4−アミノフェニル) −
1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン及びその
製造方法を提供することである。
真感光体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体
として有用なビスアゾ化合物を112造するための中間
原料である1、12−ビス(4−アミノフェニル) −
1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン及びその
製造方法を提供することである。
且−一双
本発明の1つは式(1)
%式%(1)
で示される1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1
゜3.5,7,9.11−ドデカへキサエンであり、他
の1つは式(II) O□N−o+CH=CH入−o−No2(■)で示され
る1、12−ビス(4−ニトロフェニル)−1゜3.5
,7,9.11−ドデカへキサエンを還元して得られる
式(I) H,N−o−+CH=CH)、−@−NH,(1)で示
される1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1゜3
.5,7,9.11−ドデカへキサエンの製造方法であ
る。
゜3.5,7,9.11−ドデカへキサエンであり、他
の1つは式(II) O□N−o+CH=CH入−o−No2(■)で示され
る1、12−ビス(4−ニトロフェニル)−1゜3.5
,7,9.11−ドデカへキサエンを還元して得られる
式(I) H,N−o−+CH=CH)、−@−NH,(1)で示
される1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1゜3
.5,7,9.11−ドデカへキサエンの製造方法であ
る。
本発明のこの新規な1,12−ビス(4−アミノフェニ
ル) −1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン
をジ°アゾ化して、電子写真感光体に用いられる有機光
導電体として有用なビスアゾ化合物を製造するための中
間体である下記一般式%式%() (但しXはアニオン官能基を表わす、)で示されるテト
ラゾニウム塩化合物を得る。
ル) −1,3,5,7,9,11−ドデカへキサエン
をジ°アゾ化して、電子写真感光体に用いられる有機光
導電体として有用なビスアゾ化合物を製造するための中
間体である下記一般式%式%() (但しXはアニオン官能基を表わす、)で示されるテト
ラゾニウム塩化合物を得る。
こ\で一般式(III)におけるアニオン官能基Xの代
表例としてはCno、 Br0. Io、 B F2O
。
表例としてはCno、 Br0. Io、 B F2O
。
PF、”、B(CGH,)4’、COO,。、No4”
。
。
!(、C−◎−5O3e、AsF、”、SbF、’等が
挙げられ、好ましくはBF4”である。
挙げられ、好ましくはBF4”である。
このようにして得られる一般式(DI)で示されるテト
ラゾニウム塩化合物はカップラーとのカップリング反応
により形成される下記一般式■で示されるビスアゾ化合
物を得るための有用な中間体である。
ラゾニウム塩化合物はカップラーとのカップリング反応
により形成される下記一般式■で示されるビスアゾ化合
物を得るための有用な中間体である。
Ar−N=N−o+CH=CH)c−o−N=N−Ar
(rv)〔但しArはArHで示されるカップラー
(例えば水酸基及び/又はアミノ基を有する芳香族炭化
水素化合物;水酸基及び/又はアミノ基を有する複素環
式化合物;脂肪族又は芳香族のエノール性ケ!−ン基を
有する化合物、即ち活性メチレン基を有する化合物等)
の残基を表わす、〕 次に本発明の式(1)で表わされる1、12−ビス(4
−アミノフェニル)−1,3,5,7,9,11−ドデ
カへキサエン及びそれから得られる一般式([[l)で
示されるテトラゾニウム塩化合物の製造方法についてさ
らに詳細に説明する。まずこの製造で使用される式(I
I)の1,12−ビス(4−アミノフェニル) −1,
3,5,7,9,11−ドデカへキサエンは例えば4−
ニトロシンナミルトリフェニルホスホニウムブロマイド
と2,4−へキサジエン−1,6−ジアールとを塩基性
触媒の存在下で縮合させる。いわゆるウィティッヒ反応
によって製造できる。この反応によって生成するジニト
ロ化合物(II)にはシス体が一部含まれるが、これは
反応粗製品をそのまN或いは精脱抜、触媒量の沃素と共
にトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒中で加
熱処理することによりオールトランス体に変換すること
ができる。
(rv)〔但しArはArHで示されるカップラー
(例えば水酸基及び/又はアミノ基を有する芳香族炭化
水素化合物;水酸基及び/又はアミノ基を有する複素環
式化合物;脂肪族又は芳香族のエノール性ケ!−ン基を
有する化合物、即ち活性メチレン基を有する化合物等)
の残基を表わす、〕 次に本発明の式(1)で表わされる1、12−ビス(4
−アミノフェニル)−1,3,5,7,9,11−ドデ
カへキサエン及びそれから得られる一般式([[l)で
示されるテトラゾニウム塩化合物の製造方法についてさ
らに詳細に説明する。まずこの製造で使用される式(I
I)の1,12−ビス(4−アミノフェニル) −1,
3,5,7,9,11−ドデカへキサエンは例えば4−
ニトロシンナミルトリフェニルホスホニウムブロマイド
と2,4−へキサジエン−1,6−ジアールとを塩基性
触媒の存在下で縮合させる。いわゆるウィティッヒ反応
によって製造できる。この反応によって生成するジニト
ロ化合物(II)にはシス体が一部含まれるが、これは
反応粗製品をそのまN或いは精脱抜、触媒量の沃素と共
にトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒中で加
熱処理することによりオールトランス体に変換すること
ができる。
本発明の式(1)で表わされる1、12−ビス(4−ア
ミノフェニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカへ
キサエンは、前述のようにして得られた式■の1.12
−ビス(4−ニトロフェニル) −1,3,5,7,9
,11−ドデカへキサエンの還元によって製造され、こ
の還元反応は通常、鉄−塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還
元剤として70〜120℃の温度に加熱することにより
行なわれ、反応は約0.5〜3時間で完結する。なお鉄
−塩′fI!還元剤を用いた場合はN、N−ジメチルホ
ルムアミドのような有機溶媒中で行なうことが好ましい
。
ミノフェニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカへ
キサエンは、前述のようにして得られた式■の1.12
−ビス(4−ニトロフェニル) −1,3,5,7,9
,11−ドデカへキサエンの還元によって製造され、こ
の還元反応は通常、鉄−塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還
元剤として70〜120℃の温度に加熱することにより
行なわれ、反応は約0.5〜3時間で完結する。なお鉄
−塩′fI!還元剤を用いた場合はN、N−ジメチルホ
ルムアミドのような有機溶媒中で行なうことが好ましい
。
なお以上のようにして得られるジニトロ化合物(II)
及びジアミノ化合物(1)はいずれも新規物質である。
及びジアミノ化合物(1)はいずれも新規物質である。
次にこうして得られた本発明の式(りの1゜12−ビス
(4−アミノフェニル) −1,3,5,7,9゜11
−ドデカヘキエサンのジアゾ化はこのジアミノ化合物(
+)を塩酸、硫酸等の無機酸中に分散し、これに、−1
O〜20℃の温度で亜硝酸ナトリウムを添加することに
より行なわれ、反応は約0.5〜3時間で完結する。
(4−アミノフェニル) −1,3,5,7,9゜11
−ドデカヘキエサンのジアゾ化はこのジアミノ化合物(
+)を塩酸、硫酸等の無機酸中に分散し、これに、−1
O〜20℃の温度で亜硝酸ナトリウムを添加することに
より行なわれ、反応は約0.5〜3時間で完結する。
この反応により一般式(III)のテトラゾニウム塩が
得られるが、更にこのシア゛ゾ化反応液に例えば硼弗化
水素酸、硼弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩交換す
ることにより一般式(II)のテトラゾニウム塩を得る
ことができる。
得られるが、更にこのシア゛ゾ化反応液に例えば硼弗化
水素酸、硼弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩交換す
ることにより一般式(II)のテトラゾニウム塩を得る
ことができる。
以下に本発明を実施例及び応用例によって説明する。
4−ニトロシンナミルトリフェニルホスホニウムブロマ
イド28.7g及び2.4−へキサジエン−1,6−ジ
アール2.9gを乾燥メタノール250m Qに採り、
窒素気流下、ナトリウムメトキシドの213%メタノー
ル溶液14.4gを23〜26℃で滴下した。1時間を
要した0滴下後室温で7時間攪拌した後、50%メタノ
ール水溶液200IIQで希釈し、沈殿物をt戸数し、
水洗、R燥して、シス体を含む粗製品9.0g(収率8
7%)を得た。
イド28.7g及び2.4−へキサジエン−1,6−ジ
アール2.9gを乾燥メタノール250m Qに採り、
窒素気流下、ナトリウムメトキシドの213%メタノー
ル溶液14.4gを23〜26℃で滴下した。1時間を
要した0滴下後室温で7時間攪拌した後、50%メタノ
ール水溶液200IIQで希釈し、沈殿物をt戸数し、
水洗、R燥して、シス体を含む粗製品9.0g(収率8
7%)を得た。
つぎにこれを触媒量の沃素と共にキシレン200a+
Q中で8時間加熱還流した後、DMF−ジオキサンの混
合溶媒で再結晶して、オールトランスの1,12−ビス
(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9,11−
ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶7.2gを得た。融
点250℃ 元素分析値(%) HN 実測値 71.81 5,05 6,92赤外
線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示したが
、1510.1340co+−”にニトロ基の伸縮振動
に基づく吸収が、また1005,975cn+−1にト
ランスオレフィンの面外変角振動に基づく吸収が認めら
れた。
Q中で8時間加熱還流した後、DMF−ジオキサンの混
合溶媒で再結晶して、オールトランスの1,12−ビス
(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9,11−
ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶7.2gを得た。融
点250℃ 元素分析値(%) HN 実測値 71.81 5,05 6,92赤外
線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示したが
、1510.1340co+−”にニトロ基の伸縮振動
に基づく吸収が、また1005,975cn+−1にト
ランスオレフィンの面外変角振動に基づく吸収が認めら
れた。
112−ビス4−アミノフェニル)−hhh’xし旦前
述のようにして得られたジニトロ化合物7、0[をD
M F 250rs nに採り、これに鉄粉]4.Og
を加えた後、攪拌下に、製塩N!3.3mA及び水10
mfiからなる希塩酸を加え、80〜90℃で4時間攪
拌した。ついで60℃まで冷却した後。
述のようにして得られたジニトロ化合物7、0[をD
M F 250rs nに採り、これに鉄粉]4.Og
を加えた後、攪拌下に、製塩N!3.3mA及び水10
mfiからなる希塩酸を加え、80〜90℃で4時間攪
拌した。ついで60℃まで冷却した後。
10%苛性ソーダ水溶液を加え、アルカリ性とし、不溶
部をセライトと共に熱濾過した。ろ液を水で希釈し、析
出した結晶を濾過、水洗。
部をセライトと共に熱濾過した。ろ液を水で希釈し、析
出した結晶を濾過、水洗。
乾燥して5.1g (収率85%)のジアミノ化合物を
得た。DMF−水の混合溶媒から再結晶して、 1.1
2−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7゜9
.11−ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶を得た。融
点276℃(分解点) 元素分析値(%) HN 実測値 84.42 7,13 8.12赤外
線吸収スペクトル’:KBr錠剤法)を第2図に示した
が、3450〜3200c+a−”に第1級アミンの伸
縮振動が、10や0.975cm−”にトランスオレフ
ィンの面外変角振動に基づく吸収が認められた。
得た。DMF−水の混合溶媒から再結晶して、 1.1
2−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7゜9
.11−ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶を得た。融
点276℃(分解点) 元素分析値(%) HN 実測値 84.42 7,13 8.12赤外
線吸収スペクトル’:KBr錠剤法)を第2図に示した
が、3450〜3200c+a−”に第1級アミンの伸
縮振動が、10や0.975cm−”にトランスオレフ
ィンの面外変角振動に基づく吸収が認められた。
テトラゾニウム塩の 。
前述のようにして得られたジアミノ化合物4.0gを濃
硫酸7mQ及び水100m Qからなる希硫酸に加え、
60℃で2時間攪拌した後、−3℃まで急冷した。つい
でこれに亜硝酸ナトリウム1.74gを水5mQに溶解
した溶液を−3〜−2℃で40分を要して滴下した。そ
の後同温度で20分間攪拌し、水200rm Qを加え
た後、微量の不溶物を濾過除去し、ろ液に42%硼弗化
水素酸水溶液を加え、析出した結晶を、更地、乾燥して
暗赤色のテトラゾニウム塩5.5g (収率87%)を
得た。
硫酸7mQ及び水100m Qからなる希硫酸に加え、
60℃で2時間攪拌した後、−3℃まで急冷した。つい
でこれに亜硝酸ナトリウム1.74gを水5mQに溶解
した溶液を−3〜−2℃で40分を要して滴下した。そ
の後同温度で20分間攪拌し、水200rm Qを加え
た後、微量の不溶物を濾過除去し、ろ液に42%硼弗化
水素酸水溶液を加え、析出した結晶を、更地、乾燥して
暗赤色のテトラゾニウム塩5.5g (収率87%)を
得た。
応用例
上記製造例で得られたテトラゾニウム塩と下記式Vで示
されるナフトールASとのカップリング反応により下記
式■で示されるビスアゾ化合物を合成した。
されるナフトールASとのカップリング反応により下記
式■で示されるビスアゾ化合物を合成した。
次にこのビスアゾ化合物(電荷発生物質として)7.5
部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡ta製バイロン
200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部を
ボールミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミ
ニウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレード
で塗布し、 自然乾燥して約1μ鳳厚の電荷発生店を形
成した0次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラ
ゾン2部をポリカーボネート樹脂〔(株)音大製パンラ
イトに−13003の10%テトラヒドロフラン溶液に
溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレー
ドで塗布し、80℃で2分間、ついで120℃で5分間
乾燥して厚さ約20μ鳳の電荷輸送層を形成した。
部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡ta製バイロン
200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部を
ボールミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミ
ニウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレード
で塗布し、 自然乾燥して約1μ鳳厚の電荷発生店を形
成した0次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾー
ル−3−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラ
ゾン2部をポリカーボネート樹脂〔(株)音大製パンラ
イトに−13003の10%テトラヒドロフラン溶液に
溶解し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレー
ドで塗布し、80℃で2分間、ついで120℃で5分間
乾燥して厚さ約20μ鳳の電荷輸送層を形成した。
次にこうして得られた積層型電子写真感光体の可視域で
の感度を調べるため、この感光体について静@複写紙試
験装置〔(株)川口電機製作所1128P428型〕を
用いて暗所v−eKVのコロナ放電を20秒間行なって
帯電せしめた後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面
電位Vo(ボルト)を測定し、ついで感光体表面の照度
が4.5Quxになるようにタングステンランプ光を照
射してその表面電位がVoの1/2になるまでの時間(
see)を求め、可視域での感度として半減露光量E1
/2を求めた。この結果、Vo=858ボルト、 E
1/2=6.1 fi・ux、secであった。
の感度を調べるため、この感光体について静@複写紙試
験装置〔(株)川口電機製作所1128P428型〕を
用いて暗所v−eKVのコロナ放電を20秒間行なって
帯電せしめた後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面
電位Vo(ボルト)を測定し、ついで感光体表面の照度
が4.5Quxになるようにタングステンランプ光を照
射してその表面電位がVoの1/2になるまでの時間(
see)を求め、可視域での感度として半減露光量E1
/2を求めた。この結果、Vo=858ボルト、 E
1/2=6.1 fi・ux、secであった。
このように本発明の式(1)で表わされるジアミノ化合
物から誘導されるビスアゾ化合物を用いた感光体は可視
域での感度が、きわめて高いことが判る。
物から誘導されるビスアゾ化合物を用いた感光体は可視
域での感度が、きわめて高いことが判る。
効−−−逮一
以上の説明から判るように本発明の式(りで表わされる
ジアミノ化合物は高速複写機用としても、またレーザー
プリンター用としても高い感度を示す電子写真感光体、
特に積層型感光体に用いられる有機光導電体であるビス
アゾ化合物の中間体としてきわめて有用である。
ジアミノ化合物は高速複写機用としても、またレーザー
プリンター用としても高い感度を示す電子写真感光体、
特に積層型感光体に用いられる有機光導電体であるビス
アゾ化合物の中間体としてきわめて有用である。
第1図は本発明のジアミノ化合物を製造するための出発
原料であるジニトロ化合物の赤外線吸収スペクトルであ
り、第2図は本発明のジアミノ化合物の赤外線吸収スペ
クトルを示す。 特許出願人 株式会社 リ コ − ”tli”1′
原料であるジニトロ化合物の赤外線吸収スペクトルであ
り、第2図は本発明のジアミノ化合物の赤外線吸収スペ
クトルを示す。 特許出願人 株式会社 リ コ − ”tli”1′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される1,12−ビス(4−アミノフェニル)−1
,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン。 2、式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で示される1,12−ビス(4−ニトロフェニル)−1
,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエンを還元して
得られる式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される1,12−ビス(4−アミノフェニル)−1
,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエンの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61289988A JP2504972B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61289988A JP2504972B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63141947A true JPS63141947A (ja) | 1988-06-14 |
JP2504972B2 JP2504972B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17750324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61289988A Expired - Lifetime JP2504972B2 (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2504972B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58152248A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS59136351A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS60247244A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP61289988A patent/JP2504972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58152248A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS59136351A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS60247244A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2504972B2 (ja) | 1996-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0158182B2 (ja) | ||
JPS63141947A (ja) | 1,12−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造法 | |
JPS62267363A (ja) | 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法 | |
JP2906149B2 (ja) | ビスアゾ化合物及びその製造法 | |
JPH0158181B2 (ja) | ||
JPS63142063A (ja) | 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法 | |
JPS63141952A (ja) | 新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法 | |
JP2504989B2 (ja) | 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 | |
JP2612301B2 (ja) | ビスアゾ化合物及びその製造法 | |
JPS63270654A (ja) | ビス(ジアゾニウム)塩化合物及びその製造法 | |
JPS63141946A (ja) | 1,12−ビス(4−ニトロフエニル)−1,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエン及びその製造方法 | |
JPH0466905B2 (ja) | ||
JPS62267366A (ja) | フエナジン誘導体及びその製造方法 | |
JPS62267256A (ja) | 新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法 | |
JPH0784565B2 (ja) | ジスアゾ化合物 | |
JP2612169B2 (ja) | アゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS5936654A (ja) | 新規なジアミノ化合物、新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPS62295965A (ja) | ビスアゾ化合物及びその製造方法 | |
JPH0317161A (ja) | 新規なビスアゾ化合物、ビス(ジアゾニウム)塩及びこれらの製造方法 | |
JPH0558032B2 (ja) | ||
JP2897133B2 (ja) | ビスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPH04170471A (ja) | ビスアゾ化合物 | |
JPS614765A (ja) | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPH0335061A (ja) | ビスアゾ化合物およびその製造方法 | |
JPH0554510B2 (ja) |