JPS63135146A - 勾配磁場応答測定方法 - Google Patents
勾配磁場応答測定方法Info
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- JPS63135146A JPS63135146A JP61283685A JP28368586A JPS63135146A JP S63135146 A JPS63135146 A JP S63135146A JP 61283685 A JP61283685 A JP 61283685A JP 28368586 A JP28368586 A JP 28368586A JP S63135146 A JPS63135146 A JP S63135146A
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Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、核磁気共鳴断層撮影装置に印加する勾配磁場
により生ずる渦電流の影響を除去するため、渦電流によ
る勾配磁場応答を測定する測定方法に関する。
により生ずる渦電流の影響を除去するため、渦電流によ
る勾配磁場応答を測定する測定方法に関する。
(従来の技術)
核磁気共鳴(以下NMRという)現象を用いて特定原子
核に注目した被検体の断Jul像を得るNMR−CTは
従来から知られている。このNMR−CTの原理のw要
を箱単に説明する。
核に注目した被検体の断Jul像を得るNMR−CTは
従来から知られている。このNMR−CTの原理のw要
を箱単に説明する。
原子核は磁気を帯びた回転している独楽と見ることがで
きるが、それを例えば2軸方向の静la場11oの中に
おくと、前記の原子核は次式で示す角速度ω0で歳差運
動をする。これをラーモアの歳差運動という。
きるが、それを例えば2軸方向の静la場11oの中に
おくと、前記の原子核は次式で示す角速度ω0で歳差運
動をする。これをラーモアの歳差運動という。
ω0−TI」o 但し、γ:核磁気回転比今、静磁
場のある2軸に垂直な軸、例えばx軸に高周波コイルを
配置し、xy面内で回転する前記の角周波数ω0の高周
波回転!!場を印加すると磁気共鳴が起り、静磁場No
のもとでゼーマン***をしていた原子核の集団は共鳴条
件を満足する高周波Ia場によって準位間の遷移を生じ
、エネルギ一単位の高い方の単位に遷移する。ここで、
核磁気回転比γは原子核の種類によって異なるので共鳴
周波数によって当該原子核を特定することができる。更
にその共鳴の強さを測定すれば、その原子核の存在mを
知ることができる。共鳴後緩和時間と呼ばれる時定数で
定まる時間の間に高い準位へ励起された原子核は低い準
位へ戻ってエネルギーのtll射を行う。
場のある2軸に垂直な軸、例えばx軸に高周波コイルを
配置し、xy面内で回転する前記の角周波数ω0の高周
波回転!!場を印加すると磁気共鳴が起り、静磁場No
のもとでゼーマン***をしていた原子核の集団は共鳴条
件を満足する高周波Ia場によって準位間の遷移を生じ
、エネルギ一単位の高い方の単位に遷移する。ここで、
核磁気回転比γは原子核の種類によって異なるので共鳴
周波数によって当該原子核を特定することができる。更
にその共鳴の強さを測定すれば、その原子核の存在mを
知ることができる。共鳴後緩和時間と呼ばれる時定数で
定まる時間の間に高い準位へ励起された原子核は低い準
位へ戻ってエネルギーのtll射を行う。
このNMRの現象の観測方法の中パルス法について第3
図を参照しながら説明する。
図を参照しながら説明する。
前述のように共鳴条件を満足する高周波パルス(Hl)
を静磁場(2軸)に垂直なく×軸)方向に印加すると、
第3図(イ)に示すように磁化ベクトルMは回転座標系
でω′−丁H1の角周波数でzy面内で回転を始める。
を静磁場(2軸)に垂直なく×軸)方向に印加すると、
第3図(イ)に示すように磁化ベクトルMは回転座標系
でω′−丁H1の角周波数でzy面内で回転を始める。
今パルス幅をtoとするとHoからの回転角θは次式で
表わされる。
表わされる。
θ=γ自1tD ・・・(1)(1
)式においてθ−90″となるような1.をもつパルス
を90″パルスと呼ぶ。この90°パルス直後では磁化
ベクトルMは第3図(ロ)のように×y面をG0で回転
していることになり、例えばz軸においたコイルに誘導
起電力を生じる。しかし、この信号は時間と共に減衰し
ていくので、この信号を自由誘導減衰信号(FID佑号
信号呼ぶ。FID信号をフーリエ変換すれば周波数領域
での信号が1qられる。次に第3図(ハ)に示すように
90°パルスからτ時間後θ−180°になるようなパ
ルス幅の第2のパルス(180’パルス)を加えるとば
らばらになっていた磁気モーメントがτ時間4U −y
方向で再び焦点を合せて信号が観測される。この信号を
スピンエコー(8E信号)と呼んでいる。このSE倍信
号強度を測定して所望の像を得ることができる。NMR
の共鳴条件は シーγHo / 2π で与えられる。ここで、νは共鳴周波数、1」oは静磁
場の強さである。従って共鳴周波数は磁場の強さに比例
することが分る。このため静磁場に線形の磁場勾配を重
畳させて、位置によって異なる強さの磁場を与え、共鳴
周波数を変化させて位置情報を得るNMRイメージング
の方法がある。この内フーリエ変換法について説明する
。この手法に用いる高周波磁場及び勾配磁場印加のパル
スシーケンスを第4図に示す。(イ)図において、χ。
)式においてθ−90″となるような1.をもつパルス
を90″パルスと呼ぶ。この90°パルス直後では磁化
ベクトルMは第3図(ロ)のように×y面をG0で回転
していることになり、例えばz軸においたコイルに誘導
起電力を生じる。しかし、この信号は時間と共に減衰し
ていくので、この信号を自由誘導減衰信号(FID佑号
信号呼ぶ。FID信号をフーリエ変換すれば周波数領域
での信号が1qられる。次に第3図(ハ)に示すように
90°パルスからτ時間後θ−180°になるようなパ
ルス幅の第2のパルス(180’パルス)を加えるとば
らばらになっていた磁気モーメントがτ時間4U −y
方向で再び焦点を合せて信号が観測される。この信号を
スピンエコー(8E信号)と呼んでいる。このSE倍信
号強度を測定して所望の像を得ることができる。NMR
の共鳴条件は シーγHo / 2π で与えられる。ここで、νは共鳴周波数、1」oは静磁
場の強さである。従って共鳴周波数は磁場の強さに比例
することが分る。このため静磁場に線形の磁場勾配を重
畳させて、位置によって異なる強さの磁場を与え、共鳴
周波数を変化させて位置情報を得るNMRイメージング
の方法がある。この内フーリエ変換法について説明する
。この手法に用いる高周波磁場及び勾配磁場印加のパル
スシーケンスを第4図に示す。(イ)図において、χ。
y、z軸に大々Gx 、Gy 、Gzの勾配磁場を与え
、高周波磁場をX軸に印加する状態を示している。(ロ
)図は夫々の磁場を印加するタイミングを示す図である
。図においてRFは高周波の回転!i場で90″パルス
と180°パルスをX軸に印加する。G×はz軸に印加
する固定の勾配磁場、Gyはy軸に印加する時間によつ
て振幅を変化させる勾配磁場、Gzはz軸に印加する固
定の勾配磁場である。信号は90”パルス後のFID信
号と180°パルス後のSE倍信号示している。期間は
各軸に与える勾配romの信号の時期を示すために設け
である。期間1において90°パルスと勾配磁場Qz◆
によって2−0を中心とするz軸に垂直な断層撮影にお
けるスライス面内のスピンが選択的に励起される。期間
2のG×÷はスピンの位相を乱れさせて1800パルス
で反転させるためのもので、ディフェーズ勾配と呼ばれ
る。G2−はGz◆によって乱れたスピンの位相を元に
戻すためのものである。期間2ではGynも印加する。
、高周波磁場をX軸に印加する状態を示している。(ロ
)図は夫々の磁場を印加するタイミングを示す図である
。図においてRFは高周波の回転!i場で90″パルス
と180°パルスをX軸に印加する。G×はz軸に印加
する固定の勾配磁場、Gyはy軸に印加する時間によつ
て振幅を変化させる勾配磁場、Gzはz軸に印加する固
定の勾配磁場である。信号は90”パルス後のFID信
号と180°パルス後のSE倍信号示している。期間は
各軸に与える勾配romの信号の時期を示すために設け
である。期間1において90°パルスと勾配磁場Qz◆
によって2−0を中心とするz軸に垂直な断層撮影にお
けるスライス面内のスピンが選択的に励起される。期間
2のG×÷はスピンの位相を乱れさせて1800パルス
で反転させるためのもので、ディフェーズ勾配と呼ばれ
る。G2−はGz◆によって乱れたスピンの位相を元に
戻すためのものである。期間2ではGynも印加する。
これはy方向の位置に比例してスピンの位相をずらして
やるためのもので、その強度は毎周期異なるように制御
される。期間3において1804パルスを与えて再び磁
気モーメントを揃え、その債に現われるSE倍信号Il
l察する。期間4のGX÷は乱れた位相を揃え、SE倍
信号生じさせるための勾配磁場でリフェーズ勾配といい
、リフェーズ勾配とディフェーズ勾配の面積が等しくな
ったところにSE倍信号現われる。
やるためのもので、その強度は毎周期異なるように制御
される。期間3において1804パルスを与えて再び磁
気モーメントを揃え、その債に現われるSE倍信号Il
l察する。期間4のGX÷は乱れた位相を揃え、SE倍
信号生じさせるための勾配磁場でリフェーズ勾配といい
、リフェーズ勾配とディフェーズ勾配の面積が等しくな
ったところにSE倍信号現われる。
このNMR−CTにおいて、静磁場が大きいとSN比が
向上するので超電導磁石を使用する場合が増える傾向に
あるが、ここで、渦電流の問題が発生した。即ち、勾配
置場を印加すると、静磁場用磁石の導体及び冷却用のヘ
リウム槽の容器等に勾配計1場による渦TEA流が発生
し、この渦電流によって生ずる磁束により勾配磁場が打
消されて弱くなるという現象を生ずる。これは超Ti導
磁石の導体及びヘリウム槽の容器が超低温に冷却されて
いるため抵抗値が極めて小さくO又は0に近い値になっ
ていて、大きな渦電流を長い時定数で流すために特に問
題になったものである。又、渦電流はヘリウム槽の外部
にあるクライオスタットのステンレス材等によるものも
あり、これは常温なので抵抗値が大きく時定数は短いが
前記の渦電流に加わって影響を及ぼす。又、渦電流は周
波数の高い場合に影響が大きく、従って立上りの急峻な
波形に対して立1−りを鈍らせ、良好なNMR像を得る
ことを妨げている。
向上するので超電導磁石を使用する場合が増える傾向に
あるが、ここで、渦電流の問題が発生した。即ち、勾配
置場を印加すると、静磁場用磁石の導体及び冷却用のヘ
リウム槽の容器等に勾配計1場による渦TEA流が発生
し、この渦電流によって生ずる磁束により勾配磁場が打
消されて弱くなるという現象を生ずる。これは超Ti導
磁石の導体及びヘリウム槽の容器が超低温に冷却されて
いるため抵抗値が極めて小さくO又は0に近い値になっ
ていて、大きな渦電流を長い時定数で流すために特に問
題になったものである。又、渦電流はヘリウム槽の外部
にあるクライオスタットのステンレス材等によるものも
あり、これは常温なので抵抗値が大きく時定数は短いが
前記の渦電流に加わって影響を及ぼす。又、渦電流は周
波数の高い場合に影響が大きく、従って立上りの急峻な
波形に対して立1−りを鈍らせ、良好なNMR像を得る
ことを妨げている。
以上のような渦電流の影響を補償する必要上から渦電流
による影響の川を測定する方法として、本件出願人が先
に提案した方法(特願昭61−251058号)、サー
チコイルに誘起される電圧波形から求める方法等がある
。
による影響の川を測定する方法として、本件出願人が先
に提案した方法(特願昭61−251058号)、サー
チコイルに誘起される電圧波形から求める方法等がある
。
特願昭61−251058号の方法のパルスシーケンス
を第5図に示す。図において、勾配磁場の印加はx軸の
みとし、他の2軸はオフにしである。、1はR’ F軸
に印加ザる高周波の回転磁場の90°パルスで、FTD
信号2を受信コイル(図示せず)に誘起させる。3はX
軸に印加したスピンの位相を乱れさせるディフェーズ勾
配で、そのパルス幅は丁0である。4はディフェーズパ
ルス後、RF軸に印加し、スピンを反転させる180°
パルス、5は180’パルス4の後で位相を整えてSE
信号6を誘起さμるリフェーズ勾配で、そのパルスの立
上りとSE信号6との間隔をrllとする。■ε点7は
90″パルスと180°パルスとの時間間隔下E /
2の2倍の時間間隔Tεにおける点である。δはディフ
ェーズ勾配3の終端と180゛パルス4どの時間間隔、
εはSE信号6とTE点7どの時間間隔、Goはディフ
ェーズ勾配3の振幅、GRはリフェーズ勾配5の振幅で
ある。
を第5図に示す。図において、勾配磁場の印加はx軸の
みとし、他の2軸はオフにしである。、1はR’ F軸
に印加ザる高周波の回転磁場の90°パルスで、FTD
信号2を受信コイル(図示せず)に誘起させる。3はX
軸に印加したスピンの位相を乱れさせるディフェーズ勾
配で、そのパルス幅は丁0である。4はディフェーズパ
ルス後、RF軸に印加し、スピンを反転させる180°
パルス、5は180’パルス4の後で位相を整えてSE
信号6を誘起さμるリフェーズ勾配で、そのパルスの立
上りとSE信号6との間隔をrllとする。■ε点7は
90″パルスと180°パルスとの時間間隔下E /
2の2倍の時間間隔Tεにおける点である。δはディフ
ェーズ勾配3の終端と180゛パルス4どの時間間隔、
εはSE信号6とTE点7どの時間間隔、Goはディフ
ェーズ勾配3の振幅、GRはリフェーズ勾配5の振幅で
ある。
このシーケンスにおいて、ディフェーズ勾配3を90°
パルス1に最も近付けた状態、即らδ→TE/2のとき
ε−〇になるようにGDを調整する。180°パルスの
前後におけるパルスの面積が笠しくなったところにSE
信号6が出現するのでGo 、To 、GR、TRの間
には次式のような関係がある。
パルス1に最も近付けた状態、即らδ→TE/2のとき
ε−〇になるようにGDを調整する。180°パルスの
前後におけるパルスの面積が笠しくなったところにSE
信号6が出現するのでGo 、To 、GR、TRの間
には次式のような関係がある。
Go −To =GR−TR=O・・・(2)従ってG
oを大きくすればSE信号6はTE点7に近付きε−0
とすることができる。本来δはεには影響しない筈であ
るが、実際にはδを変化させるとεが変化する。それは
ディフェーズ勾配3と、リフェーズ勾配5とのパルスの
立上り、立下りに対して渦電流による磁場勾配が影響す
るからである。この状態を第6図に示す。図において、
第5図と同じ部分には同じ符8を付しである。渦電流に
よる磁場の影響としてディフェーズ勾配3の立も上がり
時と立も下がり時及びリフェーズ勾配5の立ち上がり時
の波形の乱れによるものがあり、図に示すハツチングを
した部分としない部分のそれぞれの面積の和が等しくな
るようにSE信号6が現われる。
oを大きくすればSE信号6はTE点7に近付きε−0
とすることができる。本来δはεには影響しない筈であ
るが、実際にはδを変化させるとεが変化する。それは
ディフェーズ勾配3と、リフェーズ勾配5とのパルスの
立上り、立下りに対して渦電流による磁場勾配が影響す
るからである。この状態を第6図に示す。図において、
第5図と同じ部分には同じ符8を付しである。渦電流に
よる磁場の影響としてディフェーズ勾配3の立も上がり
時と立も下がり時及びリフェーズ勾配5の立ち上がり時
の波形の乱れによるものがあり、図に示すハツチングを
した部分としない部分のそれぞれの面積の和が等しくな
るようにSE信号6が現われる。
DI +D2 +D3 +D4 =Rt +R2+R3
・・・(3) δとεは(3)式が成立するように関連しながら変化す
る。δとεの変化は第7図に示す通りである。図におい
て縦軸のε(ms)は対数目盛にしである。このグラフ
から時定数τを求めるのが位相積分法である。この方法
は直接オシログラフで読み取ることができ、又、簡単な
計算で時定数を求めることができる。
・・・(3) δとεは(3)式が成立するように関連しながら変化す
る。δとεの変化は第7図に示す通りである。図におい
て縦軸のε(ms)は対数目盛にしである。このグラフ
から時定数τを求めるのが位相積分法である。この方法
は直接オシログラフで読み取ることができ、又、簡単な
計算で時定数を求めることができる。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、前記の渦電流の時定数の測定には次のような
欠点がある。
欠点がある。
SE信号6がTε点7の位置にあるとぎ、即らε=0の
とき、SE信号6が磁場不均一の影響を受けないで良い
波形で観測できるが、この測定法ではδを変化させてε
の変化を見る方法であるため、ε≠Oであって、SE信
号6が広がり、その中心位置が不明確で、εの値の正確
な把握が困難であって、測定が不正確になることがある
。又、サーチコイルによる方法は精度が悪く、時定数の
長い成分の測定が困難である。
とき、SE信号6が磁場不均一の影響を受けないで良い
波形で観測できるが、この測定法ではδを変化させてε
の変化を見る方法であるため、ε≠Oであって、SE信
号6が広がり、その中心位置が不明確で、εの値の正確
な把握が困難であって、測定が不正確になることがある
。又、サーチコイルによる方法は精度が悪く、時定数の
長い成分の測定が困難である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、直接オシログラフで読み取るような簡便な方法で、し
かも簡単な計算で求めることができ、且つ、!l楊不均
−による影響を受けない渦電流の時定数測定法を実現す
ることにある。
、直接オシログラフで読み取るような簡便な方法で、し
かも簡単な計算で求めることができ、且つ、!l楊不均
−による影響を受けない渦電流の時定数測定法を実現す
ることにある。
(問題点を解決するための手段)
前記の問題点を解決する本発明は、核磁気共鳴117i
層撮影装置に印加する勾配!1場により生ずる渦電流の
影響を除去するため、渦電流による勾配磁場応答を測定
する測定方法において、180°パルスによるSE信り
のパルスシーケンスを用いて、SE倍信号90°パルス
と180°パルスの時間間隔の2倍の位置に固定させ、
ディフェーズ勾配の振幅と、前記ディフェーズ勾配と1
80@パルスのそれぞれの印加時期の時間間隔の変化と
の関係から、渦電流による勾配磁場応答特性を求めるこ
とを特徴とするものである。
層撮影装置に印加する勾配!1場により生ずる渦電流の
影響を除去するため、渦電流による勾配磁場応答を測定
する測定方法において、180°パルスによるSE信り
のパルスシーケンスを用いて、SE倍信号90°パルス
と180°パルスの時間間隔の2倍の位置に固定させ、
ディフェーズ勾配の振幅と、前記ディフェーズ勾配と1
80@パルスのそれぞれの印加時期の時間間隔の変化と
の関係から、渦電流による勾配磁場応答特性を求めるこ
とを特徴とするものである。
(作用)
ディフェーズ勾配の信号の振幅を調整して、SE倍信号
90′″パルスを起点とする時間TEの点に発生せしめ
、SE倍信号位置をTE点から動かさないようにしなが
ら、ディフェーズ勾配の振幅(Go )を変化させて、
ディフェーズ勾配と180°パルスの印加時期との時間
間隔(δ)の変化を測定し、Goとδの関係から、渦電
流による勾装置1場応答特性を求める。
90′″パルスを起点とする時間TEの点に発生せしめ
、SE倍信号位置をTE点から動かさないようにしなが
ら、ディフェーズ勾配の振幅(Go )を変化させて、
ディフェーズ勾配と180°パルスの印加時期との時間
間隔(δ)の変化を測定し、Goとδの関係から、渦電
流による勾装置1場応答特性を求める。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の方法を詳細に説明する。尚
、本発明の方法を実施するNMR−CTの構成は通常の
ものでよい。
、本発明の方法を実施するNMR−CTの構成は通常の
ものでよい。
第1図は本発明の一実施例の方法の説明図である。図に
おいて、勾配置a場の印加はX軸のみとし、他の2軸は
オフにしである。図中、第5図と同じ部分には同じ符号
を付しである。
おいて、勾配置a場の印加はX軸のみとし、他の2軸は
オフにしである。図中、第5図と同じ部分には同じ符号
を付しである。
次に実施例の測定方法の原理及び方法の実施を説明する
。マグネット中に適当な体積の水ファントムを置き、デ
ィフェーズ勾配3の印加時期を90″′パルス直後に置
き、リフェーズ勾配5の印加時期を180゛パルス直後
に置いて、振幅Go又は振幅Gp+を調整して時間間隔
εを0にする。ε=・0に調整したとき、180°パル
ス4を境にした前後の勾配磁場の面積が等しくなるため
Go。
。マグネット中に適当な体積の水ファントムを置き、デ
ィフェーズ勾配3の印加時期を90″′パルス直後に置
き、リフェーズ勾配5の印加時期を180゛パルス直後
に置いて、振幅Go又は振幅Gp+を調整して時間間隔
εを0にする。ε=・0に調整したとき、180°パル
ス4を境にした前後の勾配磁場の面積が等しくなるため
Go。
To 、Go 、TR間には(2)式の関係が成立って
いる。
いる。
次にGDを小さくすると、TRが小さくなるようにSE
信号6が移動してε〉Oとなる。ここで既述の位相積分
法において説明したようにδを変えればεも変わるので
ε・−〇になるようにδを変化させる。このようにして
ε−0を保ちながらGOを変化させてδの測定値を(9
る。
信号6が移動してε〉Oとなる。ここで既述の位相積分
法において説明したようにδを変えればεも変わるので
ε・−〇になるようにδを変化させる。このようにして
ε−0を保ちながらGOを変化させてδの測定値を(9
る。
一方渦電流の時定数τ及び初期値の割合(ゲイン)Aは
次のようにして求められる。勾配磁場及び渦電流により
発生ずる磁場による磁場ベクトルの位相回転量を求める
。第6図において、D1〜D4 (斜線部分)がディ
フェーズ勾配方向の位相〈ここではプラスの位相とする
)を、R1−R3の部分がリフェーズ勾配方向の位相(
ここではマイナス方向の位相とする)を与える。渦電流
をA・−とする。
次のようにして求められる。勾配磁場及び渦電流により
発生ずる磁場による磁場ベクトルの位相回転量を求める
。第6図において、D1〜D4 (斜線部分)がディ
フェーズ勾配方向の位相〈ここではプラスの位相とする
)を、R1−R3の部分がリフェーズ勾配方向の位相(
ここではマイナス方向の位相とする)を与える。渦電流
をA・−とする。
プラスの位相量の各々は次のように与えられる。
−8−+(Th+δ)]
=Go−A・(−r)−e七Th+5) ・=OR−
A−(−r) −(e+(’?−1=)−11マイナス
の位相mの各々は次のように与えられる。
A−(−r) −(e+(’?−1=)−11マイナス
の位相mの各々は次のように与えられる。
−Go −A −(−r) −(e−+(g”r−F−
) −a4)=Go −A −(−r) −ε−L (
e−t(’?−’)−1)以上から、1プラスの位相1
1−1マイナスの位相11−0を針環すると G・・T・−τ・G・−A −e”・。−(・(、−+
(子−・)−1゜ 一τ・GD ◆A・ (et−1)−τ・GR−A・(
e−)(引’−1) −GR(”!−6> +r ・G。、 A 、 (e−
′f(tows)+τ・G・・A・ε−0・(。−+(
引“)−1) −0という関係が成立つ。これから (Go −To−GR−子)+(2τ・GD−An ・(et−1) 一τ・G・・A・。−+(9−・)(8−警−1))8
−τ−τ・G・・A・(。−+C+−・L 1 ) =
−ε・G・ここでε==0とおいてまとめると、 Go −To −GR4+Go (2で−A(e−Z−
z−、A 、 9−!a (e−ン−−ト、。
) −a4)=Go −A −(−r) −ε−L (
e−t(’?−’)−1)以上から、1プラスの位相1
1−1マイナスの位相11−0を針環すると G・・T・−τ・G・−A −e”・。−(・(、−+
(子−・)−1゜ 一τ・GD ◆A・ (et−1)−τ・GR−A・(
e−)(引’−1) −GR(”!−6> +r ・G。、 A 、 (e−
′f(tows)+τ・G・・A・ε−0・(。−+(
引“)−1) −0という関係が成立つ。これから (Go −To−GR−子)+(2τ・GD−An ・(et−1) 一τ・G・・A・。−+(9−・)(8−警−1))8
−τ−τ・G・・A・(。−+C+−・L 1 ) =
−ε・G・ここでε==0とおいてまとめると、 Go −To −GR4+Go (2で−A(e−Z−
z−、A 、 9−!a (e−ン−−ト、。
1))e
GR−A (e Z−1) −0”・(4)第2項、第
4項をまとめてdとおき、第3項の係数をCとおくと −1−並 c−et−To となる。 ・・・(5)O 先の測定において、得たGo、δのデータを(5)式に
代入することにより第2図のグラフを得る。
4項をまとめてdとおき、第3項の係数をCとおくと −1−並 c−et−To となる。 ・・・(5)O 先の測定において、得たGo、δのデータを(5)式に
代入することにより第2図のグラフを得る。
このグラフの直線部分の傾きから時定数τを求める。(
但し縦軸は対数軸になっている)ゲインAは第2図のグ
ラフにおいて、δ−〇のときのG。
但し縦軸は対数軸になっている)ゲインAは第2図のグ
ラフにおいて、δ−〇のときのG。
の値Gooを用いて(4)式から求める。
(2−e一部))−〇
、’、A−(GDo −To −GR−子)/(GR・
τTε −1 (e−!−1)−Goo ・r (elニー1) ・(
2−このようにして、ディフェーズ勾配に対する渦電流
の初期値の割合Aと減衰の時定数τが分る。時定数が複
数個ある場合は折線近似し、各々1つずつ時定数につい
て計算すればよい。
τTε −1 (e−!−1)−Goo ・r (elニー1) ・(
2−このようにして、ディフェーズ勾配に対する渦電流
の初期値の割合Aと減衰の時定数τが分る。時定数が複
数個ある場合は折線近似し、各々1つずつ時定数につい
て計算すればよい。
以上述べたように本実施例によればSE信号6、をTε
点7に一致させるようにGoを変化して測定したため、
磁場に不均一部分があってもSE倍信号乱れが生ぜず、
正しくε−0に合せることが可能になり、渦電流の時定
数τと初期値の割合(ゲイン)Aを正確に求めることが
できるようになった。
点7に一致させるようにGoを変化して測定したため、
磁場に不均一部分があってもSE倍信号乱れが生ぜず、
正しくε−0に合せることが可能になり、渦電流の時定
数τと初期値の割合(ゲイン)Aを正確に求めることが
できるようになった。
尚、この測定方法はオシログラフを観察しながらマニュ
アルで行っても、又、ブ【コグラムされた自動検出で行
ってもよい。
アルで行っても、又、ブ【コグラムされた自動検出で行
ってもよい。
(発明の効果)
以上詳細に紐間したように、本発明によれば、渦電流に
よる勾配磁場の減少量及び時定数が高精度に駿足できて
、磁場の減少路を完全に補正するためのデータを得るこ
とができる。しがも、直接オシログラフによる読み取り
が可能で、計算も簡単な従来の方法の利点を兼ね備えた
勾配磁場応答特性の測定方法を実現することができて、
実用上の効果は大きい。
よる勾配磁場の減少量及び時定数が高精度に駿足できて
、磁場の減少路を完全に補正するためのデータを得るこ
とができる。しがも、直接オシログラフによる読み取り
が可能で、計算も簡単な従来の方法の利点を兼ね備えた
勾配磁場応答特性の測定方法を実現することができて、
実用上の効果は大きい。
第1図は本発明の一実施例の方法の説明図、第2図はG
oとδの関係曲線図、第3図はNMR−CTのパルス法
の原理の説明図、第4図はNMR−CTの1tiJJi
のパルスシーケンスを示す図、第5図は従来の位相積分
法による測定のパルスシーケンスの図、第6図は渦′F
i流の影響の説明図、第7図は従来の位相積分法におけ
るδ−ε曲線図である。 1・・・90°パルス 2・・・FID信号3・・
・ディフェーズ勾配 4・・・1800パルス5・・・
リフェーズ勾配 6・・・SE(8号7・・・16点 特許出願人 横河メディカルシステム株式会社篤1図 第2図 U δ−−第3図 (イ) (O)
(ハ) 9σノfルス 1ao’パルス 第5図 第7図 δ(ms)
oとδの関係曲線図、第3図はNMR−CTのパルス法
の原理の説明図、第4図はNMR−CTの1tiJJi
のパルスシーケンスを示す図、第5図は従来の位相積分
法による測定のパルスシーケンスの図、第6図は渦′F
i流の影響の説明図、第7図は従来の位相積分法におけ
るδ−ε曲線図である。 1・・・90°パルス 2・・・FID信号3・・
・ディフェーズ勾配 4・・・1800パルス5・・・
リフェーズ勾配 6・・・SE(8号7・・・16点 特許出願人 横河メディカルシステム株式会社篤1図 第2図 U δ−−第3図 (イ) (O)
(ハ) 9σノfルス 1ao’パルス 第5図 第7図 δ(ms)
Claims (1)
- 核磁気共鳴断層撮影装置に印加する勾配磁場により生ず
る渦電流の影響を除去するため、渦電流による勾配磁場
応答を測定する測定方法において、180°パルスによ
るSE信号のパルスシーケンスを用いて、SE信号を9
0°パルスと180°パルスの時間間隔の2倍の位置に
固定させ、ディフェーズ勾配の振幅と、前記ディフェー
ズ勾配と180°パルスのそれぞれの印加時期の時間間
隔の変化との関係から、渦電流による勾配磁場応答特性
を求めることを特徴とする勾配磁場応答測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283685A JPS63135146A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 勾配磁場応答測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61283685A JPS63135146A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 勾配磁場応答測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63135146A true JPS63135146A (ja) | 1988-06-07 |
JPH0331451B2 JPH0331451B2 (ja) | 1991-05-07 |
Family
ID=17668748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61283685A Granted JPS63135146A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 勾配磁場応答測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63135146A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009172415A (ja) * | 2009-05-11 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
JP2012205880A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-25 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62189057A (ja) * | 1986-01-03 | 1987-08-18 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 磁界勾配の歪みを補償する方法 |
JPS62240040A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気共鳴イメ−ジング装置 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61283685A patent/JPS63135146A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62189057A (ja) * | 1986-01-03 | 1987-08-18 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | 磁界勾配の歪みを補償する方法 |
JPS62240040A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気共鳴イメ−ジング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009172415A (ja) * | 2009-05-11 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
JP2012205880A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-25 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0331451B2 (ja) | 1991-05-07 |
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