JPS6313132B2 - - Google Patents
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- JPS6313132B2 JPS6313132B2 JP57139034A JP13903482A JPS6313132B2 JP S6313132 B2 JPS6313132 B2 JP S6313132B2 JP 57139034 A JP57139034 A JP 57139034A JP 13903482 A JP13903482 A JP 13903482A JP S6313132 B2 JPS6313132 B2 JP S6313132B2
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は制御装置等の位置決め等に用いる位置
検出素子に関する。
検出素子に関する。
近年、マイクロコンピユーターの急速な発展に
ともなつて産業機器等はコンピユーター制御され
た装置としてのシステム化が急速に進んでいる。
ともなつて産業機器等はコンピユーター制御され
た装置としてのシステム化が急速に進んでいる。
このような産業機器の制御を行うために、機械
変位あるいは外部要因変化とコンピユータの接続
を行う働きをするセンサーが重要となつている。
これらセンサーはコンピユーターで何んらかを制
御しようと考える場合、その入力情報としての正
確さが要求され、より高安定、より高精度の開発
が進められている。
変位あるいは外部要因変化とコンピユータの接続
を行う働きをするセンサーが重要となつている。
これらセンサーはコンピユーターで何んらかを制
御しようと考える場合、その入力情報としての正
確さが要求され、より高安定、より高精度の開発
が進められている。
このようなセンサーには、それぞれ機能する形
態が異なる多くの種類があるが、その中の1つに
位置の決定あるいは位置の検出を行う位置検出素
子がある。
態が異なる多くの種類があるが、その中の1つに
位置の決定あるいは位置の検出を行う位置検出素
子がある。
第1図は従来からレコーダー等の記録計あるい
は物体の移動量などを測定するリニアスケールな
どに用いられてきた位置検出方法の原理図の1つ
であり、リニアポテンシヨメータ11の両端に電
圧Eを与え、ポテンシヨメータ11の摺動子12
の位置によつて得られる電圧e1によつて前記摺動
子12にとりつけられた物体の位置を知るように
構成されている。
は物体の移動量などを測定するリニアスケールな
どに用いられてきた位置検出方法の原理図の1つ
であり、リニアポテンシヨメータ11の両端に電
圧Eを与え、ポテンシヨメータ11の摺動子12
の位置によつて得られる電圧e1によつて前記摺動
子12にとりつけられた物体の位置を知るように
構成されている。
ところが、前記コンピユータ等を用いた自動制
御機器では、前記検出される位置はデイジイタル
値である必要がある。このため前記ポテンシヨメ
ータによる方法では第2図に示すように、その摺
動子12の位置によつて得られた電圧e1をA/D
コンバーター21を利用することでデイジイタル
データ22に変換する必要がある。又、前記ポテ
ンシヨメータ11による位置精度は、そのポテン
シヨメータの直線性の良さで決められ、かつ、そ
の抵抗の温度係数も小さなものが要求される。さ
らにこのポテンシヨメータによる方法はポテンシ
ヨメータ11の摺動子12の位置と抵抗値の関係
から直接A/Dコンバーター21に与えたのでは
必然的にオフセツト電圧のずれが生じてしまう。
このためにオペアンプ23によるインピーダンス
変換を挿入するか、あるいは得られたデイジイタ
ル値の補正が必要となつてくる。
御機器では、前記検出される位置はデイジイタル
値である必要がある。このため前記ポテンシヨメ
ータによる方法では第2図に示すように、その摺
動子12の位置によつて得られた電圧e1をA/D
コンバーター21を利用することでデイジイタル
データ22に変換する必要がある。又、前記ポテ
ンシヨメータ11による位置精度は、そのポテン
シヨメータの直線性の良さで決められ、かつ、そ
の抵抗の温度係数も小さなものが要求される。さ
らにこのポテンシヨメータによる方法はポテンシ
ヨメータ11の摺動子12の位置と抵抗値の関係
から直接A/Dコンバーター21に与えたのでは
必然的にオフセツト電圧のずれが生じてしまう。
このためにオペアンプ23によるインピーダンス
変換を挿入するか、あるいは得られたデイジイタ
ル値の補正が必要となつてくる。
このようにリニアポテンシヨメータによる位置
検出をコンピユーター等を用いた自動制御に利用
するには、(1)A/Dコンバーターが必要、(2)精度
を高めるために直線性が良く、温度係数の小さな
ポテンシヨメータが必要、(3)オフセツトずれ補正
の回路又は処理が必要、などからそのインターフ
エースの価格が高くなり、制御システム全体のコ
ストが上昇してしまう。
検出をコンピユーター等を用いた自動制御に利用
するには、(1)A/Dコンバーターが必要、(2)精度
を高めるために直線性が良く、温度係数の小さな
ポテンシヨメータが必要、(3)オフセツトずれ補正
の回路又は処理が必要、などからそのインターフ
エースの価格が高くなり、制御システム全体のコ
ストが上昇してしまう。
本発明は、これら(1),(2),(3)の欠点を除去せし
めて直接デイジイタル値となつて得られる位置検
出素子を提供することにある。
めて直接デイジイタル値となつて得られる位置検
出素子を提供することにある。
本発明は、絶縁体と1以上の導体層とが積層さ
れ一体となつた積層体であつて、該積層体には各
導体層の端部が露出している平面が形成されてお
り、該積層体の該平面と異なる部分に該導体部分
にそれぞれ対応に接続する導体端子が形成され、
又は該各導体部分の一部が露出している構造を特
徴とする位置検出素子である。
れ一体となつた積層体であつて、該積層体には各
導体層の端部が露出している平面が形成されてお
り、該積層体の該平面と異なる部分に該導体部分
にそれぞれ対応に接続する導体端子が形成され、
又は該各導体部分の一部が露出している構造を特
徴とする位置検出素子である。
以下、本発明を実施例によつて説明する。
第3図は本発明の一実施例を示す位置検出素子
中に形成される導体パターン図である。
中に形成される導体パターン図である。
突出部分31と切欠き部分32の幅、S及びT
は同一寸法とし、かつ、これらすべての突出部分
が共通部分33で接続され、とり出し端子34を
持たせている。ここでの寸法Lは位置検出を可能
にする最大寸法となり、又、寸法Bは異なるパタ
ーンのとり出し端子をづらすためのものである。
は同一寸法とし、かつ、これらすべての突出部分
が共通部分33で接続され、とり出し端子34を
持たせている。ここでの寸法Lは位置検出を可能
にする最大寸法となり、又、寸法Bは異なるパタ
ーンのとり出し端子をづらすためのものである。
このように構成した導体パターンを基本パター
ンとし、前記突出部分31と切欠き部分32の
幅、S及びTが2n(n=0,1,2……p)比で
異なり、かつ前記とり出し端子34の位置Bがづ
れるようなP+1種類の導体パターンとし、これ
らP+1種類の導体パターンを導体ペーストのス
クリーン印刷等により絶縁体と有機物からなる生
シートに形成した。
ンとし、前記突出部分31と切欠き部分32の
幅、S及びTが2n(n=0,1,2……p)比で
異なり、かつ前記とり出し端子34の位置Bがづ
れるようなP+1種類の導体パターンとし、これ
らP+1種類の導体パターンを導体ペーストのス
クリーン印刷等により絶縁体と有機物からなる生
シートに形成した。
次に、これらP+1種類の導体パターンを有す
る生シートを第4図に示すように20のパターンを
有するシート41、21のパターンを有するシート
42、22のパターンを有するシート43、23のパ
ターンを有するシート44、24のパターンを有す
るシート45、という具合に2pのパターンを有す
るシート46を重ね、さらに前記切欠き部分を持
たない全導体のシート47を重ねる。本実施例で
はp=4までのシートを用いた。
る生シートを第4図に示すように20のパターンを
有するシート41、21のパターンを有するシート
42、22のパターンを有するシート43、23のパ
ターンを有するシート44、24のパターンを有す
るシート45、という具合に2pのパターンを有す
るシート46を重ね、さらに前記切欠き部分を持
たない全導体のシート47を重ねる。本実施例で
はp=4までのシートを用いた。
次にこの上下面に導体パターンを持たないシー
ト48を重ね、100〜130℃の温度で圧力200〜300
Kg/cm2で積層プレスした。
ト48を重ね、100〜130℃の温度で圧力200〜300
Kg/cm2で積層プレスした。
第5図は前記第4図の積層体であり、この積層
体を800〜1000℃の温度で焼成し、突出部分51
及びとり出し端子52が端面53及び54にそれ
ぞれ出るように切断し、第6図の20〜2pのピツチ
を有する接触端子61と全導体となつている接触
端子62を有する接触端子面63と第7図の20〜
2pの各とり出し端子71と全導体のとり出し端子
72を有するとり出し端子面73を持つ位置検出
素子を作製した。
体を800〜1000℃の温度で焼成し、突出部分51
及びとり出し端子52が端面53及び54にそれ
ぞれ出るように切断し、第6図の20〜2pのピツチ
を有する接触端子61と全導体となつている接触
端子62を有する接触端子面63と第7図の20〜
2pの各とり出し端子71と全導体のとり出し端子
72を有するとり出し端子面73を持つ位置検出
素子を作製した。
本実施例で用いた絶縁体生シートは酸化アルミ
ニウム40〜60重量%、結晶化ガラス40〜60重量%
の組成範囲で総量100%となるように選んだ混合
粉末をバインダー、有機溶媒、可塑剤と共に泥漿
状にし、ドクターブレード法等のスリツプキヤス
テイング製膜により20μm〜300μmの生シートを
ポリエステルフイルム上に成形し、剥離したの
ち、所望の寸法にパンチングしてシートを得た。
ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸化物換
算表記に従つたとき、酸化鉛、酸化ホウ素、二酸
化ケイ素、族元素酸化物、族元素(但し炭素
ケイ素、鉛は除く)酸化物を、それぞれ重量比3
〜65%、2〜50%、4〜65%、0.1〜50%、0.02
〜20%の組成範囲で総量100%となるように選ん
だ組成物で構成されているものを用いた。
ニウム40〜60重量%、結晶化ガラス40〜60重量%
の組成範囲で総量100%となるように選んだ混合
粉末をバインダー、有機溶媒、可塑剤と共に泥漿
状にし、ドクターブレード法等のスリツプキヤス
テイング製膜により20μm〜300μmの生シートを
ポリエステルフイルム上に成形し、剥離したの
ち、所望の寸法にパンチングしてシートを得た。
ここで用いた結晶化ガラス粉末の組成は酸化物換
算表記に従つたとき、酸化鉛、酸化ホウ素、二酸
化ケイ素、族元素酸化物、族元素(但し炭素
ケイ素、鉛は除く)酸化物を、それぞれ重量比3
〜65%、2〜50%、4〜65%、0.1〜50%、0.02
〜20%の組成範囲で総量100%となるように選ん
だ組成物で構成されているものを用いた。
また、本実施例において用いた生シートでなく
鋼張積層板を用いて本発明の位置検出素子を作製
することもできる。
鋼張積層板を用いて本発明の位置検出素子を作製
することもできる。
第8図は本実施例の位置検出素子の応用例を示
すもので、移動用シヤフト85に沿つて移動する移
動物体81には、ばね82によつて一定の圧力で
押しつけられる導電性の接触子83をもうけ、本
発明の位置検出素子の接触端子面84が前記接触
子83で摺動できるようにとりつける。
すもので、移動用シヤフト85に沿つて移動する移
動物体81には、ばね82によつて一定の圧力で
押しつけられる導電性の接触子83をもうけ、本
発明の位置検出素子の接触端子面84が前記接触
子83で摺動できるようにとりつける。
このように構成した移動物体の位置検出は第9
図に示すように前記位置検出素子91の全導体シ
ートの端子72をGND92へ接続し、さらに前記
位置検出素子91のとり出し端子20,21,22,…
…2pは抵抗93でVccへプルアツプされる。この
ためこれらプルアツプされた前記とり出し端子
20,21,22,……2pは抵抗93でVccへプルアツ
プされる。このためこれらプルアツプされた前記
とり出し端子20,21,22,……2pの電圧レベル
は、前記接触子83の位置による2進コードとな
り、コンピユーター等の読みとり装置94で直接
処理可能な信号となる。
図に示すように前記位置検出素子91の全導体シ
ートの端子72をGND92へ接続し、さらに前記
位置検出素子91のとり出し端子20,21,22,…
…2pは抵抗93でVccへプルアツプされる。この
ためこれらプルアツプされた前記とり出し端子
20,21,22,……2pは抵抗93でVccへプルアツ
プされる。このためこれらプルアツプされた前記
とり出し端子20,21,22,……2pの電圧レベル
は、前記接触子83の位置による2進コードとな
り、コンピユーター等の読みとり装置94で直接
処理可能な信号となる。
このように本発明の位置検出素子を用いると、
位置による出力が直接コンピユーターで処理でき
る2進コードとなつているため、従来のような
A/Dコンバータが不要となる。又、位置に対す
るその出力コードはプルアツプの電圧を変えるこ
とでどのようなレベルにもなり得るため、一般的
なインターフエース素子が、すべて利用可能であ
り、オフセツトずれの心配も、まつたく不要とな
る。さらに、前記製造工程にあるようにスクリー
ン印刷法によりパターンを形成しているため、そ
の直線性は良好なものが容易に得られることが明
らかである。又、焼結された前記材料は熱膨張係
数が小さいため、温度特性を非常に良好なものが
得られる。
位置による出力が直接コンピユーターで処理でき
る2進コードとなつているため、従来のような
A/Dコンバータが不要となる。又、位置に対す
るその出力コードはプルアツプの電圧を変えるこ
とでどのようなレベルにもなり得るため、一般的
なインターフエース素子が、すべて利用可能であ
り、オフセツトずれの心配も、まつたく不要とな
る。さらに、前記製造工程にあるようにスクリー
ン印刷法によりパターンを形成しているため、そ
の直線性は良好なものが容易に得られることが明
らかである。又、焼結された前記材料は熱膨張係
数が小さいため、温度特性を非常に良好なものが
得られる。
以上の説明で明らかなように本発明の位置検出
素子は直接コンピユーター等との接続が行えるた
め位置検出の回路が非常に簡単となり、信頼性の
高いものとなり得る。
素子は直接コンピユーター等との接続が行えるた
め位置検出の回路が非常に簡単となり、信頼性の
高いものとなり得る。
前記実施例では、20のパターンのT及びSを
0.2mmとしており、27のパターンを最大とし、51.2
mm、分解能0.2mmの位置検出素子を得た。
0.2mmとしており、27のパターンを最大とし、51.2
mm、分解能0.2mmの位置検出素子を得た。
又、前記実施例では絶縁体生シードにアルミナ
ガラスを用いているが、他の材料を用いたシート
上にパターンを形成し積層しても同様な効果が得
られることは明らかで、又、とり出し端子の位置
も何ら限定されることなく、内部においてスルホ
ール接続等を用いて1つの面にとり出しても、同
様な効果が得られることは明らかである。
ガラスを用いているが、他の材料を用いたシート
上にパターンを形成し積層しても同様な効果が得
られることは明らかで、又、とり出し端子の位置
も何ら限定されることなく、内部においてスルホ
ール接続等を用いて1つの面にとり出しても、同
様な効果が得られることは明らかである。
第10図は前記と異なる実施例を示す斜視図で
ある。接触端子面111には前述の例でp−7と
した20〜27のパターン112の他に読み取りマー
クパターン113が出るように積層されている。
ある。接触端子面111には前述の例でp−7と
した20〜27のパターン112の他に読み取りマー
クパターン113が出るように積層されている。
この読み取りマークパターン113は前記20の
パターンの幅より小さな幅を有し、20のパターン
の中央に位置させる。さらに前記読み取りマーク
パターン113は前記20〜27のパターン112と
同様に、とり出し端子面114にとり出した端子
115をもうけている。
パターンの幅より小さな幅を有し、20のパターン
の中央に位置させる。さらに前記読み取りマーク
パターン113は前記20〜27のパターン112と
同様に、とり出し端子面114にとり出した端子
115をもうけている。
第11図は前記位置検出素子120の接続例を
示すもので、前記読み取りマークパターン113
からのとり出し端子115をGND121に接続
しておく。これにより接触子122は単なるシヨ
ート片となるだけで良く、前記実施例で示すよう
な移動物体の電気的接触が不要になる。さらに読
み取り装置123では、前記位置検出素子120
からのとり出し端子20〜27が、すべて開放状態
(Vccレベル)255(10進数)となるときのみ数値
として扱わないようにさせ、前に読み込んだ値を
ホールドさせる。
示すもので、前記読み取りマークパターン113
からのとり出し端子115をGND121に接続
しておく。これにより接触子122は単なるシヨ
ート片となるだけで良く、前記実施例で示すよう
な移動物体の電気的接触が不要になる。さらに読
み取り装置123では、前記位置検出素子120
からのとり出し端子20〜27が、すべて開放状態
(Vccレベル)255(10進数)となるときのみ数値
として扱わないようにさせ、前に読み込んだ値を
ホールドさせる。
以上のように構成した位置検出素子では、読み
取りマークの位置だけで、読み取るため、積層体
内部でのパターンの微小な位置づれによる誤検出
が無くなり、信頼性の高い位置検出が得られる。
取りマークの位置だけで、読み取るため、積層体
内部でのパターンの微小な位置づれによる誤検出
が無くなり、信頼性の高い位置検出が得られる。
第12図は、さらに別な実施例を示す斜視図で
あり、接触端子面131には前記実施例で示した
ような電極部分の幅Wpを20(最小パターン)の幅
と同一とし、その配列状態を2進コードとなるよ
うに変えたものである。
あり、接触端子面131には前記実施例で示した
ような電極部分の幅Wpを20(最小パターン)の幅
と同一とし、その配列状態を2進コードとなるよ
うに変えたものである。
このような構成例では前記実施例に示すような
読みとりに不要な部分の電極が無くなるため、内
部の電極形成過程での電極材料の使用量を大幅に
少なくでき、さらに電極とセラミツクの焼結が良
くなり、検出寸法の長い素子が得られることが明
らかである。
読みとりに不要な部分の電極が無くなるため、内
部の電極形成過程での電極材料の使用量を大幅に
少なくでき、さらに電極とセラミツクの焼結が良
くなり、検出寸法の長い素子が得られることが明
らかである。
さらに、読み取り不要の部分を大きくさせれば
任意寸法のスケール(例えば、5mmピツチの検出
あるいは10mm、20mm、その他のピツチを持つ検出
素子)となり得、ロボツト等の位置決めなど広い
応用が可能であることが明らかである。さらにこ
れら接触端子面に出る20〜2pのパターンの配列は
2進コードでなくとも良い。例えばBCDコード
配列、あるいは読みとり装置側に記憶されたパタ
ーンであれば、その配列順序がどのような状態で
あつても位置検出が可能であることが明らかであ
る。
任意寸法のスケール(例えば、5mmピツチの検出
あるいは10mm、20mm、その他のピツチを持つ検出
素子)となり得、ロボツト等の位置決めなど広い
応用が可能であることが明らかである。さらにこ
れら接触端子面に出る20〜2pのパターンの配列は
2進コードでなくとも良い。例えばBCDコード
配列、あるいは読みとり装置側に記憶されたパタ
ーンであれば、その配列順序がどのような状態で
あつても位置検出が可能であることが明らかであ
る。
第1図はリニアポテンシヨメータによる位置検
出の原理図である。第2図はリニアポテンシヨメ
ータによる位置検出をデイジイタル値とするため
の回路図である。第3図は本発明の実施例の位置
検出素子の導体パターン図である。第4図は実施
例の作製工程において20〜2pの種類のパターンを
重ね合わせた図である。第5図は実施例の位置検
出素子の積層された焼結体を示す図である。第6
図は実施例の位置検出素子の突出部分の電極が出
ている接触導体端子面の図である。第7図は同様
のとり出し端子の電極が出ているとり出し端子面
の図。第8図は本発明の実施例の位置検出素子の
応用例を示す移動物体へのとりつけ構造図。第9
図、第11図は実施例の位置検出素子のコンピユ
ーター等の装置との接続図。第10図、第12図
は本発明の他の実施例の位置検出素子の斜視図。 図において、11……リニアポテンシヨメー
タ、12……摺動子、E……ポテンシヨメーター
へ加える電圧、e1……摺動子の位置による電圧、
21……A/Dコンバーター、22……デイジイ
タルデータ、23……オペアンプ、31……突出
部分、32……切欠き部分、33……共通部分、
34……とり出し導体端子、L……位置検出可能
とする長さ、S……突出部分の幅、T……切欠き
部分の幅、B……とり出し端子の位置寸法。41
……20のパターンを有するシート、42……21の
パターンを有するシート、43……22のパターン
を有するシート、44……23のパターンを有する
シート、45……24のパターンを有するシート、
46……2pのパターンを有するシート、47……
切欠き部分を持たない全導体のシート、48……
パターンを持たないシート、51……突出部分、
52,71,72,115……とり出し端子、5
3及び54……端面、61及び62……接触端
子、63,111,131……接触端子面、7
3,114……とり出し端子面、81……移動物
体、82……ばね、83,122……接触子、8
5……移動用のシヤフト、91,120……位置
検出素子、92……GND、93……抵抗、94,
123……読みとり装置、113……読みとりマ
ークパターン。
出の原理図である。第2図はリニアポテンシヨメ
ータによる位置検出をデイジイタル値とするため
の回路図である。第3図は本発明の実施例の位置
検出素子の導体パターン図である。第4図は実施
例の作製工程において20〜2pの種類のパターンを
重ね合わせた図である。第5図は実施例の位置検
出素子の積層された焼結体を示す図である。第6
図は実施例の位置検出素子の突出部分の電極が出
ている接触導体端子面の図である。第7図は同様
のとり出し端子の電極が出ているとり出し端子面
の図。第8図は本発明の実施例の位置検出素子の
応用例を示す移動物体へのとりつけ構造図。第9
図、第11図は実施例の位置検出素子のコンピユ
ーター等の装置との接続図。第10図、第12図
は本発明の他の実施例の位置検出素子の斜視図。 図において、11……リニアポテンシヨメー
タ、12……摺動子、E……ポテンシヨメーター
へ加える電圧、e1……摺動子の位置による電圧、
21……A/Dコンバーター、22……デイジイ
タルデータ、23……オペアンプ、31……突出
部分、32……切欠き部分、33……共通部分、
34……とり出し導体端子、L……位置検出可能
とする長さ、S……突出部分の幅、T……切欠き
部分の幅、B……とり出し端子の位置寸法。41
……20のパターンを有するシート、42……21の
パターンを有するシート、43……22のパターン
を有するシート、44……23のパターンを有する
シート、45……24のパターンを有するシート、
46……2pのパターンを有するシート、47……
切欠き部分を持たない全導体のシート、48……
パターンを持たないシート、51……突出部分、
52,71,72,115……とり出し端子、5
3及び54……端面、61及び62……接触端
子、63,111,131……接触端子面、7
3,114……とり出し端子面、81……移動物
体、82……ばね、83,122……接触子、8
5……移動用のシヤフト、91,120……位置
検出素子、92……GND、93……抵抗、94,
123……読みとり装置、113……読みとりマ
ークパターン。
Claims (1)
- 1 絶縁体と1以上の導体層とが積層され一体と
なつた積層体であつて、該積層体には各導体層の
端部が露出している平面が形成されており、該積
層体の該平面と異なる部分に該各導体部分にそれ
ぞれ対応して接続する導体端子が形成され、又は
該各導体部分の一部が露出している構造を特徴と
する位置検出素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13903482A JPS5930196A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 位置検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13903482A JPS5930196A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 位置検出素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5930196A JPS5930196A (ja) | 1984-02-17 |
JPS6313132B2 true JPS6313132B2 (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=15235911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13903482A Granted JPS5930196A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 位置検出素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5930196A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2652854B2 (ja) * | 1987-07-04 | 1997-09-10 | 臼井国際産業株式会社 | 複合弁を備えた排気ブレーキ装置 |
JP5320651B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2013-10-23 | 国立大学法人神戸大学 | 光の色による自然及び人工構造物の変状原位置表示装置 |
JP6726591B2 (ja) | 2016-09-30 | 2020-07-22 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5765462U (ja) * | 1980-10-04 | 1982-04-19 |
-
1982
- 1982-08-10 JP JP13903482A patent/JPS5930196A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5930196A (ja) | 1984-02-17 |
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