JPS63123024A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS63123024A JPS63123024A JP26900386A JP26900386A JPS63123024A JP S63123024 A JPS63123024 A JP S63123024A JP 26900386 A JP26900386 A JP 26900386A JP 26900386 A JP26900386 A JP 26900386A JP S63123024 A JPS63123024 A JP S63123024A
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- crystal display
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 abstract description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は液晶表示素子の構造特に液晶表示素子の基板
間隙を一定にするための構造に関する。
間隙を一定にするための構造に関する。
液晶表示素子は電界で液晶分子の配列状態を変化させ、
この時の液晶の光学的性質の変化を利用して光を変調さ
せる電気光学効果を利用した表示素子である。
この時の液晶の光学的性質の変化を利用して光を変調さ
せる電気光学効果を利用した表示素子である。
液晶表示素子としては例えば特開昭58−127916
号公報で開示されているものがある。第6図にその開示
された発明の断面図を示す。この液晶表示素子において
は、透明電極3と配向膜4を設けたガラス製の上基板1
と下基板2とがスペーサ71゜72を介して対向配置さ
れ、液晶6が側基板間に保持される。ここでスペーサ7
1は側基板の周辺部に配置され、接着側5により側基板
が接着される。
号公報で開示されているものがある。第6図にその開示
された発明の断面図を示す。この液晶表示素子において
は、透明電極3と配向膜4を設けたガラス製の上基板1
と下基板2とがスペーサ71゜72を介して対向配置さ
れ、液晶6が側基板間に保持される。ここでスペーサ7
1は側基板の周辺部に配置され、接着側5により側基板
が接着される。
側基板の間隙は液晶表示素子の面積が大きいときは透明
電極3のある表示部の中央部分の間隙が小さくなりやす
いので、スペーサ72を表示部に均一に分散配置しこれ
を防いでいる。基板間の間隙が変化すると上下の透明電
極3の間隙が一様でな(なり、表示素子の応答特性が場
所により相違するからである。
電極3のある表示部の中央部分の間隙が小さくなりやす
いので、スペーサ72を表示部に均一に分散配置しこれ
を防いでいる。基板間の間隙が変化すると上下の透明電
極3の間隙が一様でな(なり、表示素子の応答特性が場
所により相違するからである。
TV画像表示を行なうアクティブマトリクス液晶表示素
子においては、上基板1には透明電極3として画素電極
と行電極が、下基板2には透明電極として列電極が形成
されるが、従来の液晶表示素子においては、スペーサ7
2を表示部に均一に分散配置するので、画素電極上にも
スペーサ72が配置されてスペーサ部の液晶6が排除さ
れ、その結果画像に欠陥を生ずるという問題点があった
。
子においては、上基板1には透明電極3として画素電極
と行電極が、下基板2には透明電極として列電極が形成
されるが、従来の液晶表示素子においては、スペーサ7
2を表示部に均一に分散配置するので、画素電極上にも
スペーサ72が配置されてスペーサ部の液晶6が排除さ
れ、その結果画像に欠陥を生ずるという問題点があった
。
この発明の目的は、画素電極上にスペーサが接触しない
ようにスペーサを基板上に一様に配置することにより画
像に欠陥がなくかつ基板間隙の一定な液晶表示素子を提
供するにある。
ようにスペーサを基板上に一様に配置することにより画
像に欠陥がなくかつ基板間隙の一定な液晶表示素子を提
供するにある。
上記目的を達成するために、この発明によれば列電極3
1を設けた下基板2と画素電極と行電極33を設けた上
基板1とを対向配置した液晶表示素子において、該上基
板1の行電極33上に分散配置されたスペーサ73を備
える、とするものとする。
1を設けた下基板2と画素電極と行電極33を設けた上
基板1とを対向配置した液晶表示素子において、該上基
板1の行電極33上に分散配置されたスペーサ73を備
える、とするものとする。
上基板1と下基板2は液晶表示素子の構造材である。列
電極31は画素電極と対向し、上基板1と下基板2の間
隙に保持された液晶6Gこ電場をイ共秀合し、列電極3
1と画素電極の間に介在する液晶分子を液晶分子のもつ
誘電異方性、導電異方性Gこより配向させる。行電極3
3は上基板1上の画素電極に非線型素子を介して電圧を
供給しアクテイフ゛マトリクスを形成させる。行電極3
3は画素電極番こ電圧を供給するものであるから、画素
電極のピ・ノチで上基板1上に多数形成される。スペー
サ734まこの行電極33の上にのみ分散配置されるた
め、スペーサは画素電極には接触することなく基板全体
Gこ一様に分散配置される。
電極31は画素電極と対向し、上基板1と下基板2の間
隙に保持された液晶6Gこ電場をイ共秀合し、列電極3
1と画素電極の間に介在する液晶分子を液晶分子のもつ
誘電異方性、導電異方性Gこより配向させる。行電極3
3は上基板1上の画素電極に非線型素子を介して電圧を
供給しアクテイフ゛マトリクスを形成させる。行電極3
3は画素電極番こ電圧を供給するものであるから、画素
電極のピ・ノチで上基板1上に多数形成される。スペー
サ734まこの行電極33の上にのみ分散配置されるた
め、スペーサは画素電極には接触することなく基板全体
Gこ一様に分散配置される。
次にこの発明の実施例を図面に基づ6sで説明する。
実施例1
第1図はこの発明の実施例に係る液晶表示素子の断面図
を示す。ガラス製の上基板1には画素電極1行電極33
.薄膜ダイオード、配向膜41が備え。
を示す。ガラス製の上基板1には画素電極1行電極33
.薄膜ダイオード、配向膜41が備え。
られ、行電極33の上にスペーサ73がスペーサ保持層
9を介して設けられている。
9を介して設けられている。
一方下基板2には列電極31.配向膜42が備えられ上
基板1と下基板2がスペーサ71と接着剤5により対向
して接着されている。両基板の間隙には液晶6が充填さ
れている。
基板1と下基板2がスペーサ71と接着剤5により対向
して接着されている。両基板の間隙には液晶6が充填さ
れている。
このような液晶表示素子は次のようにして製造される。
第2図は上基板1の部分拡大平面図、第3図はそのA−
A線断面図で、ガラス製上基板1にI T O(Ind
ium Tin 0xide)透明導電膜により画素電
極321行電極33が形成され、さらに非線型素子とし
て2つの薄膜ダイオード8が画素電極32と行電極33
の間に逆並列に接続される。このあとポリイミド系樹脂
溶液を用いて凸版印刷法により塗布し加熱処理してから
その表面を綿布等で一定方向にラビング処理して膜厚8
00ないし1000人に形成する。次に10−の基板間
隙にほぼ等しい直径を有するガラスファイバを長さ20
μ位に細断したスペーサ0.1gをエポキシ樹脂溶液1
00g中に分散させ凸版印刷法により行電極33上に印
刷し加熱してパターン化された被膜を形成する。このよ
うにして行電極33の上に直径10声で長さ201Mの
スペーサ73がエポキシ樹脂のスペーサ保持層9を介し
て分散配置、固定される。
A線断面図で、ガラス製上基板1にI T O(Ind
ium Tin 0xide)透明導電膜により画素電
極321行電極33が形成され、さらに非線型素子とし
て2つの薄膜ダイオード8が画素電極32と行電極33
の間に逆並列に接続される。このあとポリイミド系樹脂
溶液を用いて凸版印刷法により塗布し加熱処理してから
その表面を綿布等で一定方向にラビング処理して膜厚8
00ないし1000人に形成する。次に10−の基板間
隙にほぼ等しい直径を有するガラスファイバを長さ20
μ位に細断したスペーサ0.1gをエポキシ樹脂溶液1
00g中に分散させ凸版印刷法により行電極33上に印
刷し加熱してパターン化された被膜を形成する。このよ
うにして行電極33の上に直径10声で長さ201Mの
スペーサ73がエポキシ樹脂のスペーサ保持層9を介し
て分散配置、固定される。
次に第4図は下基板2の平面図、第5図はそのB−B線
断面図である。ガラス製の下基板20表面にITO透明
導電膜により列電極31が形成され、さらに配向膜42
が前記上基板1の場合と同様な方法で形成される。
断面図である。ガラス製の下基板20表面にITO透明
導電膜により列電極31が形成され、さらに配向膜42
が前記上基板1の場合と同様な方法で形成される。
基板間隙10−とほぼ等しい直径を有するガラスファイ
バを長さ20−程度に細断したスペーサ71をエポキシ
樹脂系接着剤5に混合分散させ、ガラス製下基板2の周
辺部にスクリーン印刷法を用いて塗布印刷し、シール部
を形成する。
バを長さ20−程度に細断したスペーサ71をエポキシ
樹脂系接着剤5に混合分散させ、ガラス製下基板2の周
辺部にスクリーン印刷法を用いて塗布印刷し、シール部
を形成する。
以上のような工程を経た上基板1と下基板2とを第1図
に示すように対向して重合し、下基板2上の接着剤5を
介して両基板を接着する。液晶6を両基板の間隙部に注
入し液晶表示素子が得られる。
に示すように対向して重合し、下基板2上の接着剤5を
介して両基板を接着する。液晶6を両基板の間隙部に注
入し液晶表示素子が得られる。
液晶表示素子の画素電極32はスイッチ素子として機能
する薄膜ダイオード8を介して行電極33と接続するた
め目的の画素電極のみが動作し、クロストークが防止さ
れる。この薄膜ダイオード8は厚さが薄いので第3図の
B−B線断面図には図示を省略している。
する薄膜ダイオード8を介して行電極33と接続するた
め目的の画素電極のみが動作し、クロストークが防止さ
れる。この薄膜ダイオード8は厚さが薄いので第3図の
B−B線断面図には図示を省略している。
配向膜41は画素電極321行電極33,2つの薄膜ダ
イオード8の表面に形成されそれらを埋込んでいる。
イオード8の表面に形成されそれらを埋込んでいる。
スペーサ73はこのような配向膜41の上でかつ行電極
33に対応する位置に形成される。このためスペーサ7
3は凹凸なく上基板1の上に分散配置される。また画素
電極32は一辺の長さが通常200pmないし300I
rmであるため、行電極33はこのピッチで形成されて
おり、スペーサ73はこの行電極によって上基板1の上
を一様に配置されることになる。
33に対応する位置に形成される。このためスペーサ7
3は凹凸なく上基板1の上に分散配置される。また画素
電極32は一辺の長さが通常200pmないし300I
rmであるため、行電極33はこのピッチで形成されて
おり、スペーサ73はこの行電極によって上基板1の上
を一様に配置されることになる。
このために上基板1と下基板2の間隙は基板の位置にか
かわりなく±0.5−の精度でどこも一定になり画素に
よる応答特性の変化がな(なった。
かわりなく±0.5−の精度でどこも一定になり画素に
よる応答特性の変化がな(なった。
さらにスペーサ73は行電極33の上には位置するが画
素電極32の上には位置しないために画素電極上の液晶
を排除することがなく、画素の欠陥を生じることがなく
なる。
素電極32の上には位置しないために画素電極上の液晶
を排除することがなく、画素の欠陥を生じることがなく
なる。
この実施例においては、行電極33の上にスペーサ73
を分散配置する他の方法を説明する。
を分散配置する他の方法を説明する。
スペーサ0.2gを感光性ポリイミド樹脂溶液100g
に分散混合させ、これをスピンコード法により配向膜4
1の形成された上基板1上に塗布し、乾燥して膜厚2μ
の被膜を形成する。次にフォトリソグラフィープロセス
により行電極33に相当する位置にパターン化されたポ
リイミド樹脂被膜を形成する。スペーサ73はポリイミ
ド樹脂からなるスペーサ保持層9に保持されて、点在し
て配置される。
に分散混合させ、これをスピンコード法により配向膜4
1の形成された上基板1上に塗布し、乾燥して膜厚2μ
の被膜を形成する。次にフォトリソグラフィープロセス
により行電極33に相当する位置にパターン化されたポ
リイミド樹脂被膜を形成する。スペーサ73はポリイミ
ド樹脂からなるスペーサ保持層9に保持されて、点在し
て配置される。
この発明によれば、列電極を設けた下基板と、画素電極
と行電極を設けた上基板とを対向配置した液晶表示素子
において、該上基板の行電極上に分散配置されたスペー
サを備えるのでスペーサは画素電極上には接触すること
なく基板上に一様に分散配置されることとなり、その結
果画像に欠陥を生じさせることなく上基板と下基板の間
隙をその位置にかかわりなく一定に保つことが可能とな
る。
と行電極を設けた上基板とを対向配置した液晶表示素子
において、該上基板の行電極上に分散配置されたスペー
サを備えるのでスペーサは画素電極上には接触すること
なく基板上に一様に分散配置されることとなり、その結
果画像に欠陥を生じさせることなく上基板と下基板の間
隙をその位置にかかわりなく一定に保つことが可能とな
る。
第1図はこの発明の実施例にかかわる液晶表示素子の断
面図、第2図、第3図、第4図、第5図は、液晶表示素
子の製造工程を示す図で第2図は上基板の部分拡大平面
図、第3図はそのA−A線断面図、第4図は下基板の平
面図、第5図はそのB−B線断面図、第6図は従来の液
晶表示素子を示す断面図である。 1:上基板、2:下基板、31:列電極、33:行電極
、73ニスペーサ。
面図、第2図、第3図、第4図、第5図は、液晶表示素
子の製造工程を示す図で第2図は上基板の部分拡大平面
図、第3図はそのA−A線断面図、第4図は下基板の平
面図、第5図はそのB−B線断面図、第6図は従来の液
晶表示素子を示す断面図である。 1:上基板、2:下基板、31:列電極、33:行電極
、73ニスペーサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)列電極を設けた下基板と、画素電極と行電極を設け
た上基板とを対向配置した液晶表示素子において、該上
基板の行電極上に分散配置されたスペーサを備えること
を特徴とする液晶表示素子。 2)特許請求の範囲第1項記載の表示素子において、ス
ペーサはガラスファイバであることを特徴とする液晶表
示素子。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の表示素子
において、ガラスファイバをエポキシ樹脂に分散したの
ち凸版印刷して設けたスペーサを備えることを特徴とす
る液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26900386A JPS63123024A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26900386A JPS63123024A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63123024A true JPS63123024A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17466315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26900386A Pending JPS63123024A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63123024A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418127A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of cell for liquid crystal display element |
KR100502685B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2005-07-20 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 능동매트릭스기판 및 그 제조방법 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26900386A patent/JPS63123024A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6418127A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of cell for liquid crystal display element |
KR100502685B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2005-07-20 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 능동매트릭스기판 및 그 제조방법 |
US7157315B2 (en) | 2001-04-03 | 2007-01-02 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Active matrix substrate and method of fabricating the same |
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