JPS63119538A - 半導体封止装置 - Google Patents
半導体封止装置Info
- Publication number
- JPS63119538A JPS63119538A JP26620186A JP26620186A JPS63119538A JP S63119538 A JPS63119538 A JP S63119538A JP 26620186 A JP26620186 A JP 26620186A JP 26620186 A JP26620186 A JP 26620186A JP S63119538 A JPS63119538 A JP S63119538A
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- JP
- Japan
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- mold
- resin
- surface plate
- surface plates
- heaters
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1742—Mounting of moulds; Mould supports
- B29C45/1744—Mould support platens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は合成樹脂により半導体素子を封止成形する半
導体封止装置の改良に関するものである。
導体封止装置の改良に関するものである。
従来、半導体素子をリードフレーム上に装着した後、合
成樹脂により封止成形する装置には第４図に示すものが
あった。図において、（Ｉ）は合成樹脂を注入する公知
のポット部（図示せず）、ラレナ部（図示せず）を有す
るチャンバーブロック（図示せず）と同一高さを有し、
リードフレーム（図示せず）の板厚と同寸法の凹溝（図
示せず）を有し、半導体素子（図示せず）を封止するキ
ャビティ部（図示せず）等を有した複数個のチェイスブ
ロック、（２）は前記チャンバーブロック、チェイスブ
ロックｆｉ＋を保持する為の定盤、（３）はチャンバー
ブロック（図示せず）、チェイスブロック（＋１を加熱
及び保温する為のヒータで、前記定盤（２）に挿入され
ている。（４）は定盤（２）を支持するスペーサブロッ
ク、（５）は定盤（２）を部分的に支持をするボストで
あり、スペーサブロック（４）と同一高さ寸法で加工さ
れている。（６）は定盤（２）をスペーサブロック（４
）。
成樹脂により封止成形する装置には第４図に示すものが
あった。図において、（Ｉ）は合成樹脂を注入する公知
のポット部（図示せず）、ラレナ部（図示せず）を有す
るチャンバーブロック（図示せず）と同一高さを有し、
リードフレーム（図示せず）の板厚と同寸法の凹溝（図
示せず）を有し、半導体素子（図示せず）を封止するキ
ャビティ部（図示せず）等を有した複数個のチェイスブ
ロック、（２）は前記チャンバーブロック、チェイスブ
ロックｆｉ＋を保持する為の定盤、（３）はチャンバー
ブロック（図示せず）、チェイスブロック（＋１を加熱
及び保温する為のヒータで、前記定盤（２）に挿入され
ている。（４）は定盤（２）を支持するスペーサブロッ
ク、（５）は定盤（２）を部分的に支持をするボストで
あり、スペーサブロック（４）と同一高さ寸法で加工さ
れている。（６）は定盤（２）をスペーサブロック（４
）。
ポスト（５）を介して支持するためのベースで、プレス
のスライドフレーム（１０）に前記ヒータ（３）の熱が
伝わりに（いように断熱板を内蔵している。（７）はプ
レスへ固定する取付金具、（８）、及び（９）は上下の
型を合わせるガイド軸及びガイドブツシュ、（Ｉｌ＋は
前記チェイスブロックｆｉｌのパーティング面である。
のスライドフレーム（１０）に前記ヒータ（３）の熱が
伝わりに（いように断熱板を内蔵している。（７）はプ
レスへ固定する取付金具、（８）、及び（９）は上下の
型を合わせるガイド軸及びガイドブツシュ、（Ｉｌ＋は
前記チェイスブロックｆｉｌのパーティング面である。
次に動作について説明する。封止成形時において、プレ
スの型締圧が作用すると、第５図のように、チェイスブ
ロックｆｉ＋のパーティング面（１））に等分布荷重が
作用する場合には、その荷重を受ける定盤（２）の変形
量は中央部近くが最も大きくなる。
スの型締圧が作用すると、第５図のように、チェイスブ
ロックｆｉ＋のパーティング面（１））に等分布荷重が
作用する場合には、その荷重を受ける定盤（２）の変形
量は中央部近くが最も大きくなる。
ところで一方、定盤（２）の熱変形をみると、第６図の
ように両端に対し、中央部が凸状となる。つまり、定盤
（２）の上表面に接近してヒータ（３）が配置されてい
るため、定盤（２）の上表面と下表面とで温度差が発生
し、上表面の方が織度が大となり、上表面が伸びて中央
部が凸状となる。
ように両端に対し、中央部が凸状となる。つまり、定盤
（２）の上表面に接近してヒータ（３）が配置されてい
るため、定盤（２）の上表面と下表面とで温度差が発生
し、上表面の方が織度が大となり、上表面が伸びて中央
部が凸状となる。
従って、パーティング面（ＩＩ）は加圧時の歪による変
形と、加熱による熱変形とが相互に作用することになり
、通常は第４図のような加圧時の歪による変形量δ１の
方が、第５図のような熱変形量δ２よりも小さく、パー
ティング面（１））の外周側に隙間が発生することにな
る。
形と、加熱による熱変形とが相互に作用することになり
、通常は第４図のような加圧時の歪による変形量δ１の
方が、第５図のような熱変形量δ２よりも小さく、パー
ティング面（１））の外周側に隙間が発生することにな
る。
従来装置は以上のように構成されているので、外周側に
隙間が発生し、成形時に上下の金型のパーティング面の
隙間から樹脂がリードフレーム上に流出し、封止製品の
樹脂の歩留り低下及び後工程での流出したパリの収除き
工程が必要になるという問題点があった。
隙間が発生し、成形時に上下の金型のパーティング面の
隙間から樹脂がリードフレーム上に流出し、封止製品の
樹脂の歩留り低下及び後工程での流出したパリの収除き
工程が必要になるという問題点があった。
この発明は以上のような問題点を解消するためになされ
たもので、リードフレーム上の樹脂の流出を防止でき、
樹脂自体の歩留りの向上を図ることができるとともに、
後工程での流出したパリの除去工程を廃止できる半導体
封止装置を得ることを目的とする。
たもので、リードフレーム上の樹脂の流出を防止でき、
樹脂自体の歩留りの向上を図ることができるとともに、
後工程での流出したパリの除去工程を廃止できる半導体
封止装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体封止装置は、上、下の定盤に支持
された上型及び下型とを有し、これら上型及び下型内に
樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止する半導体封止装
置において、上記上、下の定盤のうち少なくとも一方の
定盤には、上記上型又は下型装着面とは反対側面に近接
して複数のヒータを挿入したものであり、また、この発
明の他の発明では、上、下の定盤に支持された上型及び
下型とを有し、これら上型及び下型内に樹脂を注入して
半導体素子を樹脂封止する半導体封止装置において、上
記上、下の定盤のうち少なくとも一方の定盤には、上記
上型又は下型装着面とは反対側面に近接して複数のヒー
タを挿入すると共に、上記上、下の定盤の間には、上記
上型又は下型の外周側の平面度を調整するジヤツキ手段
を配置したものである。
された上型及び下型とを有し、これら上型及び下型内に
樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止する半導体封止装
置において、上記上、下の定盤のうち少なくとも一方の
定盤には、上記上型又は下型装着面とは反対側面に近接
して複数のヒータを挿入したものであり、また、この発
明の他の発明では、上、下の定盤に支持された上型及び
下型とを有し、これら上型及び下型内に樹脂を注入して
半導体素子を樹脂封止する半導体封止装置において、上
記上、下の定盤のうち少なくとも一方の定盤には、上記
上型又は下型装着面とは反対側面に近接して複数のヒー
タを挿入すると共に、上記上、下の定盤の間には、上記
上型又は下型の外周側の平面度を調整するジヤツキ手段
を配置したものである。
この発明における半導体封止装置は、金型の外周に発生
しようとする隙間を小さくでき、また、他の発明ではパ
ーティング面の平面度を調整できることになる。
しようとする隙間を小さくでき、また、他の発明ではパ
ーティング面の平面度を調整できることになる。
以下、この発明の一実施例を第１図で説明する。
図において、軸はヒータで、定盤（２）のヒータ配置位
置は定盤（２）の下面側（スペーサブロック及びポスト
側）の温度が上面側（チェイスブロック側）の温度より
高くなるように下面側へ設定されている。この第１図は
樹脂封止装置の下型について表示しているが、同様に上
型についてもヒータ例の配置位置はスペーサブロック及
びポスト側の温度が高くなるように下面側へ設定される
。
置は定盤（２）の下面側（スペーサブロック及びポスト
側）の温度が上面側（チェイスブロック側）の温度より
高くなるように下面側へ設定されている。この第１図は
樹脂封止装置の下型について表示しているが、同様に上
型についてもヒータ例の配置位置はスペーサブロック及
びポスト側の温度が高くなるように下面側へ設定される
。
その他の符号の説明は従来装置と同様につき省略する。
上記のように構成されたものにおいては、加圧力による
歪により定盤（２）が凹状に変形し、また−方ではヒー
タ（３０）を定盤（２）の下面側に配置することにより
、従来のように熱変形で大きく凸状となることを抑制し
、パーティング面（１））を平面に近づけることも可能
となる。つまり、第３図の変形量δ３を第５図のような
加圧時の変形量δ１と同等にでき、互いに相殺させるこ
とも可能となる。
歪により定盤（２）が凹状に変形し、また−方ではヒー
タ（３０）を定盤（２）の下面側に配置することにより
、従来のように熱変形で大きく凸状となることを抑制し
、パーティング面（１））を平面に近づけることも可能
となる。つまり、第３図の変形量δ３を第５図のような
加圧時の変形量δ１と同等にでき、互いに相殺させるこ
とも可能となる。
また、別の発明では、ｇＩｐ、２図ないし第３図のよう
に、熱変形を凹状になるようにヒータ■を定盤（２）よ
り下面側に位置させるとともに、パーティング面（１）
）の平面度を調整する手段を備えている。
に、熱変形を凹状になるようにヒータ■を定盤（２）よ
り下面側に位置させるとともに、パーティング面（１）
）の平面度を調整する手段を備えている。
つまり、■は上方の定盤（２）に結合されたガイドブツ
シュ、０２）は下方の定盤（２）に結合されたねじ部（
１２ａ）を有するガイド軸、Ｑｌはこのガイド軸（１２
）のねじ軸（１２ａ）に螺合され、外周に目盛を有した
ダブルナツトであり、ガイドブツシュ硼とで上、下の定
盤（２）の離間寸法を調整して、上、下型の平面度を得
るようにしている。なお、ガイド軸０２） 、ダブルナ
ラ）０３１でジヤツキ手段を構成している。この構成で
は、加圧力による歪による定盤（２）の凹状への変形と
、熱変形による定盤（２）の変形との相互の作用におい
て、定盤（２）を凹状に変形するように構成し、外周側
の隙間が小さくなるようにしており、平面度はダブルナ
ツト０３１を調整して得ることになる。その竜は、ダブ
ルナツトａ３１の目盛にて調整できる。
シュ、０２）は下方の定盤（２）に結合されたねじ部（
１２ａ）を有するガイド軸、Ｑｌはこのガイド軸（１２
）のねじ軸（１２ａ）に螺合され、外周に目盛を有した
ダブルナツトであり、ガイドブツシュ硼とで上、下の定
盤（２）の離間寸法を調整して、上、下型の平面度を得
るようにしている。なお、ガイド軸０２） 、ダブルナ
ラ）０３１でジヤツキ手段を構成している。この構成で
は、加圧力による歪による定盤（２）の凹状への変形と
、熱変形による定盤（２）の変形との相互の作用におい
て、定盤（２）を凹状に変形するように構成し、外周側
の隙間が小さくなるようにしており、平面度はダブルナ
ツト０３１を調整して得ることになる。その竜は、ダブ
ルナツトａ３１の目盛にて調整できる。
ところで、福反分布については、実測温度を基準に各部
接触熱抵抗を求め、計算によりヒータ容量及び位置での
シミュレーションにより求める。
接触熱抵抗を求め、計算によりヒータ容量及び位置での
シミュレーションにより求める。
従来の封止装胃では型締め力による変形及び金型昇温に
よる熱変形は各々定盤を、下に凸、上に凸であり、その
相互作用により金型の上下パーティング面の隙間を発生
させていた。この隙間をある量以下に低減させる為には
型締荷重の増加もしくは金型内外にスペーサを使用して
の調整による場合があるが、これは効率が悪い。この為
、従来の熱変形では、例えば下型の場合、定盤の中央部
が上に凸状の変形であり、上、下型を合せた場合最小隙
間部は定盤中央部であり、最大隙間部は定盤両端部であ
る為、型締荷重による調整しかできない。これに対して
、最小隙間部を故急に定盤の両端にすることにより任意
に隙間量を調整できる。
よる熱変形は各々定盤を、下に凸、上に凸であり、その
相互作用により金型の上下パーティング面の隙間を発生
させていた。この隙間をある量以下に低減させる為には
型締荷重の増加もしくは金型内外にスペーサを使用して
の調整による場合があるが、これは効率が悪い。この為
、従来の熱変形では、例えば下型の場合、定盤の中央部
が上に凸状の変形であり、上、下型を合せた場合最小隙
間部は定盤中央部であり、最大隙間部は定盤両端部であ
る為、型締荷重による調整しかできない。これに対して
、最小隙間部を故急に定盤の両端にすることにより任意
に隙間量を調整できる。
つまり、ダブルナツト０２）を調整することにより平面
度を得ることができる。
度を得ることができる。
以上のようにこの発明は、上、下の定盤に支持された上
型及び下型とを有し、これら上型及び下型内に樹脂を注
入して半導体素子を樹脂封止する半導体封止装置におい
て、上記上、下の定盤のうち少な（とも一方の定盤には
、上記上型又は下型装着面とは反対側面に近接して複数
のヒータを挿入したので、定盤の加圧時の変形と、熱変
形とを相殺することも可能となり、パーディング面の平
面度を得ることができる効果があり、また、別の発明の
上、下の定盤の間て、上型又は下型の外周面の平面度を
調整するジヤツキ手段を設けたのでパーティング面自体
の調整が任急に可能となり、平面度を更に向上できる効
果がある。
型及び下型とを有し、これら上型及び下型内に樹脂を注
入して半導体素子を樹脂封止する半導体封止装置におい
て、上記上、下の定盤のうち少な（とも一方の定盤には
、上記上型又は下型装着面とは反対側面に近接して複数
のヒータを挿入したので、定盤の加圧時の変形と、熱変
形とを相殺することも可能となり、パーディング面の平
面度を得ることができる効果があり、また、別の発明の
上、下の定盤の間て、上型又は下型の外周面の平面度を
調整するジヤツキ手段を設けたのでパーティング面自体
の調整が任急に可能となり、平面度を更に向上できる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の発明を示す断面図、ｇＩＪ３図はその動作
状態を示す断面図、第４図は従来装置の断面図、ｇｆＪ
５図、９Ｊ６図はその動作状態を示す断面図である。 図中、（２）は定盤、（淵はヒータ、（９１はガイドブ
ツシュ、（Ｉｌｌはパーティング面、（１２）はダブル
ナツト、（ｌ（至）はガイド軸である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
の発明の他の発明を示す断面図、ｇＩＪ３図はその動作
状態を示す断面図、第４図は従来装置の断面図、ｇｆＪ
５図、９Ｊ６図はその動作状態を示す断面図である。 図中、（２）は定盤、（淵はヒータ、（９１はガイドブ
ツシュ、（Ｉｌｌはパーティング面、（１２）はダブル
ナツト、（ｌ（至）はガイド軸である。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）上、下の定盤に支持された上型及び下型とを有し
、これら上型及び下型内に樹脂を注入して半導体素子を
樹脂封止する半導体封止装置において、上記上、下の定
盤のうち少なくとも一方の定盤には、上記上型又は下型
装着面とは反対側面に近接して複数のヒータを挿入した
ことを特徴とする半導体封止装置。 - （２）上、下の定盤に支持された上型及び下型とを有し
、これら上型及び下型内に樹脂を注入して半導体素子を
樹脂封止する半導体封止装置において、上記上、下の定
盤のうち少なくとも一方の定盤には、上記上型又は下型
装着面とは反対側面に近接して複数のヒータを挿入する
と共に、上記上、下の定盤の間には、上記上型又は下型
の外周側の平面度を調整するジャッキ手段を配置したこ
とを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26620186A JPS63119538A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26620186A JPS63119538A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119538A true JPS63119538A (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17427666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26620186A Pending JPS63119538A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119538A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099717A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 加熱加圧システム |
| JP2011193003A (ja) * | 2011-04-05 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 加熱加圧システム |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP26620186A patent/JPS63119538A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099717A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Nikon Corp | 加熱加圧システム |
| JP2011193003A (ja) * | 2011-04-05 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 加熱加圧システム |
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