JPS63119232A - 露光装置 - Google Patents
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- JPS63119232A JPS63119232A JP61264079A JP26407986A JPS63119232A JP S63119232 A JPS63119232 A JP S63119232A JP 61264079 A JP61264079 A JP 61264079A JP 26407986 A JP26407986 A JP 26407986A JP S63119232 A JPS63119232 A JP S63119232A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば集積回路の製造に使用する露光装置に
おけるアライメント方式の改良に関するものである。
おけるアライメント方式の改良に関するものである。
[従来の技術]
従来の露光装置のなかで、基板上のレジスト層に対し非
感光の波長の光を用いて、マスクないしレチクルと基板
とのアライメントを行なうものがある。
感光の波長の光を用いて、マスクないしレチクルと基板
とのアライメントを行なうものがある。
このような場合において、投影レンズとしては、例えば
第2図に示すような波長特性を持ったものが使用される
。第2図において、露光光の波長は、色収差の少ないブ
ロード位置のΔAの領域内で設定される。他方、アライ
メント光に関しては、波長λBのレーザ光が選択され、
補正レンズを使用して色収差の補正が行われている。
第2図に示すような波長特性を持ったものが使用される
。第2図において、露光光の波長は、色収差の少ないブ
ロード位置のΔAの領域内で設定される。他方、アライ
メント光に関しては、波長λBのレーザ光が選択され、
補正レンズを使用して色収差の補正が行われている。
[発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら、上述したような単一波長のレーザ光を用
いるアライメント方式では、第2図に示すように、波長
変動に対して色収差が大きく変化する領域にアライメン
ト光の波長が設定されている。検討すると、波長特性上
の色収差の変化が大きい部分を使うかぎり、極めてバン
ド幅か狭く、かつ波長自体の変化もない単色光を用いざ
るを得なかった。
いるアライメント方式では、第2図に示すように、波長
変動に対して色収差が大きく変化する領域にアライメン
ト光の波長が設定されている。検討すると、波長特性上
の色収差の変化が大きい部分を使うかぎり、極めてバン
ド幅か狭く、かつ波長自体の変化もない単色光を用いざ
るを得なかった。
このため、レジストによる多重干渉やスペックルの影響
によって、アライメント精度の低下を招くという不都合
がある。
によって、アライメント精度の低下を招くという不都合
がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、アラ
イメント精度の向上を図ることができる露光装置を提供
することを、その目的とするものである。
イメント精度の向上を図ることができる露光装置を提供
することを、その目的とするものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、第一の波長及びこれと異なる第二の波長の各
々の光に対して色収差量の変化率がほぼ零となる投影光
学系と、第一の波長もしくはその近傍の波長の光を露光
光としてマスクパターンの露光を行う露光用照明手段と
、第二の波長もしくはその近傍゛の波長の光をアライメ
ント光として、マスクパタ−ンと基板とのアライメント
を行うアライメント用照明手段とを備えることにより、
上記問題点を解決したものである。
々の光に対して色収差量の変化率がほぼ零となる投影光
学系と、第一の波長もしくはその近傍の波長の光を露光
光としてマスクパターンの露光を行う露光用照明手段と
、第二の波長もしくはその近傍゛の波長の光をアライメ
ント光として、マスクパタ−ンと基板とのアライメント
を行うアライメント用照明手段とを備えることにより、
上記問題点を解決したものである。
[作用]
この発明においては、露光光、およびアライメント光の
いずれもが、投影光学系の色収差量の変化率がほぼ零と
なる波長に設定される。このため、波長が多少変化して
も、色収差は殆ど生じない。
いずれもが、投影光学系の色収差量の変化率がほぼ零と
なる波長に設定される。このため、波長が多少変化して
も、色収差は殆ど生じない。
[実施例]
以下、この発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
まず、第1図を参照しながら、本実施例の構成について
説明する。第1図において、露光照明系10から出力さ
れた露光光ELは、コンデンサレンズ12を透過してレ
チクルRに入射するようになっている。
説明する。第1図において、露光照明系10から出力さ
れた露光光ELは、コンデンサレンズ12を透過してレ
チクルRに入射するようになっている。
次に、レチクルRの投影パターン部分を透過した露光光
ELは、投影レンズ14を透過してステージ16上のウ
ェハWに照射されるようになっている。このステージ1
6の必要方向の駆動は、駆動装置18によって行われる
ようになっており、ステージ16の位置座標の計測は5
、レーザ光の干渉を利用する干渉計20によって行われ
るようになっゝている。
ELは、投影レンズ14を透過してステージ16上のウ
ェハWに照射されるようになっている。このステージ1
6の必要方向の駆動は、駆動装置18によって行われる
ようになっており、ステージ16の位置座標の計測は5
、レーザ光の干渉を利用する干渉計20によって行われ
るようになっゝている。
次に、アライメント光ALは、光源22から出力される
ようになっており、出力されたアライメント光ALは、
レンズ24、絞り26、レンズ28を各々透過し、更に
はハーフミラ−30の作用によって投影レンズ14に入
射するようになっている。
ようになっており、出力されたアライメント光ALは、
レンズ24、絞り26、レンズ28を各々透過し、更に
はハーフミラ−30の作用によって投影レンズ14に入
射するようになっている。
この投影レンズ14を透過したアライメント光ALは、
ウェハW上のウェハマークWM近傍の領域に入射し、こ
こで反射されたアライメント光ALは、投影レンズ14
、ハーフミラ−3o、及び色収差を補正する補正レンズ
32を各々透過して、レチクルRのレチクルマークRM
近傍の領域に入射するようになっている。
ウェハW上のウェハマークWM近傍の領域に入射し、こ
こで反射されたアライメント光ALは、投影レンズ14
、ハーフミラ−3o、及び色収差を補正する補正レンズ
32を各々透過して、レチクルRのレチクルマークRM
近傍の領域に入射するようになっている。
すなわち、アライメント光ALによって、ウェハマーク
WMと、レチクルマークRMの両方が照明されるように
なっており、マークWHの像は、補正レンズ32によっ
てマークRMと同一平面内に結像される。
WMと、レチクルマークRMの両方が照明されるように
なっており、マークWHの像は、補正レンズ32によっ
てマークRMと同一平面内に結像される。
そして、各マークからのアライメント光は、ミラー34
によって反射され、更には、対物レンズ36.38を各
々透過して工業用のテレビカメラ(撮像管)40に入射
、結像するようになっている。
によって反射され、更には、対物レンズ36.38を各
々透過して工業用のテレビカメラ(撮像管)40に入射
、結像するようになっている。
このテレビカメラ40の出力側は、波形処理装置42に
接続されており、波形処理装置42の出力側は、制御装
置44に接続されている。波形処理装置42は、入力さ
れたビデオデータに対して必要な画像処理を施すもので
ある。
接続されており、波形処理装置42の出力側は、制御装
置44に接続されている。波形処理装置42は、入力さ
れたビデオデータに対して必要な画像処理を施すもので
ある。
かかる制御装置44には、上述したステージ16の駆動
装置18と、干渉計20とが各々出力側に接続されてい
る。すなわち、制御装置44は、人力されたデータと干
渉計20の出力に基いて、駆動装置18に指令を行い、
これに従ってステージ16の心動が行われるようになっ
ている。
装置18と、干渉計20とが各々出力側に接続されてい
る。すなわち、制御装置44は、人力されたデータと干
渉計20の出力に基いて、駆動装置18に指令を行い、
これに従ってステージ16の心動が行われるようになっ
ている。
以上の各構成部分のうち、投影レンズ14は、第3図に
示すような色収差特性を有するように設計されている。
示すような色収差特性を有するように設計されている。
すなわち、波長領域ΔCおよび波長領域ΔDの二ケ所で
色収差の変化率がほぼ雫になるように、投影レンズ14
の光学特性の設計が行われている。このような特性は、
螢石、フッ化リチウムなどの異常分散を示す光学材料を
使用してレンズを構成するようにすれば得ることができ
る。尚、収差特性上の二ケ所で色収差の変化率をほぼ零
とするような設計は、顕微鏡用の対物レンズ等における
アポクロマートの色消し手法でよく知られている。
色収差の変化率がほぼ雫になるように、投影レンズ14
の光学特性の設計が行われている。このような特性は、
螢石、フッ化リチウムなどの異常分散を示す光学材料を
使用してレンズを構成するようにすれば得ることができ
る。尚、収差特性上の二ケ所で色収差の変化率をほぼ零
とするような設計は、顕微鏡用の対物レンズ等における
アポクロマートの色消し手法でよく知られている。
そして、露光光ELの波長は、第3図の波長領域ΔC内
で設定され、アライメント光ALの波長は、波長領域Δ
D内で設定される。
で設定され、アライメント光ALの波長は、波長領域Δ
D内で設定される。
また、以上のような波長設定のため、投影レンズ14は
、アライメント光ALに対して第3図に示すような色収
差量ΔZを有することとなる。この色収差量ΔZに相当
する光路長は、補正レンズ32によって補正されている
。
、アライメント光ALに対して第3図に示すような色収
差量ΔZを有することとなる。この色収差量ΔZに相当
する光路長は、補正レンズ32によって補正されている
。
このため、アライメント光ALに対しても、レチクルR
とウェハWとが投影レンズ14に対して共役な位置関係
となる。
とウェハWとが投影レンズ14に対して共役な位置関係
となる。
従って、ウェハマークWMとレチクルマークRMは、い
づれも対物レンズ36.38を各々介してテレビカメラ
40で観察されることとなる。
づれも対物レンズ36.38を各々介してテレビカメラ
40で観察されることとなる。
なお、第4図(A)に示すように、レチクルマークRM
はクロムなどの材料で矩形状に形成されている。また、
ウェハマークWMは、ウェハW表面の凹凸として形成さ
れている。従って、アライメント光ALは、ウェハマー
クWMのエツジ部分で反射されるものの、レチクルマー
クRMでは遮光されることとなる。
はクロムなどの材料で矩形状に形成されている。また、
ウェハマークWMは、ウェハW表面の凹凸として形成さ
れている。従って、アライメント光ALは、ウェハマー
クWMのエツジ部分で反射されるものの、レチクルマー
クRMでは遮光されることとなる。
次に、上記実施例におけるアライメント時の動作につい
て説明する。
て説明する。
アライメント光ALが照射されると、ウェハW上のウェ
ハマークWMと、レチクルRのレチクルマークRMの像
がテレビカメラ40によって各々撮像される。
ハマークWMと、レチクルRのレチクルマークRMの像
がテレビカメラ40によって各々撮像される。
ここで、両マークのテレビカメラ40における見え、す
なわちテレビカメラ40の位置から見た両マークの配置
が、第4図(A)に示すような状態であフたとする。
なわちテレビカメラ40の位置から見た両マークの配置
が、第4図(A)に示すような状態であフたとする。
このような場合のテレビカメラ40の出力ビデオ信号を
、波形処理装置42で画像処理すると、第4図(B)に
示すような光量変化のグラフが得られる。
、波形処理装置42で画像処理すると、第4図(B)に
示すような光量変化のグラフが得られる。
なお、同図(C)には、第2図に示した従来の単一波長
のアライメント光を用いた場合のグラフが示されている
。
のアライメント光を用いた場合のグラフが示されている
。
この第4図(C)に示すように、従来の方法では、干渉
縞が生じスペックルによって波形が乱れるので、マーク
パターンのエツジを良好に検出することができず、精度
よくアライメントを行うことができない。
縞が生じスペックルによって波形が乱れるので、マーク
パターンのエツジを良好に検出することができず、精度
よくアライメントを行うことができない。
これに対して、未実施例では、第3図で示したように、
ΔDの範囲内で色収差がほぼ一定であるから、このΔD
の範囲内で種々の値の波長の光、あるいはΔDの範囲内
でバンド幅を有する光をアライメント光としてを使用す
ることができる。
ΔDの範囲内で色収差がほぼ一定であるから、このΔD
の範囲内で種々の値の波長の光、あるいはΔDの範囲内
でバンド幅を有する光をアライメント光としてを使用す
ることができる。
このため、干渉及びスペックルの影響が低減されること
となり、マークパターンのエツジが良好に検出されるこ
ととなる。
となり、マークパターンのエツジが良好に検出されるこ
ととなる。
第4図(B)において、レチクルマークRMの左側のマ
ーク中心に相当する位置をPA、右側のマーク中心に相
当する位置をPBとし、ウェハマークWMの左エツジに
相当する位置をPC1右エツジに相当する位置をPDと
すると、レチクルRとウェハWとのずれ量△は、 Δ= (PI3−PA)−(PD−PC)で表わされ
る。
ーク中心に相当する位置をPA、右側のマーク中心に相
当する位置をPBとし、ウェハマークWMの左エツジに
相当する位置をPC1右エツジに相当する位置をPDと
すると、レチクルRとウェハWとのずれ量△は、 Δ= (PI3−PA)−(PD−PC)で表わされ
る。
従って、そのΔの値だけステージ16を移動するように
、駆動装置18に対して制御装置44から指令が行われ
る。
、駆動装置18に対して制御装置44から指令が行われ
る。
以上のようなアライメントによる位置補正の後、マスク
パターンの露光が行われる。
パターンの露光が行われる。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、種々の態様が設計可能である。
く、種々の態様が設計可能である。
ところで、通常TTR(Through The R
eticle)方式のアライメント系の対物レンズは、
レチクルR上の回路パターンのサイズの変更に対応して
可動となっている。第5図はパターンサイズのちがいを
模式的に表わした平面図である。座標系xyの原点には
投影レンズ14の光軸AXが通るものとする。AXを中
心とする円形の領域は投影レンズ14のイメージフィー
ルトリIFであり、矩形領域FAIは小さなパターンサ
イズの場合を表わし、矩形領域PA2は大ぎなパターン
サイズの場合を表わす。領域PAIOX軸に沿った周辺
にはレチクルマークRMIが形成され、領域PA2のX
軸に沿った周辺にはレチクルマークRM2が形成される
。領域FAIをもつレチクルでアライメントを行なう場
合、マークRMIの像高はLlであり、領域PA2をも
つレチクルでアライメントを行なう場合、マークRM2
の像高はL2である。このようなマーク位置の変化に対
応するため、従来アライメント光と露光光の波長が同じ
アライメント系では第1図中のミラー34、対物レンズ
36が一体に可動となっていた。ただし、アライメント
光が別波長の場合、補正レンズ32も一体に移動させな
ければならないので、第6図に示すような構成とする。
eticle)方式のアライメント系の対物レンズは、
レチクルR上の回路パターンのサイズの変更に対応して
可動となっている。第5図はパターンサイズのちがいを
模式的に表わした平面図である。座標系xyの原点には
投影レンズ14の光軸AXが通るものとする。AXを中
心とする円形の領域は投影レンズ14のイメージフィー
ルトリIFであり、矩形領域FAIは小さなパターンサ
イズの場合を表わし、矩形領域PA2は大ぎなパターン
サイズの場合を表わす。領域PAIOX軸に沿った周辺
にはレチクルマークRMIが形成され、領域PA2のX
軸に沿った周辺にはレチクルマークRM2が形成される
。領域FAIをもつレチクルでアライメントを行なう場
合、マークRMIの像高はLlであり、領域PA2をも
つレチクルでアライメントを行なう場合、マークRM2
の像高はL2である。このようなマーク位置の変化に対
応するため、従来アライメント光と露光光の波長が同じ
アライメント系では第1図中のミラー34、対物レンズ
36が一体に可動となっていた。ただし、アライメント
光が別波長の場合、補正レンズ32も一体に移動させな
ければならないので、第6図に示すような構成とする。
第6図でミラー34、対物レンズ36及び補正レンズ3
2は可動部材50に一体に取り付けられ、可動部材50
は、ミラー34が34′に、対物レンズ36が36′に
、そして補正レンズ32が32′ に位置するように、
図中左右方向に移動する。
2は可動部材50に一体に取り付けられ、可動部材50
は、ミラー34が34′に、対物レンズ36が36′に
、そして補正レンズ32が32′ に位置するように、
図中左右方向に移動する。
ところで、マーク位置が変化して、投影レンズ14の異
なる像高点で別波長のアライメント光を入射する場合、
第7図に示すように色収差量が変化することがある。第
7図(A)は例えば像高L1での色収差特性を表わし、
第7図(B)は像高L2での色収差特性を表わす。第7
図に示した投影レンズの色収差特性では、露光光(紫外
線)の波長λCにおいて異なる像高点でも良好に収差補
正されているが、アライメント光の波長λdにおいてΔ
Zl>ΔZ2の関係で収差が異なっている。
なる像高点で別波長のアライメント光を入射する場合、
第7図に示すように色収差量が変化することがある。第
7図(A)は例えば像高L1での色収差特性を表わし、
第7図(B)は像高L2での色収差特性を表わす。第7
図に示した投影レンズの色収差特性では、露光光(紫外
線)の波長λCにおいて異なる像高点でも良好に収差補
正されているが、アライメント光の波長λdにおいてΔ
Zl>ΔZ2の関係で収差が異なっている。
尚、波長λdにおいて、像高L1とL2ではともに収差
の変化率はほぼ雫なっているものとする。このため像高
が変化した場合、レチクルRとウェハWとの共役(結像
)関係がずれてしまう。
の変化率はほぼ雫なっているものとする。このため像高
が変化した場合、レチクルRとウェハWとの共役(結像
)関係がずれてしまう。
そこで第6図に示すように、可動部材50と補正レンズ
32との間に、補正レンズ32のみを光軸方向に微動さ
せる調整部材52を設ける。この調整部材52の微動量
は色収差特性上のずれ量(ΔZ)と像高との関係を予め
マツプとして制御装置44等に記憶させておくことによ
り容易に求めることかでき、自動調整が可能となる。
32との間に、補正レンズ32のみを光軸方向に微動さ
せる調整部材52を設ける。この調整部材52の微動量
は色収差特性上のずれ量(ΔZ)と像高との関係を予め
マツプとして制御装置44等に記憶させておくことによ
り容易に求めることかでき、自動調整が可能となる。
また色収差特性として第8図のような場合も考えられる
。例えばFlは像高L1での収差特性、F2は像高L2
ての収差特性を表わし、露光光の波長λCではともに良
好に収差補正されているものの、アライメント光の波長
として使うべき変化率乎の中心波長がλd1λd2と異
なっている。
。例えばFlは像高L1での収差特性、F2は像高L2
ての収差特性を表わし、露光光の波長λCではともに良
好に収差補正されているものの、アライメント光の波長
として使うべき変化率乎の中心波長がλd1λd2と異
なっている。
このような場合、第9図に示すように照明系から射出さ
れるアライメント光の波長をシフトするような構成とす
る。不図示の光源(ハロゲンランプ等)からの光では、
レンズ60により平行光束にされ、オプチカルインテグ
レータ(フライアイレンズ)61、フィールドレンズ6
2を通り、さらにターレット板70に保持された干渉フ
ィルター64aを介して集光レンズ66てライトガイド
(光ファイバー)68の入射端に集光される。干渉フィ
ルター(バンドフィルター)64aのバンド幅の中心波
長は例えばλd1に合わされている。そして像高が変わ
ったときは、ターレット板70に保持された他の干渉フ
ィルター64b(中心波長はλd2)が光路中に挿入さ
れるようにターレット板70を回転、する。ターレット
板70にはその他の中心波長を有する干渉フィルターが
保持され、像高の変化に応じて適宜選択されるようにな
っている。尚、ライトガイド68の射出端からのアライ
メント光は第1図に示した絞り26を照明する。
れるアライメント光の波長をシフトするような構成とす
る。不図示の光源(ハロゲンランプ等)からの光では、
レンズ60により平行光束にされ、オプチカルインテグ
レータ(フライアイレンズ)61、フィールドレンズ6
2を通り、さらにターレット板70に保持された干渉フ
ィルター64aを介して集光レンズ66てライトガイド
(光ファイバー)68の入射端に集光される。干渉フィ
ルター(バンドフィルター)64aのバンド幅の中心波
長は例えばλd1に合わされている。そして像高が変わ
ったときは、ターレット板70に保持された他の干渉フ
ィルター64b(中心波長はλd2)が光路中に挿入さ
れるようにターレット板70を回転、する。ターレット
板70にはその他の中心波長を有する干渉フィルターが
保持され、像高の変化に応じて適宜選択されるようにな
っている。尚、ライトガイド68の射出端からのアライ
メント光は第1図に示した絞り26を照明する。
またアライメント光としてレーザ光を用いることもでき
る。第10図はその実施例による回路ブロック図であり
、ここでは3つの半導体レーザ光源80,82.84を
用いる。この半導体レーザ光源80,82.84は、と
もに同一特性のものであるが、わずかに発振波長を変え
である。レーザ光源80からのレーザ光(波長λx+)
はミラー86で反射された後、合成用のビームスプリッ
タ88で反射されてレンズ90に入射する。レーザ光源
82からのレーザ光(波長λx2)は合成用のビームス
プリッタ92.88を透過し、レンズ90に入射する。
る。第10図はその実施例による回路ブロック図であり
、ここでは3つの半導体レーザ光源80,82.84を
用いる。この半導体レーザ光源80,82.84は、と
もに同一特性のものであるが、わずかに発振波長を変え
である。レーザ光源80からのレーザ光(波長λx+)
はミラー86で反射された後、合成用のビームスプリッ
タ88で反射されてレンズ90に入射する。レーザ光源
82からのレーザ光(波長λx2)は合成用のビームス
プリッタ92.88を透過し、レンズ90に入射する。
そしてレーザ光源84からのレーザ光(波長λX3)は
ミラー94て反射された後、ビームスプリッタ92て反
射されて他のレーλX 2 +λx3は第11図に示す
ように、色収差特性F1の変化率か零となる領域でわず
かに異なるように定められている。このように複数のレ
ーザ光を波長をわずかに変えてアライメント光とすると
、レチクル面、又はウェハ面で発生するスペックルが低
減される。各レーザ光源80,82゜84は夫々ドライ
バー100,102,104によって所定の駆動電流で
ドライブされるが、その駆動電流を互いにわずかに変え
ておくことにより発振波長が微妙に異なってくる。
ミラー94て反射された後、ビームスプリッタ92て反
射されて他のレーλX 2 +λx3は第11図に示す
ように、色収差特性F1の変化率か零となる領域でわず
かに異なるように定められている。このように複数のレ
ーザ光を波長をわずかに変えてアライメント光とすると
、レチクル面、又はウェハ面で発生するスペックルが低
減される。各レーザ光源80,82゜84は夫々ドライ
バー100,102,104によって所定の駆動電流で
ドライブされるが、その駆動電流を互いにわずかに変え
ておくことにより発振波長が微妙に異なってくる。
さらに本実施例では、レーザ光源82.84に発振波長
の変調をかけるための発振器106,108を設ける。
の変調をかけるための発振器106,108を設ける。
この発振器106,108はドライバー102゜104
を介して駆動電流にわずかなレベルで高周波成分を重量
させる。その高周波成分の周波数は発振器106と10
8とでは異なるようにする。あるいは発振器106,1
08としてホワイトノイズを発生するものを使用しても
よい。ここで変調をかける波長変化幅は、収差特性上の
変化率がほぼ雫とみなせる帯域と関係する。このように
発振波長に高周波変調をかけることにより、スペックル
の定在化がなくなり、アライメントのための光電信号等
のS/N比がざらに改善される。
を介して駆動電流にわずかなレベルで高周波成分を重量
させる。その高周波成分の周波数は発振器106と10
8とでは異なるようにする。あるいは発振器106,1
08としてホワイトノイズを発生するものを使用しても
よい。ここで変調をかける波長変化幅は、収差特性上の
変化率がほぼ雫とみなせる帯域と関係する。このように
発振波長に高周波変調をかけることにより、スペックル
の定在化がなくなり、アライメントのための光電信号等
のS/N比がざらに改善される。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、色収差の変化率
がほぼ零となる部分が2ケ所あるような光学特性を有す
る投影光学系を使用するとともに、露光光のみならずア
ライメント光に対しても色収差の変化率がほぼ墨となる
領域で波長設定を行うこととしたので、アライメント光
として該領域中の広い波長の光を使用でき、スペックル
や多重干渉の影響によるアライメント検出信号のS/N
比の低下を良好に防止し、アライメント精度の向上を図
ることができるという効果がある。
がほぼ零となる部分が2ケ所あるような光学特性を有す
る投影光学系を使用するとともに、露光光のみならずア
ライメント光に対しても色収差の変化率がほぼ墨となる
領域で波長設定を行うこととしたので、アライメント光
として該領域中の広い波長の光を使用でき、スペックル
や多重干渉の影響によるアライメント検出信号のS/N
比の低下を良好に防止し、アライメント精度の向上を図
ることができるという効果がある。
また、波長選択の範囲が広くなるため、レーザ以外の光
源を用いても十分な光量を得ることかできるという効果
がある。
源を用いても十分な光量を得ることかできるという効果
がある。
更に、露光光及びアライメント光共に波長選択の幅が広
いので、投影光学系の設計に対する許容度か高く、レン
ズ設計、あるいは照明系の設計か容易になるという効果
がある。
いので、投影光学系の設計に対する許容度か高く、レン
ズ設計、あるいは照明系の設計か容易になるという効果
がある。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
の一般的な投影光学系の色収差特性を示す線図、第3図
は本実施例に招ける広帯2色色消し投影光学系の色収差
特性を示す線図、第4図はレチクルマークとウェハマー
クの配置と検出信号の関係を示す説明図、第5図はパタ
ーンサイズの異る場合を示す説明図、第6図は補正レン
ズが一体可動のアライメント光学系の一例を示す構成図
、第7図は投影レンズにおける色収差量の変化を示す線
図、第8図は投影レンズの他の色収差特性を示す線図、
第9図はアライメント光の波長をシフトさせる光学手段
の一例を示す説明図、第10図はかかる場合のアライメ
ント光としてレーザ光を用いた例の回路ブロック図、第
11図は各レーザ光の波長の関係を示す線図である。 [主要部分の符号の説明] 10・・・露光照明系、14・・・投影レンズ、16・
・・ステージ、18・・・駆動装置、20・・・干渉計
、22・・・光源、32・・・補正レンズ、40・・・
テレビカメラ、42・・・波形処理装置、44・・・制
御装置、R・・・レチクル、RM・・・レチクルマーク
、W・・・ウェハ、WM・・・ウェハマーク。
の一般的な投影光学系の色収差特性を示す線図、第3図
は本実施例に招ける広帯2色色消し投影光学系の色収差
特性を示す線図、第4図はレチクルマークとウェハマー
クの配置と検出信号の関係を示す説明図、第5図はパタ
ーンサイズの異る場合を示す説明図、第6図は補正レン
ズが一体可動のアライメント光学系の一例を示す構成図
、第7図は投影レンズにおける色収差量の変化を示す線
図、第8図は投影レンズの他の色収差特性を示す線図、
第9図はアライメント光の波長をシフトさせる光学手段
の一例を示す説明図、第10図はかかる場合のアライメ
ント光としてレーザ光を用いた例の回路ブロック図、第
11図は各レーザ光の波長の関係を示す線図である。 [主要部分の符号の説明] 10・・・露光照明系、14・・・投影レンズ、16・
・・ステージ、18・・・駆動装置、20・・・干渉計
、22・・・光源、32・・・補正レンズ、40・・・
テレビカメラ、42・・・波形処理装置、44・・・制
御装置、R・・・レチクル、RM・・・レチクルマーク
、W・・・ウェハ、WM・・・ウェハマーク。
Claims (5)
- (1)マスクに形成されたパターンを感光基板に投影露
光する露光装置において、 第1の波長の光と、該第1の波長とは異なる第2の波長
の光の各々に対して色収差量の変化率がほぼ零となるよ
うに収差補正された投影光学系と、 前記第1の波長、もしくはその近傍の波長を含む露光光
を前記マスクに照射し、前記投影光学系を介して前記感
光基板にパターン像を形成するための露光用照明手段と
、 前記第2の波長、もしくはその近傍の波長を含むアライ
メント光を、前記投影光学系を介して前記感光基板に照
射し、前記感光基板上に予め形成されたマークパターン
を検出してアライメントを行うためのアライメント用照
明手段とを備えたことを特徴とする露光装置。 - (2)前記露光装置は、前記アライメント光で照明され
た前記感光基板上のマークパターンの前記投影光学系に
よる像と、前記マスク上に予め形成されたマークパター
ンとを共に光学的に検出するアライメント光学系を有し
、該アライメント光学系は、前記投影光学系に対するア
ライメント光の色収差量を補正する補正光学系を含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光装置。 - (3)前記アライメント光学系によるマークパターン検
出位置が、前記投影光学系の異なる像高点に変化したと
き、該変化に応答して前記補正光学系の色収差補正量を
調整可能としたことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の露光装置。 - (4)前記アライメント用照明手段は、前記第2の波長
を中心に所定の帯域幅を有するアライメント光を射出す
るためのバンドフィルタを有し、前記アライメント光学
系によるパターン検出位置が前記投影光学系の異なる像
高点に変化したとき、前記フィルタの特性を前記第2の
波長がシフトする方向に切換可能としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第2項又は第3項のいづれかに記載の
露光装置。 - (5)前記アライメント用照明手段は、前記第2の波長
、もしくはその近傍に発振スペクトルを有する複数の半
導体レーザ光源と、該複数の半導体レーザ光源の各々か
らの光を合成する合成光学系と、前記複数の半導体レー
ザ光源のうち少なくとも1つの光源の発振スペクトルの
波長を所定の帯域幅内で高速に変調する変調手段とを有
することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光
装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61264079A JPS63119232A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 露光装置 |
CA000530351A CA1261363A (en) | 1986-03-05 | 1987-02-23 | Method of clamping rails for pressure welding the same clamping apparatus therefore |
CN 87101709 CN1012582B (zh) | 1986-03-05 | 1987-03-02 | 钢轨加压焊接之钢轨夹持方法及设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61264079A JPS63119232A (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63119232A true JPS63119232A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17398222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61264079A Pending JPS63119232A (ja) | 1986-03-05 | 1986-11-07 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63119232A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227431A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN107850555A (zh) * | 2015-06-30 | 2018-03-27 | 康宁股份有限公司 | 使用静态条纹图案的干涉法滚降测量 |
KR20180103730A (ko) * | 2017-03-09 | 2018-09-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61264079A patent/JPS63119232A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01227431A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
CN107850555A (zh) * | 2015-06-30 | 2018-03-27 | 康宁股份有限公司 | 使用静态条纹图案的干涉法滚降测量 |
KR20180103730A (ko) * | 2017-03-09 | 2018-09-19 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 |
JP2018152374A (ja) * | 2017-03-09 | 2018-09-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
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