JPS63114254A - リニアイメ−ジセンサ - Google Patents
リニアイメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS63114254A JPS63114254A JP61260401A JP26040186A JPS63114254A JP S63114254 A JPS63114254 A JP S63114254A JP 61260401 A JP61260401 A JP 61260401A JP 26040186 A JP26040186 A JP 26040186A JP S63114254 A JPS63114254 A JP S63114254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- linear image
- light sensitive
- bent
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はリニアイメージセンサに係り、特に原稿を１：
１の関係で読取るいわゆる密着型リニアイメージセンサ
に関するものである。
１の関係で読取るいわゆる密着型リニアイメージセンサ
に関するものである。
（従来の技術）
リニアイメージセンサは複写機等において多用されてい
る。従来のリニアイメージセンサは長いものを作ること
が困難であるため、原稿からの反射光を光学系を用いて
縮小してリニアイメージセンサ上に投影するようにして
いる。
る。従来のリニアイメージセンサは長いものを作ること
が困難であるため、原稿からの反射光を光学系を用いて
縮小してリニアイメージセンサ上に投影するようにして
いる。
第３図は従来のリニアイメージセンサの一例を示す平面
図であって基板１０上に複数の感光画素１が基板の長さ
一杯に一列状に設けられて感光画素列２を形成しており
、その−刃側には読出しレジスタ３が平行して形成され
、その一端部に出力回路が設けられて画像出力を取出し
ている。
図であって基板１０上に複数の感光画素１が基板の長さ
一杯に一列状に設けられて感光画素列２を形成しており
、その−刃側には読出しレジスタ３が平行して形成され
、その一端部に出力回路が設けられて画像出力を取出し
ている。
このようなリニアイメージセンサでは読取り範囲が限ら
れ、また解像度も十分でないため、り二アイメージセン
サを複数個直線状に並べたインライン型リニアイメージ
センサが用いられる。これは第４図に示されるように感
光画素列２□、２゜をそれぞれ有する二つのリニアイメ
ージセンサ６および７をその一端部をできるだけ近接さ
せて配設したものであり、両感光画素列の近接度が大き
いほど得られる画像の連続性が確保される。
れ、また解像度も十分でないため、り二アイメージセン
サを複数個直線状に並べたインライン型リニアイメージ
センサが用いられる。これは第４図に示されるように感
光画素列２□、２゜をそれぞれ有する二つのリニアイメ
ージセンサ６および７をその一端部をできるだけ近接さ
せて配設したものであり、両感光画素列の近接度が大き
いほど得られる画像の連続性が確保される。
しかしながら、このような従来のインライン型リニアイ
メージセンサでは近接配置を行う必要上、暗時電荷を取
出すためのいわゆるダミー画素を設けることができない
。したがって感光画素１で発生、蓄積されて出力される
電荷は光が入射して発生する信号電荷と、光とは無関係
に暗時でも発生する暗時電荷とが混在したものとなって
おり、しかもこの暗時電荷量は周囲温度およびセンサ温
度に依存するため、安定した出力を得るのは困難となっ
ている。すなわち、従来のリニアイメージセンサで出力
信号から暗時電荷量の出力を差引いて信号型荷分の出力
を得るためには、原稿読取り前に光を照射せずに信号出
力を読出してメモリに保持し、次に原稿を読取って得ら
れた信号出力からメモリに保持しである暗時電荷量を差
引くようにするが、原稿読取りの開始から終了までにセ
ンサおよび周囲の温度が変化するため補正は完全ではな
い。
メージセンサでは近接配置を行う必要上、暗時電荷を取
出すためのいわゆるダミー画素を設けることができない
。したがって感光画素１で発生、蓄積されて出力される
電荷は光が入射して発生する信号電荷と、光とは無関係
に暗時でも発生する暗時電荷とが混在したものとなって
おり、しかもこの暗時電荷量は周囲温度およびセンサ温
度に依存するため、安定した出力を得るのは困難となっ
ている。すなわち、従来のリニアイメージセンサで出力
信号から暗時電荷量の出力を差引いて信号型荷分の出力
を得るためには、原稿読取り前に光を照射せずに信号出
力を読出してメモリに保持し、次に原稿を読取って得ら
れた信号出力からメモリに保持しである暗時電荷量を差
引くようにするが、原稿読取りの開始から終了までにセ
ンサおよび周囲の温度が変化するため補正は完全ではな
い。
（発明が解決しようとする問題点）
この様に従来のリニアイメージセンサでは暗時電荷によ
るＳ／Ｎ比の低下、画像の劣化を十分に防止することが
困難である。
るＳ／Ｎ比の低下、画像の劣化を十分に防止することが
困難である。
本発明は原稿読取り幅の長いインライン型のものであっ
ても良質な画像を得ることができるリニアイメージセン
サを提供することを目的とする。
ても良質な画像を得ることができるリニアイメージセン
サを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明にかかるリニアイメージセンサによれば直線状に
配設された複数の感光画素からなる感光画素系列と、こ
の感光画素列に沿って平行に形成され、その少なくとも
一端部で屈曲形状をなす読出しレジスタと、読出しレジ
スタの屈曲部近傍に形成された黒基準画素部とを同一基
板上に形成している。
配設された複数の感光画素からなる感光画素系列と、こ
の感光画素列に沿って平行に形成され、その少なくとも
一端部で屈曲形状をなす読出しレジスタと、読出しレジ
スタの屈曲部近傍に形成された黒基準画素部とを同一基
板上に形成している。
（作 用）
本発明において屈曲された読出しレジスタに近接して設
けられた黒信号画素から取出された暗時電荷はりニアイ
メージセンサチップと同じサイクルで読出される。した
がって温度条件等は感光画素と全く同じ条件にあるため
、暗時電荷の補正を正確かつ安定して行うことができる
。
けられた黒信号画素から取出された暗時電荷はりニアイ
メージセンサチップと同じサイクルで読出される。した
がって温度条件等は感光画素と全く同じ条件にあるため
、暗時電荷の補正を正確かつ安定して行うことができる
。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明にかかるリニアイメージセ
ンサの一実施例を詳細に説明する。
ンサの一実施例を詳細に説明する。
同図によれば基板２０上に１チップ分の複数の感光画素
１１が直線状に配設されて感光画素列１２を形成してお
り、これに平行に読出しレジスタ１４が設けられている
。この読出しレジスタは従来のリニアイメージセンサと
異なってその端部で感光画素列から離れるようにほぼ直
角に屈曲されており、その屈曲部に近接して黒基準画素
１３が形成されている。読出しレジスタ１４の再先端部
には従来のリニアイメージセンサと同様に出力回路１５
が設けられている。黒基準画素１３は感光画素と同様の
形状および構造を有しているが、光を遮るための光遮蔽
膜、例えばアルミニウム膜、炭素系の黒色膜等をその表
面に何している。なお、感光画素、黒基準画素と読出し
レジスタとの間には通常のリニアイメージセンサと同様
にシフトゲート（図示せず）が形成されているのは言う
までもない。
１１が直線状に配設されて感光画素列１２を形成してお
り、これに平行に読出しレジスタ１４が設けられている
。この読出しレジスタは従来のリニアイメージセンサと
異なってその端部で感光画素列から離れるようにほぼ直
角に屈曲されており、その屈曲部に近接して黒基準画素
１３が形成されている。読出しレジスタ１４の再先端部
には従来のリニアイメージセンサと同様に出力回路１５
が設けられている。黒基準画素１３は感光画素と同様の
形状および構造を有しているが、光を遮るための光遮蔽
膜、例えばアルミニウム膜、炭素系の黒色膜等をその表
面に何している。なお、感光画素、黒基準画素と読出し
レジスタとの間には通常のリニアイメージセンサと同様
にシフトゲート（図示せず）が形成されているのは言う
までもない。
この様な構成によれば出力回路から読出しレジスタに転
送された電荷を読出すと第２図に示すような出力電荷が
得られる。第２図において３０は黒基準画素の出力であ
り、２１〜２８は感光画素の出力を示している。これら
は同じサイクルで読出される。各感光画素の出力には黒
基準画素の出力と等しい暗時電荷（ハツチングで示す）
が重畳されているため、各感光画素出力から暗時電荷を
差引くようにすれば入射光の変化のみに対応する出力を
取出すことができる。
送された電荷を読出すと第２図に示すような出力電荷が
得られる。第２図において３０は黒基準画素の出力であ
り、２１〜２８は感光画素の出力を示している。これら
は同じサイクルで読出される。各感光画素の出力には黒
基準画素の出力と等しい暗時電荷（ハツチングで示す）
が重畳されているため、各感光画素出力から暗時電荷を
差引くようにすれば入射光の変化のみに対応する出力を
取出すことができる。
この様な構成のリニアイメージセンサを直線状に配設し
てインライン型リニアイメージセンサを形成した場合、
第４図と同様に隣接するりニアイメージセンサチップを
非常に近接させることができるため、従来と変らない連
続性を確保しつつ暗時電荷の補正が完全なリニアイメー
ジセンサを得ることができる。
てインライン型リニアイメージセンサを形成した場合、
第４図と同様に隣接するりニアイメージセンサチップを
非常に近接させることができるため、従来と変らない連
続性を確保しつつ暗時電荷の補正が完全なリニアイメー
ジセンサを得ることができる。
以上の実施例では読出しレジスタの一端部を屈曲させて
その屈曲部に近接させて黒基準画素を形成するようにし
ているが、暗時電荷の補正をより完全に行うために読出
しレジスタの両端部において黒基準画素を形成するよう
にしてもよい。また、各端部における屈曲形状は実施例
に示したほぼ直角の他どのようなものでもよく、要は黒
基準画素を確保できるスペースを生じ得るものであれば
よい。
その屈曲部に近接させて黒基準画素を形成するようにし
ているが、暗時電荷の補正をより完全に行うために読出
しレジスタの両端部において黒基準画素を形成するよう
にしてもよい。また、各端部における屈曲形状は実施例
に示したほぼ直角の他どのようなものでもよく、要は黒
基準画素を確保できるスペースを生じ得るものであれば
よい。
以上のように実施例に基づいて詳細に説明したように、
本発明によれば、感光画素列に平行に形成された読出し
レジスタの少なくとも一端部を屈曲させて黒基準画素を
形成するようにしているので暗時電荷の補正が完全にで
き、特に周囲温度の影響を減少させることができる。
本発明によれば、感光画素列に平行に形成された読出し
レジスタの少なくとも一端部を屈曲させて黒基準画素を
形成するようにしているので暗時電荷の補正が完全にで
き、特に周囲温度の影響を減少させることができる。
また、インライン型のリニアイメージセンサを形成した
場合には各リニアイメージセンサチップ間の暗時電荷の
ばらつきを吸収することができ、均一な特性のリニアイ
メージセンサを得ることができる。
場合には各リニアイメージセンサチップ間の暗時電荷の
ばらつきを吸収することができ、均一な特性のリニアイ
メージセンサを得ることができる。
第１図は本発明にかかるリニアイメージセンサの構成を
示す平面図、第２図はその出力信号の一例を示す波形図
、第３図は従来のリニアイメージセンサの構成を示す平
面図、第４図はインライン型リニアイメージセンサを説
明する平面図である。 １．１１・・・感光画素、２，１２・・・感光画素列、
３．１４・・・読出しレジスタ、４．１５・・・出力回
路、１０．２０・・・基板、１３・・・黒基準画素。
示す平面図、第２図はその出力信号の一例を示す波形図
、第３図は従来のリニアイメージセンサの構成を示す平
面図、第４図はインライン型リニアイメージセンサを説
明する平面図である。 １．１１・・・感光画素、２，１２・・・感光画素列、
３．１４・・・読出しレジスタ、４．１５・・・出力回
路、１０．２０・・・基板、１３・・・黒基準画素。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、直線状に配設された複数の感光画素からなる感光画
素列と、 この感光画素列に沿って平行に形成され、その少なくと
も一端部で屈曲形状をなす読出しレジスタと、 前記読出しレジスタの屈曲部近傍に形成された黒基準画
素部とを同一基板上に形成してなるリニアイメージセン
サ。 ２、屈曲部が感光画素列から離れるようにほぼ直角をな
すように形成されたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のリニアイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260401A JPS63114254A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | リニアイメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61260401A JPS63114254A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | リニアイメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114254A true JPS63114254A (ja) | 1988-05-19 |
Family
ID=17347397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61260401A Pending JPS63114254A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | リニアイメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63114254A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159186A (en) * | 1990-10-05 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconversion device with capacitive compensation in shielded dark current element |
| JPH05236197A (ja) * | 1991-11-04 | 1993-09-10 | Xerox Corp | センサアレイ |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61260401A patent/JPS63114254A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5159186A (en) * | 1990-10-05 | 1992-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconversion device with capacitive compensation in shielded dark current element |
| JPH05236197A (ja) * | 1991-11-04 | 1993-09-10 | Xerox Corp | センサアレイ |
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