JPS63110744A - プロ−ブ装置 - Google Patents
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- JPS63110744A JPS63110744A JP25797386A JP25797386A JPS63110744A JP S63110744 A JPS63110744 A JP S63110744A JP 25797386 A JP25797386 A JP 25797386A JP 25797386 A JP25797386 A JP 25797386A JP S63110744 A JPS63110744 A JP S63110744A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 208000003580 polydactyly Diseases 0.000 description 1
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハに形成された集積回路等の半導
体素子の電気的諸性性を測定するプローブ装置に関する
。
体素子の電気的諸性性を測定するプローブ装置に関する
。
(従来の技術)
従来、半導体ウェハの製造工程において半導体ウェハ表
面に多数形成された半導体素子(以下チップ)の電気的
諸性性を試験する場合、チップの良品・不良品の判定を
行い、不良チップに不良マークを付するプローブ装置が
使用されている。
面に多数形成された半導体素子(以下チップ)の電気的
諸性性を試験する場合、チップの良品・不良品の判定を
行い、不良チップに不良マークを付するプローブ装置が
使用されている。
プローブ装置は当業者において周知であり、例えばX−
Yテーブル上に設けられたウェハ載置台に半導体ウェハ
をHaして、半導体ウェハに対向配置されチップの電極
と同じ位置・配列を有した測定用触針をチップの電極に
順次当接して測定検査を行う、この時不良品と判定され
たチップにはインク等でマーキングを行なう。
Yテーブル上に設けられたウェハ載置台に半導体ウェハ
をHaして、半導体ウェハに対向配置されチップの電極
と同じ位置・配列を有した測定用触針をチップの電極に
順次当接して測定検査を行う、この時不良品と判定され
たチップにはインク等でマーキングを行なう。
ところで半導体ウェハの径やチップの形状・配列パター
ンは半導体ウェハの品種により異なるため、プローブ装
置で測定を行う際にはこの半導体ウェハの径やチップの
形状・配列パターン等の測定パラメータ、プログラムを
予め作業者がプローブ装置の駆動制御部に入力しておく
必要がある。
ンは半導体ウェハの品種により異なるため、プローブ装
置で測定を行う際にはこの半導体ウェハの径やチップの
形状・配列パターン等の測定パラメータ、プログラムを
予め作業者がプローブ装置の駆動制御部に入力しておく
必要がある。
これら測定に必要な測定パラメータは非常に多く、測定
毎に入力しようとすれば大変な時間がかかるため、通常
プローブ装置では、半導体ウェハの品番と対応した測定
パラメータの十R報かプローブ装置の内部メモリに予め
記憶されている。従って実際の作業では作業者が半導体
ウェハの品番のみを入力装置から入力するだけで該品番
に対応する測定パラメータが内部メモリから自動的に呼
出されて所定の測定作業が行えるようになっている。
毎に入力しようとすれば大変な時間がかかるため、通常
プローブ装置では、半導体ウェハの品番と対応した測定
パラメータの十R報かプローブ装置の内部メモリに予め
記憶されている。従って実際の作業では作業者が半導体
ウェハの品番のみを入力装置から入力するだけで該品番
に対応する測定パラメータが内部メモリから自動的に呼
出されて所定の測定作業が行えるようになっている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが、半導体ウェハの品番は多数桁例えば英数字で
10桁以上の場合が殆どであるため作業者が誤入力例え
ばKey Inミスをすることが多いこと、また製造工
程に変更が生じて半導体ウェハの測定順番に変更が発生
した場合に作業者が製造工程の変更に気付かずに変更前
の品番を入力してしまいmJ定エラー起こすこと等作業
者が誤操作を起こしやすいという問題があった。さらに
半導体ウェハの品種が変わる毎に作業者が品番を入力し
なければならず作業効率の観点からも好ましくなかった
。
10桁以上の場合が殆どであるため作業者が誤入力例え
ばKey Inミスをすることが多いこと、また製造工
程に変更が生じて半導体ウェハの測定順番に変更が発生
した場合に作業者が製造工程の変更に気付かずに変更前
の品番を入力してしまいmJ定エラー起こすこと等作業
者が誤操作を起こしやすいという問題があった。さらに
半導体ウェハの品種が変わる毎に作業者が品番を入力し
なければならず作業効率の観点からも好ましくなかった
。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
で、作業者による測定パラメータの入力作業を不要とす
ることで、誤操作の心配がなく、しかも作業効率の向上
がはかれるプローブ装置を提供することを目的とする。
で、作業者による測定パラメータの入力作業を不要とす
ることで、誤操作の心配がなく、しかも作業効率の向上
がはかれるプローブ装置を提供することを目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のプローブ装置は、複数種の被測定物を連続して
測定するプローブ装置において、上記被測定物の生産工
程を制御する計算機からの生産順情報により被測定物の
測定用パラメータを入力して測定することを特徴とする
ものである。
測定するプローブ装置において、上記被測定物の生産工
程を制御する計算機からの生産順情報により被測定物の
測定用パラメータを入力して測定することを特徴とする
ものである。
(作 用)
製造工程を管理する計′n機からの生産順情報により測
定すべき被測定物の測定パラメータをプローブ装置の測
定制御部に直接自動的に入力することで、測定パラメー
タの入力作業が廃止でき、作業員の誤操作をなくし、作
業効率の向上が可能となる。
定すべき被測定物の測定パラメータをプローブ装置の測
定制御部に直接自動的に入力することで、測定パラメー
タの入力作業が廃止でき、作業員の誤操作をなくし、作
業効率の向上が可能となる。
(実施例)
以下、本発明のプローブ装置を半導体ウエハプローバに
適用した一実施例について図を参照にしながら説明する
。
適用した一実施例について図を参照にしながら説明する
。
プローブ装=(以下プローバ)即ち、図示を省略したウ
ェハカセットから取出された半導体ウェハ1は、X−Y
テーブル等の可動台上に設けられたウェハ載置台2に1
&置される。
ェハカセットから取出された半導体ウェハ1は、X−Y
テーブル等の可動台上に設けられたウェハ載置台2に1
&置される。
ウェハ載置台2上方にはウェハ載置台と対向してプロー
ブカード3が配置されており、ウェハ裁置台を駆動機構
により上下・水平方向に自在に移動させてプローブカー
ド3の半導体ウェハ1面側に装着された測定用電極であ
る触針4とチップに形成された電極とを接触させて測定
用パラメータを入力することにより、各チップの電気的
緒特性を予め記憶された期待値と比救し順次測定検査す
る。
ブカード3が配置されており、ウェハ裁置台を駆動機構
により上下・水平方向に自在に移動させてプローブカー
ド3の半導体ウェハ1面側に装着された測定用電極であ
る触針4とチップに形成された電極とを接触させて測定
用パラメータを入力することにより、各チップの電気的
緒特性を予め記憶された期待値と比救し順次測定検査す
る。
上記駆動n格は、プローブ装置の制御例えば駆動制御や
マーキング動作制御等を行なうプローバCPu1O内の
載置台駆動制御vl構11にて制御されている。
マーキング動作制御等を行なうプローバCPu1O内の
載置台駆動制御vl構11にて制御されている。
ところで、載1台2の駆動制御を行なうに際し、測定対
象の半導体ウェハ1の径やチップの形状・配列パターン
等の測定パラメータが必要であり、これら測定パラメー
タを何らかの手段で予め設定しておかなければならない
。
象の半導体ウェハ1の径やチップの形状・配列パターン
等の測定パラメータが必要であり、これら測定パラメー
タを何らかの手段で予め設定しておかなければならない
。
具体的な測定パラメータの例としては、01・・・kへ
FERNAME 02、、、WAFEII S1z[ 03・・・OF ANGLE 04、、、X AXIS 05・・・Y AXIS 06−X e INT[RVAL CIIIP
07、、、Y OINTERVAL CHIP08・・
・X 5TART PO3ITIONO9・・・Y
5TART PO3ITION10・・・八LIGN
)IENT AXIS等がある。
FERNAME 02、、、WAFEII S1z[ 03・・・OF ANGLE 04、、、X AXIS 05・・・Y AXIS 06−X e INT[RVAL CIIIP
07、、、Y OINTERVAL CHIP08・・
・X 5TART PO3ITIONO9・・・Y
5TART PO3ITION10・・・八LIGN
)IENT AXIS等がある。
本例では、M]定パラメータ記憶用の記憶装置12を諜
けてこの記憶装置12に複数踵の半導体ウェハの品番に
対応させて予め設定した測定パラメータを記憶させてい
る。
けてこの記憶装置12に複数踵の半導体ウェハの品番に
対応させて予め設定した測定パラメータを記憶させてい
る。
記憶装置12はブローμCPu1O内の通信機構13を
介して半導体ウェハの生産工程を制御する計算機例えば
HOST 0PUI 4と接続されており、110ST
CPUI 4からの生産順情報例えば品番情報を受け
て該品番に対応する測定パラメータを呼出してこれをブ
ローμCPUl0内の内部メモリ15に送信する。
介して半導体ウェハの生産工程を制御する計算機例えば
HOST 0PUI 4と接続されており、110ST
CPUI 4からの生産順情報例えば品番情報を受け
て該品番に対応する測定パラメータを呼出してこれをブ
ローμCPUl0内の内部メモリ15に送信する。
+10sT CPt1l 4は、半導体ウェハ製造工程
全体を管理例えば生産情況の確認や生産制御を行なって
おり、作業情況に基づいて測定すべき半導体ウェハの品
番情報を送信するのはもちろん、緊急出荷等により製造
工程に変更が生じた場合には、変更後の工程に基づいた
品番情報をブローμに送る。
全体を管理例えば生産情況の確認や生産制御を行なって
おり、作業情況に基づいて測定すべき半導体ウェハの品
番情報を送信するのはもちろん、緊急出荷等により製造
工程に変更が生じた場合には、変更後の工程に基づいた
品番情報をブローμに送る。
尚このll0sT CPUI 4はモニタ機構16によ
り正常に機能しているか否かを監視されている。
り正常に機能しているか否かを監視されている。
このような構成のブローμの動作について第2図のフロ
ーチャートを参照にしながら説明する。
ーチャートを参照にしながら説明する。
ブローμで測定を行なう場合(100) 、まずブロー
バノS[■uPスイッチを0NL(101) 、次ニ5
TArlTスイッチをONする(102) 、そしてブ
ローμの測定単価が完了したことを知らせる信号をll
08T CPUに出力する(103)。
バノS[■uPスイッチを0NL(101) 、次ニ5
TArlTスイッチをONする(102) 、そしてブ
ローμの測定単価が完了したことを知らせる信号をll
08T CPUに出力する(103)。
+10sT CPUではブローμで測定ずべき半導体ウ
ェハの品種名を選択しく200) 、ブローμから準備
0にの信号が入力されていればブローμの準備ができた
と判断しく201) 、通信機構を介してブローμに対
し測定すべき半導体ウェハの品種名を受信せよという命
令をブローμに出力する(202) 。
ェハの品種名を選択しく200) 、ブローμから準備
0にの信号が入力されていればブローμの準備ができた
と判断しく201) 、通信機構を介してブローμに対
し測定すべき半導体ウェハの品種名を受信せよという命
令をブローμに出力する(202) 。
ブローμはこの品種名の信号を受信し、記憶装置内に記
憶されている測定パラメータから該品種に対応する測定
パラメータがファイルされているか否かを確認しく10
4) 、ファイルされていればその測定パラメータを記
憶装置から呼出す(105)。
憶されている測定パラメータから該品種に対応する測定
パラメータがファイルされているか否かを確認しく10
4) 、ファイルされていればその測定パラメータを記
憶装置から呼出す(105)。
呼出された測定パラメータはプローバCPU内の内部メ
モリに一時記憶され、内部メモリから出力される測定パ
ラメータの情報に基づいて載置台駆動制御装置が動作し
てウェハ搬送(106) 、アライメントyrI整(1
07)、5点チェック(108)ノ測定準備を行なった
後半導体ウェハに形成された各チップを順次測定する(
109)。
モリに一時記憶され、内部メモリから出力される測定パ
ラメータの情報に基づいて載置台駆動制御装置が動作し
てウェハ搬送(106) 、アライメントyrI整(1
07)、5点チェック(108)ノ測定準備を行なった
後半導体ウェハに形成された各チップを順次測定する(
109)。
このように作業工程に従って測定すべき半導体ウェハの
品番情報を自動的にHOST CPUから受信して記憶
装置から該品番情報に対応した測定パラメータを呼出す
ことで作業者による測定パラメータの入力作業は不要と
なる。
品番情報を自動的にHOST CPUから受信して記憶
装置から該品番情報に対応した測定パラメータを呼出す
ことで作業者による測定パラメータの入力作業は不要と
なる。
ところで、上述実施例ではll03T CPUI 4か
らの情報は半導体ウェハの品番情報のみで、その他の測
定パラメータ例えばウェハ径やチップの形状・配列パタ
ーン等は予め記憶装置に記憶させる構成としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、本発明の他の実施
例としてHOST CPUからの情報として半導体ウェ
ハの品番だけではなく、測定に必要なパラメータを全て
送信するような構成にしてもよい、即ち第1図において
記憶装置12を無くし、全ての測定パラメータをll0
5T CPt1l 4から直接ブローμCPu1Oの内
部メモリ15へ送信する構成とするものである。このよ
うな構成のブローμの動作は第2図に示す如く、ブロー
μの測定単価が完了したことを確認した後(201)、
品番情報を出力しく202) 、さらに該品番に対応し
た測定パラメータを出力する(203) 、このように
110 S TCPuから測定ずべき半導体ウェハの測
定パラメータの全てを受信する構成としてブローμの記
憶装こを不要としてもよい。
らの情報は半導体ウェハの品番情報のみで、その他の測
定パラメータ例えばウェハ径やチップの形状・配列パタ
ーン等は予め記憶装置に記憶させる構成としたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、本発明の他の実施
例としてHOST CPUからの情報として半導体ウェ
ハの品番だけではなく、測定に必要なパラメータを全て
送信するような構成にしてもよい、即ち第1図において
記憶装置12を無くし、全ての測定パラメータをll0
5T CPt1l 4から直接ブローμCPu1Oの内
部メモリ15へ送信する構成とするものである。このよ
うな構成のブローμの動作は第2図に示す如く、ブロー
μの測定単価が完了したことを確認した後(201)、
品番情報を出力しく202) 、さらに該品番に対応し
た測定パラメータを出力する(203) 、このように
110 S TCPuから測定ずべき半導体ウェハの測
定パラメータの全てを受信する構成としてブローμの記
憶装こを不要としてもよい。
ところで、緊急出荷等が発生して製造工程に変更が生じ
た場合でも、ll08T CPUが製造工程の変更に基
づいた測定パラメータの情報を送信するので測定の順番
を間違えるような問題は発生しない。
た場合でも、ll08T CPUが製造工程の変更に基
づいた測定パラメータの情報を送信するので測定の順番
を間違えるような問題は発生しない。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の10−ブ装置によれば、作
業化による測定パラメータの入力作業が不要となるので
、誤挽作の心配がなく、しかも作業効率の向上がはかれ
る。
業化による測定パラメータの入力作業が不要となるので
、誤挽作の心配がなく、しかも作業効率の向上がはかれ
る。
第1図は本発明による一実施例のプローブ装置の構成を
示す図、第2図は実施例の動作を示すフローチャートで
ある。 1・・・・・・半導体ウェハ、2・・・・・・ウェハ載
置台、3・・・・・・プローブカード、11・・・・・
・触針、10・・・・・・ブローμCPU 、11・・
・・・・載置台駆動制御(ji措、12・・・・・・記
憶装置、13・・・・・・通信機構、14・旧・−HO
3TCPU、15・・・・・・内部メモリ。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 −第1図
示す図、第2図は実施例の動作を示すフローチャートで
ある。 1・・・・・・半導体ウェハ、2・・・・・・ウェハ載
置台、3・・・・・・プローブカード、11・・・・・
・触針、10・・・・・・ブローμCPU 、11・・
・・・・載置台駆動制御(ji措、12・・・・・・記
憶装置、13・・・・・・通信機構、14・旧・−HO
3TCPU、15・・・・・・内部メモリ。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 −第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数種の被測定物を連続して測定するプローブ装置にお
いて、 上記被測定物の生産工程を制御する計算機からの生産順
情報により被測定物の測定用パラメータを入力して測定
することを特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61257973A JPH077791B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | プロ−ブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61257973A JPH077791B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | プロ−ブ装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34130395A Division JPH08227925A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | プロービィング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63110744A true JPS63110744A (ja) | 1988-05-16 |
JPH077791B2 JPH077791B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17313781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61257973A Expired - Lifetime JPH077791B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | プロ−ブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH077791B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0241520A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Tokyo Electron Ltd | データ転送装置 |
JPH02191352A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-07-27 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
US6185322B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Inspection system and method using separate processors for processing different information regarding a workpiece such as an electronic device |
US6404911B2 (en) | 1989-07-12 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
JP2010523945A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | スキャニメトリクス,インコーポレイテッド | アクティブプローブ集積回路を用いた電子回路試験 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS568836A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacturing system for semiconductor device |
JPS5969917A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-20 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ識別方法 |
JPS6089936A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Hitachi Ltd | デ−タ解析方法 |
JPS612080A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Canon Inc | プロ−ブ装置及びプロ−ブカ−ド |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61257973A patent/JPH077791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0241520A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-02-09 | Tokyo Electron Ltd | データ転送装置 |
JPH02191352A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-07-27 | Tokyo Electron Ltd | プローブ装置 |
US6185322B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Inspection system and method using separate processors for processing different information regarding a workpiece such as an electronic device |
US6330352B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-12-11 | Hitachi, Ltd. | Inspection data analyzing system |
US6339653B1 (en) | 1989-07-12 | 2002-01-15 | Hitachi, Ltd. | Inspection data analyzing system |
US6404911B2 (en) | 1989-07-12 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
US6529619B2 (en) | 1989-07-12 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Inspection data analyzing system |
US6628817B2 (en) | 1989-07-12 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Inspection data analyzing system |
JP2010523945A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | スキャニメトリクス,インコーポレイテッド | アクティブプローブ集積回路を用いた電子回路試験 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH077791B2 (ja) | 1995-01-30 |
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