JPS63108654A - Ion source - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオン打込み機やイオン加工機に使われるイ
オン源に係り、特に蒸気圧の低い原子（例えばＢ（硼素
））の関係したイオンを長時間安定に引出すのに好適な
機能を持つイオン源に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to an ion source used in an ion implanter or an ion processing machine, and particularly relates to ions related to atoms with low vapor pressure (for example, B (boron)). The present invention relates to an ion source that has a function suitable for stably extracting ions over a long period of time.
イオン源の長時間安定動作のためにとられてきた従来の
技術は、特開昭６０−１９５８５４号に記載のように、
イオン出射孔に付着した物をエツチングするようなガス
をイオン出射孔の近くに導入し、付着する物の堆積速度
を下げるというものであった。Conventional techniques that have been adopted for long-term stable operation of ion sources include, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 195854/1983,
The idea was to introduce a gas near the ion exit hole that would etch the material adhering to the ion exit hole, thereby reducing the rate of deposition of the material adhering to the ion exit hole.
上記従来技術は、イオン出射孔に付着する物の堆積速度
を下げることにより、イオン出射孔のイオンビーム透過
断面積の減少をおさえることができるが、イオン源の動
作条件によっては、導入したガスによるエツチング速度
が、付着する物の堆積速度よりも早くなり、イオン出射
孔本体までエツチングして、逆にイオンビーム透過断面
積を増大させ、イオンビームを不安定にしてしまうこと
もあった。The above conventional technology can suppress the decrease in the ion beam transmission cross section of the ion exit hole by lowering the deposition rate of substances adhering to the ion exit hole, but depending on the operating conditions of the ion source, the The etching rate becomes faster than the deposition rate of the adhering material, and the ion exit hole itself is etched, conversely increasing the ion beam transmission cross section and making the ion beam unstable.
本発明の目的は、イオン種やイオン源の動作条件に関係
なくイオン出射孔のイオンビーム透過断面形状を一定に
保ち、長時間安定なイオンビームを引出せるイオン源を
供給することにある。An object of the present invention is to provide an ion source that can keep the ion beam transmission cross-sectional shape of the ion exit hole constant regardless of the ion species or the operating conditions of the ion source and extract a stable ion beam for a long time.
上記目的は、イオン出射孔に付着した物を、定期的に機
械的にかき落とす、あるいは、イオン出射孔を短時間で
入れかえる。あるいは、付着しした部分を少しずつ隠す
とともに付着していない面を新たにイオン出射孔にする
、等のイオン出射孔の再生機端を設けることにより、達
成される。The above purpose is to periodically mechanically scrape off objects adhering to the ion exit hole, or to replace the ion exit hole in a short time. Alternatively, this can be achieved by providing a regenerator end of the ion exit hole, such as gradually concealing the adhered portion and making the non-adhered surface a new ion exit hole.
さらに、イオン出射孔を加熱できる機構を設はイオン出
射孔の温度を制御することも有効である。Furthermore, it is also effective to control the temperature of the ion exit hole by providing a mechanism that can heat the ion exit hole.
上記イオン出射孔再生機構は、イオン出射孔に付着した
物をほぼ完全に取り去るか、付着物のない新しいイオン
出射孔に入れ変える動作をする。The above-mentioned ion exit hole regeneration mechanism operates to almost completely remove the material attached to the ion exit hole or replace it with a new ion exit hole free of any deposits.
それによって、付着物の増加に従がい、引出されるイオ
ンビーム量が減少してきたイオン源、あるいは動作条件
を制御してイオンビーム量の減少を抑えてきたイオン源
を、初期状態に戻すことができる。イオン出射孔を加熱
することにより付着物質の飽和蒸気圧を放電室内のガス
圧力より高くして、付着物質を再び蒸発させることがで
きる。As a result, it is possible to return to the initial state an ion source whose extracted ion beam amount has decreased due to an increase in deposits, or an ion source whose operating conditions have been controlled to suppress the decrease in ion beam amount. can. By heating the ion exit hole, the saturated vapor pressure of the deposited material can be made higher than the gas pressure in the discharge chamber, and the deposited material can be evaporated again.
以下、本発明の実施例を図面により説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明によるイオン出射孔の構造を示すもの
で、第２図は、本発明を組込んだイオン源の例を示すも
のである１本イオン源は、ａ場中のマイクロ波放電を利
用したもので、マイクロ波を発生して放電室５に送り込
むためのマイクロ波発生器１．導波管２ａ、２ｂ、マイ
クロ波導入フランジ３．放電電極４．誘電体充填物１１
．放電室５付近に磁界を発生させるためのソレノイドコ
イル１３、放電室５内に放電ガスを導入するための試料
ガス導入バイブロ、放電室５内に発生したプラズマから
イオンビーム２１を引出すためのイオンビーム出射孔７
、イオンビーム引出し電極系８ａ、８ｂ、８Ｇ、そして
イオン源を高電圧に保つための絶縁碍子１２で構成され
ている。第１図に示したイオン出射孔は、第２図の符号
７付近を詳細にしたものである。本実施例のイオン出射
孔は細長いスリット形状で、イオン出射孔本体７ａ、付
着物をかき落とすための出射孔補助板７ｂ、そして出射
孔補助板７ｂを動かすための補助板駆動機構７ｃで構成
されている。出射孔補助板７ｂは、放電室５の断面と同
程度の大きさの四角な穴を持ち、さらに、イオン出射孔
本体７ａのスリット状穴部に入る２ケの突起を持ってい
る。そして、イオン出射孔本体７ａは、従来のイオン出
射孔スリット長に比べて２倍以上の長さを有している。Figure 1 shows the structure of an ion exit hole according to the present invention, and Figure 2 shows an example of an ion source incorporating the present invention. 1. A microwave generator that uses electric discharge to generate microwaves and send them into the discharge chamber 5. Waveguides 2a, 2b, microwave introduction flange 3. Discharge electrode 4. Dielectric filling 11
．． A solenoid coil 13 for generating a magnetic field near the discharge chamber 5, a sample gas introduction vibro for introducing discharge gas into the discharge chamber 5, and an ion beam for extracting the ion beam 21 from the plasma generated in the discharge chamber 5. Output hole 7
, an ion beam extraction electrode system 8a, 8b, 8G, and an insulator 12 for maintaining the ion source at a high voltage. The ion exit hole shown in FIG. 1 is a detailed view of the area around the reference numeral 7 in FIG. The ion exit hole of this embodiment has an elongated slit shape and is composed of an ion exit hole main body 7a, an exit hole auxiliary plate 7b for scraping off deposits, and an auxiliary plate drive mechanism 7c for moving the exit hole auxiliary plate 7b. ing. The exit hole auxiliary plate 7b has a square hole with a size comparable to the cross section of the discharge chamber 5, and further has two protrusions that fit into the slit-like hole of the ion exit hole main body 7a. The ion exit hole main body 7a has a length that is more than twice as long as the conventional ion exit hole slit length.
この部分を通過するイオンビーム２１の断面は、巾方向
がイオン出射孔本体７ａで、スリット方向が出射孔補助
板７ｂの２ケの突起で制限される。本実施例において、
ＨＦｇガスを導入して放電室５内にプラズマを発生させ
、そこからイオンビーム２１を引出した場合、ＢＦδガ
スが分解してできるＢ（硼素）は蒸気圧が非常に低い（
約１６５０℃でＩＴ’ｏｒｒ）ため、放電室５の内壁や
イオン出射孔本体７ａの放電室に面した面、そしてイオ
ンビーム２１の通過するイオン出射孔内壁に付着する。The cross section of the ion beam 21 passing through this portion is limited in the width direction by the ion exit hole main body 7a and in the slit direction by two protrusions on the exit hole auxiliary plate 7b. In this example,
When HFg gas is introduced to generate plasma in the discharge chamber 5 and the ion beam 21 is extracted from there, B (boron) produced by decomposition of the BFδ gas has a very low vapor pressure (
IT'orr at approximately 1650° C.), so it adheres to the inner wall of the discharge chamber 5, the surface of the ion exit hole main body 7a facing the discharge chamber, and the inner wall of the ion exit hole through which the ion beam 21 passes.
そこで、上記付着物がある程度堆積した時点（イオンビ
ーム２１の量を常時測定できるので、例えばイオン電流
量が１０％減少した時）に、補助板駆動機構７ｃを使っ
て、出射孔補助板７ｂをスリット方向に出射孔補助板７
ｂの２ケの突起がそれぞれ中央にくるまで、左右にスラ
イドさせ、イオン出射孔本体７ａに付着したＢをかき落
とす、上記動作により、イオンビーム２１の量を初期状
態に復帰させることができ、これを繰り返すことで、イ
オン源を長時間安定に引出すことが可能になる。Therefore, when the deposits have accumulated to a certain extent (for example, when the amount of ion current decreases by 10% since the amount of the ion beam 21 can be constantly measured), the auxiliary plate drive mechanism 7c is used to move the exit hole auxiliary plate 7b. Output hole auxiliary plate 7 in the slit direction
The amount of the ion beam 21 can be returned to the initial state by sliding it left and right until the two protrusions b are in the center, and scraping off the B attached to the ion exit hole main body 7a. By repeating this, it becomes possible to extract the ion source stably for a long time.
本実施例によれば、出射孔補助板７ｂを左右に１往復さ
せるだけの短い時間、わずかなエネルギーだけでイオン
源を初期の動作状態に復帰さ、せることができ、イオン
源の寿命（１度の装着で使用できる時間、あるいは分解
清掃の周期）を大巾に長くする効果がある。本実施例に
おいて、出射孔補助板７ｂを固定し、イオン出射孔本体
７ａをスライドさせる構造にしても、同等の効果を得る
ことができる。According to this embodiment, the ion source can be returned to its initial operating state with only a small amount of energy and in a short period of time required to move the exit hole auxiliary plate 7b back and forth once from side to side. This has the effect of significantly increasing the amount of time it can be used (or the period of disassembly and cleaning). In this embodiment, the same effect can be obtained even if the structure is such that the emission hole auxiliary plate 7b is fixed and the ion emission hole main body 7a is slid.
第３図は別の実施例を示すもので、イオン出射孔本体７
ａには復数ヶの同一形状のイオン出射孔があけられてお
り、第１図に示したような出射孔補助板はない１本実施
例の場合は、イオン出射孔への付着物がある程度たまっ
た時点でイオン出射孔本体７ａを出射孔駆動機構７ｄで
スライドさせ、新しいイオン出射孔に置換することで、
イオン源を初期状態に復帰させることが可能になる０本
実施例によれば、イオン出射孔本体７ａに用意したイオ
ン出射孔の数の分だけ、イオン源の寿命を長くする効果
がある１本実施例は、イオン出射孔の断面形状に関係な
く実現できるもので、シングルアパーチャー、マルチア
パーチャー、マルチスリット等を持つイオン出射孔でも
本実施例と同等の効果を得ることができる。FIG. 3 shows another embodiment, in which the ion exit hole main body 7
In the case of this embodiment, several ion exit holes of the same shape are drilled in a, and there is no auxiliary plate for the exit holes as shown in Fig. 1. When the ion exit hole is accumulated, the ion exit hole main body 7a is slid by the exit hole drive mechanism 7d and replaced with a new ion exit hole.
According to this embodiment, the ion source can be returned to its initial state.According to the present embodiment, the ion source has the effect of lengthening the life of the ion source by the number of ion exit holes prepared in the ion exit hole main body 7a. This embodiment can be realized regardless of the cross-sectional shape of the ion exit hole, and the same effect as this embodiment can be obtained even with an ion exit hole having a single aperture, multi-aperture, multi-slit, or the like.
第４図は別の実施例を示すもので、イオン出射孔は２枚
の帯状薄板７ｅを諸室の巾だけ離して設置することによ
り形成する。さらに上記２枚の帯状薄板７ｅは、その長
手方向端面が接続されていてリング状になっており、薄
板案内板７ｆをガイドレールにし、薄板送り機４９７ｇ
を回転させることによりスリット方向にスライド可能な
構造になっている。また、薄板案内板７ｆはイオン出射
孔部にある帯状薄板７ｅを正確な位置にヤットするため
の位置決め機構をもっており、帯状Ｍ板７ｅに付着した
物は上記位置決め機構部で自動的にけずり取られること
になる。本実施例の場合、２枚の帯状薄板７ｅを断続的
あるいは連続的に動かすことにより、イオン出射孔部へ
の付着物を堆積させることなくイオン源を動作させるこ
とが可能となる。本実施例によれば、イオン出射孔部へ
の付着物の影響をまったく受けないイオン源を作ること
ができるので、イオン源の寿命を大巾に長くする効果が
ある。FIG. 4 shows another embodiment, in which the ion exit hole is formed by installing two strip-shaped thin plates 7e separated by the widths of the various chambers. Furthermore, the two strip-shaped thin plates 7e are connected at their longitudinal end faces to form a ring shape, and the thin plate guide plate 7f is used as a guide rail, and the thin plate feeder 497g
It has a structure that allows it to slide in the direction of the slit by rotating. Further, the thin plate guide plate 7f has a positioning mechanism for accurately positioning the strip-shaped thin plate 7e located in the ion emission hole, and objects attached to the strip-shaped M plate 7e are automatically scraped off by the positioning mechanism. It turns out. In the case of this embodiment, by intermittently or continuously moving the two strip-shaped thin plates 7e, it is possible to operate the ion source without depositing deposits on the ion exit hole. According to this embodiment, it is possible to create an ion source that is completely unaffected by deposits on the ion exit hole, and therefore has the effect of greatly extending the life of the ion source.
第５図は別の実施例を示すもので、イオン出射孔は２本
の丸棒７ｈを諸室の巾だけ離して設置することにより形
成する。上記２本の丸棒７ｈは丸棒同転機構７１で自転
可能な構造になっている。FIG. 5 shows another embodiment, in which the ion exit hole is formed by installing two round rods 7h separated by the widths of the various chambers. The two round bars 7h have a structure that allows them to rotate on their own axis by a round bar co-rotation mechanism 71.
さらに、上記丸棒７ｈに付着した物をイオン引出し電極
８ａの一部で削り取るような形に、イオンづＩｔＨシ電
極８ａを形成しである１本実施例の場合、２本の丸棒７
ｈを断続的あるいは連続的に動かすことにより、イオン
出射孔部への付着物を堆積させることなくイオン源を動
作させることが可能となる。本実施例によれば、１つ前
の実施例と同様で、イオン源の寿命を大巾に長くする効
果がある。Furthermore, in the case of this embodiment, the ion extraction electrode 8a is formed in such a shape that the matter adhering to the round rod 7h is scraped off with a part of the ion extraction electrode 8a.
By moving h intermittently or continuously, it becomes possible to operate the ion source without depositing deposits on the ion exit hole. This embodiment is similar to the previous embodiment, and has the effect of greatly extending the life of the ion source.
第６図は、本発明による他の実施例のイオン出射孔の構
造を示すものである０本実施例のイオン出射孔は細長い
スリット形状で、イオン出射孔本体７ａ、イオン出射孔
本体に電流を流すための固定治具７ｊ、１”ｊ流導入器
７にで構成されており、イオン出射孔本体７ａは、熱効
率を上げる目的で放電電極４やイオンビーム引出し電極
８ａに接触しないように取付けられている。イオン出射
孔本体７ａの材質は、蒸着装置の蒸発用ボート等に使わ
れているｎＮコンポジットＥＣ（商標名、比抵抗０．２
〜２ｍΩ・１枚度）を用いており、５０Ａの電流で約１
０００℃に加熱することができる。FIG. 6 shows the structure of the ion exit hole of another embodiment according to the present invention. It consists of a fixing jig 7j for flowing the ion beam, and a 1"j flow introducer 7, and the ion exit hole main body 7a is installed so as not to come into contact with the discharge electrode 4 or the ion beam extraction electrode 8a for the purpose of increasing thermal efficiency. The material of the ion exit hole body 7a is nN composite EC (trade name, specific resistance 0.2), which is used for evaporation boats of evaporation equipment.
~2mΩ・1 sheet degree) is used, and a current of 50A is approximately 1
000°C.
また、固定治具７ｊ電流導入器７にはそれぞれグラファ
イトと銅を用い、この部分での発熱を極力おさえられる
ようにしている。さらに放ｒＩｉｍ＋＝４ｊ４にはモリ
ブデンを、イオン引出し屯横８ ａにはグラファイトを
用い、高温に耐えられる構成にしている０本実施例にお
いて、ＨＦａガスを尋人して放電室５内にプラズマを発
生させ、そこからイオンビームを引出す時、イオン出射
孔本体７ａの温度を１４００℃以上に加熱しておくこと
により、ＲＦｓガスが分解してできるＢ（硼素）は１４
００℃で約０．０５Ｔｏｒｒの飽和蒸気圧があり、放電
室５内の圧力（約Ｑ 、 Ｏｉ Ｔｏｒｒ）よりも高い
ので、イオン出射孔本体７Ｒに付着しようとしてもすぐ
に蒸発し、堆積することはない０本実流側によれば、イ
オン出射孔本体７ａに付着物を全く堆積させない効果が
ある。Further, graphite and copper are used for the fixing jig 7j and the current introducing device 7, respectively, so that heat generation in these parts can be suppressed as much as possible. Furthermore, molybdenum is used for the ion extractor 4j4, and graphite is used for the ion extractor 8a, so that the structure can withstand high temperatures. By heating the temperature of the ion exit hole body 7a to 1400°C or higher when extracting the ion beam from the ion beam, the B (boron) produced by decomposing the RFs gas is 14
The saturated vapor pressure is approximately 0.05 Torr at 00°C, which is higher than the pressure inside the discharge chamber 5 (approximately Q, Oi Torr), so even if it tries to adhere to the ion exit hole main body 7R, it will quickly evaporate and deposit. According to the zero actual flow side, there is an effect that no deposits are deposited on the ion emission hole main body 7a.
本発明によれば、イオン出射孔部への付着物を簡単に除
去することができるので、イオン種やイオン源の！ｌｌ
佳作件に関係なく、イオンビーム透過断面形状を一定に
保ち、長時間安定なイオンビームを引出せる効果がある
。According to the present invention, it is possible to easily remove deposits on the ion emission hole, so that the ion species and ion source can be easily removed. ll
Regardless of the honorable mention, it has the effect of keeping the ion beam transmission cross-sectional shape constant and producing a stable ion beam for a long time.
第１ＩＡは本発明の一実施例で第２図のイオン出射孔７
付近の詳細図、第２図は本発明によるイオン源の全体構
成を示す図、第３図、第４図、第５図及び第６図は本発
明に基づく別の実施例を示す図である。
１・・・マイクロ波発生器、２ａ、２ｂ・・・導波管、
３・・・マイクロ波導入フランジ、４・・・放１１！電
極、５・・・放電室、６・・・試料ガス導入パイプ、７
・・・イオン出射孔、７ａ・・・イオン出射孔本体、７
ｂ・・・出射孔補助板、７ｃ・・・補助板駆動機構、７
ｄ・・・出射孔駆動機構、７ｅ・・・帯状薄板、７ｆ・
・・薄板案内板、７ｇ・・・薄板送り機構、７ｈ・・・
丸棒、７１・・・丸棒回転機端、７ｊ・・・固定治具、
７ｋ・・・電流導入鼎、８ａ。
８ｂ、８ａ・・・イオンビーム引出し電極系、１１・・
・Ａ４電体充填物、１２・・・絶縁碍子、１：３・・・
ソレノイドコイル、２１・・・イオンビーム。
第１ 国
豹３Ｉ！１
第２０
第４ 凹
ｔ！１５ｎ
宅６Ｉ２］
＜Ｃ）The first IA is an embodiment of the present invention, and the ion exit hole 7 in FIG.
Detailed views of the vicinity, FIG. 2 is a diagram showing the overall configuration of the ion source according to the present invention, and FIGS. 3, 4, 5, and 6 are diagrams showing other embodiments based on the present invention. . 1... Microwave generator, 2a, 2b... Waveguide,
3... Microwave introduction flange, 4... Release 11! Electrode, 5...Discharge chamber, 6...Sample gas introduction pipe, 7
...Ion exit hole, 7a...Ion exit hole main body, 7
b... Output hole auxiliary plate, 7c... Auxiliary plate drive mechanism, 7
d... Output hole drive mechanism, 7e... Band-shaped thin plate, 7f.
...Thin plate guide plate, 7g...Thin plate feeding mechanism, 7h...
Round bar, 71...Round bar rotating machine end, 7j...Fixing jig,
7k...Current introduction, 8a. 8b, 8a...Ion beam extraction electrode system, 11...
・A4 electric filling, 12... Insulator, 1:3...
Solenoid coil, 21...Ion beam. 1st National Leopard 3I! 1 20th 4th concave t! 15n House 6I2] <C)
Claims (1)
を通してイオンビームを引出す型のイオン源において、
イオン出射孔断面積を確保するための再生機構を設けた
ことを特徴とする、イオン源。 ２、イオン出射孔の内壁に付着した物をかき落とす方式
の再生機構を設けたことを特徴とする、特許請求の範囲
第１項記載のイオン源。 ３、イオン源を真空状態に保持したままイオン出射孔を
置換する方式の再生機構を設けたことを特徴とする、特
許請求の範囲第１項記載のイオン源。 ４、イオン出射孔の断面がスリット形状で、イオン出射
孔をスライドさせて新しいイオン出射孔を形成させる方
式の再生機構を設けたことを特徴とする、特許請求の範
囲第１項記載のイオン源。 ５、２本の細長い丸棒を諸定のすき間をあけて平行に並
べ、上記すき間をイオン出射孔とし、さらに上記丸棒を
自転させて、上記丸棒に付着した物をかき落とすととも
に、新しいイオン出射孔を形成させる方式の再生機構を
設けたことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の
イオン源。 ６、特許請求の範囲第１項から第５項のいずれかに記載
のイオン源において、プラズマ発生の手段としてマイク
ロ波を用いたことを特徴とするイオン源。 ７、イオン出射孔を他の部品の温度に関係なく独立に加
熱できる構成になっていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のイオン源。 ８、イオン出射孔部品に直接通電することで加熱できる
構成になっていることを特徴とする、特許請求の範囲第
７項記載のイオン源。 ９、特許請求の範囲第７項又は第８項記載のイオン源に
おいて、プラズマ発生の手段としてマイクロ波を用いた
ことを特徴とするイオン源。[Claims] 1. In an ion source that extracts an ion beam from plasma generated in a discharge chamber through an ion exit hole,
An ion source characterized by being provided with a regeneration mechanism to ensure a cross-sectional area of an ion exit hole. 2. The ion source according to claim 1, further comprising a regeneration mechanism for scraping off material adhering to the inner wall of the ion exit hole. 3. The ion source according to claim 1, further comprising a regeneration mechanism that replaces the ion exit hole while maintaining the ion source in a vacuum state. 4. The ion source according to claim 1, wherein the ion exit hole has a slit-shaped cross section and is provided with a regeneration mechanism that slides the ion exit hole to form a new ion exit hole. . 5. Arrange two elongated round rods in parallel with a certain gap between them, use the gap as an ion emission hole, and then rotate the round rods to scrape off any substances attached to the rods and create a new one. The ion source according to claim 1, further comprising a regeneration mechanism for forming an ion exit hole. 6. An ion source according to any one of claims 1 to 5, characterized in that microwaves are used as plasma generation means. 7. The ion source according to claim 1, characterized in that the ion exit hole is configured to be able to be heated independently regardless of the temperature of other parts. 8. The ion source according to claim 7, wherein the ion source is configured to be heated by directly applying electricity to the ion exit hole parts. 9. An ion source according to claim 7 or 8, characterized in that microwaves are used as plasma generation means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251633A JP2635028B2 (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Microwave ion source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251633A JP2635028B2 (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Microwave ion source |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108654A true JPS63108654A (en) | 1988-05-13 |
| JP2635028B2 JP2635028B2 (en) | 1997-07-30 |
Family
ID=17225724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251633A Expired - Lifetime JP2635028B2 (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Microwave ion source |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635028B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10269958A (en) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Nissin Electric Co Ltd | Ecr ion source |
| JP2019200975A (en) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日新イオン機器株式会社 | Ion source |
Citations (6)
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| JPS60195854A (en) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Hitachi Ltd | Ion source |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61251633A patent/JP2635028B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2019200975A (en) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日新イオン機器株式会社 | Ion source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2635028B2 (en) | 1997-07-30 |
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