JPS63107381A - 液晶駆動方法 - Google Patents
液晶駆動方法Info
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- JPS63107381A JPS63107381A JP25404086A JP25404086A JPS63107381A JP S63107381 A JPS63107381 A JP S63107381A JP 25404086 A JP25404086 A JP 25404086A JP 25404086 A JP25404086 A JP 25404086A JP S63107381 A JPS63107381 A JP S63107381A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- voltage
- field
- electrode
- characteristic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は薄膜トランジスタなどの非線形素子を用いたア
クティブマトリックス液晶表示装置の諧調表示に用いる
ことができる液晶駆動方法に関するものである。
クティブマトリックス液晶表示装置の諧調表示に用いる
ことができる液晶駆動方法に関するものである。
従来の技術
近年、コンピュータを中心とする情報機器分野およびテ
レビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映
像機器分野において、大画面で薄型の表示装置の需要が
高まっている。この種の表示装置として低消費電力とい
う特徴を持つ液晶表示装置がひろく利用されている。
レビジョン、ビデオテープレコーダなどを中心とする映
像機器分野において、大画面で薄型の表示装置の需要が
高まっている。この種の表示装置として低消費電力とい
う特徴を持つ液晶表示装置がひろく利用されている。
アクティブマトリックス液晶表示装置では時分割駆動に
おいてもスタティック駆動と同等の表示品位を得ること
ができる。
おいてもスタティック駆動と同等の表示品位を得ること
ができる。
以下、図面を用いて従来のアクティブマトリックス液晶
パネルの駆動方法の一例について説明する。
パネルの駆動方法の一例について説明する。
第2図は、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリ
ックス液晶パネルの構成の一例であり、第3図は第2図
のマトリクスパネルの従来の駆動電圧波形の一例である
。
ックス液晶パネルの構成の一例であり、第3図は第2図
のマトリクスパネルの従来の駆動電圧波形の一例である
。
第2図のゲート電極(走査電極)G、、G2゜G3.・
・・・・・Gnに第3図のような電圧■。1゜■o2.
■o3.・・・・・・vonを印加し、順次F!Jtl
’!トランジスタをオンさせその時のソース電極(18
号電極> S、、S2.S8.・・・・・・Smの電位
を各画素の容量に保持して多諧調表示を行う。ソース電
極S3に第3図の電圧■93を印加したとすると、第2
図の画素A、B、C,Dの液晶には第3図のvA、vB
、v、、v、のような電圧が加わることになる。ここで
、1フィールドごとにソース電極印加電圧の極性を反転
させているのは、液晶は交流駆動しないと劣化してしま
うからである。
・・・・・Gnに第3図のような電圧■。1゜■o2.
■o3.・・・・・・vonを印加し、順次F!Jtl
’!トランジスタをオンさせその時のソース電極(18
号電極> S、、S2.S8.・・・・・・Smの電位
を各画素の容量に保持して多諧調表示を行う。ソース電
極S3に第3図の電圧■93を印加したとすると、第2
図の画素A、B、C,Dの液晶には第3図のvA、vB
、v、、v、のような電圧が加わることになる。ここで
、1フィールドごとにソース電極印加電圧の極性を反転
させているのは、液晶は交流駆動しないと劣化してしま
うからである。
(例えば「日経エレクトロニクスJ1984゜9.10
P、234〜p、236)発明が解決しようとする
問題点 しかしながら、上記の方法ではアナログ信号をそのまま
諧調表示信号として用いるため薄膜トランジスタの特性
や、ばらつきの影響を受けやすく表示特性の悪化や表示
むらがおこりやすいという問題点を有していた。
P、234〜p、236)発明が解決しようとする
問題点 しかしながら、上記の方法ではアナログ信号をそのまま
諧調表示信号として用いるため薄膜トランジスタの特性
や、ばらつきの影響を受けやすく表示特性の悪化や表示
むらがおこりやすいという問題点を有していた。
本発明は上記問題点を解決するためにアクティブ素子の
特性やばらつきのtVを受けにく(するものである。
特性やばらつきのtVを受けにく(するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の液晶駆動方法は1
フィールド内に少なくとも1つの走査電極を少なくとも
2回以上選択するものである。
フィールド内に少なくとも1つの走査電極を少なくとも
2回以上選択するものである。
作用
本発明は、上記した方法により、アクティブ素子の特性
やばらつきに影響されずに良好な多諧調表示を行うこと
ができる。
やばらつきに影響されずに良好な多諧調表示を行うこと
ができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例におけるゲート電圧波形、お
よび画素液晶に加わる電圧波形の一例である。ゲート電
極印加電圧V。I、■02゜■oa’ ・・・・・・V
onを第3図から第1図のように1フィールド内に2回
選択するように変えると共に、ソース電極電圧■S3も
第3図から第1図のように変えることにより、画素液晶
A、 B、 C。
よび画素液晶に加わる電圧波形の一例である。ゲート電
極印加電圧V。I、■02゜■oa’ ・・・・・・V
onを第3図から第1図のように1フィールド内に2回
選択するように変えると共に、ソース電極電圧■S3も
第3図から第1図のように変えることにより、画素液晶
A、 B、 C。
Dに印加される電圧は第1図のV、、VB、V、。
voのようになる。ここで、液晶の光透過量は印加電圧
実効値に比例するという特性があり、第3図および第1
図のv、、v、、vo、v、はそれぞれ電圧実効値は等
しく、したがって第2図の画素液晶A、B、C,Dの光
透過量は第1図のような電圧を印加しても、第3図の電
圧を印加した場合と同等になることがわかる。
実効値に比例するという特性があり、第3図および第1
図のv、、v、、vo、v、はそれぞれ電圧実効値は等
しく、したがって第2図の画素液晶A、B、C,Dの光
透過量は第1図のような電圧を印加しても、第3図の電
圧を印加した場合と同等になることがわかる。
なお、本実施例では1フィールド内に1つの走査電極を
選択する回数を2回としたが、これは2回にかぎられる
ものではなく、必要な諧調により何回でもよい。
選択する回数を2回としたが、これは2回にかぎられる
ものではなく、必要な諧調により何回でもよい。
また、本実施例ではアクティブ素子をトランジスタとし
たが、これはトランジスタにかぎられるものではなく、
ダイオード等の2端子素子でもかまわない。
たが、これはトランジスタにかぎられるものではなく、
ダイオード等の2端子素子でもかまわない。
発明の効果
以上のように、本発明はlフィールド内で少なくとも1
つの走査電極を少なくとも2回以上選択することにより
、アクティブ素子の特性やばらつきの影響を受けにくい
良好な諧調表示を得ることができる。
つの走査電極を少なくとも2回以上選択することにより
、アクティブ素子の特性やばらつきの影響を受けにくい
良好な諧調表示を得ることができる。
また、第1図からもわかるように信号電極が3値の電圧
レヘルで駆動でき、駆動回路が簡単になりIC化が容易
となる。
レヘルで駆動でき、駆動回路が簡単になりIC化が容易
となる。
第1図は本発明の一実施例におけるゲート電極印加電圧
波形図、ソース電極印加電圧波形図および各画素液晶に
加わる電圧波形図、第2図は薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの構成図、第3図は従来の薄膜トランジスタ液晶パネ
ルを駆動するためのゲート電極印加電圧波形図、ソース
電極印加電圧波形図および各画素液晶に加わる電圧波形
図である。 1・・・・・・ゲート電極、2・・・・・・ソース電極
、3・・・・・・薄膜トランジスタ、4・・・・・・画
素液晶、5・・・・・・コモン電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 D□ 3−−一タ1月集Yランじスタ 4−−一画1)ニラ7i、11− 5・−コLシ電濱に
波形図、ソース電極印加電圧波形図および各画素液晶に
加わる電圧波形図、第2図は薄膜トランジスタ液晶パネ
ルの構成図、第3図は従来の薄膜トランジスタ液晶パネ
ルを駆動するためのゲート電極印加電圧波形図、ソース
電極印加電圧波形図および各画素液晶に加わる電圧波形
図である。 1・・・・・・ゲート電極、2・・・・・・ソース電極
、3・・・・・・薄膜トランジスタ、4・・・・・・画
素液晶、5・・・・・・コモン電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか1名第1図 D□ 3−−一タ1月集Yランじスタ 4−−一画1)ニラ7i、11− 5・−コLシ電濱に
Claims (1)
- アクティブマトリクス液晶パネルであって、1フィール
ド内に少なくとも1つの走査電極を少なくとも2回以上
選択することを特徴とする液晶駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25404086A JPS63107381A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 液晶駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25404086A JPS63107381A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 液晶駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63107381A true JPS63107381A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17259401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25404086A Pending JPS63107381A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 液晶駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63107381A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150270A (ja) * | 1991-05-21 | 1993-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタを用いた電気光学装置のデジタル画像表示方法 |
JPH0682756A (ja) * | 1991-06-14 | 1994-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の画像表示方法 |
JPH0682759A (ja) * | 1991-06-14 | 1994-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の画像表示方法 |
JPH0695080A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の画像表示方法 |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US7002537B1 (en) | 1999-09-27 | 2006-02-21 | Seiko Epson Corporation | Method of driving electrooptic device, driving circuit, electrooptic device, and electronic apparatus |
US7167190B2 (en) | 2000-09-08 | 2007-01-23 | Seiko Epson Corporation | Method of driving electro-optical apparatus, drive circuit for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25404086A patent/JPS63107381A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05150270A (ja) * | 1991-05-21 | 1993-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタを用いた電気光学装置のデジタル画像表示方法 |
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JPH0682759A (ja) * | 1991-06-14 | 1994-03-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の画像表示方法 |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
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US7002537B1 (en) | 1999-09-27 | 2006-02-21 | Seiko Epson Corporation | Method of driving electrooptic device, driving circuit, electrooptic device, and electronic apparatus |
US7167190B2 (en) | 2000-09-08 | 2007-01-23 | Seiko Epson Corporation | Method of driving electro-optical apparatus, drive circuit for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus |
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