JPS63107121A - Treating method and carrier used therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被膜形成、エツチング、イオン打ち込み等の
処理を被処理物に施す処理方法およびその方法において
被処理物をクランプし、かつ独立して取り扱われるキャ
リアに関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a processing method for subjecting a workpiece to treatments such as film formation, etching, and ion implantation, and a method for clamping the workpiece and independently Regarding carriers handled by
半導体装置（ＩＣ）の製造において配線層、導電層、絶
縁膜等を形成する技術として、スパッタリング技術が多
用されている。スパッタ装置としては、たとえば、工業
調査会発行「電子材料」１９８４年３月号、昭和５９年
３月１日発行、Ｐ８９〜Ｐ９３に記載されているような
ものがある。2. Description of the Related Art Sputtering technology is often used to form wiring layers, conductive layers, insulating films, etc. in the manufacture of semiconductor devices (ICs). Examples of the sputtering apparatus include those described in "Electronic Materials" March 1984 issue published by Kogyo Kenkyukai, March 1, 1984, pages 89 to 93.
この文献には、被処理物であるウェハを、ローディング
用カセントから一枚ずつ取り出すとともに、処理後にア
ンローディング用カセントに送り込む枚葉式構造のスパ
ッタ装置が紹介されている。This document introduces a sputtering apparatus having a single-wafer type structure in which wafers, which are objects to be processed, are taken out one by one from a loading feedstock and then fed into an unloading feedstock after processing.
スパッタ装置による被膜形成は、ウェハ主面全域に対し
て行われる。このため、ウェハ主面に所望形状の被膜に
よるパターンを形成する場合、つエバ主面全域に被膜を
形成した後、ホトエツチング処理によって不要被膜領域
を除去することによって所望パターンの被膜が得られる
。Film formation using a sputtering device is performed over the entire main surface of the wafer. Therefore, when forming a pattern of a desired shape on the main surface of the wafer, the desired pattern of the film can be obtained by forming the film over the entire main surface of the wafer and then removing unnecessary film regions by photo-etching.
しかし、前記ホトエツチング処理は工数が多いという難
点がある。また、ホトエツチング処理は、ウェハの汚染
の有無によって歩留りが変化するため、歩留り向上のた
めには、清浄な環境下で処理を行わなければならず、ウ
ェハの取り扱いが面倒である。However, the photo-etching process has a disadvantage in that it requires a large number of steps. Furthermore, since the yield of photoetching changes depending on whether or not the wafer is contaminated, the process must be performed in a clean environment in order to improve the yield, making handling of the wafer cumbersome.
本発明の目的は、処理工程の低減による処理作業の生産
性向上を達成することにある。An object of the present invention is to improve the productivity of processing operations by reducing the number of processing steps.
本発明の他の目的は、被処理物の部分処理を可能とする
被処理物を保持するキャリアを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a carrier for holding a workpiece that enables partial processing of the workpiece.
本発明の他の目的は、被処理物の枚葉処理が可能な被処
理物を保持するキャリアを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a carrier for holding a workpiece, which allows single-wafer processing of the workpiece.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.
本発明によれば、キャリアと称する治具の主面にウェハ
をキャリアのガイドを利用して位置決め載置するととも
に、このウェハ上にガイドを利用してマスクを位置決め
して重ね、さらにこれらマスクおよびウェハをホルダー
でキャリアに固定し、その後、このキャリアを順次スパ
ッタ装置に供給し、キャリア主面にスパッタリングして
ウェハ主面にマスクパターンどおりの被膜を形成する。According to the present invention, a wafer is positioned and placed on the main surface of a jig called a carrier using a guide of the carrier, a mask is positioned and stacked on this wafer using a guide, and furthermore, these masks and The wafer is fixed to a carrier with a holder, and then the carriers are sequentially supplied to a sputtering device and sputtered onto the main surface of the carrier to form a film on the main surface of the wafer according to the mask pattern.
上記のように、本発明によれば、ウェハはマスクを付け
てキャリアに取り付けられ、かつこの単一の独立して取
り扱われるキャリアに対してスパッタ処理が施されるた
め、スパッタ処理によってウェハ主面にはマスクパター
ンの被膜が形成され、部分被膜処理形成のため従来必要
としたホトエツチング処理が不要となり、工程低減から
生産性向上が達成できる。また、本発明によれば、工程
低減からウェハ汚染の頻度も低くなり、歩留り向上も達
成できる。さらに、本発明によれば、キャリアを用いる
ことによってウェハの枚葉処理も可能となる。As described above, according to the present invention, the wafer is attached to a carrier with a mask, and the sputtering process is performed on this single, independently handled carrier, so that the sputtering process A film with a mask pattern is formed on the film, and the photo-etching process conventionally required for forming a partial film becomes unnecessary, and productivity can be improved by reducing the number of steps. Further, according to the present invention, the frequency of wafer contamination is reduced due to the reduction in process steps, and yield improvement can also be achieved. Further, according to the present invention, single wafer processing is also possible by using a carrier.
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例による被膜形成処理方法を示
すフローチャート、第２図は同じく被膜形成処理に用い
られるウェハおよびマスクならびにキャリアを示す分解
斜視図、第３図は同じくウェハ等を取り付けたキャリア
の平面図、第４図は同じく被膜形成装置の概要を示す模
式図である。FIG. 1 is a flowchart showing a film forming method according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view showing a wafer, a mask, and a carrier used in the film forming process, and FIG. 3 is an exploded perspective view showing a wafer, etc. The plan view of the carrier shown in FIG. 4 is also a schematic diagram showing the outline of the film forming apparatus.
この実施例では、ウェハの被処理面である主面にスパッ
タ処理によって所望パターンの被膜を形成する例につい
て説明する。In this embodiment, an example will be described in which a film having a desired pattern is formed by sputtering on the main surface, which is the surface to be processed, of a wafer.
この実施例では、第１図に示されるようなフローチャー
トによる工程、すなわち、ウェハ用意。In this embodiment, the process according to the flowchart shown in FIG. 1, namely, wafer preparation.
ウェハセット、スパッタ処理、ウェハ取り出しの各工程
を経て、ウェハ主面に部分的に被膜が形成される。この
実施例では、被処理物であるウェハの主面にマスクが重
ねられ、その後、スパッタ処理が行われる。この結果、
ウェハ主面のマスクの透孔領域に対応する領域のみに被
膜、たとえば、アルミニウム被膜等が堆積し、所望パタ
ーンの被膜が形成される。Through the steps of wafer setting, sputtering, and wafer removal, a film is partially formed on the main surface of the wafer. In this embodiment, a mask is placed on the main surface of a wafer, which is an object to be processed, and then sputtering is performed. As a result,
A film, such as an aluminum film, is deposited only on the region of the main surface of the wafer corresponding to the through-hole region of the mask, forming a film with a desired pattern.
つぎに、第２図および第３図を参照しなからウェハを保
持するキャリアについて説明する。Next, a carrier for holding a wafer will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
キャリア１は、第２図に示されるように、円板状の基板
２と、この基板２の主面にリング状に配設固定された複
数片のガイド３と、前記ガイド３の所定端部に設けられ
た挿入溝４に挿脱自在に挿入されるホルダー５とからな
っている。前記基板２は円周の一部が直線状に切り取ら
れて方向識別面６を有している。また、前記ガイド３に
よって形成される基板２主面の円形領域には、半導体薄
板（ウェハ）７が収容される。また、ウェハ７の円周の
一部は直線状に切り欠かれてオリエンテーションフラッ
ト８が設けられている。As shown in FIG. 2, the carrier 1 includes a disk-shaped substrate 2, a plurality of guides 3 arranged and fixed in a ring shape on the main surface of the substrate 2, and a predetermined end portion of the guide 3. The holder 5 is removably inserted into an insertion groove 4 provided in the holder 5. The substrate 2 has a direction identification surface 6 formed by cutting a portion of its circumference into a straight line. Further, a semiconductor thin plate (wafer) 7 is housed in a circular area on the main surface of the substrate 2 formed by the guide 3 . Further, a part of the circumference of the wafer 7 is cut out in a straight line to provide an orientation flat 8.
一方、前記ガイド３でウェハ７の回転方向を含む位置決
めのために、前記ガイド３の内周部分には、キャリア１
のオリエンテーションフラット８に対応して直線状に延
在する基準面９が設けられている。この基準面９は、前
記基板２の方向識別面６側に設けられ、方向識別面６と
平行に延在している。On the other hand, in order to position the wafer 7 in the guide 3 including the rotational direction, a carrier 1 is provided on the inner circumferential portion of the guide 3.
A reference surface 9 extending linearly is provided corresponding to the orientation flat 8. This reference surface 9 is provided on the direction identification surface 6 side of the substrate 2 and extends parallel to the direction identification surface 6.
また、前記ウェハ７の被処理面となる主面には、マスク
１０が重ねられる。このマスク１０は、所望パターンの
図示しない透孔部が設けられているとともに、外径形状
は前記ウェハ７と同一となっている。したがって、この
マスク１０の一縁にも前記ウェハ７と同様に、直線状に
延在する方向識別面１１が設けられている。Further, a mask 10 is placed over the main surface of the wafer 7, which is the surface to be processed. This mask 10 is provided with through holes (not shown) in a desired pattern, and has the same outer diameter as the wafer 7 . Therefore, one edge of this mask 10 is also provided with a direction identification surface 11 that extends linearly, similarly to the wafer 7 .
他方、前記ガイド３の所定端部には、挿入溝４が設けら
れている。すなわち、前記ガイド３は７片設けられてい
るが、四角形の各頂点に対応する位置に臨むガイド３の
端面には、それぞれ第３図に示すように、平面Ｘ方向ま
たはＹ方向に延在する挿入？Ｒ４が設けられている。そ
して、これら同一方向に延在する一対の挿入：ａ４には
、第２図に示されるようなホルダー５の舌片１２が挿脱
自在°に挿入される。ホルダー５は直線状に延在する主
片１３と、この主片１３０両端から一段低く同一方向に
延在する舌片１２とからなっている。また、前記主片１
３の中央部分および両端部分は一段低（折り曲げられ、
弾力的に作用する押圧部１４および固定部１５を構成し
ている。このホルダー５は薄くかつ細長い金属板を折り
曲げ成形することによって形成されている。On the other hand, an insertion groove 4 is provided at a predetermined end of the guide 3. That is, seven pieces of the guide 3 are provided, and on the end face of the guide 3 facing the position corresponding to each vertex of the rectangle, there is a piece extending in the plane X direction or Y direction, as shown in FIG. Insert? R4 is provided. The tongue pieces 12 of the holder 5 as shown in FIG. 2 are removably inserted into the pair of insertion holes a4 extending in the same direction. The holder 5 consists of a main piece 13 that extends linearly, and tongue pieces 12 that extend from both ends of the main piece 130 in the same direction at a lower position. In addition, the main piece 1
The center part and both end parts of 3 are lowered (folded,
It constitutes a pressing part 14 and a fixing part 15 that act elastically. This holder 5 is formed by bending and forming a thin and elongated metal plate.
このようなホルダー５は４組設けられるとともに、各ホ
ルダー５は別々に、Ｘ方向の左右から、また、Ｙ方向の
前後から基板２の中央に向かって挿入される。このホル
ダー５の挿入によって、舌片１２と固定部１５とは、そ
の間に前記ガイド３の挿入溝４の上部を弾力的に挟み、
ホルダー５を固定する。また、基板２に取り付けられた
ホルダー５にあっては、主片１３は一対の挿入溝４間に
存在するガイド３上に位置するとともに、主片１３はガ
イド３によって取り囲まれるウェハ７を収容するハンチ
ングで示される収容領域１６に臨む。Four sets of such holders 5 are provided, and each holder 5 is separately inserted toward the center of the substrate 2 from the left and right in the X direction, and from the front and back in the Y direction. By inserting this holder 5, the tongue piece 12 and the fixing part 15 elastically sandwich the upper part of the insertion groove 4 of the guide 3 between them.
Fix the holder 5. Further, in the holder 5 attached to the substrate 2, the main piece 13 is located on the guide 3 existing between the pair of insertion grooves 4, and the main piece 13 accommodates the wafer 7 surrounded by the guide 3. It faces the accommodation area 16 indicated by hunting.
また、前記ホルダー５の舌片１２も前記収容領域１６内
に深く入り込む。なお、隣り合うホルダー５の舌片１２
は、強く挿し込めば、一方のボルダ−５の舌片１２上に
他方のホルダー５の舌片１２が載り、各ホルダー５は所
定域にまで挿入できる。Further, the tongue piece 12 of the holder 5 also deeply enters the accommodation area 16. In addition, the tongue piece 12 of the adjacent holder 5
If the boulder is inserted firmly, the tongue piece 12 of the other holder 5 will rest on the tongue piece 12 of one boulder 5, and each holder 5 can be inserted to a predetermined area.
したがって、キャリア１にウェハ７およびマスク１０を
取り付ける際は、ホルダー５の主片１３が前記収容領域
１６に達しない程度舌片１２を挿入する。この状態でウ
ェハ７をキャリア１に載せる。この際、前記収容領域１
６に舌片１２が突出していることから、ウェハ７はこれ
ら舌片１２上に載ることとなる。ウェハ７は、そのオリ
エンテーションフラット８がガイド３の基準面９に当接
するようにして収容される結果、位置精度良（収容され
る。また、このウェハ７上には、マスク１０が載せられ
る。このマスク１０もその方向識別面１１がガイド３の
基準面９に当接するようにして載せられることから、位
置精度良くキャリア１に収容される。つぎに、途中まで
挿入した状態にあるホルダー５を更に深く挿入し、ホル
ダー５の主片１３を収容領域１６に臨ませ、主片１３に
よってマスク１０の上面を弾力的に固定する。この結果
、マスク１０が重ねられたウェハ７は、キャリア１に取
り付けられて取り扱われる。なお、前記マスク１０には
アライメント用の開口部１７が５個設けられている。Therefore, when attaching the wafer 7 and mask 10 to the carrier 1, the tongue piece 12 is inserted to such an extent that the main piece 13 of the holder 5 does not reach the accommodation area 16. In this state, the wafer 7 is placed on the carrier 1. At this time, the accommodation area 1
Since the tongues 12 protrude from the edges 6, the wafer 7 rests on these tongues 12. The wafer 7 is accommodated with its orientation flat 8 in contact with the reference surface 9 of the guide 3, so that the wafer 7 is accommodated with good positional accuracy.Furthermore, a mask 10 is placed on the wafer 7. Since the mask 10 is also placed with its direction identification surface 11 in contact with the reference surface 9 of the guide 3, it is accommodated in the carrier 1 with good positional accuracy.Next, the holder 5, which has been inserted halfway, is further inserted. The main piece 13 of the holder 5 faces the accommodation area 16, and the upper surface of the mask 10 is elastically fixed by the main piece 13.As a result, the wafer 7 with the mask 10 stacked on it is attached to the carrier 1. The mask 10 is provided with five openings 17 for alignment.
つぎに、ウェハ主面に直接パターニングされた被膜をス
パッタによって形成する方法について説明する。Next, a method of forming a patterned film directly on the main surface of the wafer by sputtering will be described.
第４図は、スパッタ装置の要部を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the main parts of the sputtering apparatus.
同図において示すように、このスパッタ装置は、中央に
間欠的に回転するドラム２０を有している。As shown in the figure, this sputtering apparatus has a drum 20 in the center that rotates intermittently.
このドラム２０の外周には、円周に沿って４個のステー
ジ２１が配設されている。このステージ２１は、その上
端部分をピン２２で回転可能に支持されている。ステー
ジ２１は、常時はドラム２０の外周面に寄り掛るように
傾斜しているが、ステージ２１への被処理物のローディ
ング・アンローディング・ステーションに至った際は、
同図に示すように、９０度弱上方に回動してステージ２
１を水平の状態にするようになっている。また、前記ス
テージ２１の主面には、支持片２３が設けられ、斜めの
状態となった被処理物であるキャリアｌを支えるように
なっている。Four stages 21 are disposed along the circumference of the drum 20. This stage 21 is rotatably supported by a pin 22 at its upper end portion. The stage 21 is normally inclined so as to lean against the outer peripheral surface of the drum 20, but when the stage 21 reaches the loading/unloading station of the workpiece to be processed,
As shown in the figure, the stage 2
1 in a horizontal state. Further, a support piece 23 is provided on the main surface of the stage 21 to support the carrier l, which is the object to be processed, which is in an oblique state.
一方、ローディング・アンローディング・ステーション
には、昇降ステージ２４が配設されている。この昇降ス
テージ２４は昇降軸２５に支えられていて、昇降軸２５
の昇降によって昇降する。On the other hand, a lifting stage 24 is provided at the loading/unloading station. This elevating stage 24 is supported by an elevating shaft 25.
It goes up and down by going up and down.
また、前記昇降ステージ２４の直径は、キャリア１の外
径よりも小さくなっている。また、前記ステージ２１の
中央には、開口した通過孔２６が設けられているととも
に、水平状態となったステージ２１にあっては、前記昇
降ステージ２４は昇降によって通過孔２６をステージ２
１に接触することなく通過可能となっている。Further, the diameter of the elevating stage 24 is smaller than the outer diameter of the carrier 1. Further, an open passage hole 26 is provided in the center of the stage 21, and when the stage 21 is in a horizontal state, the elevating stage 24 moves the passage hole 26 between the stages by lifting and lowering.
It is possible to pass through without touching 1.
したがって、ステージ２１へのキャリア１のローディン
グは、第４図に示されるように、ステージ２１が上死点
にあるとき、ステージ２１の主面に図示しないローダ・
アンローダによってキャリア１が載置され、その後、昇
降ステージ２４が降下することによって行なわれる。す
なわち、昇降ステージ２４が通過孔２６を通過する際、
昇降ステージ２４上に載るキャリア１は、その円周部分
が昇降ステージ２４の周縁から突出することから、通過
孔２６を通過する際、キャリア１の円周部分がステージ
２１の主面に引っ掛るため、キャリア１が昇降ステージ
２４からステージ２１に移ることとなり、キャリア１の
ローディングが終了する。Therefore, as shown in FIG. 4, when the carrier 1 is loaded onto the stage 21, a loader (not shown) is placed on the main surface of the stage 21 when the stage 21 is at the top dead center.
This is done by placing the carrier 1 on the unloader and then lowering the elevating stage 24. That is, when the elevating stage 24 passes through the passage hole 26,
Since the circumferential portion of the carrier 1 placed on the lifting stage 24 protrudes from the periphery of the lifting stage 24, the circumferential portion of the carrier 1 gets caught on the main surface of the stage 21 when passing through the passage hole 26. , the carrier 1 moves from the lifting stage 24 to the stage 21, and the loading of the carrier 1 is completed.
なお、前記昇降ステージ２４は、ローディング終了後、
ステージ２１が揺動する領域から外れた下方位置に停止
する。In addition, after the loading is completed, the elevating stage 24
The stage 21 stops at a lower position out of the swinging area.
また、ステージ２１からキャリア１を取り外す際のアン
ローディングは、ステージ２１が水平位置にあるとき行
なわれる。すなわち、前記昇降ステージ２４が上昇し、
通過孔２６を通過する際、ステージ２１上に載っていた
キャリア１は、昇降ステージ２４によって押し上げられ
、ステージ２１から昇降ステージ２４の上面に受は継が
れる。Further, unloading when removing the carrier 1 from the stage 21 is performed when the stage 21 is in a horizontal position. That is, the elevating stage 24 rises,
When passing through the passage hole 26, the carrier 1 placed on the stage 21 is pushed up by the lifting stage 24, and the carrier 1 is transferred from the stage 21 to the upper surface of the lifting stage 24.
その後、昇降ステージ２４が上死点で停止すると、図示
しないローダ・アンローダ装置が同期して作動し、昇降
ステージ２４上のキャリアｌを所望位置に運び、アンロ
ーディング作業が終了する。Thereafter, when the lifting stage 24 stops at the top dead center, a loader/unloader device (not shown) operates in synchronism to carry the carrier l on the lifting stage 24 to a desired position, and the unloading operation is completed.
また、前記ドラム２０の一側のスパッタステーションに
は、ターゲットユニット２７が配設されていて、キャリ
ア１のマスク１０に対してスパッタリングが行なわれる
ようになっている。Further, a target unit 27 is disposed at a sputtering station on one side of the drum 20, and sputtering is performed on the mask 10 of the carrier 1.
つぎに、スパック作業について説明する。Next, the spuck work will be explained.
第４図に示されるように、最初にローディング・アンロ
ーディング・ステーションに位置するステージ２１が作
動して、二点鎖線で示すように水平姿勢になる。その後
、昇降ステージ２４が上昇してステージ２１の通過孔２
６を通過し、昇降ステージ２４は上死点位置で静止する
。As shown in FIG. 4, the stage 21 located at the loading/unloading station is first operated and assumes a horizontal position as shown by the two-dot chain line. After that, the elevating stage 24 rises and the passage hole 2 of the stage 21
6, the elevating stage 24 stops at the top dead center position.
つぎに、前記昇降ステージ２４上にキャリア１が供給さ
れる。キャリア１が載置された昇降ステージ２４は下降
し、通過孔２６を通過する動作によって、ステージ２１
上にキャリア１を供給する。Next, the carrier 1 is supplied onto the lifting stage 24. The elevating stage 24 on which the carrier 1 is placed descends and passes through the passage hole 26, thereby raising the stage 21.
Supply carrier 1 on top.
つぎに、ステージ２１はピン２２を中心に下方に回動し
、キャリア１を垂直に近い傾斜姿勢に支持する。その後
、このキャリア１は２回の回転動作によってスパッタス
テーションに運ばれ、ターゲットユニット２７によって
所望の被膜がスパツクされる。この際、キャリア１に保
持されたウェハ７は、その被処理面をマスク１０で被わ
れているため、ウェハ７の被処理面である主面には、マ
スク１０が有するパターン通りに被膜が堆積（デポジッ
ト）される。Next, the stage 21 rotates downward about the pin 22 and supports the carrier 1 in a nearly vertical tilted position. Thereafter, this carrier 1 is transported to a sputtering station by two rotational movements, and a desired coating is sputtered by a target unit 27. At this time, since the processing surface of the wafer 7 held by the carrier 1 is covered with the mask 10, a film is deposited on the main surface of the wafer 7, which is the processing surface, according to the pattern of the mask 10. (deposit) will be made.
スパッタステーションでスパッタ処理されたウェハ７、
すなわちキャリア１は、ドラム２０の２回の回動動作に
よって再びローディング・アンローディング・ステーシ
ョンに戻り、前述のアンローディング動作によって、所
望位置にアンローディングされる。a wafer 7 sputtered at a sputter station;
That is, the carrier 1 returns to the loading/unloading station again by the two rotation operations of the drum 20, and is unloaded to a desired position by the aforementioned unloading operation.
このようにして、順次ドラム２０のステージ２１に供給
されたキャリア１、すなわち、ウェハ７は枚葉式に順次
スパッタ処理が施される。In this way, the carriers 1, that is, the wafers 7, which are sequentially supplied to the stage 21 of the drum 20, are sequentially sputtered in a single-wafer manner.
このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。According to such an embodiment, the following effects can be obtained.
（１）本発明によれば、半導体デバイスの製造において
、ウェハ主面に所望パターンの被膜を形成する場合、ウ
ェハ主面に所望パターンの透孔部を有するマスクを重ね
あわせてスパッタリングすることから、従来ウェハ全面
にスパッタを行ない、その後ホトエツチングで不所望部
分の被膜を除去する方法に比較して工程が減少し、生産
性が向上するという効果が得られる。(1) According to the present invention, when forming a film with a desired pattern on the main surface of a wafer in the manufacture of semiconductor devices, sputtering is performed by superposing a mask having a desired pattern of holes on the main surface of the wafer. Compared to the conventional method of performing sputtering on the entire surface of a wafer and then removing the coating on undesired areas by photo-etching, this method reduces the number of steps and improves productivity.
（２）上記（１）により、本発明によれば、ホトエツチ
ング工程が不要となることから、ウェハの取り扱い回数
も減少し、異物付着の頻度も低くなり、半導体デバイス
製造歩留りが向上するという効果が得られる。(2) As a result of (1) above, the present invention eliminates the need for a photoetching process, which reduces the number of times wafers are handled, reduces the frequency of foreign matter adhesion, and improves the semiconductor device manufacturing yield. can get.
（３）本発明によれば、ウェハは、キャリアと称する独
立して取り扱われるウェハと同様な板状の治具にマスク
を重ねた状態で保持される。このため、ウェハはキャリ
アによって一枚ずつ取り扱われ、かつ上記（１）のよう
に部分被膜形成されるという効果が得られる。(3) According to the present invention, a wafer is held with a mask superimposed on a plate-shaped jig called a carrier, which is similar to a wafer that is handled independently. Therefore, the wafers are handled one by one by the carrier, and the effect of partially forming a coating as described in (1) above can be obtained.
（４）上記（１）により、本発明によれば、ウェハの部
分被膜形成が枚葉処理によって行なえるため、連続して
スパッタ処理が可能となり、生産性が向上するという効
果が得られる。(4) According to the above (1), according to the present invention, partial film formation on a wafer can be performed by single wafer processing, so that continuous sputtering processing is possible and productivity is improved.
（５）上記（１）〜（４）により、本発明によれば、部
分被膜形成処理の工程数の低減が可能となるとともに、
ウェハの枚葉処理も可能となるため、生産性向上から部
分被膜形成コストの低減が達成できるという相乗効果が
得られる。(5) According to the above (1) to (4), according to the present invention, it is possible to reduce the number of steps in the partial film forming process, and
Since wafer single-wafer processing is also possible, a synergistic effect can be obtained in that productivity can be improved and partial coating formation costs can be reduced.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、ウェハを収容
したキャリアをカートリッジに複数枚収容し、このカー
トリッジから一枚ずつキャリアを送り出して被膜形成処
理し、その後、別のカートリッジに一枚ずつキャリアを
収容する構造としてもよい。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, a structure may be adopted in which a plurality of carriers containing wafers are housed in a cartridge, the carriers are sent out one by one from this cartridge to be subjected to film formation processing, and then the carriers are housed one by one in another cartridge.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である部分被膜形成技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではない。たとえば、部分的にドナー等の不純物を注
入する技術や、部分的にウェハ主面をエツチングするド
ライエツチング技術等にも適用できる。In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to the partial film forming technology, which is the background field of application, but the invention is not limited thereto. For example, it can be applied to a technique that partially implants impurities such as a donor, a dry etching technique that partially etches the main surface of a wafer, etc.
本発明は少なくとも被処理物の主面を部分的に処理する
処理技術に適用できる。The present invention can be applied to a processing technique that partially processes at least the main surface of an object to be processed.
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を節単に説明すれば、下記のとおりであ
る。A brief explanation of the effects obtained by typical inventions among the inventions disclosed in this application is as follows.
本発明によれば、ウェハはマスクを付けてキャリアに取
り付けられ、かつこの単一の独立して取り扱われるキャ
リアに対してスパッタ処理が施されるため、スパッタ処
理によってウェハ主面にはマスクパターンの被膜が形成
され、部分被膜処理形成のため従来必要としたホトエツ
チング処理が不要となり、工程低減から生産性向上が達
成できる。また、本発明によれば、工程低減からウェハ
汚染の頻度も低くなり、歩留り向上も達成できる。According to the present invention, the wafer is attached to a carrier with a mask, and the sputtering process is performed on this single, independently handled carrier, so that the main surface of the wafer is covered with a mask pattern by the sputtering process. A film is formed, and the photoetching process conventionally required for forming a partial film becomes unnecessary, and productivity can be improved by reducing the number of steps. Further, according to the present invention, the frequency of wafer contamination is reduced due to the reduction in process steps, and yield improvement can also be achieved.
さらに、本発明によれば、キャリアを用いることによっ
てウェハの枚葉処理も可能となる。Further, according to the present invention, single wafer processing is also possible by using a carrier.
第１図は本発明の一実施例による被膜形成処理方法を示
すフローチャート、
第２図は同じく被膜形成処理に用いられるウェハおよび
マスクならびにキャリアを示す分解斜視図、
第３図は同じくウェハ等を取り付けたキャリアの平面図
、Fig. 1 is a flowchart showing a film forming method according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an exploded perspective view showing a wafer, mask, and carrier used in the film forming process, and Fig. 3 is an exploded perspective view showing a wafer, etc. top view of the carrier,
Claims (1)
マスクを保持するキャリアを用意する工程と、前記マス
クを介して被処理物に対して加工処理を施す工程と、を
有することを特徴とする処理方法。 ２ 処理面にマスクを重ね合わせたウェハに対してスパ
ッタを行い、ウェハ主面にマスクパターンに対応した被
膜を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の処理方法。 ３ 主面に被処理物を載置する基板と、この基板の主面
に設けられかつ前記被処理物を案内するガイドと、前記
基板に着脱自在に取り付けられかつ前記基板主面に載置
された被処理物およびマスクを基板に固定するホルダー
とからなるキャリア。[Claims] 1. A step of preparing a carrier that holds a workpiece and a mask superimposed on a processing surface of the workpiece, and a step of processing the workpiece through the mask. A processing method characterized by having the following. 2. The processing method according to claim 1, wherein sputtering is performed on a wafer with a mask superimposed on the processing surface to form a film corresponding to the mask pattern on the main surface of the wafer. 3. A substrate on which an object to be processed is placed on the main surface, a guide provided on the main surface of this substrate and for guiding the object to be processed, and a guide detachably attached to the substrate and placed on the main surface of the substrate. A carrier consisting of a holder that fixes the processed object and the mask to the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251681A JPS63107121A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Treating method and carrier used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61251681A JPS63107121A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Treating method and carrier used therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107121A true JPS63107121A (en) | 1988-05-12 |
Family
ID=17226426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251681A Pending JPS63107121A (en) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | Treating method and carrier used therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107121A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980085881A (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-05 | 윤종용 | Wafer seat of robot arm for semiconductor device manufacturing |
| WO1999030354A1 (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-17 | Applied Materials, Inc. | Full face mask for capacitance-voltage measurements |
| US6030513A (en) * | 1997-12-05 | 2000-02-29 | Applied Materials, Inc. | Full face mask for capacitance-voltage measurements |
| US6299689B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Reflow chamber and process |
| JP2010080919A (en) * | 2008-03-14 | 2010-04-08 | Intevac Inc | System and method for processing substrate with detachable mask |
| JP2013051228A (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | Substrate holding member and method of adjusting attachment position of semiconductor substrate to the semiconductor holding member |
| US8795466B2 (en) | 2008-06-14 | 2014-08-05 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61251681A patent/JPS63107121A/en active Pending
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