JPS63107071A - 電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
電界効果トランジスタの製造方法Info
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- JPS63107071A JPS63107071A JP25300286A JP25300286A JPS63107071A JP S63107071 A JPS63107071 A JP S63107071A JP 25300286 A JP25300286 A JP 25300286A JP 25300286 A JP25300286 A JP 25300286A JP S63107071 A JPS63107071 A JP S63107071A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66848—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET
- H01L29/66856—Unipolar field-effect transistors with a Schottky gate, i.e. MESFET with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66863—Lateral single gate transistors
- H01L29/66878—Processes wherein the final gate is made before the formation, e.g. activation anneal, of the source and drain regions in the active layer
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0843—Source or drain regions of field-effect devices
- H01L29/0891—Source or drain regions of field-effect devices of field-effect transistors with Schottky gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電界効果トランジスタの製造方法忙関する。
従来、電界効果トランジスタのコンタクト層は、第４図
に示すように基板５１に活性層領域５２、ゲート５３を
形成後、薄い絶縁膜を付着し、リアクティブイオンエツ
チングを行なってゲート５３に側壁５４を形成し、ゲー
ト５３と側壁５４をマスクにしてイオンビーム５５を照
射することによってコンタクト層領域５６を形成した後
、アニールによって活性層領域５２、コンタクト層領域
４５６を活性化して形成していた。
に示すように基板５１に活性層領域５２、ゲート５３を
形成後、薄い絶縁膜を付着し、リアクティブイオンエツ
チングを行なってゲート５３に側壁５４を形成し、ゲー
ト５３と側壁５４をマスクにしてイオンビーム５５を照
射することによってコンタクト層領域５６を形成した後
、アニールによって活性層領域５２、コンタクト層領域
４５６を活性化して形成していた。
上述した従来の製造方法では、ゲートを中心としてコン
タクト層を非対称だ形成することは困難であり、ソース
抵抗を増加させずに帰還容量を低減し、ドレイン耐圧を
向上することは容易でなかった。
タクト層を非対称だ形成することは困難であり、ソース
抵抗を増加させずに帰還容量を低減し、ドレイン耐圧を
向上することは容易でなかった。
この発明の目的は、上記の従来方法の欠点を除去し、帰
還容量を低減し、ドレイン耐圧を向上させた電界効果ト
ランジスタの製造方法を提供である。
還容量を低減し、ドレイン耐圧を向上させた電界効果ト
ランジスタの製造方法を提供である。
第１図は、この発明の原理説明図である。まず、第１図
（ａｌに示すように基板１に活性層領域２およびゲート
３を形成後、厚さｔｌの第１絶縁膜４を付着する。その
後フォトリングラフィ技術を用いて、第１図（ｂ）の側
壁膜５のように加工した後、厚さｔ２の第２絶縁膜６を
付着する。
（ａｌに示すように基板１に活性層領域２およびゲート
３を形成後、厚さｔｌの第１絶縁膜４を付着する。その
後フォトリングラフィ技術を用いて、第１図（ｂ）の側
壁膜５のように加工した後、厚さｔ２の第２絶縁膜６を
付着する。
次いで、選択性のエツチングにより第１図（Ｃ）のよう
釦側壁７及び側壁８を形成し、ゲート３、側壁７及び側
壁８をマスクとしてイオンビーム９によってコンタクト
層領域ｌＯを形成する。コンタクト層領域１０は、側壁
７と側壁８の厚さの違いにより自己整合的にゲートを中
心として非対称となる。
釦側壁７及び側壁８を形成し、ゲート３、側壁７及び側
壁８をマスクとしてイオンビーム９によってコンタクト
層領域ｌＯを形成する。コンタクト層領域１０は、側壁
７と側壁８の厚さの違いにより自己整合的にゲートを中
心として非対称となる。
次に本発明を実施例によって詳細に説明する。
第２図は本発明の第１の実施例の工程を示す断面図であ
る。まず、ＱａＡｓ基板１１Ｖｃ活性層領域１２及びゲ
ート１３を形成した後、厚さ２００ＯＡ程度の酸化膜１
４を付着後レジストを塗布し露光現像処理を行なって第
２図（ａ）のような形状のレジスト１５を形成する。次
いで、フッ酸の希釈液によってレジスト１５の下坂外の
酸化膜１４を除去する。その後レジス）１５を除去し、
厚さ１００ＯＡ程度の酸化膜を付着し、全面をリアクテ
ィブイオンエツチングすることＫより第２図（ｂ）のよ
うに非対称な側壁１６．１７を形成した後、ゲート１３
、側壁１６および１７をマスクとしてシリコンイオンを
注入しコンタクト層領域１９を形成する。その後は側壁
１６側壁１７の除去、アニールオーミック電極形成の各
工程を経て、第２図（Ｃ）のようにコンタクト層２１が
ゲート１３に近い方をソース電極２４、コンタクト層２
１がゲート１３に遠い方をドレイン電極２５とする電界
効果トランジスタが作成できる。
る。まず、ＱａＡｓ基板１１Ｖｃ活性層領域１２及びゲ
ート１３を形成した後、厚さ２００ＯＡ程度の酸化膜１
４を付着後レジストを塗布し露光現像処理を行なって第
２図（ａ）のような形状のレジスト１５を形成する。次
いで、フッ酸の希釈液によってレジスト１５の下坂外の
酸化膜１４を除去する。その後レジス）１５を除去し、
厚さ１００ＯＡ程度の酸化膜を付着し、全面をリアクテ
ィブイオンエツチングすることＫより第２図（ｂ）のよ
うに非対称な側壁１６．１７を形成した後、ゲート１３
、側壁１６および１７をマスクとしてシリコンイオンを
注入しコンタクト層領域１９を形成する。その後は側壁
１６側壁１７の除去、アニールオーミック電極形成の各
工程を経て、第２図（Ｃ）のようにコンタクト層２１が
ゲート１３に近い方をソース電極２４、コンタクト層２
１がゲート１３に遠い方をドレイン電極２５とする電界
効果トランジスタが作成できる。
このような電界効果トランジスタはドレイン側のコンタ
クト層２１とゲート１３の距離が従来のものより長くな
っているため帰還容量が低減し、かつドレイン耐圧が向
上する。さらに、このような工程は１つの基板内に多数
のトランジスタを均一性よく作製できる。
クト層２１とゲート１３の距離が従来のものより長くな
っているため帰還容量が低減し、かつドレイン耐圧が向
上する。さらに、このような工程は１つの基板内に多数
のトランジスタを均一性よく作製できる。
第３図は本発明の＠２の実施例ｊの工程を示す断面図で
ある。ＧａＡｓ基板３１１Ｃ活性層領域３２およびゲー
ト３３を形成した後、酸化膜を付着しる。次に、ゲート
３３と酸化膜３４をマスクとしてシリコンイオンの注入
によシ、コンタクト層領域３６を形成する。その後前述
の第１の実施例と同様に薄い酸化膜を付着し同様の工程
を経て第３図（ｂ）のような電界効果トランジスタを作
製する。
ある。ＧａＡｓ基板３１１Ｃ活性層領域３２およびゲー
ト３３を形成した後、酸化膜を付着しる。次に、ゲート
３３と酸化膜３４をマスクとしてシリコンイオンの注入
によシ、コンタクト層領域３６を形成する。その後前述
の第１の実施例と同様に薄い酸化膜を付着し同様の工程
を経て第３図（ｂ）のような電界効果トランジスタを作
製する。
この実施例では、コンタクト層３８がノース電極４２側
のゲート３３端直下まであるため、ソース抵抗の低減が
可能でトランジスタの特性が向上するという利点がある
。
のゲート３３端直下まであるため、ソース抵抗の低減が
可能でトランジスタの特性が向上するという利点がある
。
以上説明したように本発明は、電界効果トランジスタの
コンタクト層をゲートを中心として自己整合的忙非対称
忙作成できることによりトランジスタの帰還容量を低減
しドレイン耐圧の向上を図った多数のトランジスタを均
一性良く作製するととができる。
コンタクト層をゲートを中心として自己整合的忙非対称
忙作成できることによりトランジスタの帰還容量を低減
しドレイン耐圧の向上を図った多数のトランジスタを均
一性良く作製するととができる。
このような電界効果トランジスタは、ミリ波帯等の高周
波領域において広い利用が期待されるものである。
波領域において広い利用が期待されるものである。
第１図伸）〜（Ｃ）はこの発明の原理説明図、ｖｇ２図
（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第１の実施例の工程断面図
、第３図（ａ）〜（ｂ）はこの発明の第２の実施例の工
程断面図、第４図は従来技術の説明図である。 図中、１．５１−−−−・一基板、１１．３１ ・−−
−−−ＧａＡｓ基板、２．１２．３２．５２・・−・・
活性層領域、３．１３．３３゜５３−・・・・・ゲート
、４・・・・・・第１絶縁膜、５・・・・・・＃ｌ壁膜
、６・・・・・・第２絶縁膜、７．８．．１６．１７．
５４−−−−−・側壁、９．５５・・・・・・イオンビ
ーム、１０．１９．３６．５６・・・・・・コンタクト
層領域、１４．３４・・・・・・酸化膜、１５・・・・
・・レジスト、１８．３５・・・・・・シリコンイオン
ビーム、２０、３７・・・・・・活性層、２１・・・・
・・コンタクト層、２２゜４０・・・・・・オーミック
金属、２３．４１・・・・・・絶縁膜、２４゜４２・・
・・・・ソース電極、２５．４３・・・・・・ドレイン
電極、３８．３９・・・・・・コンタクト層。 イオンビーム ｙｆ！ｉｆ図 筋２図 ↓ ↓ φ ↓ ｊ φ １ ψ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓
箔３図
（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の第１の実施例の工程断面図
、第３図（ａ）〜（ｂ）はこの発明の第２の実施例の工
程断面図、第４図は従来技術の説明図である。 図中、１．５１−−−−・一基板、１１．３１ ・−−
−−−ＧａＡｓ基板、２．１２．３２．５２・・−・・
活性層領域、３．１３．３３゜５３−・・・・・ゲート
、４・・・・・・第１絶縁膜、５・・・・・・＃ｌ壁膜
、６・・・・・・第２絶縁膜、７．８．．１６．１７．
５４−−−−−・側壁、９．５５・・・・・・イオンビ
ーム、１０．１９．３６．５６・・・・・・コンタクト
層領域、１４．３４・・・・・・酸化膜、１５・・・・
・・レジスト、１８．３５・・・・・・シリコンイオン
ビーム、２０、３７・・・・・・活性層、２１・・・・
・・コンタクト層、２２゜４０・・・・・・オーミック
金属、２３．４１・・・・・・絶縁膜、２４゜４２・・
・・・・ソース電極、２５．４３・・・・・・ドレイン
電極、３８．３９・・・・・・コンタクト層。 イオンビーム ｙｆ！ｉｆ図 筋２図 ↓ ↓ φ ↓ ｊ φ １ ψ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓
箔３図
Claims (1)
- ゲートを形成した基板表面のゲートの中央部より片側に
第１の絶縁膜を設ける工程と、第１の絶縁膜を設けた基
板表面全面に第２の絶縁膜を設ける工程と、ゲート側壁
の絶縁膜以外の絶縁膜を選択的にエッチングして除去す
る工程と、ゲートおよびその両側の側壁絶縁膜をマスク
としてイオンビームを注入してコンタクト層領域を形成
する工程とを含む電界効果トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25300286A JPS63107071A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25300286A JPS63107071A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107071A true JPS63107071A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17245120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25300286A Pending JPS63107071A (ja) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107071A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220030A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US5001077A (en) * | 1989-11-08 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing an asymmetrically doped LDD MESFET |
| JPH043434A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| EP0598711A2 (en) * | 1989-04-12 | 1994-05-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | MESFET source/drain structure |
| US5512499A (en) * | 1991-03-01 | 1996-04-30 | Motorola, Inc, | Method of making symmetrical and asymmetrical MESFETS |
| US11155531B2 (en) * | 2016-03-14 | 2021-10-26 | Neostrata Company, Inc. | N-lipoic-amino acid or peptide, derivatives and their uses |
-
1986
- 1986-10-23 JP JP25300286A patent/JPS63107071A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220030A (ja) * | 1988-07-07 | 1990-01-23 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
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| EP0598711A3 (en) * | 1989-04-12 | 1994-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | Mesfet source/drain structure. |
| US5376812A (en) * | 1989-04-12 | 1994-12-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US5001077A (en) * | 1989-11-08 | 1991-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing an asymmetrically doped LDD MESFET |
| JPH043434A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| US5296398A (en) * | 1990-04-19 | 1994-03-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making field effect transistor |
| US5344788A (en) * | 1990-04-19 | 1994-09-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making field effect transistor |
| US5510280A (en) * | 1990-04-19 | 1996-04-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making an asymmetrical MESFET having a single sidewall spacer |
| US5512499A (en) * | 1991-03-01 | 1996-04-30 | Motorola, Inc, | Method of making symmetrical and asymmetrical MESFETS |
| US11155531B2 (en) * | 2016-03-14 | 2021-10-26 | Neostrata Company, Inc. | N-lipoic-amino acid or peptide, derivatives and their uses |
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