JPS631027A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS631027A JPS631027A JP14411786A JP14411786A JPS631027A JP S631027 A JPS631027 A JP S631027A JP 14411786 A JP14411786 A JP 14411786A JP 14411786 A JP14411786 A JP 14411786A JP S631027 A JPS631027 A JP S631027A
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- jig
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(発明の技術分野)
本発明は、特KGa P、GaAs 、GaAAA、s
等の発光素子の製造に使用する半導体製造装置に関する
。
等の発光素子の製造に使用する半導体製造装置に関する
。
(従来の技術)
従来、上紀発光素子を製造する装置としては、例えば第
3図に示す如く結晶基板を水平にセットするものが知ら
れている。
3図に示す如く結晶基板を水平にセットするものが知ら
れている。
図中の1は、結晶基板収納部材である。この収納部材1
には、排気口2を有した第1回転部材3、及び第2回転
部材4が対向して設けられている。
には、排気口2を有した第1回転部材3、及び第2回転
部材4が対向して設けられている。
前記第2回転部材4上には基板セット治具5がセットさ
れ、この治具5の上に結晶基板6が載置される。なお1
図中の7は注入路である。前記収納部材1の上部には、
溶液溜部材8が設けられている。この溶液溜部材8は上
部にM9を、底部に注出口10をMした溶液槽11a、
llbからなり、溶液槽11a、llb間には排気口1
2が設けられている。前記収納部材1の下部には排液溜
部杓13が設けられ、この部材13には排液槽14が設
けられている。
れ、この治具5の上に結晶基板6が載置される。なお1
図中の7は注入路である。前記収納部材1の上部には、
溶液溜部材8が設けられている。この溶液溜部材8は上
部にM9を、底部に注出口10をMした溶液槽11a、
llbからなり、溶液槽11a、llb間には排気口1
2が設けられている。前記収納部材1の下部には排液溜
部杓13が設けられ、この部材13には排液槽14が設
けられている。
しかしながら、第3図の半導体製造装置は、結晶基板6
f水平にセットして液相成長を行う構造であるため、エ
ピタキシャル成長層(LPE層)は均一に成長する特長
を有するが、LPE層形成後、結晶基板6の周辺にはパ
リが発生し、その析出量に相当する分だけ成長が阻害さ
れる。
f水平にセットして液相成長を行う構造であるため、エ
ピタキシャル成長層(LPE層)は均一に成長する特長
を有するが、LPE層形成後、結晶基板6の周辺にはパ
リが発生し、その析出量に相当する分だけ成長が阻害さ
れる。
また、従来、結晶基板を傾斜してセットするスリット方
式の半導体製造装置として第4図に示すものが知られて
いる。但し、第3図と同部材のものは同符号を付す、 図中の21は結晶基板収納部材1と溶液溜部材8間に設
けられた第1中間部材であり、該中間部材2ノにはtト
入ロ22が設けられている。また。
式の半導体製造装置として第4図に示すものが知られて
いる。但し、第3図と同部材のものは同符号を付す、 図中の21は結晶基板収納部材1と溶液溜部材8間に設
けられた第1中間部材であり、該中間部材2ノにはtト
入ロ22が設けられている。また。
前記収納部材fKは、該部材1の指動によって前記注入
口22と連通ずる注入ガイド23が設けられている。前
記収納部材1と排液溜部材13間には第2中間部材24
が設けられ、この中間部材24には排出口25が設けら
れている。なお、図中の26a、26b、26cは、夫
々溶液溜部材8、収納部材1及び第2中間部材24に設
けられたスライド棒である。
口22と連通ずる注入ガイド23が設けられている。前
記収納部材1と排液溜部材13間には第2中間部材24
が設けられ、この中間部材24には排出口25が設けら
れている。なお、図中の26a、26b、26cは、夫
々溶液溜部材8、収納部材1及び第2中間部材24に設
けられたスライド棒である。
こうした構造の半導体製造装置によれば、GaP、G
a A S 、 On A II A S等(7) L
P E層を1回のLPEでP型・N型の()a溶液を
使い分けて、結晶基板上に各々のJ、 P E層を形成
することが出来る。しかし、このスリット方式の装置に
よれば、結晶基板内のLPEJI厚にムラが生じるとと
もに1周辺に発生するパリの為、P型・N型Ga溶液の
入れ替え時の溶液切れの度合が、LPE層の特性に影響
を与える。
a A S 、 On A II A S等(7) L
P E層を1回のLPEでP型・N型の()a溶液を
使い分けて、結晶基板上に各々のJ、 P E層を形成
することが出来る。しかし、このスリット方式の装置に
よれば、結晶基板内のLPEJI厚にムラが生じるとと
もに1周辺に発生するパリの為、P型・N型Ga溶液の
入れ替え時の溶液切れの度合が、LPE層の特性に影響
を与える。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明はL記事情に鑑みてなされたもので、結晶基板の
周辺rこパリが発生するのを防止し得る半導体製造装置
を提供することを目的とする。
周辺rこパリが発生するのを防止し得る半導体製造装置
を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段と作用)本発明は、基板
セット治具が複数に分割可能で、かつ合体時には結晶基
板を該基板の局側部をト′覆うようにして把持する構造
となっている。従って、成長後結晶基板の周辺にパリが
発生するのを防止できる。
セット治具が複数に分割可能で、かつ合体時には結晶基
板を該基板の局側部をト′覆うようにして把持する構造
となっている。従って、成長後結晶基板の周辺にパリが
発生するのを防止できる。
(実施例)
以下1本発明の一実施例を第1図(a)〜(fl及び第
2図(a) 、 (b)を参照して説明する。ここで、
第1図(a)〜(flは夫々本発明に係る半導体製造装
置を用いた各エピタキシャル成長工程の断面図、第2図
(al 、 (b)は夫々同装置に係る基板セット治具
の断面図である。
2図(a) 、 (b)を参照して説明する。ここで、
第1図(a)〜(flは夫々本発明に係る半導体製造装
置を用いた各エピタキシャル成長工程の断面図、第2図
(al 、 (b)は夫々同装置に係る基板セット治具
の断面図である。
本装置は、主として基板収納部材31、この基板収納部
材31内に該部材3ノの長手方向に貫通して設けられた
スライド回部な回転部材32、前記基板収納部材31−
ヒに設けられたスライド可能な溶液溜部材33及び、前
記基板収納部材31の下に設けられた廃液H部材34か
ら構成される。
材31内に該部材3ノの長手方向に貫通して設けられた
スライド回部な回転部材32、前記基板収納部材31−
ヒに設けられたスライド可能な溶液溜部材33及び、前
記基板収納部材31の下に設けられた廃液H部材34か
ら構成される。
前記基板収納部材31には、排気ガイド35(第1図(
b) 、 (e) 、 (f) 、 (g)図示)、成
長溶液を後記注入路に麻入するための注入ガイド36(
第1図(b) 、 (f)図示)、及び排出口s 71
R1図te1.(g)図示)が夫々設けられている。
b) 、 (e) 、 (f) 、 (g)図示)、成
長溶液を後記注入路に麻入するための注入ガイド36(
第1図(b) 、 (f)図示)、及び排出口s 71
R1図te1.(g)図示)が夫々設けられている。
前記回転部材32は、上方に位置する第1回転部材32
aと下方に位置する第2回転部材32bとから構成され
る。前記第1回転部材322には、上記排気ガイド35
と連通する排気口38が設けられている、前記第2回転
部材32b上には、結晶基板39をセットするための基
板セット治具40が設けられている。前r基板セット治
具4゜は、例えば第2図(a) 、 (b)に示す如く
部材40a。
aと下方に位置する第2回転部材32bとから構成され
る。前記第1回転部材322には、上記排気ガイド35
と連通する排気口38が設けられている、前記第2回転
部材32b上には、結晶基板39をセットするための基
板セット治具40が設けられている。前r基板セット治
具4゜は、例えば第2図(a) 、 (b)に示す如く
部材40a。
40bに2分割可能な4i造となっている。そして、第
2図(a)の状態で結晶基板39をセットし、同図(b
)の状態で基板39の周側部を把持して前記治具40に
セットされる。前記第1回転部材32a。
2図(a)の状態で結晶基板39をセットし、同図(b
)の状態で基板39の周側部を把持して前記治具40に
セットされる。前記第1回転部材32a。
第2回転部材32bの間は、結晶基板39V(成長溶液
を供給するだめの注入路41となっている。
を供給するだめの注入路41となっている。
前記溶液溜部材33ば、2つの溶液槽33.。
332からなる。これら溶液槽33..33.の上部に
は蓋42が、かつ底部には注出口43が夫々設けられて
いる。また、前記溶液槽33.。
は蓋42が、かつ底部には注出口43が夫々設けられて
いる。また、前記溶液槽33.。
332間には、排気口44が設けられている。
前記廃液溜部材34には、反応後の成長溶液を収容する
廃液槽45が設けられている。
廃液槽45が設けられている。
次に゛、前述した構造の半導体製造装着の作用について
説明する。
説明する。
(7) まず、基板セット治具40に結晶基板39をセ
ットする(第2図(a1図示)。つづいて、前記治具4
0を第2図(b)の状態にし、結晶基板39の周側部を
把持・固定する。
ットする(第2図(a1図示)。つづいて、前記治具4
0を第2図(b)の状態にし、結晶基板39の周側部を
把持・固定する。
(イ) 次に、前記治具39を第2回転部材32b上に
セットした後、溶液溜部材33の溶液槽33、.33.
に夫々第1・第2成長溶液を収容する。つづいて、上記
装置を反応管内に設置し、反応管内を真空度I X 1
0” Torr以下にした後、H2ガスを充填し反応管
内をヒータで昇温しで任意の温度にし、この状態で12
0分間保持する(第1図(21図示)6 (勿 次に、−方の溶液槽33.をスライドした後、前
記治具40を回転させる。その結果、第1図(blに示
す如く、溶液槽331の注出口43と収納部材31の注
入ガイド36とが位置合わされる。
セットした後、溶液溜部材33の溶液槽33、.33.
に夫々第1・第2成長溶液を収容する。つづいて、上記
装置を反応管内に設置し、反応管内を真空度I X 1
0” Torr以下にした後、H2ガスを充填し反応管
内をヒータで昇温しで任意の温度にし、この状態で12
0分間保持する(第1図(21図示)6 (勿 次に、−方の溶液槽33.をスライドした後、前
記治具40を回転させる。その結果、第1図(blに示
す如く、溶液槽331の注出口43と収納部材31の注
入ガイド36とが位置合わされる。
ここで、溶液槽33.より第1成長液を注入ガイド36
よシ前記注入路41に注入し、治具4oに予めセットさ
れた結晶基板39と接触させる。
よシ前記注入路41に注入し、治具4oに予めセットさ
れた結晶基板39と接触させる。
(に)次に、直ちに第1図(clの如く溶液溜部材33
を元の位置に戻し、治具40を水平状態にする。なお、
第1図(dl K示す如く治具4oを180度回転させ
て水平状態にしてもよい。つづいて、冷却速度2〜0.
2°C/分の割合いで降温し、結晶基板39上に第1L
PE層を形成する。
を元の位置に戻し、治具40を水平状態にする。なお、
第1図(dl K示す如く治具4oを180度回転させ
て水平状態にしてもよい。つづいて、冷却速度2〜0.
2°C/分の割合いで降温し、結晶基板39上に第1L
PE層を形成する。
(3)次に、任意の温度まで降温した時点で、第1図(
e)の如く、溶液溜部材33の排気口44と収納部材3
ノの排気ガイド35とを位置合わせとともに、治具40
を回転させて治具4oの注入路4ノと結晶収納部材31
の排出口32とを位置合わせる。これにより、第1成長
溶液を排液溜部材34の排液槽45に排出する。
e)の如く、溶液溜部材33の排気口44と収納部材3
ノの排気ガイド35とを位置合わせとともに、治具40
を回転させて治具4oの注入路4ノと結晶収納部材31
の排出口32とを位置合わせる。これにより、第1成長
溶液を排液溜部材34の排液槽45に排出する。
(2)) 次に、溶液[J 3 、をスライドした後、
治具4Qを回転させ、第1図(f)に示す如く溶液溜部
材33の注出口43と収納部材31の注入ガイド36と
を位置合わせ、溶液溜部材33の溶液槽33、から第2
成長溶液を収納部材3ノの注入ガイド36より治具40
の注入路4ノに注入し、結晶基板39と接触させる。
治具4Qを回転させ、第1図(f)に示す如く溶液溜部
材33の注出口43と収納部材31の注入ガイド36と
を位置合わせ、溶液溜部材33の溶液槽33、から第2
成長溶液を収納部材3ノの注入ガイド36より治具40
の注入路4ノに注入し、結晶基板39と接触させる。
(鰯 次に、直に第1図(C)の如く溶液溜部材33を
元の位置に戻し、治具40を水平の状態にするか、ある
いVi第1図fd)の如く180度回転させて水平状態
にする。つづいて、冷却速度2〜0.2℃/分の割合い
で降温して、結晶基板39の第1LPE層の上に第2
L P E !iを形成する。
元の位置に戻し、治具40を水平の状態にするか、ある
いVi第1図fd)の如く180度回転させて水平状態
にする。つづいて、冷却速度2〜0.2℃/分の割合い
で降温して、結晶基板39の第1LPE層の上に第2
L P E !iを形成する。
(イ) 次に、任意の温度まで降温した時点で第1図(
g)の如く、溶液溜部材33の排気口44と収納部材3
ノの排気ガイド35とを位置合わせするとともに、治具
40を回転させて治具4θの注入路41と収納部材3ノ
の排出口37とを位置合わせ、第2成長溶液を排液溜部
材34の排液槽45に排出する。
g)の如く、溶液溜部材33の排気口44と収納部材3
ノの排気ガイド35とを位置合わせするとともに、治具
40を回転させて治具4θの注入路41と収納部材3ノ
の排出口37とを位置合わせ、第2成長溶液を排液溜部
材34の排液槽45に排出する。
上記実施例に係る半導体製造装置によれば、基板セット
治具35が第2図(a) 、 (b)に示す如く2分割
可能で、合体時には結晶基板36を該基板36の周側部
を覆うように把持するf4造となっているため、従来と
比べ結晶基板36の周辺のバリを大幅に低減できる。事
実、基板を水平にセットするスライド方式の従来装置に
よれば、第4図(a)に示す如く基板51及びT、 P
E層52周辺に大きなバリ53が発生する。これに対
し、本発明装置によれば、同図(b)に示す如くバリ5
3が大幅に減少する。、tた、基板を傾斜してセットす
るスリット方式の従来装置によれば1例えばP型の結晶
基板を使用し、途中で成長溶液を入7″L替えて速続し
てLPE層を形成し、P−Nジャンクションを形成する
場合、第5図(a)に示す如く結晶基板5ノ、LPE層
52a 、52bの周辺に大きなバリが発生するととも
に、LPE層52a、52bの膜厚にバラツキが生ずる
。
治具35が第2図(a) 、 (b)に示す如く2分割
可能で、合体時には結晶基板36を該基板36の周側部
を覆うように把持するf4造となっているため、従来と
比べ結晶基板36の周辺のバリを大幅に低減できる。事
実、基板を水平にセットするスライド方式の従来装置に
よれば、第4図(a)に示す如く基板51及びT、 P
E層52周辺に大きなバリ53が発生する。これに対
し、本発明装置によれば、同図(b)に示す如くバリ5
3が大幅に減少する。、tた、基板を傾斜してセットす
るスリット方式の従来装置によれば1例えばP型の結晶
基板を使用し、途中で成長溶液を入7″L替えて速続し
てLPE層を形成し、P−Nジャンクションを形成する
場合、第5図(a)に示す如く結晶基板5ノ、LPE層
52a 、52bの周辺に大きなバリが発生するととも
に、LPE層52a、52bの膜厚にバラツキが生ずる
。
こAK対し、本発明装置によれば、バリ53を大幅に低
減できるとともに、LPE層52a。
減できるとともに、LPE層52a。
52bの膜厚を均一にできた。
なお、基板セット治具の用い方は上記実施例の場合に限
らす、第6図の祠造り装置のように用いてもよい。この
場合、L l’ B3g厚のバラツキ(4変らないが基
板周辺のパリは減少できる。また、基板を水平にセット
するスライド方式の場合も同様でちる。
らす、第6図の祠造り装置のように用いてもよい。この
場合、L l’ B3g厚のバラツキ(4変らないが基
板周辺のパリは減少できる。また、基板を水平にセット
するスライド方式の場合も同様でちる。
以上詳述したように本発明によれば、結晶基板周辺のパ
リを大幅に減少するとともに、LPE層厚を均一にし得
る半導体製造装置を提供できる。
リを大幅に減少するとともに、LPE層厚を均一にし得
る半導体製造装置を提供できる。
第1図(al〜け)は夫々本発明の一実施例に係る半導
体製造装置をエピタキシャル成長工程順に示す断面図、
第2図(al 、 (b)は夫々同装置に係る基板セッ
ト治具の断面図、第3図は従来の半導体製造装置の断面
図、第4図(a) 、 (b)及び第5図(a) 、
(b)は夫々従来及び本発明装置による結晶基板のパリ
の説明図、第6図は従来の他の半導体製造装置の断面図
である。 3 J−・・結晶基板収納部材、32.32a、32b
・・・回転部材、33・・・溶液溜部材、331.33
゜・・・溶液槽、34・・・廃液溜部材、35・・・排
気ガイド。 36・・・注入ガイド、37・・・排出口% 38.4
4・・・パ排気口、39・・・結晶基板、40・・・基
板セット治具、4ノ・・・注入路、43・・・注畠口%
45・・・廃液槽。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 愚弟′ (b) 11] (e) (f) 第1図 (a)
体製造装置をエピタキシャル成長工程順に示す断面図、
第2図(al 、 (b)は夫々同装置に係る基板セッ
ト治具の断面図、第3図は従来の半導体製造装置の断面
図、第4図(a) 、 (b)及び第5図(a) 、
(b)は夫々従来及び本発明装置による結晶基板のパリ
の説明図、第6図は従来の他の半導体製造装置の断面図
である。 3 J−・・結晶基板収納部材、32.32a、32b
・・・回転部材、33・・・溶液溜部材、331.33
゜・・・溶液槽、34・・・廃液溜部材、35・・・排
気ガイド。 36・・・注入ガイド、37・・・排出口% 38.4
4・・・パ排気口、39・・・結晶基板、40・・・基
板セット治具、4ノ・・・注入路、43・・・注畠口%
45・・・廃液槽。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 愚弟′ (b) 11] (e) (f) 第1図 (a)
Claims (1)
- 結晶基板上に液相エピタキシャル層を形成する半導体製
造装置において、排気ガイド、成長溶液を前記結晶基板
へ導くための注入ガイド及び反応後の成長溶液を排出す
るための排出口を夫々有した基板収納部材と、この基板
収納部材に貫通して設けられ内部に基板セット治具、成
長溶液用の注入路及び排気口を夫々有したスライド可能
な回転部材と、前記基板収納部材上に設けられ成長溶液
を収容するスライド可能な溶液溜部材と、前記基板収納
部材下に設けられ反応後の成長溶液を収容する廃液溜部
材とを具備し、前記基板セット治具が複数に分割可能で
、かつ合体時には前記結晶基板を該基板の周側部を覆う
ようにして把持する構造となっていることを特徴とする
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14411786A JPS631027A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14411786A JPS631027A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS631027A true JPS631027A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15354586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14411786A Pending JPS631027A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS631027A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008156867A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Univ Of Fukui | 地中熱利用の循環型吸放熱装置 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14411786A patent/JPS631027A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008156867A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Univ Of Fukui | 地中熱利用の循環型吸放熱装置 |
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