JPS63102331A - 半導体集積回路の検査方法 - Google Patents
半導体集積回路の検査方法Info
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- JPS63102331A JPS63102331A JP61248742A JP24874286A JPS63102331A JP S63102331 A JPS63102331 A JP S63102331A JP 61248742 A JP61248742 A JP 61248742A JP 24874286 A JP24874286 A JP 24874286A JP S63102331 A JPS63102331 A JP S63102331A
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- JP
- Japan
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- leakage
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- photoirradiated
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、相補型半導体集積回路(以下、CMO8LS
Iと略す)の故障解析に有益な検査方法に関する。
Iと略す)の故障解析に有益な検査方法に関する。
従来の技術
CMO8LSIは、そのデバイスの構造上スタンバイ時
の消費電流(以下電源リークと呼ぶ)が、他のデバイス
と比較して、著しく小さいという特長があり、それゆえ
にCMO3LSIを設計する際にはその特長を十分生か
した設計をすべきである。しかしながら、CMO8LS
Iは回路設計によっては、回路内の動作状態によりハイ
インピーダンスのノード(以下フローティングノードと
呼ぶ)が存在する場合がある。
の消費電流(以下電源リークと呼ぶ)が、他のデバイス
と比較して、著しく小さいという特長があり、それゆえ
にCMO3LSIを設計する際にはその特長を十分生か
した設計をすべきである。しかしながら、CMO8LS
Iは回路設計によっては、回路内の動作状態によりハイ
インピーダンスのノード(以下フローティングノードと
呼ぶ)が存在する場合がある。
発明が解決しようとする問題点
フローティングノードが形成されている場合、そのノー
ドの電位は不安定であり中間電位になることがある。こ
のような場合、このフローティングノードに接続されて
いる入力ゲートは、PチャネルトランジスタとNチャネ
ルトランジスタが共に導通状態となってしまい、その入
力ゲートの正の電源側から負の電源側に貫通電流が流れ
電源リーク電流の値を増加させてしまうことがある。こ
のような箇所が大規模化してLSIの内部に存在してい
る場合、その箇所を検出することは、大変困難な作業で
ある。
ドの電位は不安定であり中間電位になることがある。こ
のような場合、このフローティングノードに接続されて
いる入力ゲートは、PチャネルトランジスタとNチャネ
ルトランジスタが共に導通状態となってしまい、その入
力ゲートの正の電源側から負の電源側に貫通電流が流れ
電源リーク電流の値を増加させてしまうことがある。こ
のような箇所が大規模化してLSIの内部に存在してい
る場合、その箇所を検出することは、大変困難な作業で
ある。
従来、このような不良箇所を検出する効果的な解析手法
は見出されていなかった。
は見出されていなかった。
本発明は、上記のようなフローティングノードに起因し
た電源リーク不良の故障箇所を検出することの可能な検
査手段を提供するものである。
た電源リーク不良の故障箇所を検出することの可能な検
査手段を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、CMO8LSIのデバイスのチップ表面に形
成されている回路パターンの拡散層の一部に光を照射さ
せ、電源リークの値を検査する方法で、光の照射位置を
移動させながら電源リークの値を測定し、故障箇所を検
出する方法である。
成されている回路パターンの拡散層の一部に光を照射さ
せ、電源リークの値を検査する方法で、光の照射位置を
移動させながら電源リークの値を測定し、故障箇所を検
出する方法である。
作用
本発明によると、半導体のPn接合に光を照射した時に
光起電力が生じ、これを利用して、フローティングノー
ドの位置を検出することが可能である。CMO8LSI
の場合、P型板散層に光が照射されるとその拡散層内に
正孔が発生し正の電圧を生ずる。またN型拡散層に光が
照射された場合はその拡散層内に電子が発生し負の電圧
を生ずる。この作用を利用して回路内のフローティング
ノードに接続されているP型またはN型拡散層に光を照
射し、フローティングノードの電位を強制的に変化させ
、その時の電源リーク電流の変化を検出することができ
る。
光起電力が生じ、これを利用して、フローティングノー
ドの位置を検出することが可能である。CMO8LSI
の場合、P型板散層に光が照射されるとその拡散層内に
正孔が発生し正の電圧を生ずる。またN型拡散層に光が
照射された場合はその拡散層内に電子が発生し負の電圧
を生ずる。この作用を利用して回路内のフローティング
ノードに接続されているP型またはN型拡散層に光を照
射し、フローティングノードの電位を強制的に変化させ
、その時の電源リーク電流の変化を検出することができ
る。
実施例
本発明による一実施例を説明する。
図面は、本発明の検査方法を実施するための装置である
。同図で、1は光源、2はスポット状の光、3は被測定
デバイス(以下DUTと呼ぶ)、4はX−Yステージ、
5はX−Yステージ位置制御装置、6はパターンジェネ
レータ、7はDC測定ユニット、8はコントローラ、9
は出力装置である。また、X−Yステージ位置制御装置
5、パターンジェネレータ6、DC測定ユニット7、出
力袋N9はケーブルによってコントローラ8と接続され
る。またDUT3の周辺は光シールド用ボックス10に
よって光シールドされる。
。同図で、1は光源、2はスポット状の光、3は被測定
デバイス(以下DUTと呼ぶ)、4はX−Yステージ、
5はX−Yステージ位置制御装置、6はパターンジェネ
レータ、7はDC測定ユニット、8はコントローラ、9
は出力装置である。また、X−Yステージ位置制御装置
5、パターンジェネレータ6、DC測定ユニット7、出
力袋N9はケーブルによってコントローラ8と接続され
る。またDUT3の周辺は光シールド用ボックス10に
よって光シールドされる。
次に、この図面の装置を用いて、本発明の方法について
説明する。
説明する。
DUT3のチップ表面上に照射される光の照射面積に相
当する大きさを1ブロツクとして、チップ全体を理論上
、多数にブロック分けする。このときX−Yステージを
移動させてブロック分けした各ブロック内にだけ光が照
射されるようにX−Yステージ位置制御装置5によって
、X−Yステージを移動させる座標位置をコントローラ
8で制御して、同コントローラ8の指示によって任意の
ブロックに光が照射できるようにしてお(。次にパター
ンジェネレータ6とDC測定ユニット7により、DUT
3に電源電圧と入カバターンを印加して電源リークを測
定できる状態にセットする。
当する大きさを1ブロツクとして、チップ全体を理論上
、多数にブロック分けする。このときX−Yステージを
移動させてブロック分けした各ブロック内にだけ光が照
射されるようにX−Yステージ位置制御装置5によって
、X−Yステージを移動させる座標位置をコントローラ
8で制御して、同コントローラ8の指示によって任意の
ブロックに光が照射できるようにしてお(。次にパター
ンジェネレータ6とDC測定ユニット7により、DUT
3に電源電圧と入カバターンを印加して電源リークを測
定できる状態にセットする。
電源リークの測定値はコントローラ8からの指示があれ
ば、常に測定値をこのコントローラ8に送信できるよう
にセットする。以上の状態で、1ブロツクずつ光を照射
していき、その時の電源リークの測定値とブロックの位
置を記録してい(。
ば、常に測定値をこのコントローラ8に送信できるよう
にセットする。以上の状態で、1ブロツクずつ光を照射
していき、その時の電源リークの測定値とブロックの位
置を記録してい(。
光を照射したことによって電源リーク値の測定値が変化
したブロックがあれば、そのブロック内の回路にフロー
ティングノードが存在していることが推定できる。
したブロックがあれば、そのブロック内の回路にフロー
ティングノードが存在していることが推定できる。
発明の効果
本発明によれば、CMO3LSIのチップ内の回路のフ
ローティングノードを容易に検出することができ、故障
解析に要する時間を大幅に削減することができる。
ローティングノードを容易に検出することができ、故障
解析に要する時間を大幅に削減することができる。
図面は本発明を実施するための検査装置概要図である。
1・・・・・・光源、2・・・・・・光源から出力され
る光、3・・・・・・被測定デバイス、4・・・・・・
X−Yステージ、5・・・・・・X−Yステージ位置制
御装置、6・・・・・・パターンジェネレータ、7・・
・・・・DC測定ユニット、8・・・・・・コントロー
ラ、9・・・・・・出力装置、10・・・・・・光シー
ルド用ボックス・
る光、3・・・・・・被測定デバイス、4・・・・・・
X−Yステージ、5・・・・・・X−Yステージ位置制
御装置、6・・・・・・パターンジェネレータ、7・・
・・・・DC測定ユニット、8・・・・・・コントロー
ラ、9・・・・・・出力装置、10・・・・・・光シー
ルド用ボックス・
Claims (1)
- 半導体集積回路のチップ表面に形成されている回路パタ
ーンの拡散層の一部分に光を照射し、この光の照射位置
を移動させながら、リーク電流を検査することを特徴と
する半導体集積回路の検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248742A JPS63102331A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61248742A JPS63102331A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路の検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63102331A true JPS63102331A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17182686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61248742A Pending JPS63102331A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体集積回路の検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63102331A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056278A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の検査方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5721832A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Toshiba Corp | Measuring apparatus for semiconductor |
JPS5780731A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Toshiba Corp | Detecting device for improper semiconductor |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61248742A patent/JPS63102331A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5721832A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Toshiba Corp | Measuring apparatus for semiconductor |
JPS5780731A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Toshiba Corp | Detecting device for improper semiconductor |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010056278A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の検査方法 |
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