JPS63101831A - Active matrix liquid crystal display device and its manufacture - Google Patents
Active matrix liquid crystal display device and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクティブ・マトリクス液晶表示装置及びその
製造方法に関し、特に電界効果型トラン２ジスタ等のア
クティブ素子と画素電極を格子状に配置して駆動し、こ
れにより液晶層に表示させるアクティブ・マトリクス液
晶表示装置及びその製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, and in particular, to an active matrix liquid crystal display device and a method for manufacturing the same. The present invention relates to an active matrix liquid crystal display device that is driven to cause display on a liquid crystal layer, and a method for manufacturing the same.
従来、ツイスト・ネマティック型（ＴＮ型）を中心とす
る液晶表示装置の応用が発展し、腕時計や電４等に大量
に利用されているが、さらに文字や図形等の任意表示が
可能なマトリクス型の液晶表示装置も使われ始めている
。このマトリクス液晶表示装置はストライプ状の電極を
有する二枚の基板を液晶を介して互に対向して配置した
液晶表示装置である。In the past, the application of liquid crystal display devices centered on the twisted nematic type (TN type) has been developed and is used in large quantities in wristwatches, electronic devices, etc., but the matrix type is also capable of displaying arbitrary characters such as characters and figures. Liquid crystal display devices are also beginning to be used. This matrix liquid crystal display device is a liquid crystal display device in which two substrates having striped electrodes are arranged facing each other with a liquid crystal interposed therebetween.
また最近では、このマトリクス液晶表示装置の表示容量
を大幅に増加させるために、液晶表示装置の各画素にア
クティブ素子を直列に配置したアクティブ・マトリクス
液晶表示装置が提案されている。このアクティブ・マト
リクス液晶表示装置においては、基板に形成されるデー
タ信号電極と走査信号電極とが互いに垂直に交差するよ
うに形成される。かかるアクティブ・マトリクスに関し
ては、雑誌「プロシーディング・オブ・エスアイデ４−
（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ５ＩＤ） Ｊ 、
第２４巻、第２号（昭和５８年発行）収録の１８５頁が
らの論文“プロミス・アンド・チャレンジ・オブ・シン
フィルム・シリコン・アプローチズ・トウ・アクティブ
・マトリクス” （Ｐｒｏｍｉｓｅ ａｎｄ Ｃｂａ
ｌ’１ｅＢｅｏｒ Ｔｈｉｎ−ＦｉｌｍＳｉｌｉｃｏｎ
Ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｔｏ ＡｃｔｉｖｅＭａｔｒ
ｉｃｅｓ ）に記載されている。Recently, active matrix liquid crystal display devices have been proposed in which active elements are arranged in series in each pixel of the liquid crystal display device in order to significantly increase the display capacity of the matrix liquid crystal display device. In this active matrix liquid crystal display device, data signal electrodes and scanning signal electrodes formed on a substrate are formed to cross each other perpendicularly. Regarding such active matrices, please refer to the magazine ``Proceedings of SIDE 4-
(Proceedings of 5ID) J,
The 185-page paper “Promise and Challenge of Thin-Film Silicon Approaches to Active Matrix” included in Volume 24, No. 2 (published in 1985).
l'1eBeor Thin-FilmSilicon
Approaches to ActiveMatr
ices).
前記ＴＮ型液晶表示装置はコントラストを高くすること
は出来るが、文字１図形等の表示範囲が限定されてしま
う問題がある。Although the TN type liquid crystal display device can increase the contrast, there is a problem in that the display range of one character, one figure, etc. is limited.
また、通常のマトリクス液晶表示装置は表示容量の増大
が不可欠であるが、表示特性の一つである電圧透過率変
化特性はその立ち上りがそれほど急峻ではないので、表
示容量を増加させるためにマルチプレクス駆動の走査本
数を増加させると、遷択画素と非選択画素の各々にかか
る実行電圧が低下してしまう。従って、マトリクス液晶
表示装置における良好なコントラストを得るための視野
角は著しく狭くなり、走査本数も１００本程０に限定さ
れるという問題がある。In addition, it is essential for normal matrix liquid crystal display devices to increase the display capacity, but the voltage transmittance change characteristic, which is one of the display characteristics, does not have a very steep rise, so in order to increase the display capacity, it is necessary to increase the display capacity. When the number of driving scans is increased, the execution voltage applied to each of the selected pixels and the non-selected pixels decreases. Therefore, the viewing angle for obtaining good contrast in a matrix liquid crystal display device becomes extremely narrow, and the number of scanning lines is also limited to about 100 lines.
また、アクティブ・マトリクス液晶表示装置においては
、未だ絶縁基板上に形成するアクティブ素子に種々の問
題がある。即ち、このアクティブ素子としては、非晶質
シリコン（ａ−３ｉ）や多結晶シリコン（ｐ−３ｉ）を
半導体材料としたＦＥＴ構造の薄膜トランジスタ（ＴＰ
Ｔ） 、又は単結晶シリコン（ｓ−Ｓｉ）を半導体材料
としたＦＥＴ構造のＴＦＴが大部分である。これらのう
ち、前者のａ−３ｉＪ？？ｐ−３ｉのＴＦＴについは未
だ製造プロセスが確立されていないので歩留りが悪く、
良品のオン・オフ電流特性も不十分て且つ走査本数にも
限界がある。また、一枚の基板内でもオン・オフ電流特
性が一様でないため、テレビ画面のような中間調がだせ
ないだけでなくコントラストが弱くなったり１画面内に
コントラスト斑が発生したりする。一方、後者の５−３
ｉのＴＰＴは従来のシリコンＩＣプロセスをそのまま用
いることにより得られるので、歩留りもよく、良品の特
性も十分で且つ走査本数にも実用上限界がないが、この
５−３ｔは不透明であるので、全カラー化が困難になる
欠点がある。Furthermore, in active matrix liquid crystal display devices, there are still various problems with active elements formed on insulating substrates. That is, this active element is a thin film transistor (TP) with an FET structure using amorphous silicon (a-3i) or polycrystalline silicon (p-3i) as a semiconductor material.
Most of the TFTs have an FET structure using single crystal silicon (s-Si) or single crystal silicon (s-Si) as a semiconductor material. Among these, the former a-3iJ? ? The manufacturing process for p-3i TFTs has not yet been established, so yields are low.
The on/off current characteristics of non-defective products are also inadequate, and there is a limit to the number of scans. In addition, because the on/off current characteristics are not uniform even within a single substrate, not only it is not possible to produce halftones like a television screen, but also the contrast becomes weak or contrast spots occur within one screen. On the other hand, the latter 5-3
Since the TPT of i can be obtained by using the conventional silicon IC process as is, the yield is good, the characteristics of good products are sufficient, and there is no practical limit to the number of scans, but since this 5-3t is opaque, The drawback is that it is difficult to create all colors.
更に、アクティブ素子として前記ａ−３ｉやｐ−３ｉを
使用する方法の他に、サファイアまたはスピネル等の結
晶性の絶縁物上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長
させ、そのエピタキシャル層に素子（この素子はサファ
イア上に形成した場合、ＳＯ８とよばれる）を形成する
方法もある。このＳＯ８は５−３ｉ上の素子なみの性能
が得られるが、サファイア等の基板の価格が非常に高く
且つ大面積のものが得られない欠点がある。Furthermore, in addition to the method of using a-3i or p-3i as an active element, single crystal silicon is epitaxially grown on a crystalline insulator such as sapphire or spinel, and an element (this element is made of sapphire) is grown on the epitaxial layer. There is also a method of forming SO8). This SO8 can achieve performance comparable to the element on 5-3i, but has the disadvantage that the substrate made of sapphire or the like is very expensive and cannot be manufactured with a large area.
要するに、かかる従来のアクティブ・マトリクス液晶表
示装置においては、基板に形成されるデータ信号電極と
走査信号電極とは互いに垂直に交差するように同一平面
上に形成され、且つアクティブ素子にＴＰＴを用いた場
合には、これらの両電極は何らかの絶縁体薄膜を介して
素子基板の同じ面に形成されている。このため、絶縁体
薄膜のピンホールや絶縁破壊による両電極間のショート
および交差部の段差による断線が起り、製造面でも歩留
りの低下をもたらす問題がある。In short, in such a conventional active matrix liquid crystal display device, data signal electrodes and scanning signal electrodes formed on a substrate are formed on the same plane so as to cross each other perpendicularly, and TPT is used as an active element. In some cases, both of these electrodes are formed on the same surface of the element substrate via some kind of insulating thin film. For this reason, short circuits between the two electrodes due to pinholes or dielectric breakdown in the insulating thin film, and disconnections due to steps at the intersection occur, resulting in a problem of lowering yields in manufacturing.
本発明の第一の目的は、高性能にして且つデータ信号電
極と走査信号電極の短絡およびそれらの断線を防止する
アクティブ・マトリクス液晶表示装置及びその製造方法
を提供することにある。A first object of the present invention is to provide an active matrix liquid crystal display device that has high performance and prevents short-circuiting and disconnection of data signal electrodes and scanning signal electrodes, and a method for manufacturing the same.
また、本発明の第二の目的は、製造上の高歩留りを実現
するアクティブ・マトリクス液晶表示装置及びその製造
方法を提供することにある。A second object of the present invention is to provide an active matrix liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which achieve a high manufacturing yield.
本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置は、デー
タ信号電極と走査信号電極とが交差する位置にアクティ
ブ素子および画素電極を形成する素子基板と前記両電極
に対向する電極を有する対向基板とが液晶層を介して形
成されるアクティブ・マトリクス液晶表示装置において
、前記素子基板は絶縁体領域により分離された単結晶シ
リコン領域にアクティブ素子を形成したデバイス層を保
持部材に接着してなり、且つ前記デバイス層の前記アク
ティブ素子を形成した側に前記走査信号電極もしくは前
記データ信号電極を、また前記アクティブ素子を形成し
た側とは反対側に前記絶縁体領域に設けたコンタクト穴
を介して前記アクティブ素子に接続される前記画素電極
と、前記データ信号電極もしくは前記走査信号電極とを
それぞれ対応して形成するように構成される。In the active matrix liquid crystal display device of the present invention, an element substrate forming an active element and a pixel electrode at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and a counter substrate having an electrode opposite to both electrodes are arranged as a liquid crystal layer. In the active matrix liquid crystal display device formed by using an active matrix liquid crystal display device, the element substrate is formed by bonding a device layer in which an active element is formed on a single crystal silicon region separated by an insulator region to a holding member; The scanning signal electrode or the data signal electrode is connected to the active element on the side on which the active element is formed, and the active element is connected to the side opposite to the side on which the active element is formed through a contact hole provided in the insulator region. The pixel electrode and the data signal electrode or the scanning signal electrode are formed to correspond to each other.
また、本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置の
第一の製造方法は、データ信号電極と走査信号電極とが
交差する位置にアクティブ素子および画素電極を形成す
る素子基板と前記両電極に対向する電極を有する対向基
板とが液晶層を介して形成されるアクティブ・マトリク
ス液晶表示装置の製造方法において、単結晶シリコン基
板の一主面に絶縁体領域を形成する工程と、前記絶縁体
領域をエツチングして前記単結晶シリコン基板上に単結
晶シリコン領域を形成する工程と、前記絶縁体領域に前
記単結晶シリコン基板に達するまでコンタクト穴を形成
する工程と、前記単結晶シリコン領域上にアクティブ素
子を形成する工程と、前記アクティブ素子から前記コン
タクト穴にいたるまでの電極配線を形成する工程と、前
記アクティブ素子とほぼ同じ面上に前記アクティブ素子
に接続される前記走査信号電極もしくは前記データ信号
電極を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板の一主
面側を接着層を介して保持部材に接着する工程と、前記
絶縁体領域が露出するまで前記単結晶シリコン基板を前
記一主面とは反対側から研磨する工程と、この研磨され
た面上の前記絶縁体領域に前記コンタクト穴を介して前
記一主面に形成されたアクティブ素子に配線される前記
画素電極と、前記データ信号電極もしくは走査信号電極
とをそれぞれ対応して形成する工程と、前記アクティブ
素子および各種電極を形成された前記素子基板と前記対
向基板とにより前記液晶層を封止する工程とを含んで構
成される。Further, the first method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention includes an element substrate forming an active element and a pixel electrode at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and an electrode opposite to both the electrodes. A method of manufacturing an active matrix liquid crystal display device in which a counter substrate having a substrate and a liquid crystal layer are formed through a liquid crystal layer includes a step of forming an insulator region on one main surface of a single crystal silicon substrate, and etching the insulator region. forming a single crystal silicon region on the single crystal silicon substrate, forming a contact hole in the insulator region until it reaches the single crystal silicon substrate, and forming an active element on the single crystal silicon region. a step of forming an electrode wiring from the active element to the contact hole, and forming the scanning signal electrode or the data signal electrode connected to the active element on substantially the same surface as the active element. bonding one main surface side of the single crystal silicon substrate to a holding member via an adhesive layer; and bonding the single crystal silicon substrate to the side opposite to the one main surface until the insulator region is exposed. The pixel electrode is wired to the active element formed on the one main surface through the contact hole in the insulator region on the polished surface, and the data signal electrode or the scanning signal is wired to the active element formed on the one main surface. and a step of sealing the liquid crystal layer with the element substrate and the counter substrate on which the active elements and various electrodes are formed.
更に、本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置の
第二の製造方法は、データ信号電極と走査信号電極とが
交差する位置にアクティブ素子および画素電極を形成す
る素子基板と前記両電極に対向する電極を有する対向基
板とが液晶層を介して形成されるアクティブ・マトリク
ス液晶表示装装置の製造方法において、単結晶シリコン
基板の一主面に絶縁体領域を形成する主程と、前記絶縁
体領域をエツチングして前記単結晶シリコン基板上に単
結晶シリコン領域を形成する工程と、前記単結晶シリコ
ン領域上にアクティブ素子を形成する工程と、前記アク
ティブ素子から前記絶縁体領域上の所定部分へ電極配線
を形成する工程と、前記アクティブ素子とほぼ同じ面上
に前記アクティブ素子に接続される前記走査信号電極も
しくは前記データ信号電極を形成する工程と、前記単結
晶シリコン基板の一主面側を接着層を介して保持部材に
接着する工程と、前記絶縁体領域が露出するまで前記単
結晶シリコン基板を前記一主面とは反対側から研磨する
工程と、前記絶縁体領域に前記アクティブ素子の電極配
線に達するまでコンタクト穴を形成する工程と、この研
磨された面上の前記絶縁体領域に前記コンタクト穴を介
して前記一主面に形成されたアクティブ素子に配線され
る前記画素電極と、前記データ信号電極もしくは走査信
号電極とをそれぞれ対応して形成する工程と、前記アク
ティブ素子および各種電極を形成された前記素子基板と
前記対向基板とにより前記液晶層を封止する工程とを含
んで構成される。Furthermore, a second method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention includes: an element substrate forming an active element and a pixel electrode at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and an electrode opposite to both the electrodes. A method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device in which a counter substrate having a substrate and a counter substrate having a liquid crystal layer are formed through a liquid crystal layer includes a main step of forming an insulator region on one main surface of a single crystal silicon substrate, and a step of forming an insulator region on one main surface of a single crystal silicon substrate. A step of etching to form a single crystal silicon region on the single crystal silicon substrate, a step of forming an active element on the single crystal silicon region, and an electrode wiring from the active element to a predetermined portion on the insulator region. forming the scanning signal electrode or the data signal electrode connected to the active element on substantially the same surface as the active element; and forming one main surface side of the single crystal silicon substrate with an adhesive layer. a step of polishing the single crystal silicon substrate from the side opposite to the one principal surface until the insulator region is exposed; and a step of bonding the electrode wiring of the active element to the insulator region. a step of forming a contact hole until the contact hole is reached, the pixel electrode being wired to the active element formed on the one main surface through the contact hole in the insulator region on the polished surface, and the data The method includes a step of forming signal electrodes or scanning signal electrodes in correspondence with each other, and a step of sealing the liquid crystal layer with the element substrate and the counter substrate on which the active elements and various electrodes are formed. Ru.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図および第２図はそれぞれ本発明のアクティブ・マ
トリクス液晶表示装置の第一の実施例を説明するための
主要部の断面図、第３図は本発明の前記第一の実施例に
おける素子基板に第１図の断面位置を示すＡ−Ａ’線と
第２図の断面位置を示すＢ−Ｂ’線とを表わした模式的
平面図である。1 and 2 are sectional views of main parts for explaining a first embodiment of an active matrix liquid crystal display device of the present invention, respectively, and FIG. 3 is an element in the first embodiment of the present invention. 2 is a schematic plan view showing a substrate along line AA' showing the cross-sectional position of FIG. 1 and line B-B' showing the cross-sectional position of FIG. 2; FIG.
第１図に示すように、データ信号電極と画素電極との断
面を表わすこの実施例において（第３図のＡ−Ａ’線断
面）、アクティブ・マトリクス液晶表示装置はＭＯＳト
ランジスタ等のアクティブ素子を含むデバイス層１を保
持部材２に取付けた素子基板３と対向電極４を備えた対
向基板５との間に液晶層６を挟んで形成され、特に前記
アクティブ素子をマトリクス状に配置して構成される。As shown in FIG. 1, in this embodiment showing a cross section of a data signal electrode and a pixel electrode (cross section taken along line AA' in FIG. 3), an active matrix liquid crystal display device includes active elements such as MOS transistors. It is formed by sandwiching a liquid crystal layer 6 between an element substrate 3 having a device layer 1 including a device layer 1 attached to a holding member 2 and a counter substrate 5 having a counter electrode 4, and is particularly configured by arranging the active elements in a matrix. Ru.
上述のデバイス層１は絶縁体領域７により分けられた単
結晶シリコン領域８の上面にゲート絶縁膜９を介して被
着されたゲート電極１０と、このゲート電極１０の上か
ら眉間絶縁膜１１を被覆した後イオン注入法などにより
ドレイン領域１２およびソース領域１３を形成し、絶縁
体領域７にあけられたコンタクト穴１４とドレイン領域
１２およびソース領域１３とを接続するドレイン電極１
５およびソース電極１６と、単結晶シリコン領域８の前
記ソースおよびドレイン領域が形成された面とは反対の
面にソース電極１６およびドレイン電極１５へそれぞれ
接続されるように被着形成する画素電極１８およびデー
タ信号電極１９とを有し、接着層１７により保持部材２
に取付けられる。The device layer 1 described above includes a gate electrode 10 deposited on the upper surface of a single crystal silicon region 8 separated by an insulator region 7 via a gate insulating film 9, and a glabella insulating film 11 formed over the gate electrode 10. After coating, a drain region 12 and a source region 13 are formed by ion implantation or the like, and a drain electrode 1 is formed to connect a contact hole 14 made in an insulator region 7 with a drain region 12 and a source region 13.
5 and a source electrode 16, and a pixel electrode 18 formed on a surface of the single crystal silicon region 8 opposite to the surface on which the source and drain regions are formed so as to be connected to the source electrode 16 and the drain electrode 15, respectively. and a data signal electrode 19, and the holding member 2 is provided with an adhesive layer 17.
mounted on.
次に、第２図に示すように、画素電極と、データ信号電
極と、これら両電極とは絶縁体領域を挟んで反対の面に
形成された走査信号電極との断面を表わすこの実施例に
おいて（第３図のＢ−Ｂ’線断面）、上述のデバイス層
１は絶縁体領域７の一方の面にゲート電極を兼ねる走査
信号電極２０を被着し、また反対の面に第１図において
説明した画素電極１８とデータ信号電極１９とを被着形
成する。その他の点は、第１図において説明したのと同
様、デバイス層１を接着層１７を介して保持部材２に取
付けた素子基板３と対向電極４を備えた対向基板５との
間に液晶層６を挟んで形成する。Next, as shown in FIG. 2, in this embodiment, a cross section of a pixel electrode, a data signal electrode, and a scanning signal electrode formed on the opposite side with an insulator region in between. (cross section taken along the line B-B' in FIG. 3), the device layer 1 described above has a scanning signal electrode 20 that also serves as a gate electrode on one side of the insulator region 7, and on the opposite side as shown in FIG. The described pixel electrode 18 and data signal electrode 19 are deposited and formed. The other points are similar to those explained in FIG. Form by sandwiching 6.
次に、第３図に示すように、Ａ−Ａ’線による断面（第
１図）およびＢ−Ｂ”線（第２図）による断面は上述の
とおりである。この第一の実施例における素子基板３は
ソース電極に接続されるデータ信号電極１９とゲート電
極を兼ねる走査信号電極２０とをマトリクス配置し、ド
レイン電極には画素電極１８が接続される。データ信号
電極１９と走査信号電極２０とはそれぞれ外部との接続
用に液晶表示装置のＸ−Ｙ端子であるマトリクス端子２
１に接続され、またその交叉する点においてＭＯＳ）ラ
ンジスタ２２が形成される。なお、ここでは説明を簡単
にするため、データ信号電極１９と走査信号電極２０と
は二本づつの例で説明したが、通常は上下左右およびそ
の間にも同一の電極が配置される。Next, as shown in FIG. 3, the cross section along the line AA' (FIG. 1) and the cross section along the line B-B'' (FIG. 2) are as described above. The element substrate 3 has a data signal electrode 19 connected to a source electrode and a scanning signal electrode 20 which also serves as a gate electrode arranged in a matrix, and a pixel electrode 18 is connected to the drain electrode.Data signal electrode 19 and scanning signal electrode 20 are matrix terminals 2, which are the X-Y terminals of the liquid crystal display device for connection with the outside.
1, and at the point where they intersect, a MOS transistor 22 is formed. Here, in order to simplify the explanation, an example has been described in which two data signal electrodes 19 and two scanning signal electrodes 20 are provided, but normally, the same electrodes are arranged above, below, left and right, and also between them.
第４図は本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置
の第二の実施例を説明するための素子基板の模式的平面
図である。FIG. 4 is a schematic plan view of an element substrate for explaining a second embodiment of the active matrix liquid crystal display device of the present invention.
第４図に示すように、マトリクス端子の個所にデータ側
駆動回路２３および走査側駆動回路２４とを画素電極１
８に接続されるＭＯＳ）ランジスタ２２の形成と同時に
所定の単結晶シリコン領域に設けた以外は第３図におけ
る上述の第一の実施例の説明と同様である。この場合、
データ側駆動回路２３はシフトレジスタとサンプルホル
ダとから構成され、また走査側駆動回路２４はシフトレ
ジスタから構成されるように、通常のＭＯＳ−ＩＣと同
じ回路である。As shown in FIG. 4, a data side drive circuit 23 and a scan side drive circuit 24 are connected to the pixel electrode 1 at the matrix terminal.
This embodiment is the same as the description of the first embodiment described above in FIG. 3, except that it is provided in a predetermined single-crystal silicon region at the same time as the MOS transistor 22 connected to the MOS transistor 8 is formed. in this case,
The data side drive circuit 23 is composed of a shift register and a sample holder, and the scanning side drive circuit 24 is composed of a shift register, which is the same circuit as a normal MOS-IC.
この第二の実施例によるパネルは駆動回路を積層してい
るため、端子の数が１０４０本から１０本に著しく減少
し端子の接続工程が極めて簡略になる。このパネルは小
型であるため、ビデオカメラ等のビューファインダーに
適する。更に、投射型ディスプレイに応用すればｌｍＸ
１ｍ角の良好。Since the panel according to the second embodiment has drive circuits laminated, the number of terminals is significantly reduced from 1040 to 10, and the process of connecting the terminals is extremely simplified. Since this panel is small, it is suitable for use as a viewfinder for video cameras, etc. Furthermore, if applied to a projection display, lmX
1m square in good condition.
な投射画面も得られ、中間調表示も良好である。It also provides a good projection screen, and the halftone display is also good.
次に、第５図（ａ＞〜（ｃ）は本発明のアクティブ・マ
トリクス液晶表示装置の製造方法の第一の実施例を説明
するための工程順に示した素子基板の主要部の断面図で
ある。Next, FIGS. 5(a> to 5(c)) are cross-sectional views of the main parts of the element substrate shown in the order of steps for explaining the first embodiment of the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention. be.
第５図（ａ）に示すように、単結晶シリコン基板２５の
上に熱酸化により厚さ２μｍの酸化シリコン膜（ＳｉＯ
２）を形成し、各表示画素に対応する部分の酸化シリコ
ン膜を反応性イオンエツチングにより除去する。この残
った酸化シリコン膜の部分が絶縁体領域７となる。前記
エツチングにより単結晶シリコン基板２５が露出してい
る部分に、ＳｉＨ２Ｃ１２−Ｈ２−ＨＣｌ系を用いてシ
リコンを絶縁体領域７と同じ高さまで選択エピタキシャ
ル成長させ、単結晶シリコン領域８を形成する。この単
結晶シリコン領域８の部分に通常のＭＯＳプロセスと同
様な方法でＦＥＴ型のトランジスタを形成する。なお、
ここでは選択エピタキシャル成長に関し、熱酸化後に選
択的に酸化シリコン膜を除去して選択エピタキシャル成
長を行ったが、単結晶シリコン基板２５を選択酸化すれ
ば選択エピタキシャル成長を行わなくてもよい。その場
合、単結晶シリコン領域と絶縁体領域との間で段差が生
ずるが、性能的にはほぼ同等のものが得られる。As shown in FIG. 5(a), a 2 μm thick silicon oxide film (SiO
2) is formed, and the silicon oxide film in the portion corresponding to each display pixel is removed by reactive ion etching. This remaining silicon oxide film portion becomes the insulator region 7. On the portion of the single crystal silicon substrate 25 exposed by the etching, silicon is selectively epitaxially grown using SiH2C12-H2-HCl to the same height as the insulator region 7, thereby forming a single crystal silicon region 8. A FET type transistor is formed in this single crystal silicon region 8 by a method similar to a normal MOS process. In addition,
Here, regarding selective epitaxial growth, selective epitaxial growth was performed by selectively removing the silicon oxide film after thermal oxidation, but if the single crystal silicon substrate 25 is selectively oxidized, selective epitaxial growth may not be performed. In that case, a step difference occurs between the single crystal silicon region and the insulator region, but substantially the same performance can be obtained.
次に、第５図（ｂ）に示すように、単結晶シリコン領域
８の上に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜９を形成
し、その上に多結晶シリコン層またはアルミニウム、モ
リブデン、タングステン等の金属層からなるゲート電極
１ｏを形成する。ついで、酸化シリコン膜からなる層間
絶縁膜１１を形成したのち、イオン打ち込みによりドレ
イン領域１２およびソース領域１３を形成する０次に、
酸化シリコン膜からなる絶縁体領域７に一画素につき二
個所のコンタクト穴１４を写真蝕刻法により形成し、ク
ロム、モリブデン、タングステン等を金属蒸着してそれ
ぞれドレイン電極１５．ソース電極１６を形成する。こ
れにより、アクティブ素子であるＭＯＳトランジスタの
トレイン電極１５、ソース電極１６がらコンタクト穴１
４まで配線される。なお、ゲート電極１ｏは上述のとお
り、走査信号電極を兼ねることになる。また、この段階
ではデバイス層の下の単結晶シリコン基板２５は切離さ
れずに残っている。Next, as shown in FIG. 5(b), a gate insulating film 9 made of a silicon oxide film is formed on the single crystal silicon region 8, and a polycrystalline silicon layer or a layer of aluminum, molybdenum, tungsten, etc. A gate electrode 1o made of a metal layer is formed. Next, after forming an interlayer insulating film 11 made of a silicon oxide film, a drain region 12 and a source region 13 are formed by ion implantation.
Two contact holes 14 per pixel are formed in the insulator region 7 made of a silicon oxide film by photolithography, and drain electrodes 15 are formed by vapor-depositing chromium, molybdenum, tungsten, etc., respectively. A source electrode 16 is formed. As a result, the contact hole 1 is removed from the train electrode 15 and source electrode 16 of the MOS transistor, which is an active element.
Wired up to 4. Note that, as described above, the gate electrode 1o also serves as a scanning signal electrode. Further, at this stage, the single crystal silicon substrate 25 under the device layer remains without being separated.
次に、第５図（ｃ）に示すように、ＭＯＳ）ランジスタ
を形成した単結晶シリコン基板２５のＭＯ８素子形成面
を絶縁性の高分子材料、例えばエポキシ系またはポリイ
ミド系樹脂からなる接着層１７により石英ガラス、硼硅
酸ガラス、パイレックス系ガラス、ソーダガラス、シリ
コンウェーハ等からなる保持部材２に接着する。しかる
後、ＭＯＳトランジスタ形成部を除く単結晶シリコン基
板２５をメカノケミカルポリシリングで除去する。この
場合のポリシリングにおいては、化学液として有機アミ
ンを用いており、且つ絶縁体領域７の成分である酸化シ
リコンは単結晶シリコンよりも加工速度がかなり遅いた
め、ポリシリング加工を絶縁体領域７の深さで止めるこ
とができる。Next, as shown in FIG. 5(c), the MO8 element forming surface of the single crystal silicon substrate 25 on which the MOS transistors are formed is covered with an adhesive layer 17 made of an insulating polymeric material such as epoxy or polyimide resin. It is bonded to a holding member 2 made of quartz glass, borosilicate glass, pyrex glass, soda glass, silicon wafer, etc. Thereafter, the single crystal silicon substrate 25 excluding the MOS transistor forming portion is removed by mechanochemical polishing. In this case, polysilling uses an organic amine as the chemical liquid, and silicon oxide, which is a component of the insulator region 7, has a considerably slower processing speed than single-crystal silicon, so the polysilling process is performed on the insulator region 7. It can be stopped at a depth of
このように素子形成した絶縁体領域７と単結晶シリコン
領域８を有するデバイス層１を容易に残すことができる
。更に、絶縁体領域７の研磨面上にデータ信号電極１９
を形成し、コンタクト穴１４を介してソース電極１６と
導通させる。このデータ信号電極１９はドレイン電極や
ソース電極等と同じ金属電極である。また、前記研磨面
と同じ面上に画素電極１８を形成し、コンタクト穴１４
を介してトレイン電極１６と導通させる。この画素電極
１８はインジウム−スズや酸化スズ等で形成される透明
電極である。このようにして、画素電極１８は素子基板
の表面に形成され、またデバイス層１の両側にデータ信
号電極１９と走査信号電極２０とが形成される。The device layer 1 having the insulator region 7 and the single crystal silicon region 8 in which elements are formed in this way can be easily left. Furthermore, a data signal electrode 19 is formed on the polished surface of the insulator region 7.
is formed and electrically connected to the source electrode 16 via the contact hole 14. This data signal electrode 19 is the same metal electrode as the drain electrode, source electrode, etc. Further, a pixel electrode 18 is formed on the same surface as the polished surface, and a contact hole 14 is formed on the same surface as the polished surface.
It is electrically connected to the train electrode 16 via. This pixel electrode 18 is a transparent electrode made of indium-tin, tin oxide, or the like. In this way, the pixel electrode 18 is formed on the surface of the element substrate, and the data signal electrode 19 and the scanning signal electrode 20 are formed on both sides of the device layer 1.
一方、第５図（ｃ）には図示していないが、絶縁体領域
７に別のコンタクト穴をあけ、第３図に示すように、Ｍ
ＯＳ）ランジスタ２２のソース電極およびゲート電極に
接続されるデータ信号電極１９および走査信号電極２ｏ
とそれぞれ導通するように素子基板３の表面にマトリク
ス端子２１を設ける。On the other hand, although not shown in FIG. 5(c), another contact hole is made in the insulator region 7, and as shown in FIG.
OS) Data signal electrode 19 and scanning signal electrode 2o connected to the source electrode and gate electrode of the transistor 22
A matrix terminal 21 is provided on the surface of the element substrate 3 so as to be electrically conductive with each other.
以上に述べた各工程を経ることにより、第１図および第
３図に示すような保持部材２上にアクティブ素子である
ＭＯＳトランジスタ２２９画素電極１８．データ信号電
極１９と走査信号電極２゜の各リード電極、マトリクス
端子２１を形成して素子基板３が完成する。By going through each of the steps described above, the MOS transistor 229, which is an active element, and the pixel electrode 18 are placed on the holding member 2 as shown in FIGS. The element substrate 3 is completed by forming each lead electrode of the data signal electrode 19 and the scanning signal electrode 2°, and the matrix terminal 21.
このようにして形成した素子基板３は酸化インジウム−
スズ等からなる対向電極４を全面に形成した対向基板５
にグラス・ファイバ等のスペーサを介在させて厚さが８
μｍ程度の液晶セルを形成する。この液晶セルに液晶を
注入して液晶層６を形成する。最後に、この液晶層６を
エポキシ系有機シールを用いて封止することによりアク
ティブ・マトリクス液晶表示装置が得られる。なお、こ
の液晶表示装置においては、液晶としてＴＮ型液晶を用
い、対向基板として市販の偏向板を用いたが、この液晶
表示装置をスタティック駆動した場合、５：ｌのコント
ラスト比が得られる視野角は±５０°である。The element substrate 3 thus formed is made of indium oxide.
A counter substrate 5 on which a counter electrode 4 made of tin or the like is formed on the entire surface.
A spacer such as glass fiber is interposed between the
A liquid crystal cell of about μm size is formed. A liquid crystal layer 6 is formed by injecting liquid crystal into this liquid crystal cell. Finally, an active matrix liquid crystal display device is obtained by sealing this liquid crystal layer 6 using an epoxy organic seal. In this liquid crystal display device, a TN type liquid crystal was used as the liquid crystal, and a commercially available polarizing plate was used as the counter substrate. However, when this liquid crystal display device is statically driven, the viewing angle is such that a contrast ratio of 5:l can be obtained. is ±50°.
上述のアクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法
における第一の実施例では、縦横の画素数は４００Ｘ６
４０画素、ピッチ間隔は０．２ｍｍで試作したが、全体
的な表示性能はスタティック駆動時とほぼ同一であり、
特に模擬信号として２０００本走査時相当の信号まで印
加してもスタティック駆動時とほぼ同じ表示性能が得ら
れる。また、駆動信号には従来のＭＯＳトランジスタ又
はＴＰＴを積層したアクティブ・マトリクス液晶表示装
置に用いる駆動信号と同様な信号を用い、中間調を含む
テレビ画面を出した場合、忠実に階調を表現でき、且つ
高コトラストの画面を得られ、また画面内でコントラス
ト斑を生ずることもない。更に、この液晶表示装置の製
造方法によれば、ａ−８ｉ又はｐ−５ｉのＴＦＴを用い
たものに比べて歩留りの向上も著しい。In the first embodiment of the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device described above, the number of vertical and horizontal pixels is 400×6.
We made a prototype with 40 pixels and a pitch interval of 0.2 mm, but the overall display performance was almost the same as when using static drive.
In particular, even if a signal equivalent to 2000 lines of scanning is applied as a simulated signal, almost the same display performance as in static driving can be obtained. In addition, the drive signal is similar to the drive signal used in active matrix liquid crystal display devices that stack conventional MOS transistors or TPT, and when displaying a TV screen that includes halftones, it is not possible to faithfully express gray scales. , a screen with high contrast can be obtained, and contrast spots do not occur within the screen. Furthermore, according to this method of manufacturing a liquid crystal display device, the yield is significantly improved compared to those using A-8i or P-5i TFTs.
第６図は本発明のアクティブ・マトリクス液晶表示装置
の製造方法の第二の実施例を説明するための素子基板の
主要部の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of the main part of the element substrate for explaining a second embodiment of the method of manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention.
この実施例における前記第一の実施例との相違は、コン
タクト穴１４の形成を単結晶シリコン基板〔第５図（ａ
）あるいは（ｂ）の２５〕の研磨前には行わず、研磨後
で且つ画素電極１８およびデータ信号電極１９の形成前
に行うことにある。The difference between this embodiment and the first embodiment is that the contact hole 14 was formed on a single crystal silicon substrate [Fig.
) or (b) 25] is not performed before the polishing, but is performed after the polishing and before the formation of the pixel electrode 18 and the data signal electrode 19.
次に、この画素電極１８およびデータ信号電極１９の形
成時にドレイン電極１２およびソース電極１３とを導通
させる。その他の点は、上述の製造方法における第一の
実施例と同様である。Next, when forming the pixel electrode 18 and the data signal electrode 19, the drain electrode 12 and the source electrode 13 are electrically connected. The other points are the same as in the first embodiment of the manufacturing method described above.
また、この第二の実施例における表示特性や製造面の歩
留りも前記第一の実施例と同様である。Further, the display characteristics and manufacturing yield in this second embodiment are also similar to those in the first embodiment.
以上、本発明の実施例について説明したが、各実施例に
おけるアクティブ素子はＨｏｓトランジスタだけでなく
、その他の電界効果トランジスタ、バイポーラトランジ
スタ、各種ダイオード。The embodiments of the present invention have been described above, but the active elements in each embodiment are not only Hos transistors, but also other field effect transistors, bipolar transistors, and various diodes.
及びそれらの組合せを用いても同様に本発明を実施する
ことができる。The present invention can also be carried out using combinations thereof.
また、上述の実施例の素子基板において、デバイス層の
保持部材側に走査信号電極を形成し且つ反対側にデータ
信号電極を形成しているが、これを逆に形成してもよく
、同様の表示性能が得られる。Furthermore, in the element substrate of the above embodiment, the scanning signal electrodes are formed on the holding member side of the device layer, and the data signal electrodes are formed on the opposite side, but these may be formed in the opposite direction. Display performance can be obtained.
最後に、本発明の応用例について説明する。Finally, application examples of the present invention will be explained.
上に述べた各実施例は直視型の液晶表示装置であるが、
一方これに対し、１ｍＸ１ｒｎ角程度の超大画面の液晶
表示としては液晶パネルにキセノンランプからの強い光
を照射し、それを投影する投射型液晶表示装置がある。Each of the embodiments described above is a direct-view type liquid crystal display device, but
On the other hand, as a liquid crystal display with an extremely large screen of approximately 1 m x 1 rn square, there is a projection type liquid crystal display device that irradiates a liquid crystal panel with strong light from a xenon lamp and projects it.
かかる従来のレーザ熱書込みの液晶パネルを用いた投射
型液晶表示装置における前記液晶パネルを本発明のアク
ティブ−マトリクス液晶表示装置の液晶パネルと置き換
えることにより、レーザおよびその駆動回路関係を必要
としないため小型化が実現される。投射工学系は従来の
ものを用いることができる。例えば、液晶パネルとして
、４００Ｘ６４０画素、ピッチ０．０５ｍｍの液晶表示
装置を用いれば、著しく小型化される。なお、投射系に
は通常のオーバーへッドブロジェクタ（いわゆる０ＨＰ
）をも使用することができる。By replacing the liquid crystal panel in a projection type liquid crystal display device using such a conventional laser thermal writing liquid crystal panel with the liquid crystal panel of the active matrix liquid crystal display device of the present invention, a laser and its driving circuit are not required. Miniaturization is achieved. A conventional projection engineering system can be used. For example, if a liquid crystal display device with 400×640 pixels and a pitch of 0.05 mm is used as the liquid crystal panel, the size can be significantly reduced. The projection system is a normal overhead projector (so-called 0HP).
) can also be used.
また、上述の応用例の画面は白黒画面であったが、対向
基板上に各画素に対応してＲＧＢ各ドツトのカラーフィ
ルタを形成することにより、直視型および投射型ともカ
ラー画面を有する表示装置を得ることができる。また、
特に投射型の場合、本発明のアクティブ・マトリクス液
晶表示装置を三枚用い、各々にＲＧＢ三枚のうちの一枚
を組合せてそれらを合成することによりカラー画面を得
ることもできる。Furthermore, although the screen in the above application example was a black and white screen, by forming color filters of RGB dots corresponding to each pixel on the opposing substrate, the display device has a color screen for both direct view type and projection type. can be obtained. Also,
In particular, in the case of a projection type, a color screen can be obtained by using three active matrix liquid crystal display devices of the present invention, each of which is combined with one of the three RGB display devices, and then synthesized.
以上説明したように、従来は透明基板にａ−Ｓｉ又はｐ
−３ｉを形成しその上にＴＰＴを形成するので特性が悪
く走査本数５００本位がスタティック駆動と同等になる
限界であったが、本発明によれば、第一にはデータ信号
電極と走査信号電極とが基板の同一平面上で交差しない
ので、電極間のショート及び段差による電極断線を解消
でき、表示の線欠陥を著しく減少できる効果がある。ま
た、第二には透明基板となる単結晶シリコン領域上にア
クティブ素子を形成できるので、良好な特性が得られ２
０００本程度０大容量走査も可能となり、製造歩留りの
向上も著しい効果がある。また、本発明による液晶表示
装置を多数組合せれば大面積化が可能で、周辺駆動回路
を各画素のアクティブ素子と同一基板上に製作すること
により、端子数の大幅減少できる効果もある。更に、投
射型液晶表示装置に応用することにより、超小型化でき
る効果もある。As explained above, conventionally, transparent substrates are made of a-Si or p-Si.
-3i and a TPT on top of it, the characteristics were poor and the number of scanning lines was about 500, which was the limit equivalent to static drive.However, according to the present invention, firstly, the data signal electrode and the scanning signal electrode Since they do not intersect on the same plane of the substrate, short circuits between the electrodes and disconnection of electrodes due to steps can be eliminated, and line defects in display can be significantly reduced. Second, since the active element can be formed on the single crystal silicon region that becomes the transparent substrate, good characteristics can be obtained.
A large capacity scan of approximately 0,000 lines becomes possible, and the manufacturing yield is significantly improved. Further, by combining a large number of liquid crystal display devices according to the present invention, it is possible to increase the area, and by manufacturing the peripheral drive circuit on the same substrate as the active element of each pixel, the number of terminals can be significantly reduced. Furthermore, by applying it to a projection type liquid crystal display device, there is an effect that it can be miniaturized.
第１図および第２図はそれぞれ本発明のアクティブ・マ
トリクス液晶表示装置の第一の実施例を説明するための
主要部の断面図、第３図は本発明の前記第一の実施例に
おける素子基板に第１図の断面位置を示すＡ−Ａ’線と
第２図の断面位置を示すＢ−Ｂ’線とを表わしな模式的
平面図、第４図は本発明のアクティブ・マトリクス液晶
表示装置の第二の実施例を説明するための素子基板の模
式的平面図、第５図（ａ）〜（ｃ）は本発明のアクティ
ブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法の第一の実施例
を説明するための工程順に示した素子基板の主要部の断
面図、第６図は本発明のアクティブ・マトリクス液晶表
示装置の製造方法の第二の実施例を説明するための素子
基板の主要部の断面図である。
１・・・デバイス層、２・・・保持部材、３・・・素子
基板、４・・・対向電極、５・・・対向基板、６・・・
液晶層、７・・・絶縁体領域、８・・・単結晶シリコン
領域、９・・・ゲート絶縁膜、１０・・・ゲート電極、
１１・・・層間絶縁膜、１２・・・ドレイン領域、１３
・・・ソース領域、１４・・・コンタクト穴、１５・・
・ドレイン電極、１６・・・ソース電極、１７・・・接
着層、１８・・・画素電極、１９・・・データ信号電極
、２０・・・走査信号電極、２１・・・マトリクス端子
、２２・・・ＭＯＳトランジスタ、２３・・・データ側
駆動回路、２４・・・走査側駆動回路、２５・・・単結
晶シリコン基板。
第１図
第？口1 and 2 are sectional views of main parts for explaining a first embodiment of an active matrix liquid crystal display device of the present invention, respectively, and FIG. 3 is an element in the first embodiment of the present invention. A schematic plan view showing the substrate along line A-A' showing the cross-sectional position in FIG. 1 and line B-B' showing the cross-sectional position in FIG. 2, and FIG. 4 is an active matrix liquid crystal display of the present invention. FIGS. 5(a) to 5(c), which are schematic plan views of an element substrate for explaining a second embodiment of the device, illustrate the first embodiment of the method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of the main parts of the element substrate shown in the order of steps for explanation, and FIG. FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Device layer, 2... Holding member, 3... Element substrate, 4... Counter electrode, 5... Counter substrate, 6...
Liquid crystal layer, 7... Insulator region, 8... Single crystal silicon region, 9... Gate insulating film, 10... Gate electrode,
11... Interlayer insulating film, 12... Drain region, 13
...Source region, 14...Contact hole, 15...
- Drain electrode, 16... Source electrode, 17... Adhesive layer, 18... Pixel electrode, 19... Data signal electrode, 20... Scanning signal electrode, 21... Matrix terminal, 22... MOS transistor, 23... Data side drive circuit, 24... Scanning side drive circuit, 25... Single crystal silicon substrate. Figure 1 No.? mouth
Claims (1)
アクティブ素子および画素電極を形成する素子基板と前
記両電極に対向する電極を有する対向基板とが液晶層を
介して形成されるアクティブ・マトリクス液晶表示装置
において、前記素子基板は絶縁体領域により分離された
単結晶シリコン領域にアクティブ素子を形成したデバイ
ス層を保持部材に接着してなり、且つ前記デバイス層の
前記アクティブ素子を形成した側に前記走査信号電極も
しくは前記データ信号電極を、また前記アクティブ素子
を形成した側とは反対側に前記絶縁体領域に設けたコン
タクト穴を介して前記アクティブ素子に接続される前記
画素電極と、前記データ信号電極もしくは前記走査信号
電極とをそれぞれ対応して形成することを特徴とするア
クティブ・マトリクス液晶表示装置。 ２、データ信号電極と走査信号電極とが交差する位置に
アクティブ素子および画素電極を形成する素子基板と前
記両電極に対向する電極を有する対向基板とが液晶層を
介して形成されるアクティブ・マトリクス液晶表示装置
の製造方法において、単結晶シリコン基板の一主面に絶
縁体領域を形成する工程と、前記絶縁体領域をエッチン
グして前記単結晶シリコン基板上に単結晶シリコン領域
を形成する工程と、前記絶縁体領域に前記単結晶シリコ
ン基板に達するまでコンタクト穴を形成する工程と、前
記単結晶シリコン領域上にアクティブ素子を形成する工
程と、前記アクティブ素子から前記コンタクト穴にいた
るまでの電極配線を形成する工程と、前記アクティブ素
子とほぼ同じ面上に前記アクティブ素子に接続される前
記走査信号電極もしくは前記データ信号電極を形成する
工程と、前記単結晶シリコン基板の一主面側を接着層を
介して保持部材に接着する工程と、前記絶縁体領域が露
出するまで前記単結晶シリコン基板を前記一主面とは反
対側から研磨する工程と、この研磨された面上の前記絶
縁体領域に前記コンタクト穴を介して前記一主面に形成
されたアクティブ素子に配線される前記画素電極と、前
記データ信号電極もしくは走査信号電極とをそれぞれ対
応して形成する工程と、前記アクティブ素子および各種
電極を形成された前記素子基板と前記対向基板とにより
前記液晶層を封止する工程とを含むことを特徴とするア
クティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法。 ３、データ信号電極と走査信号電極とが交差する位置に
アクティブ素子および画素電極を形成する素子基板と前
記両電極に対向する電極を有する対向基板とが液晶層を
介して形成されるアクティブ・マトリクス液晶表示装置
の製造方法において、単結晶シリコン基板の一主面に絶
縁体領域を形成する工程と、前記絶縁体領域をエッチン
グして前記単結晶シリコン基板上に単結晶シリコン領域
を形成する工程と、前記単結晶シリコン領域上にアクテ
ィブ素子を形成する工程と、前記アクティブ素子から前
記絶縁体領域上の所定部分へ電極配線を形成する工程と
、前記アクティブ素子とほぼ同じ面上に前記アクティブ
素子に接続される前記走査信号電極もしくは前記データ
信号電極を形成する工程と、前記単結晶シリコン基板の
一主面側を接着層を介して保持部材に接着する工程と、
前記絶縁体領域が露出するまで前記単結晶シリコン基板
を前記一主面とは反対側から研磨する工程と、前記絶縁
体領域に前記アクティブ素子の電極配線に達するまでコ
ンタクト穴を形成する工程と、この研磨された面上の前
記絶縁体領域に前記コンタクト穴を介して前記一主面に
形成されたアクティブ素子に配線される前記画素電極と
、前記データ信号電極もしくは走査信号電極とをそれぞ
れ対応して形成する工程と、前記アクティブ素子および
各種電極を形成された前記素子基板と前記対向基板とに
より前記液晶層を封止する工程とを含むことを特徴とす
るアクティブ・マトリクス液晶表示装置の製造方法。[Scope of Claims] 1. An element substrate on which an active element and a pixel electrode are formed at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and a counter substrate having an electrode facing both said electrodes are connected to each other via a liquid crystal layer. In the active matrix liquid crystal display device to be formed, the element substrate is formed by bonding a device layer in which an active element is formed on a single crystal silicon region separated by an insulator region to a holding member; The scanning signal electrode or the data signal electrode is connected to the active element on the side where the element is formed, and the electrode is connected to the active element through a contact hole provided in the insulator region on the opposite side to the side where the active element is formed. An active matrix liquid crystal display device, characterized in that a pixel electrode and the data signal electrode or the scanning signal electrode are formed to correspond to each other. 2. An active matrix in which an element substrate forming an active element and a pixel electrode at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and a counter substrate having an electrode opposite to both electrodes are formed with a liquid crystal layer interposed therebetween. A method for manufacturing a liquid crystal display device includes the steps of: forming an insulator region on one main surface of a single crystal silicon substrate; and etching the insulator region to form a single crystal silicon region on the single crystal silicon substrate. , forming a contact hole in the insulator region until it reaches the single crystal silicon substrate; forming an active element on the single crystal silicon region; and electrode wiring from the active element to the contact hole. forming the scanning signal electrode or the data signal electrode connected to the active element on substantially the same surface as the active element; and forming one main surface side of the single crystal silicon substrate with an adhesive layer. a step of polishing the single crystal silicon substrate from the side opposite to the one principal surface until the insulator region is exposed; and a step of adhering the single crystal silicon substrate to the holding member via a step of forming the pixel electrode and the data signal electrode or the scanning signal electrode respectively to be wired to the active element formed on the one main surface through the contact hole; A method of manufacturing an active matrix liquid crystal display device, comprising the step of sealing the liquid crystal layer with the element substrate on which electrodes are formed and the counter substrate. 3. An active matrix in which an element substrate forming an active element and a pixel electrode at a position where a data signal electrode and a scanning signal electrode intersect, and a counter substrate having an electrode opposite to both electrodes are formed with a liquid crystal layer interposed therebetween. A method for manufacturing a liquid crystal display device includes the steps of: forming an insulator region on one main surface of a single crystal silicon substrate; and etching the insulator region to form a single crystal silicon region on the single crystal silicon substrate. , forming an active element on the single crystal silicon region; forming an electrode wiring from the active element to a predetermined portion on the insulator region; a step of forming the scanning signal electrode or the data signal electrode to be connected; a step of adhering one main surface side of the single crystal silicon substrate to a holding member via an adhesive layer;
polishing the single crystal silicon substrate from the side opposite to the one main surface until the insulator region is exposed; forming a contact hole in the insulator region until reaching the electrode wiring of the active element; The pixel electrode, which is wired to the active element formed on the one principal surface through the contact hole, and the data signal electrode or scanning signal electrode are connected to the insulator region on the polished surface, respectively. and a step of sealing the liquid crystal layer with the element substrate on which the active element and various electrodes are formed, and the counter substrate. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246655A JPS63101831A (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Active matrix liquid crystal display device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246655A JPS63101831A (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Active matrix liquid crystal display device and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101831A true JPS63101831A (en) | 1988-05-06 |
| JPH0567210B2 JPH0567210B2 (en) | 1993-09-24 |
Family
ID=17151646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246655A Granted JPS63101831A (en) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Active matrix liquid crystal display device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS63101831A (en) |
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