JPS6296638A - リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金Info
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- JPS6296638A JPS6296638A JP23638085A JP23638085A JPS6296638A JP S6296638 A JPS6296638 A JP S6296638A JP 23638085 A JP23638085 A JP 23638085A JP 23638085 A JP23638085 A JP 23638085A JP S6296638 A JPS6296638 A JP S6296638A
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- bendability
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の目的」
本発明はリードフレーム用アルミニウム合金に係り、熱
履歴後の強度、硬度ならびに曲げ加工性が良好で低コス
トなリードフレーム用アルミニウム合金を提供しようと
するものである。
履歴後の強度、硬度ならびに曲げ加工性が良好で低コス
トなリードフレーム用アルミニウム合金を提供しようと
するものである。
産業上の利用分野
半導体を要素とするＩＣ，ＬＥＤ等の機器におけるリー
ドフレーム用アルミニウム合金。
ドフレーム用アルミニウム合金。
従来の技術
半導体を要素とするＩＣ５ＬＳＩ、ＬＥＤなどの機器は
何れも半導体ペレット、リード、ボンデものが用いられ
ている。然してこの種機器に使用されるリード用フレー
ムは薄板をプレス打抜きして所定の形状に成形した後、
組付けを容易とするため溶融ハンダ材が被覆されること
となり、このような工程において熱履歴を受ける。とこ
ろで従来これらの機器におけるリードフレーム材とじて
は、鉄系材料としてコバール（Ｆｅ −２９％Ｎｉ−１
７％Ｃｏ）、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ −Ｎｋ金合
金Ａｅをクラッドした材料が用いられ、又銅系材料とし
て１９４合金（Ｃｕ −Ｆｅ −Ｚｎ−Ｐ系）、１９５
合金（Ｃｕ −Ｆｅ −Ｃｏ −３ｎ−Ｐ系）などが使
用されて来た。即ち前記鉄系材料は耐熱性、強度などが
優れており、ＭＯ３型ＩＣ，ＬＳＩ等に広く採用され、
銅系材料は良好な熱伝導性や曲げ性を有し、しかも鉄系
のものに比較して安価であることから近年パワートラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の個別半導体のリー
ドフレーム材として広く使用されている。近時、高集積
化がますます進む中で、電気抵抗の小さい、高熱伝導度
、高強度の銅合金も開発され、鉄系材料に代って次第に
使用されつつある。
何れも半導体ペレット、リード、ボンデものが用いられ
ている。然してこの種機器に使用されるリード用フレー
ムは薄板をプレス打抜きして所定の形状に成形した後、
組付けを容易とするため溶融ハンダ材が被覆されること
となり、このような工程において熱履歴を受ける。とこ
ろで従来これらの機器におけるリードフレーム材とじて
は、鉄系材料としてコバール（Ｆｅ −２９％Ｎｉ−１
７％Ｃｏ）、Ｆｅ−４２％Ｎｉ合金、Ｆｅ −Ｎｋ金合
金Ａｅをクラッドした材料が用いられ、又銅系材料とし
て１９４合金（Ｃｕ −Ｆｅ −Ｚｎ−Ｐ系）、１９５
合金（Ｃｕ −Ｆｅ −Ｃｏ −３ｎ−Ｐ系）などが使
用されて来た。即ち前記鉄系材料は耐熱性、強度などが
優れており、ＭＯ３型ＩＣ，ＬＳＩ等に広く採用され、
銅系材料は良好な熱伝導性や曲げ性を有し、しかも鉄系
のものに比較して安価であることから近年パワートラン
ジスタ、ダイオード、サイリスタ等の個別半導体のリー
ドフレーム材として広く使用されている。近時、高集積
化がますます進む中で、電気抵抗の小さい、高熱伝導度
、高強度の銅合金も開発され、鉄系材料に代って次第に
使用されつつある。
なお一部に銅合金より更に低価格な材料としてアルミニ
ウム合金の使用も考えられているようである。
ウム合金の使用も考えられているようである。
発明が解決しようとする問題点
しかし前記した鉄系材料のものは相当に高価であり、し
かも熱伝導性や曲げ性に劣る不利がある。
かも熱伝導性や曲げ性に劣る不利がある。
この点銅系材料によるものは鉄系材料よりは安価で、熱
伝導性や曲げ性に優れたものであるが、耐熱性や強度に
おいては鉄系材料のものより劣り、しかもやはりそれな
りに高価格とならざるを得ない。
伝導性や曲げ性に優れたものであるが、耐熱性や強度に
おいては鉄系材料のものより劣り、しかもやはりそれな
りに高価格とならざるを得ない。
アルミニウム合金によるものは価格的には最も有利であ
るが、熱履歴後の硬度、耐繰返し曲げ性などの機械的性
質が低いという問題点を有している。
るが、熱履歴後の硬度、耐繰返し曲げ性などの機械的性
質が低いという問題点を有している。
「発明の構成」
問題点を解決するための手段
Ｍｇ ： ０．４〜１．５ｗｔ％、Ｓｉ ： Ｑ、
４〜０．８＠ｔ％、Ｃｕ ： ０．０２〜０．５ｗｔ
％ を含有し、しかも Ｍｎ ： ０．２０＝１．２ ｈｔ％、Ｃｒ ：
０．１０〜０．３０ｗｔ％、Ｚｒ ： ０．０５〜０
．２５ｗｔ％、 Ｖ ： ０．０５〜０．２０ｗｔ％の
１種又は２種以上を添加し、残部がＡ１と不可避的不純
物より成ることを特徴とするリードフレーム用アルミニ
ウム合金。
４〜０．８＠ｔ％、Ｃｕ ： ０．０２〜０．５ｗｔ
％ を含有し、しかも Ｍｎ ： ０．２０＝１．２ ｈｔ％、Ｃｒ ：
０．１０〜０．３０ｗｔ％、Ｚｒ ： ０．０５〜０
．２５ｗｔ％、 Ｖ ： ０．０５〜０．２０ｗｔ％の
１種又は２種以上を添加し、残部がＡ１と不可避的不純
物より成ることを特徴とするリードフレーム用アルミニ
ウム合金。
作用
Ｍｇ ｓ Ｓｉ 、Ｃｕを下限以上に含有させることに
より溶体化処理後の時効によって、ＭｇｚＳｉ、ＡＪ−
Ｃｕ−Ｍｇ相などを析出し、析出硬化によって大きな強
度を与える。又それらが上限以下とすることによって曲
げ性劣化を回避する。
より溶体化処理後の時効によって、ＭｇｚＳｉ、ＡＪ−
Ｃｕ−Ｍｇ相などを析出し、析出硬化によって大きな強
度を与える。又それらが上限以下とすることによって曲
げ性劣化を回避する。
Ｍｎ ％ Ｃｒ 、Ｚｒ 、Ｖの何れが１種又は２種以
上を下限値以上に添加することにより耐熱性を向上し、
結晶粒径を微細化せしめ、しかもその上限以下とするこ
とにより曲げ性劣化を防止する。
上を下限値以上に添加することにより耐熱性を向上し、
結晶粒径を微細化せしめ、しかもその上限以下とするこ
とにより曲げ性劣化を防止する。
実施例
上記したような本発明について更に説明すると、本発明
では前記のようにＭｇ 、５ｉ 、（：、ｕを含有させ
ることによりリードフレーム材として必要な強度を高価
化を来すことなしに得ようとする。即ちこれらの成分は
溶体化処理後の時効によってＭｇ、ｓｉ 、 Ａ ｌ
−Ｃｕ−Ｍｇ相などが析出し、その析出硬化により大き
な強度を得しめる。ｗｔ％（以下単に％という）でＭｇ
が０．４％以下では充分な斯かる強度が得られず、一方
１．５％を超えると曲げ性が劣化する。
では前記のようにＭｇ 、５ｉ 、（：、ｕを含有させ
ることによりリードフレーム材として必要な強度を高価
化を来すことなしに得ようとする。即ちこれらの成分は
溶体化処理後の時効によってＭｇ、ｓｉ 、 Ａ ｌ
−Ｃｕ−Ｍｇ相などが析出し、その析出硬化により大き
な強度を得しめる。ｗｔ％（以下単に％という）でＭｇ
が０．４％以下では充分な斯かる強度が得られず、一方
１．５％を超えると曲げ性が劣化する。
Ｓｉは、０．４％以下では上記のような強度が得られず
、しかも０．８％を超えると強度は増加するが曲げ性が
劣化するので０．４〜０．８％とした。
、しかも０．８％を超えると強度は増加するが曲げ性が
劣化するので０．４〜０．８％とした。
Ｃｕは、不純物としての上限範囲である０、０５％以下
でも０．０２％以上の含有で時効硬化を促進し、強度を
向上させるが、０．５％以上となると曲げ性を劣化させ
るので０．０２〜０．５％とした。好ましい範囲として
は０．０５〜０．５％である。
でも０．０２％以上の含有で時効硬化を促進し、強度を
向上させるが、０．５％以上となると曲げ性を劣化させ
るので０．０２〜０．５％とした。好ましい範囲として
は０．０５〜０．５％である。
Ｍｎ 、Ｃｒ 、Ｚｒおよび■は、耐熱性を向上させる
ために添加し、又結晶粒径を小さくしてプレス打抜き工
程などにおける肌荒れを防止する。然してこれらの遷移
金属元素はＡＪ中に固溶した状態では導電率および熱伝
導率を低下させる。又これらの元素はＭｎＡｊ！、 、
ＡｌＭｎ５ ｉｓ ＺｒＡ７！、、ＶＡＪ、。などの化
合物について微細な粒子としてマトリックスに分散して
いるとき最も耐熱性が高くなる。
ために添加し、又結晶粒径を小さくしてプレス打抜き工
程などにおける肌荒れを防止する。然してこれらの遷移
金属元素はＡＪ中に固溶した状態では導電率および熱伝
導率を低下させる。又これらの元素はＭｎＡｊ！、 、
ＡｌＭｎ５ ｉｓ ＺｒＡ７！、、ＶＡＪ、。などの化
合物について微細な粒子としてマトリックスに分散して
いるとき最も耐熱性が高くなる。
Ｍｎが０．２０％以下では上記のような耐熱性が有効に
得られず、一方１．０％以上となると粗大なＭｎＡ１６
粒子が生じて曲げ性を劣化する。
得られず、一方１．０％以上となると粗大なＭｎＡ１６
粒子が生じて曲げ性を劣化する。
Ｃｒも０．１０％以下では耐熱性に対する上記効果が不
充分であり、一方０．３０％を超えると粗大なＣｒ Ａ
ｊ！ を粒子が生じて曲げ性を劣化する。
充分であり、一方０．３０％を超えると粗大なＣｒ Ａ
ｊ！ を粒子が生じて曲げ性を劣化する。
Ｚｒは、このもので上記のような耐熱性を得るには０．
０５％以下では効果が乏しく、又０．２５％以上となる
と粗大なＺ ｒ Ａ ｌ ｓ粒子が生じて曲げ性を劣化
させるので、０．０５〜０．２５％とした。
０５％以下では効果が乏しく、又０．２５％以上となる
と粗大なＺ ｒ Ａ ｌ ｓ粒子が生じて曲げ性を劣化
させるので、０．０５〜０．２５％とした。
■は、０．０５％以下では充分な耐熱性が得られず、又
０．２０％以上では粗大なＶＡＮ、。粒子が生じて曲げ
性を劣化する。
０．２０％以上では粗大なＶＡＮ、。粒子が生じて曲げ
性を劣化する。
なお本発明によるものは上記成分以外に鋳造割れ防止お
よび結晶粒微細化のために一般的に添加されているＴｉ
、Ｈの何れか一方又は双方を含有させてもよい、特に本
発明合金においてはこれらの成分が前述した耐熱性向上
元素の均一な分布を図るという効果があり、それらの効
果はＴｉが０．０１％未満、Ｂが０．００１未満では充
分でなく、又Ｔｉが０．１５％を超え、Ｂが０．０１％
を超えると、ＴｉＡｌ、 、ＴｉＢ、 、ＡＪＢ□など
の粗大粒子を生じ、曲げ性を害するので、Ｔｉ：０．０
１〜０．１５％およびＢ：０．００１〜０．０１％が適
当な添加範囲である。
よび結晶粒微細化のために一般的に添加されているＴｉ
、Ｈの何れか一方又は双方を含有させてもよい、特に本
発明合金においてはこれらの成分が前述した耐熱性向上
元素の均一な分布を図るという効果があり、それらの効
果はＴｉが０．０１％未満、Ｂが０．００１未満では充
分でなく、又Ｔｉが０．１５％を超え、Ｂが０．０１％
を超えると、ＴｉＡｌ、 、ＴｉＢ、 、ＡＪＢ□など
の粗大粒子を生じ、曲げ性を害するので、Ｔｉ：０．０
１〜０．１５％およびＢ：０．００１〜０．０１％が適
当な添加範囲である。
又不純物としてＦｅ５０．３％、Ｚｎ≦０．３％の範囲
であれば、本発明の特性を劣化させることがない。
であれば、本発明の特性を劣化させることがない。
本発明合金によるリードフレーム材の製造は、通常のア
ルミニウム合金と同様に溶解され、前記した結晶微細化
剤のＴｉとＢが溶解炉中、又は鋳造機への溶湯移送樋中
へ連続的に添加され、次いで溶湯中の酸化物などの非金
属介在物を除去すべく濾過され、最後にＤＣ鋳造などの
半連続鋳造法や、ハンター鋳造法などの連続鋳造圧延に
よって鋳塊とされる。次いで鋳塊の均質化処理、熱間圧
延又は冷間圧延によって所定の厚さの板とし、最後に熱
処理が施される。なお熱処理は圧延の中間段階でも施さ
れることがある。
ルミニウム合金と同様に溶解され、前記した結晶微細化
剤のＴｉとＢが溶解炉中、又は鋳造機への溶湯移送樋中
へ連続的に添加され、次いで溶湯中の酸化物などの非金
属介在物を除去すべく濾過され、最後にＤＣ鋳造などの
半連続鋳造法や、ハンター鋳造法などの連続鋳造圧延に
よって鋳塊とされる。次いで鋳塊の均質化処理、熱間圧
延又は冷間圧延によって所定の厚さの板とし、最後に熱
処理が施される。なお熱処理は圧延の中間段階でも施さ
れることがある。
本発明によるものの具体的な製造例について説明すると
以下の如くである。
以下の如くである。
次の第１表に示すような成分組成を有している本発明例
１〜１０および比較例Ａ−ＨのＡｌ−Ｍｇ −３ｉ −
Ｃｕ系合金を溶解鋳造して鋳塊となし、５５０℃で４時
間加熱した後、熱間圧延により５１１１厚とし、更に冷
間圧延で１．２１謹厚まで圧延した。次いでこの圧延板
を溶体化処理し、水焼入れ後０．５ ｔｍ厚まで更に冷
間圧延し、更に２００℃で１時間の人工時効を行った。
１〜１０および比較例Ａ−ＨのＡｌ−Ｍｇ −３ｉ −
Ｃｕ系合金を溶解鋳造して鋳塊となし、５５０℃で４時
間加熱した後、熱間圧延により５１１１厚とし、更に冷
間圧延で１．２１謹厚まで圧延した。次いでこの圧延板
を溶体化処理し、水焼入れ後０．５ ｔｍ厚まで更に冷
間圧延し、更に２００℃で１時間の人工時効を行った。
第１表 Ａｌ−Ｍｇ−３ｉ合金の組成 −ｔ％これら
の板について、ハンダづけに相当した２７５℃で３０秒
間の加熱をなしてから強度、硬さ、９０°曲げの繰返し
曲げ性および導電率を測定した結果は次の第２表の如く
であり、前記繰返し曲げ性の評価基準は上記のような２
７５℃×３０ｓｅｃの加熱後に９０’の繰返し曲げを３
回以上行っても割れの生じないものを良とし、割れの生
じたものは不良とした。総合評価については、強度、硬
度、繰返し曲げ性の全般について判断し評価した。
の板について、ハンダづけに相当した２７５℃で３０秒
間の加熱をなしてから強度、硬さ、９０°曲げの繰返し
曲げ性および導電率を測定した結果は次の第２表の如く
であり、前記繰返し曲げ性の評価基準は上記のような２
７５℃×３０ｓｅｃの加熱後に９０’の繰返し曲げを３
回以上行っても割れの生じないものを良とし、割れの生
じたものは不良とした。総合評価については、強度、硬
度、繰返し曲げ性の全般について判断し評価した。
第２表 ＡＮ−Ｍｇ−３ｉ系合金の特性又ＬＥＤ用リ
ードフレームとして使用する場合、該フレームは２７５
℃Ｘ ３０ ｓｅｃの加熱後の導電率が４０％ｌＡＣ３
以下、望ましくは３５％ＩＡＣＳ以下であることが求め
られ、可視光線の全波長域に亘って良好な反射率が要求
される。従来の銅合金材料や鉄系材料で銅メッキの施さ
れているものの場合、可視光線の短波長側で反射率が劣
り、そのため銀メッキが施されているが、上記のような
本発明のものは良好な反射特性を有している。即ち０，
３８〜０．７７μｍの波長範囲において普通仕上げ板で
６５〜７５％、光輝仕上げ板で７５〜８０％を得ること
ができる。
ードフレームとして使用する場合、該フレームは２７５
℃Ｘ ３０ ｓｅｃの加熱後の導電率が４０％ｌＡＣ３
以下、望ましくは３５％ＩＡＣＳ以下であることが求め
られ、可視光線の全波長域に亘って良好な反射率が要求
される。従来の銅合金材料や鉄系材料で銅メッキの施さ
れているものの場合、可視光線の短波長側で反射率が劣
り、そのため銀メッキが施されているが、上記のような
本発明のものは良好な反射特性を有している。即ち０，
３８〜０．７７μｍの波長範囲において普通仕上げ板で
６５〜７５％、光輝仕上げ板で７５〜８０％を得ること
ができる。
更に上記した製造例および比較例のものについてハンダ
づけの評価のために、ハンダとして５ｎ−Ｐｂ系の共晶
ハンダを用い、超音波ハンダ付けおよびフラックスを用
いたディップ式のハンダ付けを行い、その評価をなした
結果は第３表の如くである。
づけの評価のために、ハンダとして５ｎ−Ｐｂ系の共晶
ハンダを用い、超音波ハンダ付けおよびフラックスを用
いたディップ式のハンダ付けを行い、その評価をなした
結果は第３表の如くである。
第３表 はんだ付は性の評価
「発明の効果」
以上説明したような本発明によれば、この種リードフレ
ームとして要求される耐熱性、特に強度、硬度および曲
げ性において好ましいバランスを採って安定状態に優れ
、しかもハンダ付は性なども良好であるから工業的にそ
の効果の大きい発明である。
ームとして要求される耐熱性、特に強度、硬度および曲
げ性において好ましいバランスを採って安定状態に優れ
、しかもハンダ付は性なども良好であるから工業的にそ
の効果の大きい発明である。
特許出願人 日本軽金属株式会社同
株式会社 東 芝発明者 小管 張弓 同 神尾 勝秋 同 佐野 智章 同 伊藤 紘− 同 中島 信昭 手続補正書（自発ン 昭和 （財）、１２９月４ 日
株式会社 東 芝発明者 小管 張弓 同 神尾 勝秋 同 佐野 智章 同 伊藤 紘− 同 中島 信昭 手続補正書（自発ン 昭和 （財）、１２９月４ 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｍｇ：０．４〜１．５ｗｔ％、Ｓｉ：０．４〜０．８ｗ
ｔ％、Ｃｕ：０．０２〜０．５ｗｔ％ を含有し、しかも Ｍｎ：０．２０〜１．２ｗｔ％、Ｃｒ：０．１０〜０．
３０ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５〜０．２５ｗｔ％、Ｖ：０
．０５〜０．２０ｗｔ％の１種又は２種以上を添加し、
残部がＡｌと不可避的不純物より成ることを特徴とする
リードフレーム用アルミニウム合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23638085A JPS6296638A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23638085A JPS6296638A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296638A true JPS6296638A (ja) | 1987-05-06 |
| JPH0555582B2 JPH0555582B2 (ja) | 1993-08-17 |
Family
ID=16999927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23638085A Granted JPS6296638A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296638A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988002411A1 (en) * | 1986-10-01 | 1988-04-07 | Sky Aluminium Co., Ltd. | Material for conductive parts of electronic and electric appliances |
| JPS6396237A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sky Alum Co Ltd | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 |
| JPS6396239A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sky Alum Co Ltd | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 |
| JPS63157831A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Toyo Alum Kk | 耐熱性アルミニウム合金 |
| EP0808911A1 (de) * | 1996-05-22 | 1997-11-26 | Alusuisse Technology & Management AG | Bauteil |
| US20160099200A1 (en) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Aluminum alloy lead frame for a semiconductor device and corresponding manufacturing process |
| JP2019057463A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 矢崎総業株式会社 | 端子付き電線 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23638085A patent/JPS6296638A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1988002411A1 (en) * | 1986-10-01 | 1988-04-07 | Sky Aluminium Co., Ltd. | Material for conductive parts of electronic and electric appliances |
| JPS6389640A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-20 | Sky Alum Co Ltd | 電子電気機器導電部品材料 |
| JPS6396237A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sky Alum Co Ltd | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 |
| JPS6396239A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-27 | Sky Alum Co Ltd | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 |
| US4908078A (en) * | 1986-10-09 | 1990-03-13 | Sky Aluminium Co., Ltd. | Material for conductive parts of electronic or electric devices |
| JPS63157831A (ja) * | 1986-12-18 | 1988-06-30 | Toyo Alum Kk | 耐熱性アルミニウム合金 |
| EP0808911A1 (de) * | 1996-05-22 | 1997-11-26 | Alusuisse Technology & Management AG | Bauteil |
| US20160099200A1 (en) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Aluminum alloy lead frame for a semiconductor device and corresponding manufacturing process |
| JP2019057463A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 矢崎総業株式会社 | 端子付き電線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555582B2 (ja) | 1993-08-17 |
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