JPS6289332A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS6289332A JPS6289332A JP23161385A JP23161385A JPS6289332A JP S6289332 A JPS6289332 A JP S6289332A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP 23161385 A JP23161385 A JP 23161385A JP S6289332 A JPS6289332 A JP S6289332A
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- Japan
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- gas
- layer
- etching
- dry etching
- organic films
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本孤明は、ドライエツチング方法に関し、特に、Au層
を反応性イオンエツチングするだめのドライエツチング
方法に関する。
を反応性イオンエツチングするだめのドライエツチング
方法に関する。
Au層を加工する場合、従来の技術としては、イオンミ
リング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知
られている。このような従来のAu層の加工方法に“つ
いて説明する。
リング法を用いて有機膜をマスクに加工をすることが知
られている。このような従来のAu層の加工方法に“つ
いて説明する。
まず、第2図(a)のように基板1上にAu層2を蒸着
法スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。
法スパッタ法又はメッキ法を用いて形成する。
さらにそのAu膜2の上に有機膜3を選択的に形成する
。次に、第2図(b)のようにイオンミリング法を用い
て、有機膜3をマスクにAu層2をエツチングして行く
。エツチングが終了した状態を第2図(C)に示す。次
に第2図(d)のように前記有機膜3を02プラズマ処
理又は有機洗浄などを行ない除去する。
。次に、第2図(b)のようにイオンミリング法を用い
て、有機膜3をマスクにAu層2をエツチングして行く
。エツチングが終了した状態を第2図(C)に示す。次
に第2図(d)のように前記有機膜3を02プラズマ処
理又は有機洗浄などを行ない除去する。
上述した従来のイオンS IJング法は、第2図(b)
に示すように加工途中に除去されたAu層がマスク材で
ある有機膜3の側壁に付着5して行くため、マスク材と
同一の形状が得られない。しだがってマスク寸法4に対
してAu層寸法6は太くなり微細化できない。又、除去
されたAu層が別の部分に付着して特性不良及び外観不
良を誘発する。さらに、従来の反応性イオンマツチング
法でAu層を加工する場合、陰極降下電圧が500v以
上のような比較的高い領域を用いるためマスク材とじて
有機膜を使用することができなかった。
に示すように加工途中に除去されたAu層がマスク材で
ある有機膜3の側壁に付着5して行くため、マスク材と
同一の形状が得られない。しだがってマスク寸法4に対
してAu層寸法6は太くなり微細化できない。又、除去
されたAu層が別の部分に付着して特性不良及び外観不
良を誘発する。さらに、従来の反応性イオンマツチング
法でAu層を加工する場合、陰極降下電圧が500v以
上のような比較的高い領域を用いるためマスク材とじて
有機膜を使用することができなかった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、Au層の反応性イ
オンマツチングに於いて再付着の発生しない有機膜をも
マスクとして用いるととができる、ドライエツチング方
法を提供することである。
オンマツチングに於いて再付着の発生しない有機膜をも
マスクとして用いるととができる、ドライエツチング方
法を提供することである。
本発明によれば、エツチングガスとして、塩素系ガスを
主成分として用い、弗素系ガスを添加すると同時に陰極
電圧を500v以下になるように設定することにより、
Au膜を反応性イオンエツチングするととを有している
。
主成分として用い、弗素系ガスを添加すると同時に陰極
電圧を500v以下になるように設定することにより、
Au膜を反応性イオンエツチングするととを有している
。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
まず第1図(a)のように基板1上にAu層2を蒸着法
、スパッタ法又はメッキ法などで形成する。さらに有機
膜3を選択的に形成する。次に、第1図(b)のように
反応性イオンエツチング装置を用いて、例えばマグネト
ロン型反応性イオンエツチング装置を用いて、エツチン
グ室内の一方の電極上に前記試料を配置し、CCt2F
zエツチングガスを導入すると共に各電極間に高周波電
圧を印加する。この時に第3図に示すように高周波電力
を100Wとして陰極電圧を50V程度にすることによ
りAu膜のエツチング速度が速くなり、有機膜のエツチ
ング速度が遅くなるため選択比(Au/有機膜)を3.
5倍となる。
、スパッタ法又はメッキ法などで形成する。さらに有機
膜3を選択的に形成する。次に、第1図(b)のように
反応性イオンエツチング装置を用いて、例えばマグネト
ロン型反応性イオンエツチング装置を用いて、エツチン
グ室内の一方の電極上に前記試料を配置し、CCt2F
zエツチングガスを導入すると共に各電極間に高周波電
圧を印加する。この時に第3図に示すように高周波電力
を100Wとして陰極電圧を50V程度にすることによ
りAu膜のエツチング速度が速くなり、有機膜のエツチ
ング速度が遅くなるため選択比(Au/有機膜)を3.
5倍となる。
このような条件で反応性イオンエツチングすることによ
って第1図(b)のように有機膜3をマスクにしてAu
層2を選択的にエツチングすることができる。さらに第
1図(C)のように1有機膜3を02プラズマ処理又は
有機洗浄などを用いて除去する。
って第1図(b)のように有機膜3をマスクにしてAu
層2を選択的にエツチングすることができる。さらに第
1図(C)のように1有機膜3を02プラズマ処理又は
有機洗浄などを用いて除去する。
〔発明の効果1
以上説明したように本発明を用いれば有機膜を用いて、
Au層をエツチングすることができ、マスク幅4に対し
てAu層−の幅6がほぼ同一形状となりAu層の微細加
工を可能とした。又、反応性で除去するため段着部分な
どへの再付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生し
なくなった。尚マグネトロンイオンエツチングを用いる
目的はプラズマ密度を増すことにより、Au膜のエツチ
ング速度を速くするだめのものであり通常の反応性イオ
ンエツチングを用いてもか1わない。
Au層をエツチングすることができ、マスク幅4に対し
てAu層−の幅6がほぼ同一形状となりAu層の微細加
工を可能とした。又、反応性で除去するため段着部分な
どへの再付着もなくなり特性不良及び外観不良も発生し
なくなった。尚マグネトロンイオンエツチングを用いる
目的はプラズマ密度を増すことにより、Au膜のエツチ
ング速度を速くするだめのものであり通常の反応性イオ
ンエツチングを用いてもか1わない。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を示す製造工
程の断面図、第2図(a)〜(d)は従来の製造工程の
断面図である。第3図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエツチングを用いてCCt2F2ガスによ
りエツチングした時のエツチング特性を示す。 1・・・・・・基板、2・・・・・・Au層、3・・・
・・・有機膜、4・・・・・・有機膜(マスク)の幅、
5・・・・・・再付着物、6・・・・・・Au層の幅。 早2 図 C)
程の断面図、第2図(a)〜(d)は従来の製造工程の
断面図である。第3図は本発明の一実施例としてマグネ
トロンイオンエツチングを用いてCCt2F2ガスによ
りエツチングした時のエツチング特性を示す。 1・・・・・・基板、2・・・・・・Au層、3・・・
・・・有機膜、4・・・・・・有機膜(マスク)の幅、
5・・・・・・再付着物、6・・・・・・Au層の幅。 早2 図 C)
Claims (6)
- (1)Au層を該層上に形成されたマスクパターンを用
いて選択的にエッチングするドライエッチング方法に於
いて、前記エッチングガスとして塩素系ガスを主成分と
して用いたことを特徴とするドライエッチング方法。 - (2)陰極電圧が500V以下となるように設定したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のドライエッ
チング方法。 - (3)前記塩素系ガスを主体とするガスはCl_2、C
Cl_4、SiCl_4のうち少なくとも1種からなる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のドライエッチング方法。 - (4)前記塩素系ガスを主体とするガスは、フッ素系ガ
スを添加ガスとして混合することを特徴とする特許請求
の範囲第3項記載のドライエッチング方法。 - (5)前記塩素系ガスを主体とするガスはCCl_2F
_2、CClF_3のうち少なくとも1種からなるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のド
ライエッチング方法。 - (6)マグネトロン反応イオンエッチング装置を用いた
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のドライエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60231613A JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6289332A true JPS6289332A (ja) | 1987-04-23 |
JPH0682640B2 JPH0682640B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16926253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60231613A Expired - Lifetime JPH0682640B2 (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0682640B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63232335A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06174907A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | 金属格子の製作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
JPS6196765A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 金属パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP60231613A patent/JPH0682640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55150230A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Matsushita Electronics Corp | Method of forming metallic pattern for semiconductor device |
JPS6196765A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 金属パタ−ン形成方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63232335A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06174907A (ja) * | 1992-12-04 | 1994-06-24 | Shimadzu Corp | 金属格子の製作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0682640B2 (ja) | 1994-10-19 |
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