JPS6287248A - エステル化触媒 - Google Patents
エステル化触媒Info
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- JPS6287248A JPS6287248A JP60227551A JP22755185A JPS6287248A JP S6287248 A JPS6287248 A JP S6287248A JP 60227551 A JP60227551 A JP 60227551A JP 22755185 A JP22755185 A JP 22755185A JP S6287248 A JPS6287248 A JP S6287248A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- esterification
- esterification catalyst
- acid
- mmol
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- Granted
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Pyrane Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエステル化触媒に関し、さらに詳しくは特定の
ジスタノキサン誘導体からなるエステル化触媒に関する
。
ジスタノキサン誘導体からなるエステル化触媒に関する
。
本発明により提供されるエステル化触媒はヒドロキシカ
ルボン酸またはその反応性誘導体の分子内エステル化反
応ならびにアルコールまたはその反応性誘導体とカルボ
ン酸またはその反応性誘導体との分子間エステル化反応
を促進する。これらの分子内または分子間でのエステル
化反応により香料、医薬品、高分子添加剤、液晶などと
して有用な神々のエステルが得られる。そのエステルの
代表例としてシクロペンタデカノリド、エチレンブラシ
レートなどの香料の香気成分が挙げられる０〔従来の技
術〕 従来、ヒドロキシカルボン酸またはその反応性誘導体の
分子内エステル化反応ならびにアルコールまたはその反
応性誘導体とカルボン酸またはその反応性誘導体との分
子間エステル化反応を促進スルエステル化触媒として、
ｐ−トルエンスルホン酸、硫酸などの酸またはナトリウ
ムメトキシド、カリウムｔ−ブトキシドなどの塩基が用
いられ、１＋、これらの酸または塩基に替るものとして
Ｎ。
ルボン酸またはその反応性誘導体の分子内エステル化反
応ならびにアルコールまたはその反応性誘導体とカルボ
ン酸またはその反応性誘導体との分子間エステル化反応
を促進する。これらの分子内または分子間でのエステル
化反応により香料、医薬品、高分子添加剤、液晶などと
して有用な神々のエステルが得られる。そのエステルの
代表例としてシクロペンタデカノリド、エチレンブラシ
レートなどの香料の香気成分が挙げられる０〔従来の技
術〕 従来、ヒドロキシカルボン酸またはその反応性誘導体の
分子内エステル化反応ならびにアルコールまたはその反
応性誘導体とカルボン酸またはその反応性誘導体との分
子間エステル化反応を促進スルエステル化触媒として、
ｐ−トルエンスルホン酸、硫酸などの酸またはナトリウ
ムメトキシド、カリウムｔ−ブトキシドなどの塩基が用
いられ、１＋、これらの酸または塩基に替るものとして
Ｎ。
Ｎ′−ジシクロへキシルカルボジイミド−４−（Ｎ。
Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン、トリフェニルホスフィ
ン−２，２′−ジピリジルジスルフィドなどの縮合剤が
使用されている。
ン−２，２′−ジピリジルジスルフィドなどの縮合剤が
使用されている。
近年、ジプテルスタノキシト〔（Ｃ４Ｈ９）２ＳｎＯ〕
などをエステル化触媒として用いることにより、中性に
近い条件下でエステル化反応が進行することが報告され
ている〔ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ンサエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅＡｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ）第１
０２巻第７５７８頁（１９８０年）参照〕。
などをエステル化触媒として用いることにより、中性に
近い条件下でエステル化反応が進行することが報告され
ている〔ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ンサエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅＡｍｅｒ
ｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ）第１
０２巻第７５７８頁（１９８０年）参照〕。
分子内にカルボニル基、アセタール基などの官能基また
は炭素原子−炭素原子間二重結合を有するカルボン酸、
アルコールまたはそれらの反応性誘導体を酸または塩基
の存在下でのエステル化反応に付する場合には、酸また
は塩基の作用によって前記の官能基の化学変化、二重結
合の移動または二重結合に由来する幾何異性化などが生
起することがるる。また、上記の縮合剤を用いるエステ
ル化反応では該縮合剤が原料のカルボン酸と等モル量消
費されるという欠点がある。エステル化触媒トして上記
のジブチルスタノキシドを使用する場合には、後述の参
考例に示されるように、収率よく目的とするエステルを
得ることができない。
は炭素原子−炭素原子間二重結合を有するカルボン酸、
アルコールまたはそれらの反応性誘導体を酸または塩基
の存在下でのエステル化反応に付する場合には、酸また
は塩基の作用によって前記の官能基の化学変化、二重結
合の移動または二重結合に由来する幾何異性化などが生
起することがるる。また、上記の縮合剤を用いるエステ
ル化反応では該縮合剤が原料のカルボン酸と等モル量消
費されるという欠点がある。エステル化触媒トして上記
のジブチルスタノキシドを使用する場合には、後述の参
考例に示されるように、収率よく目的とするエステルを
得ることができない。
しかして、本発明の目的は、酸または塩基によって影響
を受は易い官能基または炭素原子−炭素原子間二重結合
を有するカルボン酸、アルコールまたはそれらの反応性
誘導体を用いてエステル化反応を行なうに際し、該官能
基の化学変化、二本結合の移動または二重結合に由来す
る幾何異性化などを生ぜしめることがなく、好収率で目
的とするエステルを与えるエステル化触媒を提供するこ
とにある。
を受は易い官能基または炭素原子−炭素原子間二重結合
を有するカルボン酸、アルコールまたはそれらの反応性
誘導体を用いてエステル化反応を行なうに際し、該官能
基の化学変化、二本結合の移動または二重結合に由来す
る幾何異性化などを生ぜしめることがなく、好収率で目
的とするエステルを与えるエステル化触媒を提供するこ
とにある。
本発明によれば、上記の目的は、一般式（式中、Ｒ１、
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ低級アルキル基を表わ
し、Ｘはヒドロキシル基、低級アルコキシル基、アリー
ルオキシ基、アシルオキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、Ｙはアシルオキシ基、イソチオシアナート基または
ハロゲン原子を表わす。） で示されるジスタノキサン誘導体からなるエステル化触
媒を提供することによって達成される。
Ｒ２、Ｒ３およびＲ４はそれぞれ低級アルキル基を表わ
し、Ｘはヒドロキシル基、低級アルコキシル基、アリー
ルオキシ基、アシルオキシ基またはハロゲン原子を表わ
し、Ｙはアシルオキシ基、イソチオシアナート基または
ハロゲン原子を表わす。） で示されるジスタノキサン誘導体からなるエステル化触
媒を提供することによって達成される。
上記一般式（Ｉ）における８１％Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ
およびＹを次に詳しく説明する。ｇｌ 、 Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４はそれぞれメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの低級アルキ
ル基を表わす。Ｘはヒドロキシル基；メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基
、ヘキシルオキシ基などの低級アルコキシル基；フェノ
キシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；アセ
トキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチロイルオキシ基
、ベンゾイルオキシ基などのアシルオキシ基；または塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表
わす０また、Ｙはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基
、ブチリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などのアシル
オキシ基；インチオシアナート基；または塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表わす。
およびＹを次に詳しく説明する。ｇｌ 、 Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４はそれぞれメチル基、エチル基、プロピル基
、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などの低級アルキ
ル基を表わす。Ｘはヒドロキシル基；メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基
、ヘキシルオキシ基などの低級アルコキシル基；フェノ
キシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基；アセ
トキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチロイルオキシ基
、ベンゾイルオキシ基などのアシルオキシ基；または塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表
わす０また、Ｙはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基
、ブチリルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などのアシル
オキシ基；インチオシアナート基；または塩素原子、臭
素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子を表わす。
本発明のエステル化触媒は一般式（１）で示されるジス
タノキサン誘導体のみからなるものであってもよいし、
通常使用される担体に一般式（１）で示されるジスタノ
キサン誘導体を常法により担持させたものであってもよ
い。担体としてはシリカ、アルミナ、グラファイト等が
挙げられ、一般式（１）で示されるジスタノキサン誘導
体はこれらの担体に対して１／１０００〜１１５（重量
比）の割合で用いるのが適当でるる。
タノキサン誘導体のみからなるものであってもよいし、
通常使用される担体に一般式（１）で示されるジスタノ
キサン誘導体を常法により担持させたものであってもよ
い。担体としてはシリカ、アルミナ、グラファイト等が
挙げられ、一般式（１）で示されるジスタノキサン誘導
体はこれらの担体に対して１／１０００〜１１５（重量
比）の割合で用いるのが適当でるる。
本発明のエステル化触媒は、例えば、一般式（式中 Ｒ
６およびＲ６はそれぞれ水素原子または有機基を表わし
、ｎは２以上の整数を表わす。）で示されるヒドロキシ
カルボン酸またはその反応性誘導体の分子内エステル化
反応、一般式Ｒ７０Ｈ（ＩＩＩ） （式中 Ｒ７は有機基を表わす。）で示されるアルコー
ルまたはその反応性誘導体と一般式％式％（） （式中 ＲＪＩは有機基を表わす。）で示されるカルボ
ン酸またはその反応性誘導体とのエステル化反応などに
好適に使用される。
６およびＲ６はそれぞれ水素原子または有機基を表わし
、ｎは２以上の整数を表わす。）で示されるヒドロキシ
カルボン酸またはその反応性誘導体の分子内エステル化
反応、一般式Ｒ７０Ｈ（ＩＩＩ） （式中 Ｒ７は有機基を表わす。）で示されるアルコー
ルまたはその反応性誘導体と一般式％式％（） （式中 ＲＪＩは有機基を表わす。）で示されるカルボ
ン酸またはその反応性誘導体とのエステル化反応などに
好適に使用される。
上記一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および（■）中のＲ５
，Ｂ、６、Ｒ７およびＲ８が聚わす有機基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基などのアルキル基；
プロペニル基、メチルプロペニル基、メチルブテニル基
、ジメチルへブタジェニル基、ジメチルオクタジェニル
基、トリメチルペンタデカテトラエニル基などのアルケ
ニル基；グロパルギル本ジメチルグロパルギル基などの
アルキニル基；ベンジル基、フェネチル基などのアラル
キル基；フェニル基、ナフチル基などのアリール基；ア
セトニル基、オキソブチル基、ベンゾイルフェニル基な
どのカルボニル基を有する有機基：エチレンジオキシノ
ニル基、テトラヒドロピラニルオキシヘキシル基などの
アセタール基を有する有機基；ブロモメチル基、クロル
エテル基、ｐ−クロル７エ二ル基などのハロゲン原子を
有する有機基；ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシヘキシル基など
のヒドロキシル基を有する有機基；カルボキシエチル基
、カルボキシブチル基、カルボキシフェニル基、カルボ
キシウンデシル基などのカルボキシル基を有する有機基
などが挙げられる。上記のヒドロキシカルボン酸の反応
性誘導体としてはヒドロキシカルボン酸低級アルキルエ
ステル、アシロキシカルボン酸、アシロキシカルボン酸
低級アルキルエステルなどが例示される。また、アルコ
ールの反応性誘導体としては例えばアルコールの低級脂
肪酸エステルなどが挙げられ、カルボン酸の反応性誘導
体としては例えばカルボン酸低級アルキルエステルなど
が挙げられる。
，Ｂ、６、Ｒ７およびＲ８が聚わす有機基としては、例
えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基などのアルキル基；
プロペニル基、メチルプロペニル基、メチルブテニル基
、ジメチルへブタジェニル基、ジメチルオクタジェニル
基、トリメチルペンタデカテトラエニル基などのアルケ
ニル基；グロパルギル本ジメチルグロパルギル基などの
アルキニル基；ベンジル基、フェネチル基などのアラル
キル基；フェニル基、ナフチル基などのアリール基；ア
セトニル基、オキソブチル基、ベンゾイルフェニル基な
どのカルボニル基を有する有機基：エチレンジオキシノ
ニル基、テトラヒドロピラニルオキシヘキシル基などの
アセタール基を有する有機基；ブロモメチル基、クロル
エテル基、ｐ−クロル７エ二ル基などのハロゲン原子を
有する有機基；ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピ
ル基、ヒドロキシブチル基、ヒドロキシヘキシル基など
のヒドロキシル基を有する有機基；カルボキシエチル基
、カルボキシブチル基、カルボキシフェニル基、カルボ
キシウンデシル基などのカルボキシル基を有する有機基
などが挙げられる。上記のヒドロキシカルボン酸の反応
性誘導体としてはヒドロキシカルボン酸低級アルキルエ
ステル、アシロキシカルボン酸、アシロキシカルボン酸
低級アルキルエステルなどが例示される。また、アルコ
ールの反応性誘導体としては例えばアルコールの低級脂
肪酸エステルなどが挙げられ、カルボン酸の反応性誘導
体としては例えばカルボン酸低級アルキルエステルなど
が挙げられる。
上記のエステル化反応において本発明のエステル化触媒
は一般式（１）で示されるジスタノキサン誘導体がカル
ボン酸またはその反応性誘導体に対して好ましくは０．
０１〜５０モルチ、より好ましくはＯ，１〜２０モルチ
の割合になるような量で使用される。エステル化反応は
トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素
；オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカンなどの脂肪
族炭化水Ｘ；＋トラ７７０ルエチレン、エトラクロルエ
タン、ペンタクロルエタン、クロルベンゼンなどのハロ
ゲン化炭化水素；ジオキサン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテルなどのエーテルなどの有機溶媒の存在下
または不存在下に通常１００〜２００℃、好ましくは１
２０〜１８０℃に加熱することにより実施される。なお
、エステル化反応は副生する水、アルコール、カルボン
酸、エステルなどの低沸点物を系外へ留去しながら行な
うのが好適な結果を与える。
は一般式（１）で示されるジスタノキサン誘導体がカル
ボン酸またはその反応性誘導体に対して好ましくは０．
０１〜５０モルチ、より好ましくはＯ，１〜２０モルチ
の割合になるような量で使用される。エステル化反応は
トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素
；オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカンなどの脂肪
族炭化水Ｘ；＋トラ７７０ルエチレン、エトラクロルエ
タン、ペンタクロルエタン、クロルベンゼンなどのハロ
ゲン化炭化水素；ジオキサン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテルなどのエーテルなどの有機溶媒の存在下
または不存在下に通常１００〜２００℃、好ましくは１
２０〜１８０℃に加熱することにより実施される。なお
、エステル化反応は副生する水、アルコール、カルボン
酸、エステルなどの低沸点物を系外へ留去しながら行な
うのが好適な結果を与える。
エステル化反応終了後、反応混合物からの目的とするエ
ステルの分離精製は當法に従って行なわれる。なお、本
発明のエステル化触媒は蒸留残渣などから回収され、そ
のまま再使用することが可能である。
ステルの分離精製は當法に従って行なわれる。なお、本
発明のエステル化触媒は蒸留残渣などから回収され、そ
のまま再使用することが可能である。
本発明のエステル化触媒を構成する一般式（１）で示さ
れるジスタノキサン誘導体は公知化合物であシ、例えば
、アドパンクス・イン・オルガノメタクック・ケミスト
リー（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａ
ｌｌｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ）第５０第１５９頁（１
９６７年）などに記載された方法ＫＪニジ容易に製造す
ることができる。
れるジスタノキサン誘導体は公知化合物であシ、例えば
、アドパンクス・イン・オルガノメタクック・ケミスト
リー（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａ
ｌｌｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ）第５０第１５９頁（１
９６７年）などに記載された方法ＫＪニジ容易に製造す
ることができる。
以下、実施例によシ本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例によシ限定されるものではない。
明はこれらの実施例によシ限定されるものではない。
実施例１
１２−ヒドロキシオクタデカン酸１ミリモル、１−クロ
ル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタノキサン０．２
ミリモルおよびデカ７１００ ｍｌの混合物を２４時間
加熱還流した。反応混合物から減圧下にデカ／を留去し
、その残渣にヘキサンを加え、ついでヘキサン溶液を皇
凹水で洗滌した。ヘキサン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥したのち低沸点物を減圧下に留去し、得られた濃縮
液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーでｈａするこ
とによシ、下記の物性を有する１２−オクタデカノリド
を得た（収率９０．４％）。
ル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタノキサン０．２
ミリモルおよびデカ７１００ ｍｌの混合物を２４時間
加熱還流した。反応混合物から減圧下にデカ／を留去し
、その残渣にヘキサンを加え、ついでヘキサン溶液を皇
凹水で洗滌した。ヘキサン層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥したのち低沸点物を減圧下に留去し、得られた濃縮
液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーでｈａするこ
とによシ、下記の物性を有する１２−オクタデカノリド
を得た（収率９０．４％）。
０．６２〜１．９０（ｍ、３１Ｈ）、 ２．２０（ｔ、
Ｊ＝６Ｈｚ、 ２）Ｉ）。
Ｊ＝６Ｈｚ、 ２）Ｉ）。
４．４５〜４．９５ （ｍ 、 ＩＨ）実施例２〜３
実施例１において１２−ヒドロキシオクタデカン醒１ミ
リモルの代）に１５−ヒドロキシペンタデカンＭまたは
１６−ヒトロキシヘキサデカン酸をそれぞれ１ミリモル
用いた以外は実施例１と同様にして反応および分離ｎ裂
を行なうことによシ、それぞれ１５−ペンタデカノリド
または１６−へキサデカノリドを得た。それぞれのエス
テルの収率およびＮＭＲスペクトルを第１表に示す。
リモルの代）に１５−ヒドロキシペンタデカンＭまたは
１６−ヒトロキシヘキサデカン酸をそれぞれ１ミリモル
用いた以外は実施例１と同様にして反応および分離ｎ裂
を行なうことによシ、それぞれ１５−ペンタデカノリド
または１６−へキサデカノリドを得た。それぞれのエス
テルの収率およびＮＭＲスペクトルを第１表に示す。
第１表
実施例４〜９
実施例１において１−クロル−３−ヒドロキシテトラプ
チルジスタノキサ７０．２ミリモルの代りニ１．３−ジ
クＯｙ７ トラブチルジスタノキサン、１−クロル−３
−メトキシテトラブチルジスタノキサン、１−クロル−
３−フェノキンテトラブチルジスタノキサン、１−ヒド
ロキシ−３゛−イソチオシアナートテトラッチルジスタ
ノキサン、ｌ−クロル−３−ヒドロキシテトラメチルジ
スタノキサン、または１．３−ジアセトキシテトラメチ
ルジスタノキサンをそれぞれ０．２ミ！ｊモル用いた以
外は実施例１と同様にして反応および分離精製を行なう
ことにより、１２−オクタデカノリドを得た。
チルジスタノキサ７０．２ミリモルの代りニ１．３−ジ
クＯｙ７ トラブチルジスタノキサン、１−クロル−３
−メトキシテトラブチルジスタノキサン、１−クロル−
３−フェノキンテトラブチルジスタノキサン、１−ヒド
ロキシ−３゛−イソチオシアナートテトラッチルジスタ
ノキサン、ｌ−クロル−３−ヒドロキシテトラメチルジ
スタノキサン、または１．３−ジアセトキシテトラメチ
ルジスタノキサンをそれぞれ０．２ミ！ｊモル用いた以
外は実施例１と同様にして反応および分離精製を行なう
ことにより、１２−オクタデカノリドを得た。
それぞれの収率を第２表に示す。
第 ２ 表
４ １．３−ジクロルテトラブチルジスタノキサン
８６．２５ １−クロル−３−メトキシテトラブ
チルジス ８６．１タノキサン ６ １−クロル−３−フェノキシテトラブチルジ
８８．２スタノキサン ｌ−ヒドロキシ−３−インナオシアナ−トチ ４６
．０７ トラブチルジスタノキサン ８ １−クロル−３−ヒドロキシナト２メチルジ
５２．０スタノキサン 実施ｆＦｌ１１０ 実施例１において１−クロル−３−ヒドロキクテトラブ
チルジスタノキサン０．２ミリモルの代りに１−ヒドロ
キク−３−イソチオシアナートテトジブチルジスタノキ
サン０．２ミリモルを用い、かつ１２−ヒドロキシオク
タデカン酸１ミリモルの代シに１４−ヒドロキシエイコ
サン酸１ミリモルを用いた以外は実施例１と同様にして
反応および分離精製を行なうことにより、下記の物性を
有する１４−エイコサン酸ドを７２％の収￥で得た。
８６．２５ １−クロル−３−メトキシテトラブ
チルジス ８６．１タノキサン ６ １−クロル−３−フェノキシテトラブチルジ
８８．２スタノキサン ｌ−ヒドロキシ−３−インナオシアナ−トチ ４６
．０７ トラブチルジスタノキサン ８ １−クロル−３−ヒドロキシナト２メチルジ
５２．０スタノキサン 実施ｆＦｌ１１０ 実施例１において１−クロル−３−ヒドロキクテトラブ
チルジスタノキサン０．２ミリモルの代りに１−ヒドロ
キク−３−イソチオシアナートテトジブチルジスタノキ
サン０．２ミリモルを用い、かつ１２−ヒドロキシオク
タデカン酸１ミリモルの代シに１４−ヒドロキシエイコ
サン酸１ミリモルを用いた以外は実施例１と同様にして
反応および分離精製を行なうことにより、下記の物性を
有する１４−エイコサン酸ドを７２％の収￥で得た。
ＭＳ
ＮＭＲスペクトル（６０ＭＨｚ ）δＣｃ１４０．６２
〜１．９０（ｍ、３５Ｋ）、 ２．２０（ｔ、 Ｊ＝６
．０Ｈｚ、 ２Ｍ）。
〜１．９０（ｍ、３５Ｋ）、 ２．２０（ｔ、 Ｊ＝６
．０Ｈｚ、 ２Ｍ）。
４．４５〜４．９５ （ｍ、 ＩＨ）
実施例１１
安息香酸メチル２ミリモル、ベンジルアルコール４ミリ
モル、１−クロル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタ
ノキサン００２ミリモルおよびトルエン１００ｄからな
る混合液を１５．５時間加熱還流した。反応混合物を濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
ことによシ安息香酸ベンジル０．３７３ｆを得た（収率
８７．９ ％ ）。
モル、１−クロル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタ
ノキサン００２ミリモルおよびトルエン１００ｄからな
る混合液を１５．５時間加熱還流した。反応混合物を濃
縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する
ことによシ安息香酸ベンジル０．３７３ｆを得た（収率
８７．９ ％ ）。
実施例１２〜３３
所定量のエステル、アルコールおよび１−クロル−３−
ヒドロキクテトラブチルジスタノキサンをトルエン１０
（ｌｔＡ’に加え、所定時間加熱還流した。反応混合物
から低沸点物を留去し、その残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製することによシそれぞれ対応す
るエステルを得た。
ヒドロキクテトラブチルジスタノキサンをトルエン１０
（ｌｔＡ’に加え、所定時間加熱還流した。反応混合物
から低沸点物を留去し、その残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製することによシそれぞれ対応す
るエステルを得た。
その結果を第５表に示す。
実施例３４
安息香酸２ミリモル、酢酸ベンジル４ミリモル、１−ク
ロル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタノキサン０．
０２ミリモルおよびトルエン１００−からなる混合液を
１５，５時間加熱還流した０反応混合物を濃縮後、その
濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製す
ることにより安息香酸ベンジル０．３３２９を得た（収
率７８．２％）０参考例 実施例２および３において１−クロル−３−ヒドロキシ
テトラブチルジスタノキサン０．２ミリモルの代シにジ
ブチルスタノキシド０．２ミリモルを用いた以外は実施
例１と同様にして反応および分離精製を行なうことによ
り、１５−ペンタデカノリドおよび１６−へキサデカノ
リドをそれぞれ４２．０％および４７．０％の収率で得
た。
ロル−３−ヒドロキシテトラブチルジスタノキサン０．
０２ミリモルおよびトルエン１００−からなる混合液を
１５，５時間加熱還流した０反応混合物を濃縮後、その
濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製す
ることにより安息香酸ベンジル０．３３２９を得た（収
率７８．２％）０参考例 実施例２および３において１−クロル−３−ヒドロキシ
テトラブチルジスタノキサン０．２ミリモルの代シにジ
ブチルスタノキシド０．２ミリモルを用いた以外は実施
例１と同様にして反応および分離精製を行なうことによ
り、１５−ペンタデカノリドおよび１６−へキサデカノ
リドをそれぞれ４２．０％および４７．０％の収率で得
た。
本発明によれば上記の実施例から明らかなとおシ好収率
でエステルを与えるエステル化触媒が提供される。
でエステルを与えるエステル化触媒が提供される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞ
れ低級アルキル基を表わし、Ｘはヒドロキシル基、低級
アルコキシル基、アリールオキシ基、アシルオキシ基ま
たはハロゲン原子を表わし、Ｙはアシルオキシ基、イソ
チオシアナート基またはハロゲン原子を表わす。） で示されるジスタノキサン誘導体からなるエステル化触
媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227551A JPS6287248A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | エステル化触媒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227551A JPS6287248A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | エステル化触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287248A true JPS6287248A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0576350B2 JPH0576350B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=16862670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227551A Granted JPS6287248A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | エステル化触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6287248A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5470969A (en) * | 1990-08-27 | 1995-11-28 | Mcneil-Ppc, Inc. | Catalyzed sucrose-6-ester process |
| EP0776903A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-04 | McNEIL-PPC, INC. | Improved sucrose-6-ester process |
| EP0881209A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing hydroxyalkyl monoacrylate |
| US7378210B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-05-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic toner and manufacturing method thereof, polyester resin for electrophotographic toner and manufacturing method thereof, electrophotographic developer and image forming method |
| US7420020B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-09-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Resin particles and producing method thereof, toner for developing electrostatic latent image and producing method thereof, electrostatic latent image developer as well as image forming method |
| JP2012020984A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Nippon Surfactant Kogyo Kk | エステル誘導体並びに該エステル誘導体を含有する化粧料、外用剤、塗料及びインキ組成物 |
| JP2016108334A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | ２−イソプロペニル−５−メチル−４−ヘキセン−１−イル３−メチル−２−ブテノエートの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153913A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-21 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Preparation of dimethylaminoethylmethacrylate |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60227551A patent/JPS6287248A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153913A (en) * | 1976-06-18 | 1977-12-21 | Nitto Chem Ind Co Ltd | Preparation of dimethylaminoethylmethacrylate |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5470969A (en) * | 1990-08-27 | 1995-11-28 | Mcneil-Ppc, Inc. | Catalyzed sucrose-6-ester process |
| EP0776903A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-04 | McNEIL-PPC, INC. | Improved sucrose-6-ester process |
| EP0881209A1 (en) * | 1997-05-30 | 1998-12-02 | Mitsubishi Chemical Corporation | Process for producing hydroxyalkyl monoacrylate |
| US7378210B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-05-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic toner and manufacturing method thereof, polyester resin for electrophotographic toner and manufacturing method thereof, electrophotographic developer and image forming method |
| US7420020B2 (en) | 2004-05-14 | 2008-09-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Resin particles and producing method thereof, toner for developing electrostatic latent image and producing method thereof, electrostatic latent image developer as well as image forming method |
| US7619041B2 (en) | 2004-05-14 | 2009-11-17 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Resin particles and producing method thereof, toner for developing electrostatic latent image and producing method thereof, electrostatic latent image developer as well as image forming method |
| JP2012020984A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Nippon Surfactant Kogyo Kk | エステル誘導体並びに該エステル誘導体を含有する化粧料、外用剤、塗料及びインキ組成物 |
| JP2016108334A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 信越化学工業株式会社 | ２−イソプロペニル−５−メチル−４−ヘキセン−１−イル３−メチル−２−ブテノエートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576350B2 (ja) | 1993-10-22 |
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